CN106002498B - 一种有机dast晶体的表面研磨工艺方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种有机DAST晶体的表面研磨工艺方法。其流程为：①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；②按体积比配制20%～80%乙酸乙酯和20%～80%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行晶体研磨；③按体积比配制55%～85%乙酸乙酯和15%～45%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行细磨；④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中清洗；⑤将DAST晶体置于50℃～80℃温度条件下，真空干燥5min～15min。本发明能够有效地去除DAST晶体表面的凹坑、生长台阶等宏观缺陷，降低了晶体的表面粗糙度，可得到具有较平整且易于后期加工的晶体表面。
Description
技术领域
本发明涉及有机DAST晶体的表面处理方法，尤其是涉及一种有机DAST晶体的表面研磨工艺方法。
背景技术
有机光学DAST晶体（即4-N,N-二甲胺基-4’-N’-甲基-氮杂芪的对甲苯磺酸盐，英文名为4-N,N-dimethylamino-4’-N’-methyl-stilbazolium tosylate）属于有机吡啶盐类晶体，生长有机晶体一般采用溶液法进行。
DAST晶体是由阳离子基团（DAS）和阴离子基团（甲苯磺酸基）组成的离子晶体。在晶体生长过程中，晶体表面溶液过饱和度的波动会引起生长层的不一致，使得晶体表面呈现台阶形貌，直接影响晶体太赫兹发射性能。除此之外，由于受其他因素的影响，使得晶体表面不可避免地存在凹坑、位错等缺陷，当晶体表面存在缺陷、吸水或者晶体表面不平整时，会对光产生散射、折射和吸收，使得晶体的太赫兹发射效率低，失去了晶体的光学应用价值。
为了避免浪费，迫切需要对DAST晶体进行表面研磨处理，使晶体表面能够满足光学应用。
由于DAST晶体极易溶于有机溶剂和吸水的特性，传统的研磨液不能满足其研磨要求，因而迫切需要研制一项具有良好研磨效果的DAST表面研磨工艺。
发明内容
鉴于现有技术存在的问题和缺陷，本发明提供一种能够达到良好研磨效果的有机DAST晶体的表面研磨工艺方法。
本发明采取的技术方案是：一种有机DAST晶体的表面研磨工艺方法，其特征在于：该研磨工艺其方法流程为：
第一步：在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨，将DAST晶体表面磨平；
第二步：按体积比配制20%～80%乙酸乙酯和20%～80%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行晶体研磨，以去除晶体表面不平整缺陷；
第三步：按体积比配制55%～85%乙酸乙酯和15%～45%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行细磨，以去除研磨时的划痕，降低晶体表面粗糙度；
第四步：将DAST晶体置于分析纯的乙酸乙酯溶液中清洗，将晶体表面残留的研磨液和其它残留物清洗干净；
第五步：将DAST晶体置于50℃～80℃温度条件下，真空干燥5min～15min。
本发明的有益效果是：能够有效地去除DAST晶体表面的凹坑、生长台阶等宏观缺陷，降低了晶体的表面粗糙度，可得到具有较平整且易于后期加工的晶体表面。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明进行详细说明。
实施例1：有机DAST晶体表面研磨工艺具体步骤如下：
①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；
②使用按体积比20%乙酸乙酯和80%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行研磨；
③使用按体积比85%乙酸乙酯和15%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上继续进行研磨；
④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗；
⑤在65℃温度条件下，将DAST晶体真空干燥10min。
⑥以上实验均在室温25℃±5℃，湿度20%～30%条件下进行。
实施例2：有机DAST晶体表面研磨工艺具体步骤如下：
①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；
②使用按体积比20%乙酸乙酯和80%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行研磨；
③使用按体积比65%乙酸乙酯和35%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上继续进行研磨；
④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗；
⑤在65℃温度条件下，将DAST晶体真空干燥10min。
⑥以上实验均在室温25℃±5℃，湿度20%～30%条件下进行。
实施例3：有机DAST晶体表面研磨工艺具体步骤如下：
①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；
②使用按体积比20%乙酸乙酯和80%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行研磨；
③使用按体积比55%乙酸乙酯和45%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上继续进行研磨；
④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗；
⑤在65℃温度条件下，将DAST晶体真空干燥10min。
⑥以上实验均在室温25℃±5℃，湿度20%～30%条件下进行。
实施例4：有机DAST晶体表面研磨工艺具体步骤如下：
①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；
②使用按体积比40%乙酸乙酯和60%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行研磨；
③使用按体积比85%乙酸乙酯和15%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上继续进行研磨；
④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗；
⑤在65℃温度条件下，将DAST晶体真空干燥10min。
⑥以上实验均在室温25℃±5℃，湿度20%～30%条件下进行。
实施例5：有机DAST晶体表面研磨工艺具体步骤如下：
①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；
②使用按体积比40%乙酸乙酯和60%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行研磨；
③使用按体积比65%乙酸乙酯和35%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上继续进行研磨；
④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗；
⑤在65℃温度条件下，将DAST晶体真空干燥10min。
⑥以上实验均在室温25℃±5℃，湿度20%～30%条件下进行。
实施例6：有机DAST晶体表面研磨工艺具体步骤如下：
①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；
②使用按体积比40%乙酸乙酯和60%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行研磨；
③使用按体积比55%乙酸乙酯和45%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上继续进行研磨；
④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗；
⑤在65℃温度条件下，将DAST晶体真空干燥10min。
⑥以上实验均在室温25℃±5℃，湿度20%～30%条件下进行。
实施例7：有机DAST晶体表面研磨工艺具体步骤如下：
①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；
②使用按体积比80%乙酸乙酯和20%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行研磨；
③使用按体积比85%乙酸乙酯和15%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上继续进行研磨；
④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗；
⑤在65℃温度条件下，将DAST晶体真空干燥10min。
⑥以上实验均在室温25℃±5℃，湿度20%～30%条件下进行。
实施例8：有机DAST晶体表面研磨工艺具体步骤如下：
①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；
②使用按体积比80%乙酸乙酯和20%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行研磨；
③使用按体积比65%乙酸乙酯和35%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上继续进行研磨；
④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗；
⑤在65℃温度条件下，将DAST晶体真空干燥10min。
⑥以上实验均在室温25℃±5℃，湿度20%～30%条件下进行。
实施例9：有机DAST晶体表面研磨工艺具体步骤如下：
①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；
②使用按体积比80%乙酸乙酯和20%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行研磨；
③使用按体积比55%乙酸乙酯和45%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上继续进行研磨；
④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗；
⑤在65℃温度条件下，将DAST晶体真空干燥10min。
⑥以上实验均在室温25℃±5℃，湿度20%～30%条件下进行。
通过以上实施例，在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨，使用按体积比40%乙酸乙酯和60%无水乙醇配成的研磨溶液和按体积比55%乙酸乙酯和45%无水乙醇配成的研磨溶液，在无纺布材质的研磨垫上进行二步研磨后，将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中进行清洗，最后在65℃温度条件下，真空干燥10min。经检测，有机DAST晶体表面粗糙度可达到微米级，能够达到光学测试和太赫兹发射测试标准，因而，实施例4的研磨效果最佳，为本发明最佳实施例。
Claims (1)
1.一种有机DAST晶体的表面研磨工艺方法，其特征在于：该研磨工艺其方法流程为：
第一步：在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨，将DAST晶体表面磨平；
第二步：按体积比配制20%～80%乙酸乙酯和20%～80%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行晶体研磨，以去除晶体表面不平整缺陷；
第三步：按体积比配制55%～85%乙酸乙酯和15%～45%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行细磨，以去除研磨时的划痕，降低晶体表面粗糙度；
第四步：将DAST晶体置于分析纯的乙酸乙酯溶液中清洗，将晶体表面残留的研磨液和其它残留物清洗干净；
第五步：将DAST晶体置于50℃～80℃温度条件下，真空干燥5min～15min。
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