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CN105874099A - 基于板条的化学浴沉积设备 - Google Patents

基于板条的化学浴沉积设备 Download PDF

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CN105874099A
CN105874099A CN201480068619.4A CN201480068619A CN105874099A CN 105874099 A CN105874099 A CN 105874099A CN 201480068619 A CN201480068619 A CN 201480068619A CN 105874099 A CN105874099 A CN 105874099A
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Abstract

提供用于由板条上的流体混合物形成层的方法和系统。所述系统包含用于将所述流体混合物输送到所述板条上的流体输送设备。所述流体输送设备包含级联装置和化学物质分配器装置。所述系统还包含流体搅拌设备，其包括至少一个风扇，所述至少一个风扇定位在所述板条上方且经配置以产生流型，所述流型在形成所述层时搅拌所述板条上的所述流体混合物，而不使所述至少一个风扇接触所述流体混合物。所述系统进一步包含具有冲洗装置和抽吸装置的流体去除设备。所述冲洗装置经配置以将冲洗流体分配到所述板条上。所述抽吸装置经配置以通过抽吸来去除所述冲洗流体和在形成所述层之后所述流体混合物的剩余在所述板条上的剩余部分。

Description

基于板条的化学浴沉积设备
相关申请案的交叉参考
本申请案主张2013年12月20日提交的美国临时申请案第61/918,719号的优先权，所述申请案的揭示内容以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及基于板条的化学浴沉积。
背景技术
在实例中，在柔性衬底上的薄膜太阳能电池包含设置于薄金属箔片(例如，不锈钢)上的非晶硅和金属或聚酰亚胺箔片上的铜铟镓二硒化物(CIGS)。薄膜碲化镉(CdTe)太阳能电池可以在玻璃上产生，但还可以在柔性衬底上产生。制造太阳能电池可包括在柔性衬底上沉积和形成层。
发明内容
在一个方面中，本发明描述一种用于由板条上的流体混合物形成层的系统。所述系统包括用于将流体混合物输送到板条上的流体输送设备。所述流体输送设备包括级联装置和化学物质分配器装置。所述级联装置具有上层、定位在板条上方的下层，在上层和下层之间的多个梯级，且经配置以振动。所述化学物质分配器装置经配置以将流体混合物中的第一流体的流和流体混合物中的第二流体的流分配到级联装置的上层上，使得(i)第一和第二流体沿梯级落至下层且落到板条上，且(ii)第一和第二流体在到达板条之前通过级联且通过级联装置的振动而至少部分混合。所述系统还包括流体搅拌设备，其包括至少一个风扇，所述至少一个风扇定位在板条上方且经配置以产生流型，所述流型在形成所述层时搅拌板条上的流体混合物，而不使至少一个风扇接触流体混合物。所述系统进一步包括流体去除设备，其包括冲洗装置和抽吸装置。所述冲洗装置经配置以将冲洗流体分配到板条上，且所述抽吸装置经配置以通过抽吸来去除冲洗流体和在形成所述层之后流体混合物的剩余在板条上的剩余部分。
在另一方面中，本发明描述一种用于由板条上的流体混合物形成层的方法。所述方法包括将流体混合物中的第一流体的流和流体混合物中的第二流体的流分配到级联装置上。所述级联装置具有上层、定位在板条上方的下层，在上层和下层之间的多个梯级，且经配置以振动。将第一流体的流和第二流体的流分配到级联装置的上层上，使得(i)第一和第二流体沿梯级落至下层且落到板条上，且(ii)第一和第二流体在到达板条之前通过级联且通过级联装置的振动而至少部分混合。所述方法还包括使用定位在板条上方的至少一个风扇来产生流型，所述流型在形成所述层时搅拌板条上的流体混合物，而不使至少一个风扇接触流体混合物。所述方法进一步包括将冲洗流体分配到板条上，且通过抽吸去除冲洗流体和在形成所述层之后流体混合物的剩余在板条上的剩余部分。
前述发明内容仅仅是说明性的，且并不意图以任何方式作为限制。除了以上描述的说明性方面、实施例以及特征之外，通过参考图式以及以下详细描述，另外的方面、实施例和特征也将变得显而易见。
附图说明
图1是说明根据实例实施例的用于使移动的板条成形的方法的流程图。
图2A说明根据实例实施例的用于加工板条的系统。
图2B说明根据实例实施例的在图2A中示出的系统的一部分。
图2C说明根据实例实施例的在图2B中所说明的部分中的加工床。
图3A说明根据实例实施例的加工床的侧面部分。
图3B说明根据实例实施例的嵌入在侧面部分中的磁体的阵列。
图4说明根据实例实施例的符合加工床的平坦表面和弯曲表面的板条。
图5说明根据实例实施例的安置在加工床和板条之间的传送带。
图6是说明根据实例实施例的用于由板条上的流体混合物形成层的方法的流程图。
图7说明根据实例实施例的流体输送设备，其用于将流体混合物中的第一流体的流和流体混合物中的第二流体的流分配到级联装置上。
图8A说明根据实例实施例的用于产生流型的流体搅拌设备，所述流型用于搅拌板条上的流体混合物。
图8B说明根据实例实施例的在图8A中所描绘的流体搅拌设备的侧视图。
图9说明根据实例实施例的用于提供在加工床的区段之间存在差异的热量的设备。
图10说明根据实例实施例的用于去除残余材料和残渣的流体去除设备。
具体实施方式
以下详细描述参考附图描述所揭示系统和方法的各种特征和功能。除非上下文另外规定，否则在图式中，相似的符号标识相似的组件。本文中所描述的说明性系统和方法实施例并不意图为限制性的。可以容易理解的是，所揭示的系统和方法的某些方面可以广泛多种不同配置来布置及组合，本文中涵盖所有所述配置。
术语“光伏电池”(在本文中也称为“太阳能电池”)，如本文中所使用，一般是指包括光敏性材料(或吸收器)的装置，所述装置经配置以在其暴露于电磁辐射(或能量)或给定波长的电磁辐射或给定波长分布的电磁辐射下时产生电子(或电)。太阳能电池可以与其它类似的太阳能电池串联电连接以升高电压电平，且最小化将另外由于高电流而发生的电阻损耗。在一些实例中，大量太阳能电池可以串联连接并且集成到数米长的太阳能模块中。
形成光伏电池可以包括利用薄膜状光吸收半导体材料。实例光伏电池可以包含不锈钢板条衬底。不锈钢板条衬底可以是柔性衬底。在实例中，加工不锈钢板条衬底以形成光伏装置可以包含在不锈钢板条衬底的背面上形成钼(Mo)层。之后，加工可以在不锈钢衬底的正面上进行。举例来说，铬(Cr)层可以与衬底相邻而形成且Mo层可以形成在Cr层上方。在将光转换成电的电池中的吸收层可以是下一层。这通常是p型层。优选的吸收器是铜硫族化物，例如铜铟硒化物、铜铟硫化物、或铜铟硒硫化物(在一起被称作CIS层)。铜铟镓硒化物(CIGS)是优选的。吸收层可以掺杂有钠(Na)。n型层可以形成为吸收层上方的缓冲层。硫化镉(CdS)缓冲层是优选的。本发明的方法适合用于形成此缓冲层。。另外，另外的透明导体层和其它层可以通过标准方法在缓冲层上方形成。例如，在一个优选实施例中，电阻性氧化锌(ZnO)层可以在缓冲层上方形成，且透明导电氧化物(TCO，例如氧化铟锡或氧化铝锌)层可以在氧化锌层上方形成。
在实例中，形成光伏电池的组件层可包括多个卷到卷沉积系统或阶段。作为实例，在第一阶段中，不锈钢板条衬底的背面涂覆有背面Mo层，并且不锈钢衬底的正面涂覆有背电极Cr/Mo、碱金属氟化钠(NaF)层以及前体CIG层。在第二阶段内，CIG前体可以全部反应以形成光敏CIGS。在第三阶段中，可以沉积CdS缓冲层。在第四阶段中，可以沉积透明氧化物层(ZnO/TCO)。
这些阶段、系统或加工步骤仅是用于说明的实例。可以使用更多或更少的步骤/阶段，且可以使用不同材料来形成给定光伏电池。在基于板条的光伏吸收层的顶部上形成缓冲层(例如，形成CdS层)可以包括在板条和耦合到其的吸收层上沉积流体混合物。沉积流体混合物以在板条上形成均匀缓冲层可能包括多个挑战。例如，可以希望的是，当板条在形成缓冲层时移动跨越多个加工阶段时，提供对板条的精确的几何控制和热控制。如上文所描述，板条(例如，不锈钢柔性衬底)可以卷的形式被接收。所述卷可以展开以提供平坦的板条，在该板条上可以形成一个或多个均匀层。第一个挑战可包括提供具有足够平面的表面的板条，例如，在约一米的宽度和数十米的长度之上平坦到小于一毫米内的表面。
另一挑战可包括混合将沉积在板条上的多种流体。作为实例，假设两种或两种以上流体将被混合，那么流体可以在远处混合且随后被输送到加工系统以用于沉积在板条上。反应性的混合流体可以经由多个阀门系统和导管而输送到加工系统。混合的反应中的流体或活性流体可以与输送系统的组件相互作用，因此可能被最终也沉积在板条上的颗粒污染。
再另一个挑战可包括搅动流体以在在板条上形成均匀薄层(例如，具有5到10mm的深度的流体)的约束条件内提供较好的混合，而不会污染流体。又另一个挑战可包括在形成层后从板条去除多余的流体和残渣(例如，已经在流体混合物内集结的CdS颗粒)。
本文中揭示的是可以解决前述挑战的方法和系统。所述方法和系统包括使移动的板条成形，使得其足够平坦以形成均匀层，同时仍能够固持形成所述层的流体混合物，提供流体的恰当混合和搅动而不会受到污染，以及提供残余材料和残渣的去除。所述方法和系统在光伏电池的情形下仅作为用于说明的实例而描述。本文中所描述的方法和系统大体上涉及在任何类型的板条上沉积任何类型的层。
I.使移动的板条成形
图1是说明根据实例实施例的用于使移动的板条成形的方法100的流程图。方法100可以包含如由方框102到106中的一个或多个所说明的一个或多个操作、功能或动作。尽管所述方框以顺序次序说明，但是在一些情况下这些方框可以同时地和/或以与本文中所描述的次序不同的次序执行。并且，基于所希望的实施方案，各种方框可组合成更少的方框，分成另外的方框和/或被移除。
在此实例中，板条具有第一表面(例如，发生通过化学浴沉积而沉积的CdS层或不同材料的形成或其它加工)和与第一表面相反的第二表面。板条还包含磁性材料，例如由磁性形式的不锈钢构成的衬底。
在方框102处，方法100包含在板条的第一表面经历一个或多个加工步骤时使用加工床来支撑板条，其中加工床包含具有平坦表面的中心部分和具有弯曲表面的侧面部分。
图2A说明根据实例实施例的用于加工板条的系统200。图2A描绘可以包含用于板条的多个加工阶段的系统(或设备)200。系统200可以经配置用于将来自化学流体混合物浴的层沉积在板条上。因此，系统200可以被称作化学浴沉积系统或设备。图2B说明根据实例实施例的系统200的一部分。如所示，系统200的部分包含在一个或多个加工系统203下方的加工床202。来自卷201的板条可以通过系统200传送，使得板条在其经历由一个或多个加工系统203来加工时由加工床202支撑。
图2C更详细地说明根据实例实施例的在图2B中的所说明的部分中的加工床202。加工床202可以包含如图2C中示出的具有平坦表面的中心部分204和具有弯曲表面的侧面部分206A和206B。侧面部分206A和206B的弯曲表面可经配置以从如图2C中示出的加工床202的中心部分204的平坦表面的相反侧朝上延伸(例如，朝上卷曲或成角度)。以此方式，加工床202可经配置以具有槽状形状。
返回参考图1，在方框104处，方法100包含使用相对于加工床定位的多个磁体来在板条上施加磁力，以便朝向加工床拉动板条，其中所述磁力足以使板条成形，使得板条大体上符合加工床的平坦表面和弯曲表面。图2C中示出的加工床202可以包含多个磁体。多个磁体可以同时接近于中心部分204以及侧面部分206A和206B而嵌入在加工床202中。
图3A说明根据实例实施例的加工床202的侧面部分206B。图3B说明根据实例实施例的嵌入在侧面部分206B中的磁体的阵列300。类似的磁体阵列(未示出)还可以嵌入在加工床202的中心部分204和侧面部分206A中。
图4说明根据实例实施例的符合加工床202的平坦表面和弯曲表面的板条402。如上文所指出，板条402可以包含磁性材料。在实例中，板条402可以是经涂覆的金属或经涂覆的金属化聚合物。在一个实例中，板条402可以包含磁性不锈钢(例如，铁磁体和马氏体不锈钢，例如413级不锈钢)。嵌入在加工床202中的磁体的阵列(例如，磁体的阵列300)可以经配置以与板条402的磁性材料相互作用。举例来说，磁体的阵列可以相对于加工床202定位，以便在板条402上施加朝向加工床202拉动板条402的磁力。所述磁体经配置以施加使板条402成形的足够的力，使得板条402大体上符合加工床202的平坦表面和弯曲表面。在实例中，磁体的阵列，例如磁体的阵列300，可以包含可移动永久磁体。在此实例中，可以调整磁体的阵列的位置或定位，以便调整由磁体的阵列产生的磁力或磁场。在另一实例中，磁体的阵列可以是可以经由电流控制的电磁体的阵列。电磁体可以因此被接通或断开，且可以调整所产生的磁场/磁力的强度。
以此方式，板条402成形为包含：中心部分403，其具有符合加工床202的中心部分204的平坦表面的平坦形状；以及侧面部分403A和403B，且朝上弯曲以对应地大体上符合加工床202的侧面部分206a和206b的弯曲表面。因此，由磁体施加的力使得板条402基于加工床402的槽道形状而成槽形。如下文关于图6的方法600所描述，板条402的槽道形状便于流体包含(例如，将流体保持在板条402的一个侧面上)。
在一些实例中，除加工床202具有磁体的阵列(例如，磁体的阵列300)外或替代地，加工床还可以(完全或部分)由磁性材料制成，所述磁性材料与板条402的磁性材料相互作用以朝下拉动板条402。
返回参考图1，在方框106处，方法100包含在通过磁力使板条成形以大体上符合加工床的平坦表面和弯曲表面时，使用传送带在加工床上方移动板条。传送带具有第一接触表面和与第一接触表面相反的第二接触表面。第一接触表面经配置以接触板条的第二表面，并且第二接触表面经配置以接触加工床。图4描绘传送带404，其安置在板条402和加工床202之间，且经配置以在加工床202上方移动板条402。
图5说明根据实例实施例的安置在加工床202和板条402之间的传送带404。传送带404具有第一接触表面502和与第一接触表面502相反的第二接触表面504。板条402具有第一表面506A和与第一表面相反的第二表面506B。板条402的第一表面可以面向上方，且可以经受若干加工步骤，如下文关于方法600所描述。板条402的第二表面可以经配置以接触传送带404的第一接触表面502。第二接触表面504经配置以接触加工床202，如图5所示。
在实例中，传送带404的第一接触表面502可以经配置以具有高摩擦系数以便对板条402的第二表面506B施加牵引力，使得板条402随着传送带404一起移动。传送带404的第二接触表面504可以具有低摩擦系数(例如，低于第一接触表面502的摩擦系数)，以便在加工床202的平坦表面上滑动且相对于所述平坦表面移动。因此，当传送带404移动/旋转时，板条402随传送带404移动，同时加工床202保持静止。尽管传送带404在图5中示出为在某一方向上移动(例如，在顺时针方向上旋转)，但是在其它情况下，传送带404和板条402可以在相反的方向上移动。
嵌入在加工床202中的磁体的阵列经配置以通过传送带404与板条402的磁性材料相互作用。因此，当板条通过传送带404移动时，通过磁体施加的力使得板条402维持以上描述的槽道形状。第一接触表面502和第二接触表面504的对应的摩擦系数中的差异消除在板条402和具有嵌入在其中的磁体的阵列的加工床202之间的摩擦，因为在板条402和加工床202之间不存在直接接触。因此，板条402的运动、速度和张力与加工床202脱离关系，且此类脱离关系可以防止在板条402被传送带404载运通过系统200的多个阶段或加工步骤时板条402的断裂。传送带404经配置以移动板条402通过系统200的多个阶段或加工步骤，以便由板条402的第一表面506A上的流体混合物形成层。
II.流体处理
图6是说明根据实例实施例的用于由板条上的流体混合物形成层的方法600的流程图。方法600可以包含如由方框602到606中的一个或多个所说明的一个或多个操作、功能或动作。尽管所述方框以顺序次序说明，但是在一些情况下这些方框可以同时地和/或以与本文中所描述的次序不同的次序执行。并且，基于所希望的实施方案，各种方框可组合成更少的方框，分成另外的方框和/或被移除。
在方框602处，方法600包含将流体混合物中的第一流体的流和流体混合物中的第二流体的流分配到级联装置上。所述级联装置具有上层、定位在板条上方的下层，在上层和下层之间的多个梯级，且经配置以振动。将第一流体的流和第二流体的流分配到级联装置的上层上，使得(i)第一和第二流体沿梯级落至下层且落到板条上，且(ii)第一和第二流体在到达板条之前通过级联且通过级联装置的振动而至少部分混合。
在实例中，任何数目的流体可以经混合以在板条上形成层。本文中描述将两种流体的混合物用作实例以仅用于说明的方法600。作为用于说明的实例，第一流体可以是包含硫酸镉(CdSO4)和氢氧化铵(NH4OH)的化学溶液，而第二流体可以是包含硫脲(SC(NH2)2)的化学溶液。在此实例中，在板条上沉积的所得层可因此包含硫化镉(CdS)。作为替代方案，可以通过用硫酸锌(ZnSO4)或硫酸铟(In2(SO4)3)中任一者来代替硫酸镉(CdSO4)而形成硫化锌或硫化铟层。在一个实例中，第一流体和第二流体可在远离板条表面的混合站处混合，且随后作为准备反应的混合物运送至分配喷嘴或任何其它分配构件以沉积在板条的表面上。然而，所述混合物可随时间与运送系统的阀门、管道、组件等相互作用，且因此可产生与将沉积于板条上的流体混合物混杂的残渣和污染物。
在另一实例中，替代于在较远站处混合流体，第一流体的流和第二流体的流各自被单独地引入到在板条上方的分配头(例如，包含一个或多个喷嘴)，且各自个别地呈现在振动的级联上，所述振动的级联在溶液即将从所述级联落到板条的表面上之前混合所述溶液。以此方式，不会通过已经反应的流体混合物与流体运送系统的组件及运送线的相互作用而产生残渣或污染物。
图7说明根据实例实施例的流体输送设备，其用于将流体混合物中的第一流体702的流和流体混合物中的第二流体704的流分配到级联装置706上。流体输送设备可以包含化学物质分配器装置，例如在图7中示出的喷嘴707，所述化学物质分配器装置经配置以将第一流体702的流和第二流体704的流分配到级联装置706上。级联装置706可以具有定位在板条402上方的上层708和下层710(例如，在距板条402的第一表面506A预定距离处)。级联器件706还可以包含在上层708与下层710之间的多个梯级712。
另外，级联装置706可以经配置以振动。例如，级联装置706可以经配置以在横向、纵向、竖直方向或其组合上振荡。级联装置706可以经配置以预定频率振动或根据随时间推移的预定频率和方向曲线而振动。可以使用经配置以导致级联装置706的振动的任何机构。例如，所述机构可利用电力系统(例如，电动机)、液压系统、机电系统、电动液压系统等以使得级联装置706振动。
以此方式，当将第一流体的流702和第二流体的流704分配到级联装置706的上层708上时，第一流体702和第二流体704沿梯级712落至下层710且落到板条402上。在级联装置706振动时使第一流体702和第二流体704沿梯级712落下促进流体702和704在到达板条402之前的至少部分混合。在一个实例中，第一流体702和第二流体704可以在到达板条402之前完全混合。
分配到板条402上的第一流体702和第二流体704的流体混合物714可以形成具有给定厚度或深度(例如，在1到10毫米的范围内)的溶液，从而覆盖板条402的第一表面506A。基于板条402、待沉积的流体以及待产生的层等的类型可以利用任何流体深度。如关于图4所描述，板条402可以是槽道形状，其具有：具有平坦表面的中心部分403；以及侧面部分403A、403B，所述侧面部分朝上弯曲以大体上符合加工床202的形状。板条402的槽道形状便于在板条402的第一表面506A经历另外的加工步骤时，将流体混合物714包含在板条402的第一表面506A上。
返回参考图6，在方框604处，方法600包含使用定位在板条上方的至少一个风扇产生流型，所述流型在形成所述层时搅拌板条上的流体混合物，而不使任何风扇接触流体混合物。为了促进由分配到板条的表面上的流体的混合物形成均匀层，可以使用搅拌(或搅动)设备以提供与板条的表面接触的溶液的混合。优选地，搅拌设备经配置以提供混合溶液而不会污染流体混合物的反应、损害板条的表面或产生任何残渣。
图8A说明根据实例实施例的用于产生流型的流体搅拌设备，所述流型用于搅拌板条402上的流体混合物714。在一些实例中，系统200可以包含一个或多个加热器(未示出)，其经配置以加热支撑板条402的加工床202。通过一个或多个加热器产生的热量可以(例如，通过传导)传递到板条402和分配在其上的流体混合物714，且可以促进第一流体702和第二流体704的反应以使得能够形成层。作为反应的结果，可以产生气体或蒸气和热量。例如，如果第一流体702包含硫酸镉且第二流体704包含硫脲，那么蒸气可以包含氨气或氨基气体。图8A描绘了形成壳体的玻璃面板802和密封表面804，所述壳体经配置以约束通过分配到板条402的第一表面506A上的流体混合物714的化学反应释放的蒸气和热量。
另外，图8A描绘所述壳体至少部分包围风扇的阵列800，所述风扇的阵列经配置以分散从流体混合物714释放的蒸气和热量。在一些实例中，除从化学反应释放的蒸气外，系统200还可以包含用于将气体(例如，惰性气体)注入在壳体中以通过风扇的阵列800在流体混合物714上均匀分散和流通的方法。
流体搅拌设备可经配置以使得风扇的阵列800中的风扇通过例如电动机806等任何致动构件旋转。如图8A中所描绘的电动机806经配置以控制与风扇的阵列800相对应的皮带轮的阵列808，且经配置以在给定方向上并以给定速度驱动风扇的阵列800。使用电动机806和皮带轮808为仅用于说明的实例，并且可以使用任何其它驱动机构来驱动风扇的阵列800。例如，风扇的阵列800中的每个风扇可以由相对应的电动机驱动。
图8B说明根据实例实施例的在图8A中所描绘的流体搅拌设备的侧视图。如图8B中所描绘，风扇的阵列800并不物理地接触或染污流体混合物714。因此，并没有残渣或污染物由于搅拌流体混合物714而产生。并且，由于在风扇的阵列800和板条402之间缺少物理接触，并不会损害板条402的第一表面506A。
在一个实例中，流体搅拌设备可经配置以控制风扇的阵列800以在给定时间量上以给定速度在给定方向上旋转。在其它实例中，流体搅拌设备可经配置以振荡的方式控制风扇的阵列800在重复的周期上的旋转的速度和方向。例如，给定的周期可以包含：风扇的阵列800在第一预定量的时间上在第一方向上旋转；在第二预定时间上停止旋转；以及在第三预定量的时间上在与第一方向相反的第二方向上旋转。在一些实例中，风扇的阵列800中的风扇可能并非都在相同的方向上并以相同速度旋转。举例来说，一些风扇可以在给定方向上旋转，而其它风扇在相反方向上旋转，而其它风扇可能不旋转。并且，在实例中，个别的风扇可以不同速度旋转。以此方式，流体搅拌设备可经配置以根据流体类型和化学反应在流体混合物714中产生层流和/或湍流。
因此，与风扇的阵列800组合的一个或多个加热器可经配置以控制在壳体中的蒸气移动和热分布。例如，风扇的阵列800的旋转可使得蒸气压力被施加至流体混合物714，并且可在流体混合物714中产生使得流体混合物714被搅拌或搅动的流型或波。控制风扇的阵列800的旋转周期可以用于优化流体混合物714中的流体的混合，且可以使得在流体混合物714中维持预定的温度分布。搅动和维持在流体混合物714中的温度分布可以促进流体混合物714内的反应和均匀层在板条402上的形成。
如上文所描述，一个或多个加热器可以用于加热加工床202。在一些实例中，加工床202可以划分成单独的区段，每个区段被加热至对应的温度。作为用于说明的实例，加工床202的区段可以被加热至高温，在所述区段中安置有级联装置706且将流体混合物714分配到板条402上。当板条402移动到加工床202的其它区段时，温度可能逐渐升高以产生促进流体混合物714内的化学反应的温度梯度。举例来说，后一区段可以被加热到65℃到90℃的温度。为使得将加工床202的不同区段加热至不同的温度而不会使得热量从区段传递到另一区段，可以使用隔热件来将加工床202的个别区段彼此热隔离开。
图9说明根据实例实施例的用于提供在加工床202的区段之间存在差异的热量的设备。图9描绘通过隔热件906分离的加工床202的第一区段902和加工床的第二区段904。隔热件906将第一区段902与区段904热隔离开，且因此允许每个区段加热至不同的温度。在所述区段之间的此类热隔离允许在整个加工床202上产生温度梯度并且促进流体混合物714内的化学反应。
返回参考图6，在方框606处，方法600包含将冲洗流体分配到板条上；并且通过抽吸去除冲洗流体和在形成层之后流体混合物的剩余在板条上的剩余部分。在层在板条上的形成期间，颗粒(例如，CdS颗粒)可能已经在流体混合物内集结。并非所有颗粒都变成层的部分。一些颗粒可构成待去除以便防止对所形成的层的污染的残渣。并且，在实例中，并非所有分配在板条上的流体混合物都用于层的形成，并且在形成层之后多余的流体混合物可保留为残余材料。
图10说明根据实例实施例的用于去除残余材料和残渣的流体去除设备。流体去除设备包含冲洗装置和抽吸装置。图10描绘经配置用于从板条402的表面去除残余材料和残渣的喷嘴1002(作为实例冲洗装置)和真空头1004(作为实例抽吸装置)的组合。尽管图10中描绘一个喷嘴1002，但可以使用多个喷嘴来分配冲洗流体或冲洗液。例如，冲洗液可以包含去离子水、表面活性剂或任何数目的流体或混合物。
喷嘴1002可经配置以在板条402上移动(经由传送带404)时将冲洗流体或冲洗液分配在板条402上。当喷嘴1002将冲洗流体分配到板条402的表面上时，冲洗流体形成局部升高多余流体的液位的驻波(或障壁)，如图10中示出。冲洗流体还使多余的颗粒松动离开板条402的第一表面506A和/或所形成的层的表面，或将多余的颗粒从所述第一表面和/或所形成的层的表面敲开。
真空头1004可以经配置以在板条402上方的预定高度处施加抽吸。通过喷嘴1002分配的冲洗流体可以将多余流体的液位局部升高到在板条402上方的至少预定高度。通过真空头1004施加的抽吸在大体上垂直于板条402的第一表面506A的方向上向上拉动流体。通过真空头1004向上拉动的材料进入真空歧管1006且通过真空歧管1006运送到例如废料收集室。因此，多余的流体和颗粒被去除且未留下而污染板条402的表面。
当真空头1004将抽吸施加到板条402的表面上以向上拉动多余材料时，通过嵌入于加工床202中的磁体的阵列和板条402的磁性材料的相互作用而施加的磁力保持板条402压低并约束到加工床202，使得在施加真空头1004的吸力时板条402不与多余的材料一起被向上拉动。
系统200可以包含用于进一步加工的更多模块或设备。举例来说，系统200可以包含清洁设备，其经配置以经由任何类型的合适的清洁溶液来清洁板条402和形成于其上的层。在另一实例中，系统200可以包含干燥设备，其经配置以(例如，经由气刀或任何其它装置)干燥板条402和形成于其上的层。在再一实例中，系统200可以包含伸直设备，其经配置以在形成层之后使板条402的边缘伸直以使板条402为大体上平面的。在又一实例中，系统200可以包含卷绕设备，其经配置以在形成层之后重新卷绕板条402。在此实例中，系统200可称为卷到卷系统，因为板条402可能已经作为卷201被接收，所述卷被展开以用于加工和层的沉积并在形成层之后再次重新卷绕。系统200可以包含用于板条402的后处理和/或预处理的其它模块或设备。
另外，在一些实例中，系统200可以包含多种传感器，所述传感器可以沿着板条402行进通过系统200的路径安装。举例来说，系统200可以包含经配置以检测经涂覆板条402的厚度的厚度传感器。系统200还可以包含经配置以检测在板条402上形成的层上的表面缺陷的光学传感器。其它传感器可以经配置以检测在表面上和/或贯穿涂层的深度的化学组成，且因此系统200可以经配置以控制分配第一流体702和第二流体704(图7)。这些传感器为仅用于说明的实例，并且其它类型的传感器也可用于系统200中。
图1到10中描述的方法和系统促进提供具有槽状形状的移动的板条，提供流体的恰当混合和搅动而不会受到污染，并且提供残余材料和残渣的去除而不会重新污染流体混合物。在一个实例中，可以实施图1到10中描述的方法和系统以由沉积到移动的板条上的流体混合物形成太阳能电池中的缓冲层(例如，CdS)。然而，图1到10中所描述的方法和系统可以用于将任何类型的液体层形成到任何类型的移动的板条上以用于化学反应或薄膜沉积或两者的组合。
尽管已参考某些实施方案描述了当前的方法和/或设备，但本领域的技术人员应理解，在不脱离当前的方法和/设备的范围的情况下，可以进行各种改变并且其等效物可以被替代。另外，在不脱离本发明的范围的情况下，可以进行许多修改以使特定情况或材料适应于本发明的教示。因此，期望当前方法和/或设备不限于所揭示的特定实施方案，但当前方法和/或设备将包含落入在所附权利要求书的范围内的所有实施方案。

Claims (15)

1.一种用于由板条上的流体混合物形成层的系统，所述系统包括：
流体输送设备，其用于将所述流体混合物输送到所述板条上，所述流体输送设备包括级联装置和化学物质分配器装置，其中：
所述级联装置具有上层、定位在所述板条上方的下层，在所述上层和所述下层之间的多个梯级，且经配置以振动，以及
所述化学物质分配器装置经配置以将所述流体混合物中的第一流体的流和所述流体混合物中的第二流体的流分配到所述级联装置的所述上层上，使得(i)所述第一和第二流体沿所述梯级落至所述下层且落到所述板条上，且(ii)所述第一和第二流体在到达所述板条之前通过所述级联且通过所述级联装置的振动而至少部分混合；
流体搅拌设备，其包括至少一个风扇，所述风扇定位在所述板条上方且经配置以产生流型，所述流型在形成所述层时搅拌所述板条上的所述流体混合物，而不必使所述至少一个风扇接触所述流体混合物；以及
流体去除设备，其包括冲洗装置和抽吸装置，其中：
所述冲洗装置经配置以将冲洗流体分配到所述板条上，以及
所述抽吸装置经配置以通过抽吸来去除所述冲洗流体和在形成所述层之后所述流体混合物的剩余在所述板条上的剩余部分。
2.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括一个或多个加热器，其中所述一个或多个加热器经配置以在形成所述层时加热所述板条上的所述流体混合物。
3.根据权利要求2所述的系统，其中所述流体搅拌设备包括风扇的阵列，其中所述风扇的阵列经配置以在通过所述一个或多个加热器来加热所述流体混合物时，分散从所述板条上的所述流体混合物释放的蒸气。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述一个或多个加热器结合所述风扇的阵列经配置以在形成所述层时，维持所述板条上的所述流体混合物中的预定温度分布。
5.根据权利要求3到4中任一项所述的系统，其进一步包括至少部分包围所述风扇的阵列的壳体，其中所述壳体经配置以约束从所述流体混合物释放的所述蒸气。
6.根据权利要求1到5中任一项所述的系统，其中所述流体搅拌设备经配置以控制所述至少一个风扇在重复的周期上的旋转的速度和方向，每个周期包括：
所述至少一个风扇在第一预定量的时间上在第一方向上旋转；
所述至少一个风扇在第二预定时间上停止旋转；以及
所述至少一个风扇在第三预定量的时间上在与所述第一方向相反的第二方向上旋转。
7.根据权利要求1到6中任一项所述的系统，其中所述抽吸装置经配置以在所述板条上方的预定高度处施加抽吸，并且其中所述冲洗装置经配置以分配所述冲洗流体，以便将所述板条上的液位升高到所述板条上方的至少所述预定高度。
8.根据权利要求1到7中任一项所述的系统，其进一步包括：
加工床；以及
传送带，其中所述传送机经配置以在所述加工床上方移动所述板条，使得所述板条在所述流体输送设备、所述流体搅拌设备以及所述流体去除设备下经过。
9.根据权利要求8所述的系统，其中所述加工床包含具有平坦表面的中心部分和具有弯曲表面的侧面部分，其中所述板条具有槽道形状，当所述板条在所述流体输送设备、所述流体搅拌设备以及所述流体去除设备下经过时，所述槽道形状可以固持流体，并且其中所述槽道形状由所述加工床的所述平坦和弯曲表面界定。
10.根据权利要求9所述的系统，其进一步包括多个磁体，其中所述磁体相对于所述加工床定位，以便在所述板条上施加朝向所述加工床拉动所述板条的磁力，并且其中所述磁力足以使所述板条成形，使得所述板条大体上符合所述加工床的所述平坦表面和弯曲表面。
11.根据权利要求1到10中任一项所述的系统，其中所述层包括硫化镉，其中所述第一流体包括硫酸镉，并且其中所述第二流体包括硫脲。
12.一种用于由板条上的流体混合物形成层的方法，所述方法包括：
将所述流体混合物中的第一流体的流和所述流体混合物中的第二流体的流分配到级联装置上，其中所述级联装置具有上层、定位在所述板条上方的下层，在所述上层和所述下层之间的多个梯级，且经配置以振动，并且其中将所述第一流体的流和所述第二流体的流分配到所述级联装置的所述上层上，使得(i)所述第一和第二流体沿所述梯级落到所述下层且落到所述板条上，且(ii)所述第一和第二流体在到达所述板条之前通过所述级联且通过所述级联装置的振动至少部分混合；
使用定位在所述板条上方的至少一个风扇产生流型，所述流型在形成所述层时搅拌所述板条上的所述流体混合物，而不使所述至少一个风扇接触所述流体混合物；
将冲洗流体分配到所述板条上；以及
通过抽吸来去除所述冲洗流体和在形成所述层之后所述流体混合物的剩余在所述板条上的剩余部分。
13.根据权利要求12所述的方法，其中一个或多个加热器经配置以在形成所述层时加热所述板条上的所述流体混合物，所述方法进一步包括：
使用所述至少一个风扇，在通过所述一个或多个加热器加热所述流体混合物时，分散从所述板条上的所述流体混合物释放的蒸气；以及
使用所述一个或多个加热器结合所述至少一个风扇，在形成所述层时维持所述板条上的所述流体混合物中的预定温度分布。
14.根据权利要求12到13中任一项所述的方法，其进一步包括：
控制所述至少一个风扇在重复的周期上的旋转的速度和方向，每个周期包括：
所述至少一个风扇在第一预定量的时间上在第一方向上旋转；
所述至少一个风扇在第二预定时间上停止旋转；以及
所述至少一个风扇在第三预定量的时间上在与所述第一方向相反的第二方向上旋转。
15.根据权利要求12到14中任一项所述的方法，其中将所述冲洗流体分配到所述板条上包括：分配所述冲洗流体，以便将所述板条上的液位升高到所述板条上方的至少预定高度，并且其中通过抽吸来去除所述冲洗流体和在形成所述层之后所述流体混合物的剩余在所述板条上的所述剩余部分包括：在所述板条上方的所述预定高度处施加抽吸。
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WO (1) WO2015095648A1 (zh)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3289632A (en) * 1963-10-02 1966-12-06 Polaroid Corp Cascade coating apparatus for applying plural layers of coating material to a moving web
US6350318B1 (en) * 1998-12-17 2002-02-26 Eastman Kodak Company Optimized versatile coating hopper
WO2003021648A1 (en) * 2001-08-30 2003-03-13 University Of Delaware Chemical surface deposition of ultra-thin semiconductors
CN1651846A (zh) * 2004-02-02 2005-08-10 王派酋 微量粉状金属薄膜的均匀涂布方法
US20050188924A1 (en) * 2004-01-30 2005-09-01 Keiji Okada Method of controlling mover device, cooperative device of mover device, cooperative method of mover device, semiconductor manufacturing device, liquid crystal manufacturing device, and mechanical scan ion implantation device
EP1767282A2 (de) * 2005-09-22 2007-03-28 Voith Patent GmbH Streichvorrichtung
WO2009111054A1 (en) * 2008-03-05 2009-09-11 Global Solar Energy, Inc. Solution containment during buffer layer deposition
US20090246908A1 (en) * 2006-04-13 2009-10-01 Solopower, Inc. Roll-to-roll processing method and tools for electroless deposition of thin layers
WO2009075944A3 (en) * 2007-10-17 2009-10-22 Yann Roussillon Improved solution deposition assembly
US20100291727A1 (en) * 2009-05-12 2010-11-18 Solopower, Inc. Roll-to-roll processing method and tools for electroless deposition of thin layers
US20110256656A1 (en) * 2011-06-07 2011-10-20 Jiaxiong Wang Chemical Bath Deposition Apparatus for Fabrication of Semiconductor Films through Roll-to-Roll Processes

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4651072B2 (ja) 2001-05-31 2011-03-16 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法、および堆積膜形成装置
US8802214B2 (en) * 2005-06-13 2014-08-12 Trillion Science, Inc. Non-random array anisotropic conductive film (ACF) and manufacturing processes
WO2009111052A1 (en) 2008-03-05 2009-09-11 Global Solar Energy, Inc. Heating for buffer layer deposition
DE102011081337A1 (de) 2011-08-22 2013-02-28 Heinrich Georg Gmbh Maschinenfabrik Vorrichtung zum Transportieren von mehrlagig übereinander angeordnetem, dünnschichtigem Bandmaterial aus einem amorphen Material

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3289632A (en) * 1963-10-02 1966-12-06 Polaroid Corp Cascade coating apparatus for applying plural layers of coating material to a moving web
US6350318B1 (en) * 1998-12-17 2002-02-26 Eastman Kodak Company Optimized versatile coating hopper
WO2003021648A1 (en) * 2001-08-30 2003-03-13 University Of Delaware Chemical surface deposition of ultra-thin semiconductors
US20050188924A1 (en) * 2004-01-30 2005-09-01 Keiji Okada Method of controlling mover device, cooperative device of mover device, cooperative method of mover device, semiconductor manufacturing device, liquid crystal manufacturing device, and mechanical scan ion implantation device
CN1651846A (zh) * 2004-02-02 2005-08-10 王派酋 微量粉状金属薄膜的均匀涂布方法
EP1767282A2 (de) * 2005-09-22 2007-03-28 Voith Patent GmbH Streichvorrichtung
US20090246908A1 (en) * 2006-04-13 2009-10-01 Solopower, Inc. Roll-to-roll processing method and tools for electroless deposition of thin layers
WO2009075944A3 (en) * 2007-10-17 2009-10-22 Yann Roussillon Improved solution deposition assembly
WO2009111054A1 (en) * 2008-03-05 2009-09-11 Global Solar Energy, Inc. Solution containment during buffer layer deposition
US20100291727A1 (en) * 2009-05-12 2010-11-18 Solopower, Inc. Roll-to-roll processing method and tools for electroless deposition of thin layers
US20110256656A1 (en) * 2011-06-07 2011-10-20 Jiaxiong Wang Chemical Bath Deposition Apparatus for Fabrication of Semiconductor Films through Roll-to-Roll Processes

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