CN105814664A - 反应诱导单元、基板处理装置及薄膜沉积方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基板处理装置。本发明的基板处理装置包括：工艺腔体、基板基座，设置于所述工艺腔体，在相同平面上放置有多个基板，与旋转轴相连接并进行旋转、加热器构件，位于所述基板基座的底面、以及反应诱导单元，用于在与放置于所述基板基座的多个基板的各个对应的位置向基板的处理面喷射气体；所述反应诱导单元由层积的至少三个板而具有多层复合结构的流路。

Description

反应诱导单元、基板处理装置及薄膜沉积方法

技术领域

本发明涉及基板处理装置，尤其是涉及一种能够容易地实现向基板喷射的气体的温度、压力以及反应时间的控制的反应诱导单元以及具有该反应诱导单元的基板处理装置及薄膜沉积方法。

背景技术

在制造半导体元件的沉积过程中，为了改善沉积膜质的形成度(conformability)而在一个系统内利用两种以上的气体的反应生成物来与前驱体(precursor)进行反应沉积时，因无法或不易控制温度、压力、气体率(GasRatio)、反应时间(ReactionTime)，基于用于满足反应条件的狭窄的工艺范围(narrowprocesswindow)或反应生成物的少量生产的不良薄膜品质(Badfilmquality)及再结合(Recombination)而不易均匀地供给反应物，并由此发生负载效应(loadingEffect)。

发明内容

技术问题

本发明的目的在于提供一种反应诱导单元以及具有该反应诱导单元的基板处理装置及薄膜沉积方法，在利用两种以上的气体反应生成物与前驱体进行反应沉积时，能够容易地实现温度、压力以及反应时间的控制。

本发明的目的在于提供一种反应诱导单元以及具有该反应诱导单元的基板处理装置及薄膜沉积方法，使两种以上的气体在内部进行反应，从而能够均匀地供给反应生成物。

本发明所要解决的技术问题并不限定于此，本领域的技术人员可通过以下的记载明确理解未被提及到的其他技术问题。

技术方案

本发明的一方式提供一种基板处理装置，其包括：工艺腔体、基板基座，设置于所述工艺腔体，在相同平面上放置有多个基板，与旋转轴相连接并进行旋转、加热器构件，位于所述基板基座的底面、以及反应诱导单元，用于在与放置于所述基板基座的多个基板的各个对应的位置向基板的处理面喷射气体；所述反应诱导单元基于层积的至少三个板而具有多层复合结构的流路。

并且，所述反应诱导单元可包括：顶板，具有至少一个气体注入端口；中板，层积设置于所述顶板的下方，具有用于气体的混合及加热的一次流路及用于使经由所述一次流路的气体被排出的第一贯通孔；以及底板，层积设置于所述中板的下方，具有用于调节通过所述第一贯通孔流入的气体的压力及反应时间的二次流路。

并且，所述中板可设置有至少一个。

并且，所述反应诱导单元可还包括：喷嘴，设置于所述底板，与所述二次流路相连接，用于向基板上喷射经由所述二次流路的气体。

并且，所述喷嘴可以可装卸的方式设置于所述底板的中央形成的插槽，在所述喷嘴的底面具有多个喷射孔，以及在所述喷嘴的侧面具有与所述二次流路的末端相连接的槽。

并且，在所述中板中，所述一次流路可从所述中板的中央朝向边缘形成，所述第一贯通孔形成在所述一次流路的末端。

并且，在所述底板中，所述二次流路可从所述底板的边缘朝向中央形成。

并且，所述二次流路的一端可与所述第一贯通孔相连接，另一端与所述喷嘴相连接。

并且，所述二次流路可具有长度、圈(turn)数相互不同的独立的路径。

并且，所述中板可在中央具有中央广场部，所述中央广场部中连接有所述一次流路，气体通过所述气体注入端口流入所述中央广场部。

并且，所述一次流路可由分隔壁来提供，所述二次流路可由槽形态来提供。

并且，所述二次流路的长度可长于所述一次流路的长度。

本发明的一方式提供一种反应诱导单元，其包括：顶板，具有至少一个气体注入端口；中板，层积设置于所述顶板的下方，具有用于气体的混合及加热的一次流路及使经由所述一次流路的气体被排出的第一贯通孔；至少一个底板，层积设置于所述中板的下方，具有用于调节通过所述第一贯通孔流入的气体的压力及反应时间的二次流路；以及喷嘴，设置于所述底板，与所述二次流路相连接，用于向基板上喷射经由所述二次流路的气体。

并且，所述喷嘴可以可装卸的方式设置于所述底板的中央形成的插槽，在所述喷嘴的底面具有多个喷射孔，以及在所述喷嘴的侧面具有与所述二次流路的末端相连接的槽。

并且，在所述中板中，所述一次流路可从所述中板的中央朝向边缘形成，所述第一贯通孔形成在所述一次流路的末端，在所述底板中，所述二次流路可从所述底板的边缘朝向中央形成。

并且，所述中板可在中央具有中央广场部，所述中央广场部中连接有所述一次流路，气体通过所述气体注入端口流入所述中央广场部。

并且，所述一次流路可由分隔壁来提供，所述二次流路由槽形态来提供。

本发明的实施例的薄膜沉积方法，用于在被区分为多个区域的腔体内沉积薄膜，其包括：第一步骤，在第一基板上提供第一前驱体，清洗及抽吸第二基板上的第二前驱体的一部分，在第三基板上的第三前驱体上提供第三自由基以形成第三薄膜，清洗及抽吸所述第四基板的第四薄膜上残留的第四自由基；第二步骤，清洗及抽吸所述第一基板的所述第一前驱体的一部分，在所述第二基板的所述第二前驱体上提供第二自由基以形成第二薄膜，清洗及抽吸第三基板上残留的所述第三自由基，在所述第四基板的所述第四自由基上提供第四前驱体；第三步骤，在所述第一基板的所述第一前驱体上提供第一自由基以形成第一薄膜，清洗及抽吸所述第二基板上残留的所述第二自由基，在所述第三基板上提供所述第三前驱体，清洗及抽吸所述第四基板上的第四前驱体的一部分；以及第四步骤，清洗及抽吸所述第一基板上残留的所述第一自由基，在所述第二基板上提供所述第二前驱体，清洗及抽吸所述第三基板上的所述第三前驱体的一部分，在所述第四基板上的所述第四前驱体上提供所述第四自由基以形成第四薄膜。

在本发明的一例中，所述第一步骤至所述第四步骤可在500℃下执行。

所述第一至第四前驱体可包含硅烷，所述第一至第四自由基可包含羟基。

本发明的另一例的薄膜沉积方法，其包括：第一步骤，同时在基板内的第一基板上形成第一前驱体和在第二基板的第二前驱体上形成第二自由基，从而在所述第二基板上形成第二薄膜；以及第二步骤，同时在所述基板内的所述第一前驱体上提供第一自由基和在所述第二薄膜上提供第二前驱体，从而在所述第一基板上形成第一薄膜。

技术效果

根据本发明的实施例，提供适合于两种以上的气体反应的压力、反应时间以及温度条件，诱导反应以确保宽阔的工艺范围及使反应生成物的再结合达到最小，从而能够改善薄膜品质及负载效应(loadingEffect)。

如上所述，本发明的实施例的薄膜沉积方法能够在520℃的恒定的温度的腔体内旋转移动的第一至第四基板上形成第一至第四薄膜，从而能够防止负载效应并提高生产效率。

附图说明

图1是用于说明本发明的基板处理装置的图。

图2是图1所示的基板基座的立体图。

图3是图1所示的反应诱导单元的后视图。

图4是反应诱导单元的立体图。

图5是反应诱导单元的分解立体图。

图6是反应诱导单元的剖面图。

图7是示出设置于底板的喷嘴的俯视图。

图8是示出形成有制冷剂流路的板的图。

图9是示出图1的基板处理装置中的薄膜沉积方法的流程图。

图10是示出图1的工艺腔体的俯视图。

图11是示出图1的基座及第一至第四工作台的立体图。

图12是比较示出第一至第四薄膜的硅氧化膜和现有技术的硅氧化膜的形成的图表。

图13是比较示出第一至第四薄膜的硅氧化膜的湿式蚀刻率和一般的硅氧化膜的湿式蚀刻率的图表。

具体实施方式

以下参照附图对本发明的优选的实施例进行详细的说明。可通过与附图相关的实施例容易理解本发明所要解决的技术问题、技术方案及技术效果。为了清楚地进行说明，各附图中的一部分被简略或夸张示出。在对各附图的结构元件赋予附图标记时，即使是示出于相互不同的附图，对于相同的结构元件将尽可能赋予相同的附图标记。并且，在对本发明进行说明时，如果判断为对相关的公知结构或功能的具体说明会混淆本发明的技术思想，则将省去对其详细的说明。

(实施例)

图1是用于说明本发明的基板处理装置的图。图2是图1所示的基板基座的立体图。

参照图1，本发明的实施例的基板处理装置10包括：工艺腔体(processchamber)100、作为基板支撑构件(supportmember)的基板基座200、反应诱导单元300以及供给构件400。

工艺腔体100在一侧提供有进出口112。进出口112在进行工艺时用于基板W进出。虽未图示，工艺腔体100在边缘可提供有排气通道，其用于排出向工艺腔体供给的反应气体及沉积工艺中产生的反应分散物。作为一例，排气通道可由位于基板基座200的外侧的环形形状构成。

参照图1及图2，基板基座200设置于工艺腔体100的内部空间。作为一例，基板基座200由放置四张基板的配置类型构成。基板基座由圆盘形状构成，并形成有其上部面放置基板的第一至第四工作台212a-212d。设于基板基座的第一至第四工作台212a-212d可由与基板的形状类似的圆形构成。第一至第四工作台212a-212d以基板基座200的中央为中心，在同心圆上按90度间隔配置。作为一例，基板基座200的工作台的数目可以是三个或四个以上，而不是四个。

基板基座200利用与旋转轴280相连接的驱动部290进行旋转。用于旋转基板基座200的驱动部290优选地使用步进电机，其中设置有能够控制驱动电机的转数和旋转速度的编码器。

虽未图示，基板基座200可设有用于在各个工作台上提升及下降基板W的多个提升销(未图示)。提升销(liftpin)通过提升及下降基板W，使基板W从基板基座200的工作台被分开或安置于工作台。

参照图1，供给构件400可包括第一供气构件410a和第二供气构件410b。第一供气构件410a向四个反应诱导单元的各个供给用于在基板W上形成规定的薄膜的第一反应气体，第二供气构件410b向四个反应诱导单元的各个供给第二反应气体。在本实施例中，为了供给两个相互不同的反应气体而使用了两个供气构件，但是，根据所供给的气体的特性，也可使用多个供气构件，从而供给两个以上的相互不同的气体或相同的气体。

图3是图1所示的反应诱导单元的后视图。

如图1至图3所示，四个反应诱导单元300向放置于基板基座200的四张基板的各个喷射气体。反应诱导单元300可接收从供给构件供给的至少一个反应气体。反应气体可在外部被预热处理后供给到反应诱导单元300。根据一例，各个反应诱导单元300可接收从供给构件400供给的第一、第二反应气体。四个反应诱导单元300在整体上具有圆盘形状，各自呈按90度间隔区划的扇形形状，在底面形成有气体喷射口312。

例如，反应诱导单元300呈90度间隔的扇形形状，但是本发明并不限定于此，根据工艺目的或特性，也可构成45度间隔或180度间隔，根据反应腔体形态，也可改变反应诱导单元大小、形态及设置位置。

图4及图5是反应诱导单元的立体图及分解立体图，图6是反应诱导单元的剖面图，图7是示出设置于底板的喷嘴的俯视图。

如图4至图7所示，反应诱导单元300基于层积的至少三个板来提供多层复合结构的流路。在本实施例中，以层积有三个板的多层复合结构为例进行说明。但是，这仅是属于一例，板的数目也可以是两个或四个以上。

反应诱导单元300包括顶板310、中板320、底板330以及喷嘴350，顶板310、中板320以及底板330依次地层积设置。

顶板310具有三个注入端口312、314。两个注入端口312是用于注入反应气体的气体注入端口，另一个注入端口314是用于检查反应诱导单元300内部的压力的压力端口。

中板320层积设置于顶板310下方。中板320包括：用于气体的混合及加热的一次流路322；以及，第一贯通孔324，用于使在经由一次流路322的过程中被混合并加热的气体向底板330的二次流路332流动。

一次流路包括从中板的中央广场部328朝向边缘的四个流路，第一贯通孔324形成于各流路的末端。一次流路由分隔壁326来提供。中央广场部328是位于中板的中央，并使气体通过顶板的气体注入端口流入的空间，其与四个一次流路相连接。

在本实施例中，以中板320在顶板310和底板330之间设置有一个为例进行图示及说明，但这仅是属于一例，根据所供给的气体的数目、特性，为了进行气体混合及温度调节，可层积设置有流路的形态、长度各不同的一个以上的板，并向层积的板供给相互不同的气体或相同的气体。

底板330层积设置于中板320下方。底板330具有四个二次流路332，其用于调节通过四个第一贯通孔324流入的气体的压力及反应时间。从中板320提供的气体在通过四个二次流路332的过程中可调节压力及反应时间。例如，当气体压力较低时，可通过二次流路的体积缩小、圈(turn)数增加、长度增大、形状变更等来提高二次流路中的气体压力。与此相反，当气体压力较高时，可通过二次流路的体积扩大、圈数减少、长度减小、形状变更等来降低二次流路中的气体压力。由此，在二次流路中满足反应时间及压力的反应气体提供给喷嘴。

二次流路332从底板330的边缘朝向中央形成。二次流路332的一端与中板320的贯通孔324相连接，另一端与设置于底板330中央的喷嘴350相连接。

二次流路332可提供为槽形态。此外，二次流路332的特征在于，其长度长于一次流路322的长度。二次流路332可提供为其长度、圈数相互不同的独立的路径(path)形态。

喷嘴350设置于底板330。喷嘴350与四个二次流路332相连接，并将经由二次流路332的气体向基板上喷射。喷嘴350以可装卸的方式设置于底板330的中央形成的插槽338。喷嘴350在底面具有多个喷射孔352，以及在两侧面具有与二次流路332的末端335相连接的槽354。

在反应诱导单元300中，反应气体在经由一次流路或二次流路的过程中，可实现基于腔体内部的导热的预热。

图8是示出形成有制冷剂流路的板的图。

如图8所示，在本实施例中，在构成反应诱导单元的板380中，可以与流动有反应气体的流路382相邻地形成有制冷剂流路384。制冷剂流路384中循环有从外部的制冷剂供给装置900提供的制冷剂，从而对流路中流动的气体进行冷却。这样的制冷剂流路384可形成于图4所示的反应诱导单元300的中板320或底板330上。

图9是示出图1的基板处理装置中的薄膜沉积方法的流程图。图10是示出图1的工艺腔体100的俯视图。图11是示出图1的基座及第一至第四工作台的立体图。

参照图1及图9至图11，在第一基板101上提供第一前驱体，抽吸(pumping)及清洗(purging)第二基板102上的第二前驱体的一部分，在第三基板103上的第三前驱体上提供第三自由基，抽吸及清洗第四基板104上残留的第四自由基(步骤S10)。

基板处理装置10包括：工艺腔体100、基板基座200、反应诱导单元300以及供给构件400。工艺腔体100可具有第一至第四区域110-140。根据一例，第一至第四区域110-140可分别是前驱体形成区域、前驱体抽吸区域、自由基形成区域以及自由基抽吸区域。例如，工艺腔体100可在520℃至550℃的温度下执行第一至第四基板101-104的原子层沉积工艺。基板基座200可配置在工艺腔体100内。供给构件400可向工艺腔体100分别提供前驱体及自由基。供给构件400可包括前驱体供给线410a和自由基供给线410b。前驱体供给线410a可与第一区域110相连接。自由基供给线410b可与第三区域130相连接。根据一例，反应诱导单元300可配置在第一区域110和第三区域130内。第一区域110中可对第一至第四基板101-104提供第一至第四前驱体。第三区域130中可对第一至第四基板101-104提供第一至第四自由基(radical)。利用第一至第四前驱体和第一至第四自由基的反应，可在第一至第四基板101-104上形成第一至第四薄膜。反应诱导单元300可包括喷头(showerhead)。

基板基座200可在工艺腔体100内进行旋转。基板基座200可包括：轴280；所述轴280上的第一至第四工作台212a-212d。第一至第四工作台212a-212d可分别支撑第一至第四基板101-104。第一至第四工作台212a-212d可沿着第一至第四区域110-140移动。例如，第一至第四基板101-104可分别配置在第一至第四区域110-140内。

在第一区域110内的第一基板101上可形成有第一前驱体。第一前驱体可形成于第一基板101的前面。第二区域120内的第二基板101上的第二前驱体可利用规定的真空压被抽吸。并且，可在第二基板102上提供清洗气体。可在第三区域130内的第三基板103的第三前驱体上提供第三自由基。其中，第一至第三前驱体是形成于第一至第三基板101-103上的相同的种类的前驱体，其可包含硅烷SiH₄或氯化钛TiCl₄。第三自由基可包含羟基OH或胺基NH。第三前驱体和第三自由基可进行反应。例如，可在第三基板103上形成硅氧化膜、硅氮化膜或氮化钛TiN的第三薄膜，并进行盐酸HCl的反应后形成气体。气体在与第四区域140内的第四基板104上残留的第四自由基进行反应后可被抽吸。第四基板104上可提供清洗气体。在此之前，虽未图示，可在第四基板104上提供第四前驱体和第四自由基以形成第四薄膜。第四自由基可以相同。

此外，第一工作台212a可利用轴280的旋转而朝第二区域120移动，第二工作台212b朝第三区域130移动，第三工作台212c朝第四区域140移动，第四工作台212d朝第一区域110移动。第一至第四基板101-104可依次地朝第一至第四区域110-140移动。因此，能够使第一至第四基板101-104的工艺等待时间达到最小。第一至第四基板101的负载效应可被消除或避免。因此，本发明的实施例的薄膜形成方法能够提高生产效率。

接着，抽吸及清洗第一基板101上的第一前驱体的一部分，在第二基板102上的所述第二前驱体上提供第二自由基，抽吸及清洗第三基板103上残留的第三自由基，在第四基板104上提供第四前驱体(步骤S20)。第一前驱体可吸附于第一基板101的表面。未吸附于第一基板101的表面的第一前驱体可被抽吸排出，或者利用清洗气体被清洗。利用第二前驱体及第二自由基的反应，可在第二基板102上形成第二薄膜。第二薄膜可包含硅氧化膜、硅氮化膜或氮化钛。第三基板103上的第三自由基可利用抽吸或清洗而从工艺腔体100内被排出。第四前驱体可以与第一至第三前驱体相同。

随后，第一工作台212a可朝第三区域130移动，第二工作台212b朝第四区域140移动，第三工作台212c朝第一区域110移动，第四工作台212d朝第二区域120移动。

接着，在第一基板101的第一前驱体上提供第一自由基，抽吸及清洗第二基板102上残留的第二自由基，在第三基板103的第三自由基上提供第三前驱体，抽吸第四基板104上的第四前驱体的一部分(步骤S30)。在第一基板101中，可利用第一前驱体和第一自由基的反应而形成第一薄膜。第一薄膜可包含硅氧化膜、硅氮化膜或氮化钛。第二基板102上的第二自由基可利用抽吸或清洗而向工艺腔体100的外部排出。第三前驱体可吸附于第三基板103上。未吸附于第四基板104的表面的第四前驱体可利用抽吸或清洗而被去除。

随后，第一工作台212a可朝第三区域130移动，第二工作台212b朝第四区域140移动，第三工作台212c朝第一区域110移动，第四工作台212d朝第二区域120移动。

抽吸及清洗第一基板101上的第一自由基，在第二基板102上的第二自由基上提供第二前驱体，抽吸及清洗第三基板103上的第三前驱体的一部分，在第四基板104上的第四前驱体上提供第四自由基(步骤S40)。第一基板101上残留的第一自由基可利用抽吸或清洗而从工艺腔体100内被去除。第二前驱体可吸附于第二薄膜或第二基板102上。未吸附于第二薄膜或第三基板103的第三前驱体可利用抽吸或清洗而从工艺腔体100内被去除。吸附于第二薄膜或第三基板103的第三前驱体可残留于第三基板103上。第四前驱体及第四自由基可在第四基板104上形成第四薄膜。

此外，第一至第四基板101-104可沿着第一至第四区域110-140依次地移动，并在第一至第四基板101-104上形成规定厚度的第一至第四薄膜。

图12是比较示出第一至第四薄膜的硅氧化膜和现有技术的硅氧化膜的形成的图表。横轴表示温度，纵轴表示硅氧化膜形成比率。

参照图12，第一至第四薄膜的硅氧化膜10可在520℃下形成。另一方面，现有技术的硅氧化膜20可在570℃下形成。

图13是比较示出第一至第四薄膜的硅氧化膜10的湿式蚀刻率和一般的硅氧化膜的湿式蚀刻率的图表。

参照图13，第一至第四薄膜的硅氧化膜的湿式蚀刻率可低于一般的硅氧化膜的湿式蚀刻率。湿式蚀刻率的差异可基于硅氧化膜的密度而发生。密度低的一般的硅氧化膜与密度高的第一至第四薄膜的硅氧化膜的硅氧化膜相比，可具有高的湿式蚀刻率。因此，本发明的实施例的薄膜沉积方法是用于形成高密度的硅氧化膜的方法。

以上仅是举例说明了本发明的技术思想，本发明所属的技术领域的普通技术人员可在不背离本发明的本质特征的范围内进行多种修改及变形。因此，本发明中揭示的实施例仅是用于说明本发明，而并非意在限定本发明的技术思想，本发明的技术思想的范围并不限定于这样的实施例。本发明的保护范围应当由所附的权利要求书进行定义，与其等同范围内的所有技术思想应当被认为是落入本发明的权利范围。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，在所述基板处理装置中，其特征在于，包括：

工艺腔体，

基板基座，设置于所述工艺腔体，在相同平面上放置有多个基板，与旋转轴相连接并进行旋转，

加热器构件，位于所述基板基座的底面，以及

反应诱导单元，用于在与放置于所述基板基座的多个基板的各个对应的位置向基板的处理面喷射气体；

所述反应诱导单元基于层积的至少三个板而具有多层复合结构的流路。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述反应诱导单元包括：

顶板，具有至少一个气体注入端口；

中板，层积设置于所述顶板的下方，具有用于气体的混合及加热的一次流路及用于使经由所述一次流路的气体被排出的第一贯通孔；以及

底板，层积设置于所述中板的下方，具有用于调节通过所述第一贯通孔流入的气体的压力及反应时间的二次流路。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述中板设置有至少一个。

4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述反应诱导单元还包括：

喷嘴，设置于所述底板，与所述二次流路相连接，用于向基板上喷射经由所述二次流路的气体。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷嘴以可装卸的方式设置于所述底板的中央形成的插槽，在所述喷嘴的底面具有多个喷射孔，以及在所述喷嘴的侧面具有与所述二次流路的末端相连接的槽。

6.根据权利要求2或4所述的基板处理装置，其特征在于，在所述中板中，所述一次流路从所述中板的中央朝向边缘形成，所述第一贯通孔形成在所述一次流路的末端。

7.根据权利要求2或4所述的基板处理装置，其特征在于，在所述底板中，所述二次流路从所述底板的边缘朝向中央形成。

8.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述二次流路的一端与所述第一贯通孔相连接，另一端与所述喷嘴相连接。

9.根据权利要求2或4所述的基板处理装置，其特征在于，所述二次流路具有长度、圈数相互不同的独立的路径。

10.根据权利要求2或4所述的基板处理装置，其特征在于，所述中板在中央具有中央广场部，所述中央广场部中连接有所述一次流路，气体通过所述气体注入端口流入所述中央广场部。

11.根据权利要求2或4所述的基板处理装置，其特征在于，所述一次流路由分隔壁来提供。

12.根据权利要求2或4所述的基板处理装置，其特征在于，所述二次流路由槽形态来提供。

13.根据权利要求2或4所述的基板处理装置，所述二次流路的长度长于所述一次流路的长度。

14.一种反应诱导单元，在所述反应诱导单元中，其特征在于，包括：

顶板，具有至少一个气体注入端口；

中板，层积设置于所述顶板的下方，具有用于气体的混合及加热的一次流路及使经由所述一次流路的气体被排出的第一贯通孔；

至少一个底板，层积设置于所述中板的下方，具有用于调节通过所述第一贯通孔流入的气体的压力及反应时间的二次流路；以及

喷嘴，设置于所述底板，与所述二次流路相连接，用于向基板上喷射经由所述二次流路的气体。

15.根据权利要求14所述的反应诱导单元，其特征在于，所述喷嘴以可装卸的方式设置于所述底板的中央形成的插槽，在所述喷嘴的底面具有多个喷射孔，以及在所述喷嘴的侧面具有与所述二次流路的末端相连接的槽。

16.根据权利要求14所述的反应诱导单元，其特征在于，在所述中板中，所述一次流路从所述中板的中央朝向边缘形成，所述第一贯通孔形成在所述一次流路的末端，在所述底板中，所述二次流路从所述底板的边缘朝向中央形成。

17.根据权利要求14所述的反应诱导单元，其特征在于，所述中板在中央具有中央广场部，所述中央广场部中连接有所述一次流路，气体通过所述气体注入端口流入所述中央广场部，所述一次流路由分隔壁来提供，所述二次流路由槽形态来提供。

18.一种薄膜沉积方法，用于在被区分为多个区域的腔体内沉积薄膜，其特征在于，包括：

第一步骤，在第一基板上提供第一前驱体，清洗及抽吸第二基板上的第二前驱体的一部分，在第三基板上的第三前驱体上提供第三自由基以形成第三薄膜，清洗及抽吸所述第四基板的第四薄膜上残留的第四自由基；

第二步骤，清洗及抽吸所述第一基板的所述第一前驱体的一部分，在所述第二基板的所述第二前驱体上提供第二自由基以形成第二薄膜，清洗及抽吸第三基板上残留的所述第三自由基，在所述第四基板的所述第四自由基上提供第四前驱体；

第三步骤，在所述第一基板的所述第一前驱体上提供第一自由基以形成第一薄膜，清洗及抽吸所述第二基板上残留的所述第二自由基，在所述第三基板上提供所述第三前驱体，清洗及抽吸所述第四基板上的第四前驱体的一部分；以及

第四步骤，清洗及抽吸所述第一基板上残留的所述第一自由基，在所述第二基板上提供所述第二前驱体，清洗及抽吸所述第三基板上的所述第三前驱体的一部分，在所述第四基板上的所述第四前驱体上提供所述第四自由基以形成第四薄膜。

19.根据权利要求18所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述第一步骤至所述第四步骤在520℃下执行，所述第一至第四前驱体包含硅烷，所述第一至第四自由基包含羟基。

20.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括：

第一步骤，同时在基板内的第一基板上形成第一前驱体和在第二基板的第二前驱体上形成第二自由基，从而在所述第二基板上形成第二薄膜；以及

第二步骤，同时在所述基板内的所述第一前驱体上提供第一自由基和在所述第二薄膜上提供第二前驱体，从而在所述第一基板上形成第一薄膜。