[go: up one dir, main page]

CN105977224A - 一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构及其制造方法 - Google Patents

一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105977224A
CN105977224A CN201610471201.9A CN201610471201A CN105977224A CN 105977224 A CN105977224 A CN 105977224A CN 201610471201 A CN201610471201 A CN 201610471201A CN 105977224 A CN105977224 A CN 105977224A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chip
dam
box dam
overflowing
preventing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610471201.9A
Other languages
English (en)
Inventor
谢建友
陈文钊
詹亮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huatian Technology Xian Co Ltd
Original Assignee
Huatian Technology Xian Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huatian Technology Xian Co Ltd filed Critical Huatian Technology Xian Co Ltd
Priority to CN201610471201.9A priority Critical patent/CN105977224A/zh
Publication of CN105977224A publication Critical patent/CN105977224A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W74/10
    • H10P76/00
    • H10W72/884

Landscapes

  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Abstract

本发明公开了一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构及其制造方法,封装件包括芯片、打线区域和芯片感应区,芯片整体呈长方体结构,一面的四个角均为倒梯形空间的打线区域,剩余部分构成十字结构,在十字结构中部为一个长方形的芯片感应区,在由内向外靠近芯片感应区的边缘部分,有一圈围坝,围坝拐弯处为圆弧过渡。所述围坝通过晶圆光刻方式实现。该结构具有防止表面溢塑封料的特点。

Description

一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及集成电路领域,具体是一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构及其制造方法。
背景技术
现有技术中,芯片整体呈长方体结构,一面的四个角均为倒梯型空间的打线区域,剩余部分构成十字结构,且拐角为直角;在十字结构中部为一个小长方形的芯片感应区。在制造过程中,胶膜与芯片表面很难做到紧密贴合,十字结构的八个方向均有可能存在缝隙而导致溢塑封料。
如图1所示,芯片1、DAF粘胶2、基板3、焊线4等构成基本芯片结构;
如图2、图3、图4所示,上模具8和下模具9为基础的塑封,图3中的胶膜6与芯片上表面有缝隙7。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题,本发明公开了一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构及其制造方法,通过围坝的建造,可有效防止表面溢塑封料的问题。
一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构,封装件包括芯片、打线区域和芯片感应区,芯片整体呈长方体结构,一面的四个角均为倒梯型空间的打线区域,剩余部分构成十字结构,在十字结构中部为一个小长方形的芯片感应区,在由内向外靠近芯片感应区的边缘部分,有一圈围坝,围坝拐弯处为圆弧过渡。
所述围坝为PA胶。
所述围坝整体为长方形、圆形、椭圆形或者不规则形。
一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构的制造方法,所述围坝通过晶圆光刻方式实现。
附图说明
图1、图2、图3、图4为现有技术图;
图5为本发明主视图;
图6为本发明左视图;
图7为本发明俯视图。
图中,1为芯片、2为DAF粘胶、3为基板、4为焊线、5为塑封料、6为胶膜、7为缝隙、8为上模具、9为下模具、10为打线区域、11为芯片感应区、12为围坝、13为围坝拐弯处。
具体实施方式
一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构,封装件包括芯片1、打线区域10和芯片感应区11,芯片1整体呈长方体结构,一面的四个角均为倒梯型空间的打线区域10,剩余部分构成十字结构,在十字结构中部为一个小长方形的芯片感应区11,在由内向外靠近芯片感应区11的边缘部分,有一圈围坝12,围坝拐弯处13为圆弧过渡。
所述围坝12为PA胶。
所述围坝12整体为长方形、圆形、椭圆形或者不规则形。
一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构的制造方法,所述围坝12通过晶圆光刻方式实现。

Claims (4)

1.一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构及其制造方法,封装件包括芯片(1)、打线区域(10)和芯片感应区(11),芯片(1)整体呈长方体结构,一面的四个角均为倒梯型空间的打线区域(10),剩余部分构成十字结构,在十字结构中部为一个小长方形的芯片感应区(11),其特征在于,在由内向外靠近芯片感应区(11)的边缘部分,有一圈围坝(12),围坝拐弯处(13)为圆弧过渡。
2.根据权利要求1所述的一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构,其特征在于,所述围坝(12)为PA胶。
3.根据权利要求1所述的一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构,其特征在于,所述围坝(12)整体为长方形、圆形、椭圆形或者不规则形。
4.一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构的制造方法,其特征在于,所述围坝(12)通过晶圆光刻方式实现。
CN201610471201.9A 2016-06-23 2016-06-23 一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构及其制造方法 Pending CN105977224A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610471201.9A CN105977224A (zh) 2016-06-23 2016-06-23 一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610471201.9A CN105977224A (zh) 2016-06-23 2016-06-23 一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105977224A true CN105977224A (zh) 2016-09-28

Family

ID=57020602

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610471201.9A Pending CN105977224A (zh) 2016-06-23 2016-06-23 一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105977224A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050093176A1 (en) * 2003-10-29 2005-05-05 Meng-Chi Hung Bonding pad structure
CN101221930A (zh) * 2007-01-10 2008-07-16 日月光半导体制造股份有限公司 芯片封装结构及其封装方法
CN101290892A (zh) * 2007-04-17 2008-10-22 矽品精密工业股份有限公司 感测式半导体装置及其制法
CN104538373A (zh) * 2014-12-30 2015-04-22 华天科技(昆山)电子有限公司 三维集成传感芯片封装结构及封装方法
CN105244289A (zh) * 2014-07-08 2016-01-13 台湾积体电路制造股份有限公司 封装半导体器件的方法和封装的半导体器件
CN205810787U (zh) * 2016-06-23 2016-12-14 华天科技(西安)有限公司 一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050093176A1 (en) * 2003-10-29 2005-05-05 Meng-Chi Hung Bonding pad structure
CN101221930A (zh) * 2007-01-10 2008-07-16 日月光半导体制造股份有限公司 芯片封装结构及其封装方法
CN101290892A (zh) * 2007-04-17 2008-10-22 矽品精密工业股份有限公司 感测式半导体装置及其制法
CN105244289A (zh) * 2014-07-08 2016-01-13 台湾积体电路制造股份有限公司 封装半导体器件的方法和封装的半导体器件
CN104538373A (zh) * 2014-12-30 2015-04-22 华天科技(昆山)电子有限公司 三维集成传感芯片封装结构及封装方法
CN205810787U (zh) * 2016-06-23 2016-12-14 华天科技(西安)有限公司 一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US12170240B2 (en) Lead frame for improving adhesive fillets on semiconductor die corners
JP3170627U (ja) 半導体パッケージ構造
CN103367264B (zh) 一种可避免胶材溢流的封装载板
JP6204088B2 (ja) 半導体装置
JP6677616B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN205810787U (zh) 一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构
KR20140060390A (ko) 반도체 패키지의 랜드 및 그 제조 방법과 이를 이용한 반도체 패키지 및 그 제조 방법
CN106158783A (zh) 具有防溢胶结构的散热片装置
CN105977224A (zh) 一种防止表面溢塑封料的封装件围坝结构及其制造方法
CN209150103U (zh) 小外形晶体管sot封装结构
JP5264677B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
US20150144389A1 (en) Method of minimizing mold flash during dambar cut
CN103811359B (zh) 半导体封装件的制法
CN107026143A (zh) 引线框的下沉设置
KR20030028516A (ko) 진보된 이미지 센서 칩과 이를 사용한 패캐지 제조
CN102834916B (zh) 具有隔开的散热器的封装
CN105938826A (zh) 改善框架表面与塑封体分层的引线框架及封装体
CN101261967B (zh) 加强型封装载板及其制造方法
CN104051373A (zh) 散热结构、半导体封装件及其制法
CN205810786U (zh) 一种用钝化层防止表面溢塑封料的封装件
TW201916317A (zh) 半導體裝置
CN103608918A (zh) 用于减轻去除浇口期间的粘模的引线框架带材
CN106024731B (zh) 一种用钝化层防止表面溢塑封料的封装件
CN105977214A (zh) 一种基于露芯塑封工艺的tsv芯片封装件及其制造方法
TWI662659B (zh) 承載件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160928