CN105576127B - 一种多异质结界面钙钛矿太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种多异质结界面钙钛矿太阳能电池，采用直立生长的多平面异质结界面结构，包括FTO玻璃、致密层、多异质结界面层、空穴传输层、背电极；所述FTO玻璃上设置致密层，多异质结界面层以多层直立片状生长在致密层上，背电极设置在多异质结界面层上方，位于空穴传输层上；所述多异质结界面层由多片直立生长的纳米片和纳米片之间填充光吸收剂组成。本发明由于采用直立生长的多平面异质结界面结构，电子和空穴传输层被光吸收层隔离，克服了电子和空穴在传输过程中发生界面复合的结构缺陷；提供了一种完整的具有产业化潜力的多异质结界面钙钛矿太阳能电池的制备工艺，该工艺可以提高太阳能电池的光电转换效率，有利于产业化生产。
Description
技术领域
本发明涉及一种多异质结界面钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池制造技术领域。
背景技术
能源危机与环境污染是人类正面临的重大挑战，开发新能源和可再生清洁能源是21世纪最具决定影响的技术领域之一。据世界能源委员会和国际应用分析研究所预测，全球化石燃料不足使用100年，而且，由于燃料化石燃烧排放的CO2等气体随耗能指数增加，已严重破坏了生态平衡。造成了诸如温室效应，酸雨等一系列问题。寻求一种可再生、无污染的清洁能源成了一项迫切任务。太阳能电池正是在这种形式下发展起来的。
太阳能电池从其发展历程，可分为（1）硅太阳能电池（2）纳米晶太阳电池（3）以无机盐如硫化镉等多种化合物为材料的聚合物电池及染料敏化太阳能电池(4)基于有机金属卤化物钙钛矿材料的太阳能电池。
在上述各类电池中，硅太阳能电池制备成本比较高，制备工艺也比较复杂，纳米晶太阳能电池和染料敏化太阳能电池光吸收材料存在激子束缚能大、激子扩散距离短和电荷载流子迁移率低等问题，而基于有机金属卤化物钙钛矿材料的太阳能电池以其效率高、结构简单、成本低等优点引起了人们的广泛关注，已成为太阳电池领域新的研究热点，有更为广阔的应用前景。
对于钙钛矿太阳能电池，现今存在着介孔型和平面型两种结构，分别存在电子和空穴传输未在空间分开和有效拆分电子—空穴对异质结界面不足的结构缺陷。如申请号201410586978.0，合肥工业大学，一种钙钛矿太阳能电池的化学气相沉积制备方法，其中钙钛矿太阳能电池为平面异质结结构，是以 FTO 导电玻璃为衬底，在所述FTO导电玻璃的FTO 薄膜所在面从下至上依次沉积有电子传输层、钙钛矿光吸收层薄膜、空穴传输层和顶电极。申请号 201510097946.9，苏州瑞晟纳米科技有限公司，一种新型的低温溶液法制备的平面异质结钙钛矿太阳能电池；申请号 201410394207.1，中国乐凯集团有限公司，一种平面异质结钙钛矿太阳能电池，其包括衬底和依次层叠于该衬底上的透明电极、致密层、界面修饰层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和对电极。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种多异质结界面钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该结构可以提高太阳能电池光电转换效率，降低成本，使之有利于产业化生产。
为达到上述目的，本发明所采用的技术手段是：一种多异质结界面钙钛矿太阳能电池，采用直立生长的多平面异质结界面结构，包括FTO玻璃、致密层、多异质结界面层、空穴传输层、背电极；所述FTO玻璃上设置致密层，多异质结界面层以多层直立片状生长在致密层上，背电极设置在多异质结界面层上方，位于空穴传输层上；所述多异质结界面层由多片直立生长的纳米片和纳米片之间填充光吸收剂组成。
进一步的，所述纳米片的间距20～200nm之间，纳米片的高度100～500nm之间。
进一步的，所述纳米片采用ZnO或TiO2。
进一步的，所述光吸收剂采用CH3NH3PbI3-xClx或CH3NH3PbI3。
进一步的，所述多异质结界面钙钛矿太阳能电池的制备方法，步骤如下：清洗基片，在FTO玻璃表面生长电子传输层，电子传输层即在致密层直立生长的ZnO或TiO2纳米片，在设定范围内调节纳米片间距和纳米片高度；生长钙钛矿光吸收层沉积于纳米片表面，填充多异质结界面结构的钙钛矿光吸收剂；制备空穴传输层，填充在相邻光吸收层之间，用电阻蒸发式真空镀银来蒸镀电极；通过多种测试分析手段，综合表征多异质结界面的电池性能。
进一步地，所述制备步骤中，对生长钙钛矿光吸收层沉积于纳米片表面之前，对纳米片进行表面工程化处理，在纳米片表面选择性地人工剪裁与安装无机材料或有机官能团，构造表面微结构，以化学键和化学诱导强化ZnO或TiO2和光吸收剂结合，达到在纳米片/光吸收层之间构造有效拆分电子-空穴对界面的目的。
进一步的，所述光吸收层沉积，采用一步或分步液相沉积、双源真空热蒸发或者气相辅助液相沉积法，在纳米片表面沉积光吸收层，比较电池性能差异并分析其原因，揭示多异质结界面结构对钙钛矿光吸收剂的选择特性。
进一步的，所述空穴传输层按照界面工程和能级匹配的原则，从spiro-OMeTAD，P3HT，CuSCN 或 CuI中挑选出合适的空穴传输材料，其既能与光吸收层构成有效的异质结界面分离电子-空穴对，又能保证空穴在逸出过程中较小的能量损失以提高电池开路电压。
本发明的有益效果是：由于采用直立生长的多平面异质结界面结构，电子和空穴传输层被光吸收层隔离，克服了电子和空穴在传输过程中发生界面复合的结构缺陷（相对于介孔型钙钛矿太阳能电池而言）；相对于平面型钙钛矿太阳能电池只有p-i和n-i两个异质结界面有了数量级的增长，能够及时拆分大量的电子-空穴对，可能克服电子-空穴对因不能及时拆分而重新复合的结构缺陷；提供了一种完整的具有产业化潜力的多异质结界面钙钛矿太阳能电池的制备工艺，该工艺可以提高太阳能电池的光电转换效率，有利于产业化生产。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的阐述。
图1：本发明的结构示意图。
图中：1、FTO玻璃，2、致密层，3、多异质结界面层，4、空穴传输层，5、背电极，6、纳米片，7、光吸收剂。
具体实施方式
如图1所示的一种多异质结界面钙钛矿太阳能电池，采用直立生长的多平面异质结界面结构，包括FTO玻璃1、致密层2、多异质结界面层3、空穴传输层4、背电极5；所述FTO玻璃1上设置致密层2，多异质结界面层3以多层直立片状生长在致密层2上，背电极5设置在多异质结界面层3上方，位于空穴传输层4上；所述多异质结界面层3由多片直立生长的纳米片6和纳米片之间填充光吸收剂7组成。
所述纳米片6的间距20～200nm之间，纳米片6的高度100～500nm之间。
所述纳米片6采用ZnO或TiO2。
所述光吸收剂7采用CH3NH3PbI3-xClx或CH3NH3PbI3。
多异质结界面钙钛矿太阳能电池的制备方法，步骤如下：清洗基片，在FTO玻璃表面生长电子传输层，电子传输层即在致密层直立生长的ZnO或TiO2纳米片，在设定范围内调节纳米片间距和纳米片高度；生长钙钛矿光吸收层沉积于纳米片表面，填充多异质结界面结构的钙钛矿光吸收剂；制备空穴传输层，填充在相邻光吸收层之间，用电阻蒸发式真空镀银来蒸镀电极；通过多种测试分析手段，综合表征多异质结界面的电池性能。
制备步骤中，对生长钙钛矿光吸收层沉积于纳米片表面之前，对纳米片进行表面工程化处理，在纳米片表面选择性地人工剪裁与安装无机材料、有机官能团，构造表面微结构，以化学键和化学诱导强化ZnO或TiO2和光吸收剂结合，达到在纳米片/光吸收层之间构造有效拆分电子-空穴对界面的目的。
所述光吸收层沉积，采用一步或分步液相沉积、双源真空热蒸发或者气相辅助液相沉积法，在纳米片表面沉积光吸收层，比较电池性能差异并分析其原因，揭示多异质结界面结构对钙钛矿光吸收剂的选择特性。
所述空穴传输层按照界面工程和能级匹配的原则，从spiro-OMeTAD，P3HT，CuSCN或CuI中挑选出合适的空穴传输材料，其既能与光吸收层构成有效的异质结界面分离电子-空穴对，又能保证空穴在逸出过程中较小的能量损失以提高电池开路电压。
多异质结界面的结构形貌，利用XRD、高分辨电镜等揭示多异质结界面的结构形貌特征；多异质结界面的电子-空穴对拆分，利用瞬态/稳态荧光光谱和瞬态吸收光谱研究电子（空穴）传输层/光吸收层界面的载流子动力学过程，利用紫外可见分光光度计分析表征多异质结界面的光吸收特征，利用微区光谱和阴极射线发光光谱研究多异质结界面附近微区光学特征, 结合研究多异质结界面的电子-空穴对拆分信息。关于载流子传输和复合，利用光化学响应谱、强度调制光电流谱/光电压谱（CIMPS/CIMVS）和电化学阻抗谱（EIS）综合研究电池内部载流子传输和复合。关于光伏性能，利用I-V、IPCE测试系统测量电池的光伏性能和光电转化效率。
本发明由于采用直立生长的多平面异质结界面结构，电子和空穴传输层被光吸收层隔离，克服了电子和空穴在传输过程中发生界面复合的结构缺陷（相对于介孔型钙钛矿太阳能电池而言）；相对于平面型钙钛矿太阳能电池只有p-i和n-i两个异质结界面有了数量级的增长，能够及时拆分大量的电子-空穴对，可能克服电子-空穴对因不能及时拆分而重新复合的结构缺陷；提供了一种完整的具有产业化潜力的多异质结界面钙钛矿太阳能电池的制备工艺，该工艺可以提高太阳能电池的光电转换效率，有利于产业化生产。多异质结界面钙钛矿太阳能电池解决了现有两种结构钙钛矿太阳能电池的问题，在多异质结界面电池中，电子和空穴传输层被光吸收层隔离从而避免了载流子界面复合损失。与平面型钙钛矿太阳能电池相比，多异质结界面电池中（直立型）异质结界面有数量级的增长，提供了充足的异质结界面。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (2)
1.一种多异质结界面钙钛矿太阳能电池，采用直立生长的多平面异质结界面结构，包括FTO玻璃、致密层、多异质结界面层、空穴传输层、背电极；所述FTO玻璃上设置致密层，多异质结界面层以多层直立片状生长在致密层上，背电极设置在多异质结界面层上方，位于空穴传输层上；所述多异质结界面层由多片直立生长的纳米片和纳米片之间填充光吸收剂组成，其特征在于：
所述纳米片为ZnO或TiO2，纳米片的间距20～200nm之间，纳米片的高度100～500nm之间；
其制备方法，步骤如下：清洗基片，在FTO玻璃表面生长电子传输层，电子传输层即在致密层直立生长的ZnO或TiO2纳米片，在设定范围内调节纳米片间距和纳米片高度；生长钙钛矿光吸收层沉积于纳米片表面，填充多异质结界面结构的钙钛矿光吸收剂；制备空穴传输层，填充在相邻光吸收层之间，用电阻蒸发式真空镀银来蒸镀电极；
制备步骤中，对生长钙钛矿光吸收层沉积于纳米片表面之前，对纳米片进行表面工程化处理，在纳米片表面选择性地人工剪裁与安装无机材料或有机官能团，构造表面微结构；
所述光吸收层沉积，采用一步或分步液相沉积、双源真空热蒸发或者气相辅助液相沉积法，在纳米片表面沉积光吸收层；
所述空穴传输层选自spiro-OMeTAD，P3HT，CuSCN或CuI。
2.根据权利要求1所述的多异质结界面钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述光吸收剂采用CH3NH3PbI3-xClx或CH3NH3PbI3。
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| CN112687810A (zh) * | 2021-03-12 | 2021-04-20 | 河南师范大学 | 一种异质结光吸收层钙钛矿太阳能电池的制备方法 |
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| CN104576932A (zh) * | 2015-01-19 | 2015-04-29 | 武汉大学 | 一种氧化锡电子传输层介观钙钛矿光伏电池及其制备方法 |
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Patent Citations (1)
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| 适用于钙钛矿太阳能电池光阳极的制备及其器件研究;汪雷;《中国优秀硕士学位论文全文数据库（电子期刊）工程科技Ⅱ辑》;20150930;页码C042-179 * |
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