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CN106057922B - 隐藏栅线光伏电池组件和隐藏栅线印制模及光伏移光系统 - Google Patents

隐藏栅线光伏电池组件和隐藏栅线印制模及光伏移光系统 Download PDF

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Abstract

本发明涉及的隐藏栅线光伏电池组件和隐藏栅线印制模及光伏移光系统，将单晶或多晶光伏电池中的各类栅线设置在单晶或多晶光伏电池内形成隐藏栅线光伏电池组件，隐藏栅线光伏电池组件和光伏移光板构成光伏移光系统，将光伏移光板并排平行设置在隐藏栅线光伏电池组件的侧面上方，通过本方案，隐藏栅线藏于单晶或多晶光伏电池内，单晶或多晶光伏电池增加光照面积，增加了光电转换效率，通过光伏移光板把另一倍阳光叠加到隐藏栅线光伏电池组件上，使系统的发电量得到增加，而且其成本大大降低，光伏材料的利用率和光电转换效率得到提高，隐藏栅线通过印制模上设置的遮挡板，使隐藏栅线在印刷中，可以直接印制出来，为制作隐藏栅线光伏电池奠定了基础。

Description

隐藏栅线光伏电池组件和隐藏栅线印制模及光伏移光系统
技术领域
本发明涉及一种光伏电池，特别是涉及一种隐藏栅线光伏电池组件和隐藏栅线印制模及光伏移光系统。
背景技术
我们的人类能源问题已是全球性问题，我们现在使用的化学能源和核能源不是清洁能源，同时现有可开采能源也已不能维持人类的可持续发展，充分利用太阳能成为一种必然趋势。
人类开发了许多技术利用太阳能，而技术成熟且已用于发电的主要是硅基光伏太阳能电池，太阳能源清洁环保，但是该光伏电池的光电转换效率太低，成本太高，这就多方面妨碍了它的发展。
为了增加该光伏电池的发电量，半个世纪以来人们进行了不懈的努力，进行了无数次偿试，但始终没有实质性进展，转换率总在17%-22%以下，而该光伏电池的价格却很高，提高光伏电池转换效率和降低光伏电池价格，是本发明人所要解决的问题。
在现有技术中，光伏电池组件由若干单晶或多晶光伏电池1构成，大多是以156*156为单晶体，每个单晶体上经过制工工艺形成PN结，如图1所述，单晶体上表面为N极 2，下方为P极3，在N极 2 上设有54-75根左右的横向栅线4，有2根纵向栅线4，在此情况下每个光伏电池单晶输出功率为250瓦，各类栅线占单晶面积的6%左右，近期人们发现通过增加纵向栅线4的个数对每个标准单晶的输出功率可以增大到285瓦，同时使各关栅线4准单晶面积的17%左右。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种隐藏栅线光伏电池组件和隐藏栅线印制模及光伏移光系统，通过本技术方案中的隐藏栅线技术，可以增加照射在隐藏栅线光伏电池上的光线，从而可以增加光伏电池的发电量，结合光伏移光技术，光伏移光板将另一倍阳光加到隐藏栅线光伏电池上，因此使系统的发电量得到很大增加，而其成本大大降低，使光伏电池的利用率和光电转换效率得到极大的突破和提高。
为了达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
一种隐藏栅线光伏电池组件，由若干个单晶或多晶光伏电池构成，将单晶或多晶光伏电池中的各类栅线设置在单晶或多晶光伏电池内，使单晶或多晶光伏电池中的各类隐藏栅线不再占用单晶或多晶光伏电池光照表面，各隐藏栅线不再遮挡光线而影响光伏电池的输出功率，虽然隐藏栅线藏于单晶或多晶光伏电池内，但能很好的接触电池表面，很好的收集电子。从而有效的提高单晶或多晶光伏电池的光电转化效率。
作为进一步的技术方案，在单晶或多晶光伏电池的上表面开设有藏栅槽，在单晶或多晶光伏电池上表面和藏栅槽内表面扩散设置N极或P极，在藏栅槽底部的N极或P极上设置隐藏栅线。
作为进一步的技术方案，所述隐藏栅线隐藏在单晶或多晶光伏电池的上表层以下的藏栅槽的上开口一侧下方。
作为进一步的技术方案，在单晶或多晶光伏电池的侧面上设置有藏栅孔，在单晶或多晶光伏电池上表面和藏栅孔内表面设置N极或P极，在藏栅孔内的N极或P极上设置隐藏栅线。
一种隐藏栅线光伏电池组件的光伏移光系统，由权利要求1-4之一所述的隐藏栅线光伏电池组件和至少一块光伏移光板构成， 所述光伏移光板并排平行设置在隐藏栅线光伏电池组件的侧面上方，太阳光线分别照射在光伏移光板和隐藏栅线光伏电池组件上，光伏移光板可将太阳光线转移到隐藏栅线光伏电池组件上，照射在光伏移光板上的太阳光线移光叠加照射在所对应的隐藏栅线光伏电池组件上。
所述光伏移光板包括基底，所述基底表面设有多个凸起，所述凸起可使光线从基底上折射、反射到其侧下方位置的光伏移光板上，并通过光伏移光板照射在隐藏栅线光伏电池组件上。
一种隐藏栅线光伏电池组件的隐藏栅线印制模，由权利要求2和3引述的隐藏栅线光伏电池组件的隐藏栅线印刷中，在模体上设置有与单晶或多晶光伏电池上的藏栅槽相对应的镂空槽，在每个镂空槽一侧边缘上设置有沿藏栅槽底边深入到藏栅槽内的遮挡板，所述遮挡板的下端与镂空槽另一侧边缘的垂直线相对齐。
采用上述技术方案后的有益效果是：一种隐藏栅线光伏电池组件和隐藏栅线印制模及光伏移光系统，通过本技术方案，隐藏栅线藏于单晶或多晶光伏电池内，使单晶或多晶光伏电池增加了光照面积，因而也就增加了光电转换效率，同时通过光伏移光板把另一倍阳光叠加到隐藏栅线光伏电池组件上，因此使系统的发电量得到很大增加，而且其成本大大降低，光伏材料的利用率和光电转换效率得到提高，隐藏栅线通过印制模上设置的遮挡板，使隐藏栅线在印刷中，可以直接印制出来，为制作隐藏栅线光伏电池奠定了基础。
附图说明
图1为现有技术中单晶或多晶光伏电池结构原理图。
图2为本发明中隐藏栅线光伏电池组件实施例一的结构原理图。
图3为本发明中隐藏栅线光伏电池组件实施例一的整体结构示意图。
图4为本发明实施例一中藏栅槽与隐藏栅线的位置关系示意图。
图5为本发明中隐藏栅线光伏电池组件实施例二的结构原理图。
图6为本发明中光伏移光板的结构示意图。
图7为本发明中隐藏栅线光伏电池组件的光伏移光系统的整体结构原理图。
图8为本发明中隐藏栅线光伏电池的隐藏栅线印制模的结构示意图。
图中，1单晶或多晶光伏电池标准单晶、2 N极、3 P极、4栅线、5隐藏栅线、6藏栅槽、7藏栅槽上开口、8 藏栅孔、9隐藏栅线光伏电池组件、10光伏移光板、11基底、12凸起、13模体、14镂空槽、15遮挡板、16太阳光线。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明中具体实施例作进一步详细说明。
如图2-图3所示，本发明涉及的隐藏栅线光伏电池组件，由若干个单晶或多晶光伏电池1构成，将单晶或多晶光伏电池1中的各类栅线4设置在单晶或多晶光伏电池1内，使单晶或多晶光伏电池1中的各类隐藏栅线5不再占用单晶或多晶光伏电池1光照表面，各隐藏栅线5不再遮挡光线而影响光伏电池的输出功率，虽然隐藏栅线5藏于单晶或多晶光伏电池1内，但能很好的接触电池的N极2表面，很好的收集电子，从而有效的提高单晶或多晶光伏电池1的光电转化效率。
作为进一步的第一实施例，在单晶或多晶光伏电池1的上表面开设有藏栅槽6，在单晶或多晶光伏电池1上表面和藏栅槽6内表面扩散设置N极2，在藏栅槽底部的N极2上设置隐藏栅线5。
如图4所示，所述隐藏栅线5隐藏在单晶或多晶光伏电池1的上表层以下的藏栅槽上开口7一侧下方，在太阳光线16照射下，隐藏栅线5 隐藏在藏栅槽上开口7的侧方，而躲开太阳光线16的照射。
如图5所示，作为进一步的第二实施例，在单晶或多晶光伏电池1的侧面上设置有藏栅孔8，在单晶或多晶光伏电池1上表面和藏栅孔8内表面设置N极2，在藏栅孔8内的N极2上设置隐藏栅线5。
如图6和图7所示，本发明涉及的隐藏栅线光伏电池组件的光伏移光系统，由第一实施例或第二实施例所述的隐藏栅线光伏电池组件9和至少一块光伏移光板10构成， 所述光伏移光板10并排平行设置在隐藏栅线光伏电池组件9的侧面上方，太阳光线16分别照射在光伏移光板10和隐藏栅线光伏电池组件9上，光伏移光板10可将太阳光线16转移到隐藏栅线光伏电池组件9上，照射在光伏移光板10上的太阳光线16移光叠加照射在所对应的隐藏栅线光伏电池组件9上。
所述光伏移光板10包括基底11，所述基底11表面设有多个凸起12，所述凸起12可使太阳光线16从基底11上折射、反射到其侧下方位置的光伏移光板10上，并通过光伏移光板10照射在隐藏栅线光伏电池组件9上。
如图8所示，本发明涉及的隐藏栅线光伏电池组件的隐藏栅线印制模，由第一实施例所述的隐藏栅线光伏电池组件9隐藏栅线5的印刷中，在模体13上设置有与单晶或多晶光伏电池1上的藏栅槽6相对应的镂空槽14，在每个镂空槽14一侧边缘上设置有沿藏栅槽6底边深入到藏栅槽6内的遮挡板15，所述遮挡板15的下端与镂空槽14另一侧边缘的垂直线相对齐。
本发明涉及的隐藏栅线光伏电池组件的光伏移光系统，通过隐藏栅线光伏电池组件9和光伏移光板10的结合，与现有技术相比，隐藏栅线光伏电池组件9可提高近18%的光感面积，配合光伏移光板10，因此使本系统的发电量得到很大增加，而且其成本降低，光伏材料的利用率和光电转换效率都得到有效的提高。
以上所述，仅为本发明的较佳可行实施例而已，并非用以限定本发明的范围。

Claims (4)

1.一种隐藏栅线光伏电池组件，由若干个单晶或多晶光伏电池构成，其特征在于，在单晶或多晶光伏电池的上表面开设有藏栅槽，将单晶或多晶光伏电池中的各类栅线设置在单晶或多晶光伏电池上表面的藏栅槽内，其中所述藏栅槽延伸于单晶或多晶光伏电池内且倾斜于单晶或多晶光伏电池上表面，在单晶或多晶光伏电池上表面和藏栅槽内表面扩散设置N极或P极，在藏栅槽底部的N极或P极上设置隐藏栅线，所述隐藏栅线隐藏在单晶或多晶光伏电池的藏栅槽上开口一侧的下方，使单晶或多晶光伏电池中的各类栅线不再占用单晶或多晶光伏电池光照表面，各类隐藏栅线不再遮挡光线而影响光伏电池的输出功率。
2.一种隐藏栅线光伏电池组件的光伏移光系统，其特征在于，由权利要求1所述的隐藏栅线光伏电池组件和至少一块光伏移光板构成，所述光伏移光板并排平行设置在隐藏栅线光伏电池组件的侧面上方，太阳光线分别照射在光伏移光板和隐藏栅线光伏电池组件上，光伏移光板将太阳光线转移到隐藏栅线光伏电池组件上，照射在光伏移光板上的太阳光线移光叠加照射在所对应的隐藏栅线光伏电池组件上。
3.根据权利要求2所述的隐藏栅线光伏电池组件的光伏移光系统，其特征在于，所述光伏移光板包括基底，所述基底表面设有多个凸起，所述凸起能够使光线从基底上折射、反射到其侧下方位置的光伏移光板上，并通过光伏移光板照射在隐藏栅线光伏电池组件上。
4.一种隐藏栅线光伏电池组件的隐藏栅线印制模，其特征在于，由权利要求1引述的隐藏栅线光伏电池组件的隐藏栅线印刷中，在模体上设置有与单晶或多晶光伏电池上的藏栅槽相对应的镂空槽，在每个镂空槽一侧边缘上设置有沿藏栅槽底边深入到藏栅槽内的遮挡板，所述遮挡板的下端与镂空槽另一侧边缘的垂直线相对齐。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080230119A1 (en) * 2007-03-22 2008-09-25 Hideki Akimoto Paste for back contact-type solar cell
CN102082199B (zh) * 2010-11-19 2012-05-02 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种用于晶体硅太阳能电池刻槽埋栅的方法
CN102593196B (zh) * 2012-02-28 2014-06-18 常州天合光能有限公司 低电阻埋栅式太阳能电池及其制作方法
CN203367298U (zh) * 2013-06-26 2013-12-25 江苏爱多光伏科技有限公司 一种太阳能电池片上的埋栅电极
CN203708184U (zh) * 2013-12-09 2014-07-09 李会欣 太阳能光伏组件折光单元

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