[go: up one dir, main page]

CN105903694A - 大尺寸蓝宝石衬底退火前的清洗及背面不良返工方法 - Google Patents

大尺寸蓝宝石衬底退火前的清洗及背面不良返工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105903694A
CN105903694A CN201610267482.6A CN201610267482A CN105903694A CN 105903694 A CN105903694 A CN 105903694A CN 201610267482 A CN201610267482 A CN 201610267482A CN 105903694 A CN105903694 A CN 105903694A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sapphire substrate
cleaning
size sapphire
substrate slice
cleaning method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610267482.6A
Other languages
English (en)
Inventor
毛智斌
沈思情
刘浦锋
宋洪伟
陈猛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHANGHAI ADVANCED SILICON TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
SHANGHAI ADVANCED SILICON TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHANGHAI ADVANCED SILICON TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical SHANGHAI ADVANCED SILICON TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201610267482.6A priority Critical patent/CN105903694A/zh
Publication of CN105903694A publication Critical patent/CN105903694A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/048—Overflow-type cleaning, e.g. tanks in which the liquid flows over the tank in which the articles are placed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供了一种用于大尺寸蓝宝石衬底片退火前清洗及背面不良返工方法，其特征在于研磨片经过药槽清洗后再经过手工刷洗和搓洗,可有效改善蓝宝石衬底片表面颗粒及洁净度，最后经过酸碱浸泡、冲淋甩干，退火后的衬底片表面洁净度达到无黑白点，无色差，无手印，无沾污，衬底片的良率可达90%以上；本发明还提供了一种背面不良片的返工方法，可避免因纯手工打磨引起的背面粗糙度不一致问题；本发明的特点在于可以有效的改善或去除蓝宝石衬底片表面的粉尘，大大改善衬底片背面不良问题，极大提高成品的良率。

Description

大尺寸蓝宝石衬底退火前的清洗及背面不良返工方法
技术领域
本发明涉及大尺寸蓝宝石衬底片退火前的清洗及背面不良片的返工方法，属于晶体材料的加工技术领域。
背景技术
随着光电子领域对氮化镓(GaN)基发光二极管( LED)的发光性能要求不断提高，从而对金属有机化学气相沉积法(MOCVD) 生长GaN的蓝宝石(α-Al2O3) 衬底晶片的表面质量要求越来越严，这主要是因为蓝宝石衬底晶片抛光表面的杂质沾污会严重影响LED的质量和成品率。在目前的LED生产中，大尺寸蓝宝石衬底片仍有50%以上的废品是由于表面污染引起的，由于在衬底晶片生产中，几乎每道工序都有清洗问题， 所以蓝宝石晶片清洗的好坏对LED的发光性能有严重的影响，处理不当，可能使全部蓝宝石晶片报废，做不出LED管子来，或者制造出来的LED性能低劣、稳定性和可靠性很差。
蓝宝石晶片经过切削、研磨和抛光等加工后，晶片表面已是α-Al2O3晶体的一个截面，由结晶学可知，这个表面所有的晶格都处于破坏状态，即有一层或多层的化学键被打开，呈现一层到几层的悬挂键，由物化性质可知，非饱和化学键化学活性高，处于不稳定状态，极易与周围的分子或原子结合起来。被吸附的杂质粒子有颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子等。退火前必须全部去除，才能达到出货所要求的洁净度。
目前市场上2寸蓝宝石衬底片是主导，但随着技术的改进，4寸及更大尺寸的蓝宝石越来越受到专注。在开发4寸衬底片的过程中，按照2寸的工艺要求清洗大尺寸晶片时，越来越多的难题暴露出来，退火后的蓝宝石衬底片背面不良问题尤为突出，退火后衬底片会出现黑点，白点，色差，手印，沾污，大半晶片被卡在这个环节无法往下流通。
本发明针对现有的技术问题，提供一种用于大尺寸蓝宝石衬底片退火前清洗及背面不良返工的方法，重点解决目前蓝宝石退火前衬底片表面清洗不干净，背面不良（色差、沾污、黑点、白点）严重，退火后良率低于50%的问题。
发明内容
本发明的目的主要是通过以下技术方案来实现的：
一种用于大尺寸蓝宝石衬底片退火前的清洗方法，包括：
将待退火晶片放置于80℃放有清洗剂的超声波槽中不开超声波清洗，通过实验证明开超声波清洗的晶片表面并不能达到理想的均匀度，晶片表面呈现树枝状或条纹状色差，且这些晶片重清洗很难达到规定的清洁度。
使用蘸有洗洁精的硬质短毛刷刷洗的目的是手工处理的晶片经处理后表面的清洁度均一，无明显色差。
使用粗抛布再搓洗一遍的目的在于可以有效减少晶片表面附着的微小颗粒，因物理和化学吸附的微颗粒在后序程序处理过程中要达到出货要求比较困难。
经过不同温度的超声清水槽可以去除清洁剂的残留及毛刷和粗抛布的绒面。
用H2SO4和H2O2的100℃混合液的比例为2:1:5-10，优选2:1:7-8，酸洗可以
去除晶片表面的金属离子，添加的比例根据清洗后的金属颗粒检测结果调整。
用NH3OH和H2O2的混合溶液清洗的比例为1:1:5-8，可以去除晶片表面非金属杂质残留。酸或碱加的过多，造成化学品浪费，同时因腐蚀速率过快而影响衬底片表面的机械参数。添加少了，腐蚀速率过慢，作业周期长，一些“顽固”颗粒不易脱离衬底片表面。
一种用于大尺寸蓝宝石衬底片背面不良片的处理方法，其特征在于：采用单面研磨的方法去除表面的一层脏污，使用图1的装置可以一次完成10-15片处理，比单片处理的效率高出很多。所使用的研磨浆料配比研磨砂SiC：悬浮剂：纯水=500:400:1200-2000ml，铸铁研磨盘的自重可以达到研磨压力的效果，研磨一段时间后，可以去除晶片表面的不良，所配的浆料也可以保持晶片的表面粗糙度在规定范围内。研磨后改用贴粗抛布的研磨盘继续研磨可以改善研磨过程引起的轻微划伤，去除表面颗粒，提高晶片品质。
本发明的优点在于提供了一种用于大尺寸蓝宝石衬底片退火前的清洗方法及退火后晶片表面存在色差、黑点，白点，手印，沾污等不良可返工片的处理方法。退火前的清洗检验合格率可以达到90%以上，退火后的合格率达到85%-95%，经返工处理后的总合格率可达95%左右，大大改善了背面不良，该方法在生产中可根据实际情况对本工艺进行适当变形或改进，这些都将是本发明的保护范围。
附图说明
图1a、图1b为蓝宝石衬底片退火后背面不良返工片装置俯视图及侧视图示意图。
图2为本发明所采用的清洗技术工艺流程图。
具体实施方式
为了更清楚的理解本发明，按工艺步骤进一步详细描述本发明。
晶片经过两个80℃清洗剂药槽清洗10min后。
用刷子蘸取清洁剂手工刷洗。
用粗抛布搓洗。
放入60℃纯水槽中超声清洗10min。
经过80℃纯水槽中超声清洗10min。
室温纯水喷淋5min。
放入酸槽中浸泡5-15min。
纯水溢流3min。
放入碱槽中浸泡5-15min。
喷淋3min。
80℃热风甩干，目检或仪器颗粒检测通过后退火。
一种用于大尺寸蓝宝石衬底背面不良片的处理方法，（色差、划伤、黑点、白点、手印、沾污等）一面的不良片放置于图1、图2所示的装置上，添加适量的研磨浆料，使用铸铁磨盘研磨5-20min后，改用贴有粗抛布的研磨盘研磨5-10min，背面不良片的清洗过程与重复1-11。
实施例 1
研磨好的25片蓝宝石衬底片经电子级纯水冲洗后，经过两个80℃含清洗剂的超声波水槽中不开超声波清洗10分钟后，用长毛刷粘取适量洗洁精对衬底片手工刷洗后再用粗抛布搓洗，再使用以溢流的方式超声波清洗10分钟，最后将衬底片吹干后在强光灯下目检。检验结果显示不开超声波增加人工刷洗搓洗的情况下合格24片，色差1片，良率达到96%。
对比例 1
研磨好的25片蓝宝石衬底片经电子级纯水冲洗后，经过两个80℃含清洗剂的超声波水槽开超声波清洗10分钟后；经过60℃、80℃、60℃、多个清水槽分别超声10min；使用以溢流的方式超声波清洗10分钟；吹干后强光灯下目检。检验结果显示开启超声波的情况下合格16片，色差9片，良率只有64%。
实施例 2
研磨好的25片蓝宝石衬底片经电子级纯水冲洗后，经过两个80℃含清洗剂的超声波水槽中不开超声波清洗10分钟后；(2)用长毛刷粘取适量洗洁精对衬底片手工刷洗后再用粗抛布搓洗；(3)使用以溢流的方式超声波清洗10分钟；(4)经80℃的电子级纯水中10分钟，再放入纯水溢流超声槽中5分钟，水温为室温；(5)用H2SO4和H2O2的100℃混合液比例为2:1:7，腐蚀晶片5分钟，后用纯水溢流3分钟；(6)用NH4OH和H2O2的混合液比例为1:1:7，腐蚀晶片5分钟；(7)晶片经电子级纯水喷淋3分钟后加热甩干装进退火炉；(8)退火后经检验，合格片23片，1片黑点，1小崩。良率达到92%。
对比例 2
(1) 研磨好的25片蓝宝石衬底片经电子级纯水冲洗后，经过两个80℃含清洗剂的超声波水槽中不开超声波清洗10分钟后；(2)用长毛刷粘取适量洗洁精对衬底片手工刷洗后再用粗抛布搓洗；(3)使用以溢流的方式超声波清洗10分钟；(4)经80℃的电子级纯水中10分钟，再放入纯水溢流超声槽中5分钟，水温为室温；(5)用H2SO4和H2O2的100℃混合液比例为2:1:10，腐蚀晶片5分钟，后用纯水溢流3分钟；(6) 用NH4OH和H2O2的混合液比例为1:1:10，腐蚀晶片5分钟；(7)晶片经电子级纯水喷淋3分钟后加热甩干装进退火炉；(8)退火后经检验，合格片22片，3片颗粒超标。良率达到88%。
实施例 3
取25片背面不良返工片，将背面向上放置于图1所示的103衬底片放置位置，取30ml以研磨砂SiC：悬浮剂：纯水=500:400:1500ml配比的浆料均匀涂抹于装置上的衬底片上，用铸铁研磨盘研磨15min后，在研磨盘上贴好粗抛布再研磨5分钟后，再将研磨好的25片蓝宝石衬底片经电子级纯水冲洗后，经过两个80℃含清洗剂的超声波水槽中不开超声波清洗10分钟。用长毛刷粘取适量洗洁精对衬底片手工刷洗后再用粗抛布搓洗，使用以溢流的方式超声波清洗10分钟经80℃的电子级纯水中10分钟，再放入纯水溢流超声槽中5分钟，水温为室温。用H2SO4和H2O2的100℃混合液比例为2:1:10，腐蚀晶片5分钟，放于纯水槽中溢流3分钟，接着用NH4OH和H2O2的混合液比例为1:1:10，腐蚀晶片5分钟，晶片经电子级纯水喷淋3分钟后加热甩干。经检验25片返工片中合格20片，4片背污，1片小崩。良率达到80%。
对比例 3
取25片背面不良返工片，分别用不同200目、120目、80目的砂纸进行手工打磨，将研磨好的25片蓝宝石衬底片经电子级纯水冲洗后，经过两个80℃含清洗剂的超声波水槽中不开超声波清洗10分钟。用长毛刷粘取适量洗洁精对衬底片手工刷洗后再用粗抛布搓洗，使用以溢流的方式超声波清洗10分钟经80℃的电子级纯水中10分钟，再放入纯水溢流超声槽中5分钟，水温为室温。用H2SO4和H2O2的100℃混合液比例为2:1:10，腐蚀晶片5分钟，放于纯水槽中溢流3分钟，接着用NH4OH和H2O2的混合液比例为1:1:10，腐蚀晶片5分钟，晶片经电子级纯水喷淋3分钟后加热甩干。经检验25片返工片中合格10片，划伤5片，表面粗糙度超标4片，背污6片。良率只有40%。

Claims (7)

1.一种用于大尺寸蓝宝石衬底片退火前清洗方法，包括以下步骤：
晶片经过两个80℃清洗剂药槽清洗10min后；
用刷子蘸取清洁剂手工刷洗；
用粗抛布搓洗；
放入60℃纯水槽中超声清洗10min；
经过80℃纯水槽中超声清洗10min；
室温纯水喷淋5min；
放入酸槽中浸泡5-15min；
纯水溢流3min；
放入碱槽中浸泡5-15min；
喷淋3min；
80℃热风甩干，目检或仪器颗粒检测通过后退火。
2.根据权利要求1所述的一种用于大尺寸蓝宝石衬底片退火前的清洗方法，其特征在于步骤（2）使用的刷子为硬质短毛刷，蘸取清洁剂后刷洗时间为15-30s/片，双面刷洗。
3.根据权利要求1所述的一种用于大尺寸蓝宝石衬底片退火前的清洗方法，其特征在于步骤（3）搓洗时间为10-15s/片，双面搓洗。
4.根据权利要求1所述的一种用于大尺寸蓝宝石衬底片退火前的清洗方法，其特征在于步骤（7）的酸槽中，所述成分和配比为H2SO4:H2O2:H2O=2:1:5-10。
5.根据权利要求1所述的一种用于大尺寸蓝宝石衬底片退火清洗方法，其特征在于步骤（9）的碱槽中，所述成分和配比为NH3OH:H2O2:H2O=1:1:5-8。
6.一种用于大尺寸蓝宝石衬底片退火后背面不良片的处理方法，其特征在于将有背污（色差、划伤、黑点等）一面的背面不良片放置于图1、图2所示的装置上，添加适量的研磨浆料，使用铸铁磨盘研磨5-20min后，改用贴有粗抛布的研磨盘研磨5-10min，背面不良片的清洗过程与权利要求1的相同。
7.根据权利要求6所述的一种用于大尺寸蓝宝石衬底片退火后背面不良片处理方法，其特征在于所述研磨浆料的成分和配比为研磨砂SiC：悬浮剂：纯水=500:400:1200-2000。
CN201610267482.6A 2016-04-27 2016-04-27 大尺寸蓝宝石衬底退火前的清洗及背面不良返工方法 Pending CN105903694A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610267482.6A CN105903694A (zh) 2016-04-27 2016-04-27 大尺寸蓝宝石衬底退火前的清洗及背面不良返工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610267482.6A CN105903694A (zh) 2016-04-27 2016-04-27 大尺寸蓝宝石衬底退火前的清洗及背面不良返工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105903694A true CN105903694A (zh) 2016-08-31

Family

ID=56753132

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610267482.6A Pending CN105903694A (zh) 2016-04-27 2016-04-27 大尺寸蓝宝石衬底退火前的清洗及背面不良返工方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105903694A (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106863025A (zh) * 2017-03-28 2017-06-20 江苏吉星新材料有限公司 一种2吋、4吋蓝宝石衬底背面缺陷修复加工方法
CN107164109A (zh) * 2017-03-31 2017-09-15 吴江创源新材料科技有限公司 一种蓝宝石晶片退火前清洗液及其制备方法和清洗工艺
CN109513677A (zh) * 2018-10-09 2019-03-26 东莞市希尔金属材料有限公司 丝印蓝宝石退镀清洗方法
CN109821810A (zh) * 2018-12-28 2019-05-31 江苏澳洋顺昌集成电路股份有限公司 一种蓝宝石衬底片成品清洗工艺
CN110802052A (zh) * 2019-10-14 2020-02-18 江苏吉星新材料有限公司 一种蓝宝石衬底粗糙表面碳化硼的去除方法
CN111185433A (zh) * 2020-01-14 2020-05-22 江苏京晶光电科技有限公司 可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺
CN111393189A (zh) * 2019-12-30 2020-07-10 杭州大和江东新材料科技有限公司 一种用于去除陶瓷产品表面颗粒的方法
CN112157055A (zh) * 2020-08-20 2021-01-01 洛阳中硅高科技有限公司 清洗处理方法、酸温度控制设备和清洗处理设备
CN113496870A (zh) * 2020-04-03 2021-10-12 重庆超硅半导体有限公司 一种集成电路用硅片边缘形貌控制方法
CN113496868A (zh) * 2020-04-03 2021-10-12 重庆超硅半导体有限公司 一种硅片的抛光后清洗方法
CN113680721A (zh) * 2021-08-20 2021-11-23 江苏澳洋顺昌集成电路股份有限公司 去除蓝宝石单抛衬底背面色差的清洗方法
CN114695643A (zh) * 2022-06-02 2022-07-01 天通控股股份有限公司 一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000286222A (ja) * 1999-01-08 2000-10-13 Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw 半導体基板の表面における金属汚染を低減する方法及び化学溶液
CN102166790A (zh) * 2011-01-21 2011-08-31 苏州辰轩光电科技有限公司 一种去除蓝宝石基片表面粗糙以及伤痕的加工方法
CN102343547A (zh) * 2011-10-20 2012-02-08 天津理工大学 一种蓝宝石衬底材料的热化学机械抛光法及抛光液
CN102632055A (zh) * 2012-03-31 2012-08-15 江苏鑫和泰光电科技有限公司 一种蓝宝石衬底的清洗方法
CN102962226A (zh) * 2012-12-06 2013-03-13 江苏吉星新材料有限公司 蓝宝石衬底晶片抛光后的清洗方法
CN103111434A (zh) * 2013-01-15 2013-05-22 安徽康蓝光电股份有限公司 一种蓝宝石加工最终清洗工艺
CN103537453A (zh) * 2013-08-20 2014-01-29 曾锡强 一种蓝宝石衬底晶片抛光后的超声清洗方法
CN103794469A (zh) * 2012-10-30 2014-05-14 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种氮化镓薄膜层的制备方法及衬底
CN104772313A (zh) * 2015-04-22 2015-07-15 蓝思科技股份有限公司 一种镀膜后的蓝宝石晶片的清洗方法
CN105014520A (zh) * 2015-08-13 2015-11-04 江苏吉星新材料有限公司 一种蓝宝石衬底片浸没式化学机械抛光方法
CN204912166U (zh) * 2015-06-29 2015-12-30 徐州同鑫光电科技股份有限公司 用于蓝宝石的内外循环混酸清洗槽及其清洗设备
CN205152401U (zh) * 2015-10-30 2016-04-13 江苏吉星新材料有限公司 一种蓝宝石粗磨后清洗装置

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000286222A (ja) * 1999-01-08 2000-10-13 Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw 半導体基板の表面における金属汚染を低減する方法及び化学溶液
CN102166790A (zh) * 2011-01-21 2011-08-31 苏州辰轩光电科技有限公司 一种去除蓝宝石基片表面粗糙以及伤痕的加工方法
CN102343547A (zh) * 2011-10-20 2012-02-08 天津理工大学 一种蓝宝石衬底材料的热化学机械抛光法及抛光液
CN102632055A (zh) * 2012-03-31 2012-08-15 江苏鑫和泰光电科技有限公司 一种蓝宝石衬底的清洗方法
CN103794469A (zh) * 2012-10-30 2014-05-14 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种氮化镓薄膜层的制备方法及衬底
CN102962226A (zh) * 2012-12-06 2013-03-13 江苏吉星新材料有限公司 蓝宝石衬底晶片抛光后的清洗方法
CN103111434A (zh) * 2013-01-15 2013-05-22 安徽康蓝光电股份有限公司 一种蓝宝石加工最终清洗工艺
CN103537453A (zh) * 2013-08-20 2014-01-29 曾锡强 一种蓝宝石衬底晶片抛光后的超声清洗方法
CN104772313A (zh) * 2015-04-22 2015-07-15 蓝思科技股份有限公司 一种镀膜后的蓝宝石晶片的清洗方法
CN204912166U (zh) * 2015-06-29 2015-12-30 徐州同鑫光电科技股份有限公司 用于蓝宝石的内外循环混酸清洗槽及其清洗设备
CN105014520A (zh) * 2015-08-13 2015-11-04 江苏吉星新材料有限公司 一种蓝宝石衬底片浸没式化学机械抛光方法
CN205152401U (zh) * 2015-10-30 2016-04-13 江苏吉星新材料有限公司 一种蓝宝石粗磨后清洗装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
周海: "《超声波清洗在蓝宝石镜面加工中的应用》", 《机械》 *

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106863025A (zh) * 2017-03-28 2017-06-20 江苏吉星新材料有限公司 一种2吋、4吋蓝宝石衬底背面缺陷修复加工方法
CN107164109A (zh) * 2017-03-31 2017-09-15 吴江创源新材料科技有限公司 一种蓝宝石晶片退火前清洗液及其制备方法和清洗工艺
CN109513677A (zh) * 2018-10-09 2019-03-26 东莞市希尔金属材料有限公司 丝印蓝宝石退镀清洗方法
CN109513677B (zh) * 2018-10-09 2020-06-19 东莞市希尔金属材料有限公司 丝印蓝宝石退镀清洗方法
CN109821810A (zh) * 2018-12-28 2019-05-31 江苏澳洋顺昌集成电路股份有限公司 一种蓝宝石衬底片成品清洗工艺
CN110802052A (zh) * 2019-10-14 2020-02-18 江苏吉星新材料有限公司 一种蓝宝石衬底粗糙表面碳化硼的去除方法
CN111393189A (zh) * 2019-12-30 2020-07-10 杭州大和江东新材料科技有限公司 一种用于去除陶瓷产品表面颗粒的方法
CN111185433B (zh) * 2020-01-14 2020-12-29 江苏京晶光电科技有限公司 可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺
CN111185433A (zh) * 2020-01-14 2020-05-22 江苏京晶光电科技有限公司 可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺
CN113496870A (zh) * 2020-04-03 2021-10-12 重庆超硅半导体有限公司 一种集成电路用硅片边缘形貌控制方法
CN113496868A (zh) * 2020-04-03 2021-10-12 重庆超硅半导体有限公司 一种硅片的抛光后清洗方法
CN113496870B (zh) * 2020-04-03 2022-07-26 重庆超硅半导体有限公司 一种集成电路用硅片边缘形貌控制方法
CN113496868B (zh) * 2020-04-03 2023-03-10 重庆超硅半导体有限公司 一种硅片的抛光后清洗方法
CN112157055A (zh) * 2020-08-20 2021-01-01 洛阳中硅高科技有限公司 清洗处理方法、酸温度控制设备和清洗处理设备
CN113680721A (zh) * 2021-08-20 2021-11-23 江苏澳洋顺昌集成电路股份有限公司 去除蓝宝石单抛衬底背面色差的清洗方法
CN113680721B (zh) * 2021-08-20 2022-07-12 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 去除蓝宝石单抛衬底背面色差的清洗方法
CN114695643A (zh) * 2022-06-02 2022-07-01 天通控股股份有限公司 一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105903694A (zh) 大尺寸蓝宝石衬底退火前的清洗及背面不良返工方法
CN109004062B (zh) 利用臭氧实现碱性体系对硅片刻蚀抛光的方法及设备
JP5888280B2 (ja) シリコンウエーハの研磨方法およびエピタキシャルウエーハの製造方法
TWI416997B (zh) 多元件電極之再處理程序
CN110449407A (zh) 一种半导体铝合金零部件超高洁净清洗工艺
TWI596668B (zh) 一種半導體晶圓的拋光方法
CN110335807B (zh) 一种硅片清洗方法
JP4207976B2 (ja) 化合物半導体基板の表面処理方法、および化合物半導体結晶の製造方法
JPH1072594A (ja) 洗浄処理剤
CN108054236A (zh) 单晶硅片清洗制绒方法
CN113690128A (zh) 一种磷化铟晶片的清洗方法
CN113736580A (zh) 一种用于硅片清洗抛光的混酸清洗液及抛光硅片清洗方法
CN110802052A (zh) 一种蓝宝石衬底粗糙表面碳化硼的去除方法
CN102486994B (zh) 一种硅片清洗工艺
CN101205621B (zh) 一种铝材料零件的清洗方法
CN112086342B (zh) 一种有效去除背封硅片背面背封点的工艺方法
CN114121699A (zh) 一种硅片清洗过程异常的排查方法
CN119217159A (zh) 一种大尺寸晶圆增强型清洗方法
CN112635302A (zh) 一种降低硅片边缘抛光碎片率的工艺
CN117463691A (zh) 蓝宝石晶片退火前清洗方法
KR20230173091A (ko) 웨이퍼의 세정방법 및 세정처리장치
CN112474550B (zh) 一种氧化镓晶片cmp后的清洗方法
CN112605051A (zh) 一种晶片研磨夹具的清洗方法
TWI869134B (zh) 半導體晶圓的洗淨方法
US12500077B2 (en) Epitaxial wafer cleaning method

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20160831

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication