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CN105900001B - 有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法和显示装置 - Google Patents

有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法和显示装置 Download PDF

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CN105900001B CN201480072505.7A CN201480072505A CN105900001B CN 105900001 B CN105900001 B CN 105900001B CN 201480072505 A CN201480072505 A CN 201480072505A CN 105900001 B CN105900001 B CN 105900001B
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Abstract

本发明提供一种有源矩阵基板的制造方法、有源矩阵基板和包括该有源矩阵基板的显示装置，该有源矩阵基板及其方法能够在层间绝缘膜设置调整孔，而没有基板表面被削到或发生异常放电的危险，能够对照最下层的膜的位置来容易地修正形成的膜的位置，具有良好的叠合精度。有源矩阵基板的层间绝缘膜(14)是以使用具有感光性的SOG材料，并具有用于对基板(10)和层间绝缘膜(14)的上侧形成的栅极绝缘膜(15)、第一半导体膜(16)、第二半导体膜(17)和源极金属的图案进行调整的调整孔(14b)的方式形成的。从调整孔(14b)观察栅极布线(11)的边缘部来调整各膜的位置。

Description

有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法和显示装置
技术领域
本发明涉及电视接收机、个人计算机等具备的有源矩阵基板的制造方法、有源矩阵基板和包括有源矩阵基板的显示装置。
背景技术
显示装置中，液晶显示装置具有薄型、耗电低的特征。尤其是包括在各像素具有薄膜晶体管(TFT)等开关元件的有源矩阵基板的液晶显示装置，由于具有高对比度和优异的响应特性，性能优越，所以能适用于电视接收机、个人计算机等。
有源矩阵基板上，形成有多个栅极布线(扫描布线)和隔着层间绝缘膜与各栅极布线交叉的多个源极布线(信号布线)，在栅极布线与源极布线交叉的部分附近，设有对像素进行开关的薄膜晶体管。
在栅极布线和源极布线的交叉部分形成的电容(寄生电容)由于会成为显示品质下降的原因，所以优选减小该电容。
专利文献1中公开了涉及有源矩阵基板的发明，该有源矩阵基板通过将覆盖栅极布线的绝缘膜做成具有第一绝缘层和第二绝缘层的多层绝缘膜，并用包含有机成分的绝缘材料构成第一绝缘层，实现了所述寄生电容的减小。
图20是表示所述专利文献1等的现有有源矩阵基板的TFT构造的一部分的示意剖视图。
如图20所示，有源矩阵基板的玻璃制的基板10上形成有栅电极11a(构成栅极布线11的一部分)。
由SOG(Spin On Glass，旋转涂布玻璃)构成的层间绝缘膜14覆盖基板10、栅电极11a的周缘部而形成。层间绝缘膜14的靠栅电极11a的周缘部的内侧设有未被层间绝缘膜14覆盖的接触孔14a。
当形成由SOG构成的层间绝缘膜14时，首先，在基板10和栅极布线11上涂布SOG材料形成涂层，烘烤之后，形成光致抗蚀剂。然后，通过使用光掩模进行曝光并显影，形成抗蚀剂图案。接下来，对未被抗蚀剂覆盖的所述涂层部分，使用例如四氟化碳和氧的混合气体进行干蚀刻等蚀刻，形成接触孔14a等。最后，剥离抗蚀剂。
该层间绝缘膜14上和栅电极11a上形成有栅极绝缘膜15，栅极绝缘膜15上形成有第一半导体膜16。而且，覆盖第一半导体膜16形成有由n+型膜构成的第二半导体膜17。
为了对该第一半导体膜16和第二半导体膜17进行图案化，形成有抗蚀剂图案18。
然后，在利用抗蚀剂图案18进行图案化所得的第二半导体膜17上，或在由于第一半导体膜16和第二半导体膜17被除去而露出的栅极绝缘膜15上，通过例如溅射法沉积Cu等的膜并进行图案化，由此形成包含源电极和源极布线的源极金属(未图示)。
在以上的TFT构造中，通过在栅极布线11和源极布线之间设置层间绝缘层14，能够制造不发生布线电阻增加和TFT驱动性能下降现象的高清显示面板。
当使用曝光装置进行图案化时，在栅极布线11的上侧形成的膜对照栅极布线11的图案边缘部来修正叠合位置。
为了对此后形成的第一半导体膜16和第二半导体膜17的图案位置进行修正，要修正抗蚀剂图案18。此时，通过显微镜测量抗蚀剂图案18距栅极布线11的边缘部的距离。根据其结果再次形成光致抗蚀剂，使用光掩模重新形成抗蚀剂图案18之后，对抗蚀剂图案18未覆盖的部分进行蚀刻，得到被图案化的第一半导体膜16和第二半导体膜17。
图21A是表示没有层间绝缘膜14时的抗蚀剂图案18和栅极布线11的位置关系的示意图，图21B是表示有层间绝缘膜14时的抗蚀剂图案18的示意图。
如图21A所示，当由SOG构成的层间绝缘膜14不存在时，能观察栅极布线11的边缘部，因此，能够容易地对抗蚀剂图案18的位置进行调整。
如图21B所示，当具有由SOG构成的层间绝缘膜14时，在上侧形成像第一半导体膜16和第二半导体膜17那样有色的膜时，栅极布线11的边缘部难以看到。如图20所示，覆盖栅电极11a的边缘部(斜面部)形成有层间绝缘膜14。可以认为大多入射光会被栅极绝缘膜15、第一半导体膜16、和第二半导体膜17这三层膜中的反射膜反射，因为在栅极绝缘膜15的背面和栅极布线11之间存在层间绝缘膜14，所以基本看不到栅极布线11的边缘部。
因此，抗蚀剂图案18利用层间绝缘膜14的图案(图21B中的接触孔14a)来调整位置。因此，导致相对于栅极布线11的边缘部产生偏离，叠合精度变差。尤其是当使之与超高清电视(例如8KUltra High Definition Television，8K超高清电视)等高清的数字视频格式适应时，要求高度的叠合精度，但存在难以满足该要求的问题。
另外，一般来说，曝光装置要按各个处理成为基准的膜的装置进行条件设定，当处理层间绝缘膜14的抗蚀剂图案的装置的设定条件变化了时，需要对处理上侧的膜的抗蚀剂图案的装置重新进行条件设定，存在形成工序变得繁琐的问题。
可以考虑将用于位置调整的层间绝缘膜14的孔跨越栅极布线11的边缘部形成。但是，由于层间绝缘膜14的形成工序如上述所述具有干蚀刻工序，所以当栅电极11a的斜面部分不存在层间绝缘膜14时，在干蚀刻时有削到基板10的危险。而且，有可能在栅电极11a的斜面部分产生异常放电造成的缺陷，成品率降低。
因此，存在如下问题，即，不能在除了栅极布线11上以外的层间绝缘膜14上形成校准用的孔。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第4450834号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明鉴于上述情况而作出，其目的在于提供有源矩阵基板的制造方法、有源矩阵基板和包括该有源矩阵基板的显示装置，该有源矩阵基板及其制造方法能够在层间绝缘膜设置校准用的孔，而没有基板表面被削到或发生异常放电的危险，能够对照最下层的膜的位置来容易地修正形成的膜的位置，具有良好的叠合精度。
用于解决课题的手段
本发明的有源矩阵基板的制造方法，在基板上将多个栅极布线和多个源极布线以立体交叉的方式形成，在所述栅极布线和所述源极布线交叉的部分附近形成薄膜晶体管，至少在所述栅极布线和所述源极布线之间形成层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包含旋转涂布玻璃(SOG)材料而成，所述制造方法的特征在于，所述层间绝缘膜是以使用具有感光性的SOG材料，并具有用于对所述基板和所述层间绝缘膜的上侧形成的膜的图案进行调整的孔的方式形成的。
本发明中，由于使用具有感光性的SOG材料形成层间绝缘膜，所以成膜过程不需要干蚀刻工序，不会发生上述的基板表面被削到或发生异常放电这样的问题，能够在层间绝缘膜的除了下侧的膜上以外的部分设置校准用的孔。因此，能够以所述下侧的膜的图案为基准进行叠合调整，叠合精度变得良好。
而且，根据本发明，能够在位置调整容易、缺陷的发生被抑制且成品率良好的状态下制造有源矩阵基板。
本发明的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，具有在形成所述层间绝缘膜之前在所述基板上形成所述栅极布线的工序，通过所述孔能够观察所述栅极布线的边缘部。
本发明中，由于能够以挨着基板上表面设置的、即最下层的栅极布线的边缘部为基准进行叠合调整，所以叠合精度变的更好。
本发明的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，所述孔跨所述栅极布线的边缘部而形成。
本发明中，能够可靠地确认栅极布线的边缘部。
本发明的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，包括通过所述孔观察所述栅极布线的边缘部而在所述栅极布线的上侧形成半导体膜的工序。
本发明中，能够将层间绝缘膜和半导体膜以栅极布线的图案为基准进行图案化，叠合精度良好。
本发明的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，包括通过所述孔观察所述栅极布线的边缘部而在所述半导体膜的上侧形成包括所述源极布线或源电极的源极金属的工序。
本发明中，能够将层间绝缘膜、半导体膜和源极金属以栅极布线的图案为基准进行图案化，叠合精度良好。
本发明的有源矩阵基板的制造方法，在基板上将多个栅极布线和多个源极布线以立体交叉的方式形成，在所述栅极布线和所述源极布线交叉的部分附近形成薄膜晶体管，所述制造方法的特征在于，在所述基板上形成所述栅极布线，在与所述源极布线交叉的所述栅极布线的部分的表面，使用具有感光性的SOG材料形成层间绝缘膜，观察所述栅极布线的边缘部，在所述层间绝缘膜上、所述基板上、以及所述栅极布线上成膜。
本发明中，由于层间绝缘膜仅在栅极布线和源极布线交叉的部分形成，所以，在层间绝缘膜上以及没有设置层间绝缘膜的基板和栅极布线的上侧成膜时，能够确认栅极布线的边缘部，良好地调整图案化。
本发明的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，所述SOG材料含有至少两种以上的聚硅氧烷、重氮萘醌衍生物和溶剂，其中，该至少两种以上的聚硅氧烷在四甲基氢氧化铵水溶液中的溶解速度不同。
本发明中，SOG材料具有良好的感光性，层间绝缘膜具有良好的耐热性、透明性和绝缘性。
本发明的有源矩阵基板，在基板上将多个栅极布线和多个源极布线以立体交叉的方式形成，在所述栅极布线和所述源极布线交叉的部分附近形成薄膜晶体管，至少在所述栅极布线和所述源极布线之间存在层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包含旋转涂布玻璃(SOG)材料而成，所述有源矩阵基板的特征在于，所述层间绝缘膜使用具有感光性的SOG材料形成，具有所述基板和所述层间绝缘膜的上侧形成的膜的图案调整孔。
本发明中，使用具有感光性的SOG材料形成层间绝缘膜，成膜过程不需要干蚀刻，不会发生上述的基板表面被削到或发生异常放电这样的问题，因此，在层间绝缘膜的除了下侧的膜上以外的部分设有校准用的孔。因此，上侧的膜能以所述下侧的膜的图案为基准精度良好地叠合。
本发明的显示装置，其特征在于，包括：前述的有源矩阵基板、配置在该有源矩阵基板上的显示介质层和与所述有源矩阵基板隔着所述显示介质层对置的对置基板。
本发明中，由于包括前述的有源矩阵基板，所以能实现显示装置的高清化。
发明的效果
根据本发明，由于使用具有感光性的SOG材料形成层间绝缘膜，所以能够在层间绝缘膜的除了该层间绝缘膜的下侧的膜上以外的部分设置校准用的孔，而没有基板的表面被削到或发生异常放电的危险。通过该孔，能够对照最下层的膜的位置修正在层间绝缘膜的上侧形成的膜的位置，因此，能够以良好的叠合精度成膜。
而且，根据本发明，能够在位置调整变得容易、缺陷的发生被抑制且成品率良好的状态下制造有源矩阵基板，能够得到高清的显示装置，能够适应显示装置的大型化。
附图说明
图1是表示包括本发明的液晶显示装置(显示模块)的TV接收机的概略立体图。
图2是表示显示模块具有的显示面板的概略剖视图。
图3是表示栅极布线与层间绝缘膜的接触孔、调整孔的关系的俯视图。
图4是图3的IV-IV线剖视图。
图5是图3的V-V线剖视图。
图6是表示在形成了第二半导体膜的情况下的第二半导体膜与层间绝缘膜的接触孔、调整孔的关系的俯视图。
图7是图6的VII-VII线剖视图。
图8是图6的VIII-VIII线剖视图。
图9是图6的IX-IX线剖视图。
图10是图6的X-X线剖视图。
图11A是表示层间绝缘膜的形成工序的示意剖视图。
图11B是表示层间绝缘膜的形成工序的示意剖视图。
图11C是表示层间绝缘膜的形成工序的示意剖视图。
图12是表示栅极布线与层间绝缘膜的接触孔、调整孔的关系的俯视图。
图13是表示在形成了第二半导体膜的情况下的第二半导体膜与接触孔、调整孔的关系的俯视图。
图14是表示栅极布线与层间绝缘膜的接触孔的关系的俯视图。
图15是表示在形成了第二半导体膜的情况下的第二半导体膜与接触孔的关系的俯视图。
图16是图15的XVI-XVI线剖视图。
图17是表示栅极布线、层间绝缘膜、和源极布线的形成位置俯视图。
图18是图17的XVIII-XVIII线剖视图。
图19是图17的XIX-XIX线剖视图。
图20是表示专利文献1等的现有有源矩阵基板的TFT构造的一部分的示意剖视图。
图21A是表示没有层间绝缘膜时的抗蚀剂图案与栅极布线的位置关系的示意图。
图21B是表示有层间绝缘膜时的抗蚀剂图案的示意图。
具体实施方式
以下，基于表示本发明实施方式的附图对本发明进行具体说明。
实施方式1
图1是表示包括本发明的液晶显示装置(显示模块91)的TV接收机90的概略立体图，图2是表示显示模块91具有的显示面板30的概略剖视图。
TV接收机90包括显示影像的横向较长的显示模块91、从天线(未图示)接收广播电波的调谐器94和将被编码的广播电波解码的解码器95。TV接收机90将由调谐器94接收的广播电波用解码器95解码，基于解码后的信息在显示模块91上显示影像。在TV接收机90的下部设有支承TV接收机90的底座96。
显示模块91以竖立姿态被前壳92和后壳93收纳，前壳92和后壳93呈竖立姿态前后配置。前壳92是覆盖显示模块91的周缘部的矩形状框体，后壳93呈前侧开放的矩形托盘状。
显示模块91包括显示面板30、呈大致箱状的框架(以下未图示)、隔着反射片收纳在框架的底面的导光板、在框架的侧面与导光板的侧面对置地设置的LED(Light EmittingDiode，发光二极管)基板和配置在导光板的表面的例如3块光学片。本实施方式的显示模块91为侧光型，但显示模块91也可以是直下型，在这种情况下，取代导光板而包括扩散板。另外，光源也不限于LED。
如图2所示，显示面板30具有隔开规定间隔对置的一对由透明玻璃构成的基板10、32和夹在该基板10与32之间的液晶层36。
基板10上形成有栅极布线11，并覆盖基板10和栅极布线11形成有层间绝缘膜14。层间绝缘膜14上形成有多个像素电极20，覆盖该像素电极20形成有透明的取向膜31。像素电极20与有源矩阵一起形成，在图2中示出了有源矩阵的栅极布线11。以包含基板10、栅极布线11、层间绝缘膜14和像素电极20的方式构成有源矩阵基板(TFT基板)37。在此，省略了层间绝缘膜14与像素电极20之间的膜。
基板32上依次层叠有彩色滤光片33、共用电极34和取向膜35。以包含基板32、彩色滤光片33和共用电极34的方式构成彩色滤光片基板38。
而且，取向膜31、35夹着液晶层36粘在一起，从而固定基板10、32，基板10、32的外侧设有偏振板39、40。
图3是表示有源矩阵基板37的栅极布线11与层间绝缘膜14的接触孔14a、调整孔14b的关系的俯视图，图4是图3的IV-IV线剖视图，图5是图3的V-V线剖视图，图6是表示在形成了第二半导体膜17的情况下的第二半导体膜17与层间绝缘膜14的接触孔14a、调整孔14b的关系的俯视图，图7是图6的VII-VII线剖视图，图8是图6的VIII-VIII线剖视图，图9是图6的IX-IX线剖视图，图10是图6的X-X线剖视图。
在有源矩阵基板37的基板10上，栅极布线11沿图3的横向延伸并如后述那样形成，在栅极布线11的图3的大致中央部，形成有在露出基板10的状态下沿横向延伸的孔11b。栅极布线11的一端侧的部分成为栅电极11a。
层间绝缘膜14覆盖基板10并如后述那样形成。层间绝缘膜14从基板10架到栅电极11a的周缘部而形成，在周缘部的内侧设有接触孔14a。
而且，层间绝缘膜14上设有校准用的孔(调整孔)14b，使得图3所示的孔11b的右上角的边缘部分露出。
层间绝缘膜14上和设有接触孔14a、孔11b、调整孔14b的基板10的部分形成有栅极绝缘膜15。栅极绝缘膜15例如使用氧化硅或氮化硅等通过CVD(Chemical VaporDeposition，化学气相沉积)法形成膜并进行图案化而形成。层间绝缘膜14具有350℃以上的耐热性，即便经受栅极绝缘膜15的成膜工序的热处理也不引起物性变化。
在栅极绝缘膜15上，通过CVD法依次形成有例如由非晶硅等构成的第一半导体膜16、例如由n+型非晶硅等构成的第二半导体膜17。
如图9所示，抗蚀剂图案18从第二半导体膜17的接触孔14a上的部分架到边缘部分形成。抗蚀剂图案18的边缘部位于比栅电极11a的上表面的边缘部靠内侧的位置。使用抗蚀剂图案18将第一半导体膜16和第二半导体膜17图案化。
在被图案化的第二半导体膜17上或在由于第一半导体膜16和第二半导体膜17被除去而露出的栅极绝缘膜15上，例如通过溅射法沉积Cu等的膜，通过光刻技术进行图案化，形成包含源电极和源极布线的源极金属(未图示)。
另外，在源极金属上，例如通过CVD法形成氮化硅等的膜，通过图案化形成钝化膜(未图示)，在钝化膜上形成例如由丙烯酸(acrylic)类的树脂构成的膜，通过图案化形成第二层间绝缘膜(未图示)。
在第二层间绝缘膜上，例如通过溅射法形成ITO(氧化铟锡)膜并图案化，由此形成上述的像素电极20。
图11是表示层间绝缘膜14的形成工序的示意剖视图。
首先，在整个基板10上，通过溅射法形成依次层叠了例如钛膜、Cu膜、和钛膜等的金属膜，然后，通过使用光掩模进行光刻、对金属膜进行湿蚀刻等，形成被图案化的栅极布线(也形成成为栅电极11a的部分)11(图11A)。
接下来，将具有感光性的SOG材料通过狭缝涂布而涂布到栅极布线11上，形成膜14e(图11B)。
在此，作为SOG材料，可以列举含有至少两种以上的聚硅氧烷、重氮萘醌衍生物和溶剂的组成物，其中，该至少两种以上的聚硅氧烷在四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液中的溶解度不同。
而且，例如作为两种聚硅氧烷，可以列举以下的聚硅氧烷(I)和聚硅氧烷(II)的混合物。
关于聚硅氧烷(I)，将下述式(1)表示的硅烷化合物和下述式(2)表示的硅烷化合物在存在碱性催化剂的情况下加水分解并聚合得到的膜在预烘(pre-bake)后可溶于5质量％的TMAH溶液，其溶解度在以下。
RSi(OR1)3···(1)
Si(OR1)4···(2)
(式中，R表示任意的亚甲基可用氧置换的碳原子数为1～20的直链、支链或环状的烷基，或碳原子数为6～20且任意的氢可由氟置换的芳基；R1表示碳原子数为1～5的烷基。)
作为可由通式(1)表示的硅烷化合物的具体例，可举出例如甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷等。
作为可由通式(2)表示的硅烷化合物的具体例，可以举出例如四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷等。
关于聚硅氧烷(II)，至少将通式(1)的硅烷化合物在存在酸性或碱性催化剂的情况下加水分解并聚合所得的膜在预烘后在2.38质量％TMAH水溶液中的溶解度为以上。
形成膜14e之后，例如在100℃下预烘90秒，调整膜厚。
预烘后，使用光掩模对膜14a进行曝光，曝光后，利用2.38％TMAH水溶液进行显影。由此，接触孔14a被形成无残渣等的清晰图案。
然后，例如在250℃下进行后烘，使膜14e硬化而得到层间绝缘膜14(图11C)。
本实施方式中，由于使用具有感光性的SOG材料形成层间绝缘膜14，所以成膜过程不需要干蚀刻，不会像现有的有源矩阵基板制造时那样发生基板10的表面被削到或发生异常放电那样的问题。因此，能够在层间绝缘膜14的除了栅极布线11上以外的部分设置上述的调整孔14b。
而且，在如图6～图10所示在第二半导体膜17上形成了抗蚀剂图案18的情况下，能够从调整孔14b观察栅电极11a的边缘部。测量抗蚀剂图案18的位置与所述边缘部的偏差，基于所测量的偏差重新形成光致抗蚀剂，并使用光掩模进行曝光、显影，重新形成抗蚀剂图案18，从而能够对未形成抗蚀剂图案18的第一半导体膜16和第二半导体膜17的部分进行蚀刻，将第一半导体膜16和第二半导体膜17图案化。
另外，当在被图案化的第二半导体膜17上形成源极金属时，也能够从调整孔14b确认源极金属上形成的抗蚀剂图案相对于栅极布线11的位置，调整该抗蚀剂图案的位置进行源极金属的图案化。
栅极绝缘膜15以能够通过调整孔14b确认栅极布线11的边缘部的位置的方式形成，第一半导体膜16、第二半导体膜17以及源极金属也能以如上述那样确认栅极布线11的边缘部的位置的方式形成。
即，由于能够以栅极布线11的膜的图案为基准进行叠合调整，所以叠合精度良好。
能够在位置调整容易、条件设定的次数减少，缺陷的发生被抑制且成品率良好的状态下制造有源矩阵基板37。
由于有源矩阵基板37的成膜的位置精度良好，所以具备本实施方式的有源矩阵基板37的显示模块91能够实现高清化和大型化。
实施方式2
在本发明的实施方式2的有源矩阵基板中，除了层间绝缘膜14具有两个调整孔之外，具有与实施方式1的有源矩阵基板37同样的结构。
图12是表示栅极布线11与层间绝缘膜14的接触孔14a、调整孔14b、14c的关系的俯视图，图13是表示在形成了第二半导体膜17的情况下的第二半导体膜17与接触孔14a、调整孔14b、14c的关系的俯视图。
层间绝缘膜14上，除了调整孔14b，还设有调整孔14c，使得图12所示的栅极布线11的孔11b的右下角的边缘部分露出。
本实施方式中，由于层间绝缘膜14具有两个调整孔14b、14c，所以能够以挨着基板10的上表面设置的最下层的栅极布线11的两处边缘部为基准，利用各调整孔调整例如横向和纵向的对位，能够更可靠地对栅极布线11上形成的所有膜的叠合进行调整。因此，叠合精度更为良好。
实施方式3
本发明实施方式3的有源矩阵基板，除了设于层间绝缘膜14的接触孔14d的形状和大小不同之外，具有与实施方式1的有源矩阵基板37相同的结构。
图14是表示栅极布线11与层间绝缘膜14的接触孔14d的关系的俯视图，图15是表示在形成了第二半导体膜17的情况下的第二半导体膜17与接触孔14d的关系的俯视图，图16是图15的XVI-XVI线剖视图。
如图14和图15所示，层间绝缘膜14的接触孔14d被设置得比栅极布线11的宽度大。如图16所示，栅极绝缘膜15形成在层间绝缘膜14上、接触孔14d的底面上以及栅极布线11上，栅极绝缘膜15上依次形成有第一半导体膜16和第二半导体膜17。第二半导体膜17的接触孔14d上的部分设有抗蚀剂图案18。
本实施方式中，能够观察接触孔14d上的栅极布线11的边缘部，测量抗蚀剂图案18的位置与所述边缘部的偏差，重新形成抗蚀剂图案18，将第一半导体膜16和第二半导体膜17图案化。
而且，当在被图案化的第二半导体膜17上形成源极金属用的膜并图案化时，也能观察接触孔14d上的栅极布线11的边缘部来进行图案的调整。
实施方式4.
本实施方式中，仅在栅极布线11和源极金属12交叉的部分形成有层间绝缘膜14。
图17是表示栅极布线11、层间绝缘膜14和源极布线12a的形成位置的俯视图，图18是图17的XVIII-XVIII线剖视图，图19是图17的XIX-XIX线剖视图。
层间绝缘膜14仅在栅极布线11和源极布线12a交叉的部分形成。
在层间绝缘膜14上以及基板10和栅极布线11的未形成层间绝缘膜14的部分的上侧，形成有栅极绝缘膜15。
在形成于栅电极11a上的栅极绝缘膜15上，形成有第一半导体膜16和第二半导体膜17，在第二半导体膜17上形成有源电极12b。
本实施方式中，由于层间绝缘膜14仅形成在栅极布线11和源极布线12交叉的部分，所以当形成第一半导体膜16和第二半导体膜17时以及在形成源极布线12a和源电极12b时，能够确认栅极布线11的边缘部，对图案化进行调整。
应该认为，此次公开的实施方式中所有内容均为例示，并不是限制性的。本发明的范围并非上述说明所示，而是包含与权利要求均等的含义和权利要求的范围内的各种变更。
例如有源矩阵基板的层叠构造不限于上述的情况，另外，层间绝缘膜14除了可由具有感光性的SOG材料形成之外，能够使用适宜的膜材料。
附图标记说明
10 基板
11 栅极布线
11a 栅电极
11b 孔
12 源极金属
12a 源极布线
12b 源电极
14 层间绝缘膜
14a、14d 接触孔
14b、14c 调整孔
20 像素电极
30 显示面板
31、35 取向膜
32 基板
33 彩色滤光片
34 共用电极
36 液晶层
37 有源矩阵基板
38 彩色滤光片基板
39、40 偏振板
90 TV接收机
91 显示模块
92 前壳
93 后壳
94 调谐器
95 解码器
96 底座

Claims (5)

1.一种有源矩阵基板的制造方法，在基板上将多个栅极布线和多个源极布线以立体交叉的方式形成，在所述栅极布线和所述源极布线交叉的部分附近形成薄膜晶体管，至少在所述栅极布线和所述源极布线之间形成层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包含旋转涂布玻璃材料而成，在所述层间绝缘膜的上侧形成半导体膜，所述制造方法的特征在于，
所述层间绝缘膜使用具有感光性的旋转涂布玻璃材料形成，且在所述层间绝缘膜形成有用于对所述基板上形成的所述栅极布线的边缘部的位置进行观察的孔，所述孔跨所述栅极布线的边缘部而形成；
对所述半导体膜的位置进行调整，以使所述半导体膜的位置与通过所述孔观察到的所述栅极布线的边缘部的位置对齐。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
在所述半导体膜的上侧形成包括所述源极布线或源电极的源极金属，对所述源极布线或所述源极金属的位置进行调整，以使所述源极布线或所述源极金属的位置与通过所述孔观察到的所述栅极布线的边缘部的位置对齐。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，
所述旋转涂布玻璃材料含有至少两种以上的聚硅氧烷、重氮萘醌衍生物和溶剂，其中，至少两种以上的聚硅氧烷在四甲基氢氧化铵水溶液中的溶解速度不同。
4.一种有源矩阵基板，在基板上以立体交叉的方式形成有多个栅极布线和多个源极布线，在所述栅极布线和所述源极布线交叉的部分附近形成有薄膜晶体管，至少在所述栅极布线和所述源极布线之间存在层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包含旋转涂布玻璃材料，在所述层间绝缘膜的上侧形成有半导体膜，所述有源矩阵基板的特征在于，
所述层间绝缘膜使用具有感光性的旋转涂布玻璃材料形成，在所述层间绝缘膜形成有对所述基板上形成的所述栅极布线的边缘部的位置进行观察的孔，所述孔跨所述栅极布线的边缘部而形成；
所述半导体膜的位置被调整为与通过所述孔观察到的所述栅极布线的边缘部的位置对齐。
5.一种显示装置，其特征在于，包括：
根据权利要求4所述的有源矩阵基板、
配置在该有源矩阵基板上的显示介质层、和
与所述有源矩阵基板隔着所述显示介质层对置的对置基板。
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