CN105575896A - 晶片的加工方法 - Google Patents

Abstract

提供晶片的加工方法。晶片在具有偏离角的单晶基板的正面上被多条分割预定线划分，在由分割预定线划分的多个区域中分别形成有器件，晶片的加工方法包含：数值孔径设定工序，在会聚脉冲激光光线的聚光透镜的数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)得到的值为0.05～0.2的范围内设定聚光透镜的数值孔径；遮蔽隧道形成工序，将脉冲激光光线的聚光点定位在从单晶基板的背面起的期望的位置而沿着分割预定线照射脉冲激光光线，从定位于单晶基板的聚光点起沿着分割预定线形成由细孔和遮蔽该细孔的非晶质构成的遮蔽隧道；晶片分割工序，对实施了遮蔽隧道形成工序的晶片施加外力，沿着形成有遮蔽隧道的分割预定线将晶片分割成各个器件芯片。

Description

晶片的加工方法

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，沿着分割预定线分割晶片，该晶片中，多条分割预定线在正面上形成为格子状，并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域中分别形成有器件。

背景技术

在半导体器件制造工艺中，在大致圆板形状的半导体晶片的正面上通过排列成格子状的分割预定线划分多个区域，在该划分出的区域中形成IC、LSI、液晶驱动器以及闪速存储器等器件。并且，通过沿着分割预定线切断晶片而对形成有器件的区域进行分割，制造出各个器件。

作为上述的沿着晶片的分割预定线进行分割的方法还尝试如下的激光加工方法，使用对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，使聚光点对准应该分割的区域的内部而照射脉冲激光光线。使用了该激光加工方法的分割方法是如下的技术：从晶片的一个面侧将聚光点定位于内部而照射对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线连续性地形成变质层(改质层)，沿着因形成该变质层而强度降低的分割预定线施加外力而将晶片断裂并分割，这一方法能够使分割预定线的宽度变窄(例如，参照专利文献1)。

但是，对于在分割预定线的正面上覆盖有金属膜、氟化硅酸盐玻璃膜、氧化硅膜类钝化膜(SiO₂、SiON)、聚酰亚胺(PI)系高分子化合物膜、氟系高分子化合物膜以及氟化非晶碳系化合物膜的晶片而言，虽然通过将聚光点定位在内部并照射对于晶片基板具有透过性的波长的脉冲激光光线而在晶片的内部沿着分割预定线形成变质层(改质层)能够分割晶片基板，但存在覆盖在分割预定线的正面上的膜无法分割这样的问题。

为了解决上述问题，提出了如下的加工方法：从晶片的正面侧沿着分割预定线照射对于膜具有吸收性的波长的激光光线从而沿着分割预定线将膜断开，然后从晶片的背面侧将聚光点定位于基板的内部并沿着分割预定线照射对于基板具有透过性的波长的激光光线从而在基板的内部沿着分割预定线形成变质层(改质层)(例如，参照专利文献2)。

专利文献1：日本专利第3408805号公报

专利文献2：日本专利第5495511号公报

但是，作为SAW器件“表面弹性波(SAW：SurfaceAcousticWave)”的基板的LiN、LiTaO₃的上表面相对于c面具有微小的偏离(off)角，若使用上述专利文献1中公开的技术在基板的内部形成变质层(改质层)，则产生如下问题：会以仿形于c面的方式生成变质层(改质层)和裂纹，而无法将晶片分割成各个器件。在将具有偏离角的SiC、Ga₂O₃、AlN、SiO₂、Si等单晶基板作为原材料的晶片中也会产生这种问题。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术性课题在于，提供一种晶片的加工方法，能够沿着分割预定线可靠地分割晶片，该晶片中，在具有偏离角的单晶基板的正面上形成有多个器件。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，该晶片在具有偏离角的单晶基板的正面上被多条分割预定线划分，在由该多条分割预定线划分的多个区域中分别形成有器件，该晶片的加工方法的特征在于，包含如下的工序：数值孔径设定工序，在会聚脉冲激光光线的聚光透镜的数值孔径NA除以单晶基板的折射率N得到的值为0.05～0.2的范围内设定聚光透镜的数值孔径NA；遮蔽隧道形成工序，将脉冲激光光线的聚光点定位在从单晶基板的背面起的期望的位置而从单晶基板的背面侧沿着分割预定线照射脉冲激光光线，从定位于单晶基板的聚光点起沿着分割预定线形成遮蔽隧道，该遮蔽隧道由细孔和遮蔽该细孔的非晶质构成；以及晶片分割工序，对实施了该遮蔽隧道形成工序的晶片施加外力，沿着形成有遮蔽隧道的分割预定线将晶片分割成各个器件芯片。

优选在实施了上述遮蔽隧道形成工序之后且在实施上述晶片分割工序之前实施晶片支承工序，对晶片的背面粘贴划片带并通过环状的框架支承该划片带的外周部。

优选实施膜断开工序，在在形成于构成晶片的单晶基板的正面的多条分割预定线的表面上覆盖有膜，在实施上述晶片分割工序之前，沿着分割预定线向膜照射对于膜具有吸收性的波长的激光光线，从而沿着分割预定线将膜断开。

根据本发明的激光加工方法，在会聚脉冲激光光线的聚光透镜的数值孔径NA除以具有偏离角的单晶基板的折射率N得到的值为0.05～0.2的范围内设定聚光透镜的数值孔径NA，将脉冲激光光线的聚光点定位在从单晶基板的背面起的期望的位置而从单晶基板的背面侧沿着分割预定线照射脉冲激光光线，从定位于单晶基板的聚光点起沿着分割预定线形成遮蔽隧道，该遮蔽隧道由细孔和遮蔽该细孔的非晶质构成，因此即使构成晶片的单晶基板是具有偏离角的单晶基板，也能够从单晶基板的背面遍及正面地形成遮蔽隧道。因此，不会像上述专利文献1中公开的在基板的内部形成变质层(改质层)的技术那样，以仿形于c面的方式生成变质层(改质层)和裂纹，即使是具有偏离角的单晶基板也能够从单晶基板的背面遍及正面地可靠地形成遮蔽隧道，能够将晶片可靠地分割成各个器件。

附图说明

图1是晶片的立体图和放大地示出主要部分的剖视图。

图2是用于实施膜断开工序的激光加工装置的主要部分立体图。

图3是膜断开工序的说明图。

图4是保护带粘贴工序的说明图。

图5是用于实施遮蔽隧道形成工序的激光加工装置的主要部分立体图。

图6是遮蔽隧道形成工序的说明图。

图7是示出聚光透镜的数值孔径(NA)、构成晶片的单晶基板的折射率(N)以及数值孔径(NA)除以折射率(N)得到的值(S＝NA/N)之间的关系的图。

图8是晶片支承工序的说明图。

图9是用于实施晶片分割工序的分割装置的立体图。

图10是晶片分割工序的说明图。

标号说明

2：晶片；21：具有偏离角的单晶基板；22：分割预定线；23：器件；24：膜；25：遮蔽隧道；3：用于实施膜断开工序的激光加工装置；31：激光加工装置的卡盘工作台；32：激光光线照射单元；322：聚光器；4：保护带；5：用于实施遮蔽隧道形成工序的激光加工装置；51：激光加工装置的卡盘工作台；52：激光光线照射单元；522：聚光器；6：分割装置；F：环状的框架；T：划片带。

具体实施方式

以下，关于本发明的晶片的加工方法，参照附图进一步详细地说明。

图1的(a)中示出通过本发明的晶片的加工方法进行加工的晶片的立体图，图1的(b)中示出将图1的(a)所示的晶片的主要部分放大后的剖视图。在图1的(a)和图1的(b)所示的晶片2中，例如在厚度为1000μm的具有偏离角的单晶基板(LiN基板，LiTaO₃基板)21的正面21a上通过形成为格子状的多条分割预定线22划分出多个区域，在该划分出的区域中形成有液晶驱动器、闪速存储器以及半导体激光等器件23。在该晶片2中，如图1的(b)所示，在包含分割预定线22和器件23的正面21a上覆盖有由金属膜、氟化硅酸盐玻璃膜、氧化硅膜类钝化膜(SiO₂，SiON)、聚酰亚胺(PI)系高分子化合物膜、氟系高分子化合物膜或者氟化非晶碳系化合物膜等构成的膜24。

对晶片的加工方法进行说明，该晶片的加工方法将上述的晶片2分割成具有器件23的各个器件芯片。首先实施膜断开工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线22向膜24照射对于覆盖在构成晶片2的基板21的正面21a上的膜24具有吸收性的波长的激光光线，沿着分割预定线22将膜24断开。使用图2所示的激光加工装置3来实施该膜断开工序。图2所示的激光加工装置3具有：卡盘工作台31，其保持被加工物；激光光线照射单元32，其向保持在该卡盘工作台31上的被加工物照射激光光线；以及摄像单元33，其对保持在卡盘工作台31上的被加工物进行拍摄。卡盘工作台31构成为吸引保持被加工物，并通过未图示的加工进给机构在图2中箭头X所示的加工进给方向上移动，并且通过未图示的分度进给机构在图2中箭头Y所示的分度进给方向上移动。

上述激光光线照射单元32包含实质上水平配置的圆筒形状的外壳321。在外壳321内配设有未图示的脉冲激光光线振荡单元，该脉冲激光光线振荡单元具有由YAG激光振荡器或者YVO4激光振荡器构成的脉冲激光振荡器和重复频率设定单元。在上述外壳321的末端部装配有聚光器322，其用于对从脉冲激光光线振荡单元振荡出的脉冲激光光线进行会聚。

装配在构成上述激光光线照射单元32的外壳321的末端部的摄像单元33除了借助可视光线进行拍摄的通常的拍摄元件(CCD)之外，还由红外线照明单元、光学系统和拍摄元件(红外线CCD)等构成，该红外线照明单元向被加工物照射红外线，该光学系统捕捉该红外线照明单元所照射的红外线，该拍摄元件(红外线CCD)输出与由该光学系统捕捉到的红外线对应的电信号。该摄像单元33将拍摄到的图像信号发送到未图示的控制单元。

关于使用上述的激光加工装置3来实施的膜断开工序，参照图2和图3进行说明。

在膜断开工序中，首先将晶片2的背面21b侧载置在上述的图2所示的激光加工装置3的卡盘工作台31上。并且，通过使未图示的吸引单元进行动作，而将晶片2保持在卡盘工作台31上(晶片保持工序)。因此，对于保持在卡盘工作台31上的晶片2而言，正面21a成为上侧。

通过未图示的加工进给机构将如上所述吸引保持了晶片2的卡盘工作台31定位在摄像单元33的正下方。当将卡盘工作台31定位在摄像单元33的正下方时，通过摄像单元33和未图示的控制单元执行对晶片2的应该激光加工的加工区域进行检测的对准作业。即，摄像单元33和未图示的控制单元执行用于进行分割预定线22与激光光线照射单元32的聚光器322的位置对准的图案匹配等图像处理，完成激光光线照射位置的对准，其中，该分割预定线22形成在晶片2的第1方向上，激光光线照射单元32沿着分割预定线22照射激光光线。并且，针对形成于晶片2且在相对于上述第1方向垂直的方向上延伸的分割预定线22也同样地完成激光光线照射位置的对准(对准工序)。另外，在对准工序中，即使在覆盖在包含晶片2的分割预定线22和器件23的正面21a上的膜24不透明的情况下，由于摄像单元33如上所述具有摄像单元，因此能够透过膜24对分割预定线22进行拍摄，其中，该摄像单元由红外线照明单元、捕捉红外线的光学系统以及输出与红外线对应的电信号的拍摄元件(红外线CCD)等构成。

在以如上的方式对形成在保持在卡盘工作台31上的晶片2的分割预定线22进行检测并进行激光光线照射位置的对准后，如图3的(a)所示那样使卡盘工作台31移动至照射激光光线的激光光线照射单元32的聚光器322所在的激光光线照射区域，将规定的分割预定线22定位在聚光器322的正下方。此时，如图3的(a)所示那样以使分割预定线22的一端(在图3的(a)中为左端)位于聚光器322的正下方的方式定位半导体晶片2。接着，从激光光线照射单元32的聚光器322照射对于晶片2的膜24具有吸收性的波长的脉冲激光光线，并且使卡盘工作台31在图3的(a)中箭头X1所示的方向上以规定的加工进给速度移动。并且，如图3的(b)所示那样在分割预定线22的另一端(在图3的(b)中为右端)到达聚光器322的正下方位置后，停止脉冲激光光线的照射并且停止卡盘工作台31的移动。在该膜断开工序中，将脉冲激光光线的聚光点P对准在覆盖于晶片2的正面上的膜24的表面(上表面)附近。

通过实施上述的膜断开工序，如图3的(c)所示那样在膜24上形成有沿着分割预定线22达到基板21的激光加工槽240。其结果为，能够借助激光加工槽240沿着分割预定线22将覆盖在分割预定线22上的膜24断开。

另外，上述膜断开工序按照例如以下的加工条件进行。

光源：YAG脉冲激光

波长：355nm

平均输出：1W

重复频率：50kHz

聚光点直径：φ10μm

加工进给速度：100mm/秒

在以如上方式沿着在晶片2的第1方向上延伸的所有分割预定线22执行了上述的膜断开工序后，使卡盘工作台31转动90度，沿着在相对于上述第1方向垂直的方向上延伸的各分割预定线22执行上述的膜断开工序。

在执行了上述的膜断开工序后，为了保护形成于晶片2的正面的器件23，如图4的(a)和(b)所示那样、在晶片2的正面21a上粘贴由聚氯乙烯等构成的保护带4(保护带粘贴工序)。

接着，实施遮蔽隧道形成工序，从单晶基板21的背面将脉冲激光光线的聚光点定位在期望的位置而从单晶基板21的背面侧沿着分割预定线22照射脉冲激光光线，从定位在单晶基板21上的聚光点沿着分割预定线22形成遮蔽隧道，该遮蔽隧道由细孔和遮蔽该细孔的非晶质构成。该遮蔽隧道形成工序使用图5所示的激光加工装置5来实施。图5所示的激光加工装置5具有：卡盘工作台51，其保持被加工物；激光光线照射单元52，其对保持在该卡盘工作台51上的被加工物照射激光光线；以及摄像单元53，其对保持在卡盘工作台51上的被加工物进行拍摄。卡盘工作台51构成为吸引保持被加工物，其通过未图示的加工进给单元在图5中箭头X所示的加工进给方向上移动，并且通过未图示的分度进给单元在图5中箭头Y所示的分度进给方向上移动。

上述激光光线照射单元52包含实质上水平配置的圆筒形状的外壳521。在外壳521内配设有未图示的脉冲激光光线振荡单元，其具有脉冲激光振荡器和重复频率设定单元。在上述外壳521的末端部装配有聚光器522，该聚光器522具有用于对从脉冲激光光线振荡单元振荡出的脉冲激光光线进行会聚的聚光透镜522a。该聚光器522的聚光透镜522a的数值孔径(NA)以如下的方式设定。即，设定聚光透镜522a的数值孔径(NA)以使数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)得到的值为0.05～0.2的范围(数值孔径设定工序)。另外，激光光线照射单元52具有聚光点位置调整单元(未图示)，该聚光点位置调整单元用于调整由聚光器522的聚光透镜522a会聚的脉冲激光光线的聚光点位置。

装配在构成上述激光光线照射单元52的外壳521的末端部的摄像单元53除了借助可视光线进行拍摄的通常的拍摄元件(CCD)外，还由红外线照明单元、光学系统和拍摄元件(红外线CCD)等构成，并将拍摄到的图像信号发送到未图示的控制单元，其中，该红外线照明单元向被加工物照射红外线，该光学系统捕捉该红外线照明单元所照射的红外线，该拍摄元件(红外线CCD)输出与由该光学系统捕捉到的红外线对应的电信号。

为了使用上述的激光加工装置5沿着实施了上述的保护带粘贴工序的晶片2的分割预定线22实施激光加工，而实施如下的定位工序：以将脉冲激光光线的聚光点定位在构成晶片2的单晶基板21的厚度方向的期望的位置的方式将聚光透镜和单晶基板21相对地定位在聚光透镜的光轴方向上。

首先，将粘贴有晶片2的保护带4侧载置在上述的图5所示的激光加工装置5的卡盘工作台51上。并且，通过使未图示的吸引单元进行动作，而隔着保护带4将晶片2保持在卡盘工作台51上(晶片保持工序)。因此，对于保持在卡盘工作台51上的晶片2而言，单晶基板21的背面21b成为上侧。这样，吸引保持晶片2的卡盘工作台51被未图示的加工进给单元定位在摄像单元53的正下方。

当将卡盘工作台51定位在摄像单元53的正下方时，通过摄像单元53和未图示的控制单元执行对晶片2的应该激光加工的加工区域进行检测的对准作业。即，摄像单元53和未图示的控制单元执行用于进行分割预定线22与激光光线照射单元52的聚光器522的位置对准的图案匹配等图像处理，而完成激光光线照射位置的对准(对准工序)，其中，该分割预定线22形成在晶片2的第1方向上，该激光光线照射单元52沿着分割预定线22照射激光光线。并且，针对沿着与上述第1方向垂直的方向形成在晶片2上的分割预定线22也同样地实现激光光线照射位置的对准。此时，晶片2的形成有分割预定线22的单晶基板21的正面21a位于下侧，但由于摄像单元53如上所述具有摄像单元，因此能够从单晶基板21的背面21b透过而拍摄分割预定线22，其中，该摄像单元由红外线照明单元、捕捉红外线的光学系统以及输出与红外线对应的电信号的拍摄元件(红外线CCD)等构成。

在实施了上述的对准工序后，如图6的(a)所示那样使卡盘工作台51移动至照射激光光线的激光光线照射单元52的聚光器522所在的激光光线照射区域，将规定的分割预定线22定位在聚光器522的正下方。此时，如图6的(a)所示那样、以分割预定线22的一端(在图6的(a)中为左端)位于聚光器522的正下方的方式定位晶片2。并且，以将由聚光器522的聚光透镜522a会聚的脉冲激光光线LB的聚光点P定位在构成晶片2的单晶基板21的厚度方向的期望的位置的方式使未图示的聚光点位置调整单元进行动作而使聚光器522在光轴方向上移动(定位工序)。另外，在本实施方式中，脉冲激光光线的聚光点P被设定在从构成晶片2的单晶基板21的供脉冲激光光线入射的上表面(背面21b侧)起的期望的位置(例如从背面21b起5～10μm的位置)。

在如上述那样实施了定位工序后，实施遮蔽隧道形成工序，使激光光线照射单元52进行动作而从聚光器522照射脉冲激光光线LB，从定位在构成晶片2的单晶基板21上的聚光点P附近(上表面(背面21b))朝向下表面(正面21a)形成细孔和遮蔽该细孔的非晶质，从而形成遮蔽隧道。即，从聚光器522照射对于构成晶片2的单晶基板21具有透过性的波长的脉冲激光光线LB，并且使卡盘工作台51在图6的(a)中箭头X1所示的方向上以规定的进给速度移动(遮蔽隧道形成工序)。并且，如图6的(b)所示那样在分割预定线22的另一端(在图6的(b)中为右端)到达激光光线照射单元52的聚光器522的照射位置后，停止脉冲激光光线的照射并且停止卡盘工作台51的移动。

通过实施上述的遮蔽隧道形成工序，在构成晶片2的单晶基板21的内部，如图6的(c)的放大剖视图所示那样，从脉冲激光光线LB的聚光点P附近(上表面(背面21b))朝向下表面(正面21a)生成细孔251和形成在该细孔251的周围的非晶质252，沿着分割预定线22以规定的间隔(在本实施方式中为16μm的间隔，即(加工进给速度：800mm/秒)/(重复频率：50kHz))形成非晶质的遮蔽隧道25。该遮蔽隧道25如图6的(d)和(e)所示那样由形成在中心的直径为φ1μm左右的细孔251和形成在该细孔251的周围的直径为φ16μm的非晶质252构成，在本实施方式中是以相互邻接的非晶质252彼此相连的方式形成的。另外，关于在上述的遮蔽隧道形成工序中形成的非晶质的遮蔽隧道25，即使构成晶片2的单晶基板21是具有偏离角的单晶基板，也能够从单晶基板21的上表面(背面21b)遍及下表面(正面21a)地形成，并且即使单晶基板21的厚度较厚也只需照射1次脉冲激光光线，因此生产率极为良好。

在如上述那样沿着规定的分割预定线22实施了上述遮蔽隧道形成工序之后，使卡盘工作台51在箭头Y所示的方向上按照形成在晶片2上的分割预定线22的间隔进行分度移动(分度工序)，完成上述遮蔽隧道形成工序。在这样沿着形成在第1方向上的所有的分割预定线22实施了上述遮蔽隧道形成工序之后，使卡盘工作台51转动90度，沿着在相对于形成在上述第1方向上的分割预定线22垂直的方向上延伸的分割预定线22执行上述遮蔽隧道形成工序。

在上述的遮蔽隧道形成工序中，要想形成良好的遮蔽隧道25，如上述那样设定聚光透镜522a的数值孔径(NA)以使数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)得到的值(S)在0.05～0.2的范围是很重要的。

这里，关于数值孔径(NA)、折射率(N)与数值孔径(NA)除以折射率(N)得到的值(S＝NA/N)的关系，参照图7进行说明。在图7中，入射到聚光透镜522a的脉冲激光光线LB以相对于聚光透镜522a的光轴具有角度(α)的方式被会聚。此时，sinα是聚光透镜522a的数值孔径(NA)(NA＝sinα)。当将由聚光透镜522a会聚的脉冲激光光线LB照射至构成晶片2的单晶基板21时，由于单晶基板21的密度比空气高，因此脉冲激光光线LB从角度(α)折射成角度(β)。此时，聚光透镜522a的相对于光轴的角度(β)因单晶基板21的折射率(N)而不同。由于折射率(N)为(N＝sinα/sinβ)，因此数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)得到的值(S＝NA/N)为sinβ。因此，将sinβ设定为0.05～0.2的范围(0.05≤sinβ≤0.2)是很重要的。

以下，关于将聚光透镜522a的数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)得到的值(S＝NA/N)设定为0.05～0.2的范围的理由，根据本发明的发明人等所实施的实验进行说明。

【实验1-1】

对厚度为1000μm的LiN基板(折射率：2.2)按照下面的加工条件形成遮蔽隧道，并判定遮蔽隧道是否良好。

加工条件

光源：YAG脉冲激光

波长：1030nm

重复频率：50kHz

脉冲宽度：10ps

平均输出：3W

点径：10μm

加工进给速度：800mm/秒

像以上那样，在LiN基板(折射率：2.2)中，通过将会聚脉冲激光光线的聚光透镜522a的数值孔径(NA)设定为数值孔径(NA)除以LiN基板的折射率(N)得到的值(S＝NA/N)为0.05～0.2的范围而形成遮蔽隧道。因此，在LiN基板中，将会聚脉冲激光光线的聚光透镜522a的数值孔径(NA)设定为0.1～0.45是很重要的。

【实验1-2】

对厚度是1000μm的LiTaO₃基板(折射率：2.1)按下面的加工条件形成遮蔽隧道，并判定遮蔽隧道是否良好。

加工条件

光源：YAG脉冲激光

波长：1030nm

重复频率：50kHz

脉冲宽度：10ps

平均输出：3W

点径：10μm

加工进给速度：800mm/秒

像以上那样在LiTaO₃基板(折射率：2.1)中，通过将会聚脉冲激光光线的聚光透镜522a的数值孔径(NA)除以LiTaO₃基板的折射率(N)得到的值(S＝NA/N)设定为0.05～0.2的范围而形成遮蔽隧道。因此，在LiTaO₃基板中，将会聚脉冲激光光线的聚光透镜522a的数值孔径(NA)设定在0.1～0.4是很重要的。

【实验1-3】

对厚度是1000μm的SiC基板(折射率：2.63)按下面的加工条件形成遮蔽隧道，并判定遮蔽隧道是否良好。

加工条件

光源：YAG脉冲激光

波长：1030nm

重复频率：50kHz

脉冲宽度：10ps

平均输出：3W

点径：10μm

加工进给速度：800mm/秒

像以上那样在SiC基板(折射率：2.63)中，通过将会聚脉冲激光光线的聚光透镜522a的数值孔径(NA)除以SiC基板的折射率(N)得到的值(S＝NA/N)设定为0.05～0.2的范围而形成遮蔽隧道。因此，在SiC基板中，将会聚脉冲激光光线的聚光透镜522a的数值孔径(NA)设定在0.15～0.55是很重要的。

根据上述的实验1-1、实验1-2以及实验1-3能够确认如下情况：通过将会聚脉冲激光光线的聚光透镜522a的数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)得到的值(S＝NA/N)设定为0.05～0.2的范围，能够可靠地形成遮蔽隧道。

在实施了上述的遮蔽隧道形成工序后，实施晶片支承工序，在晶片2的背面粘贴划片带并通过环状的框架支承该划片带的外周部。即，像图8的(a)和(b)所示那样、将构成实施了上述遮蔽隧道形成工序的晶片2的单晶基板21的背面21b粘贴在装配于环状的框架F的划片带T上。另外，在图8的(a)和(b)所示的实施方式中，示出了在装配于环状的框架F的划片带T上粘贴构成晶片2的单晶基板21的背面21b的例子，但也可以在构成晶片2的单晶基板21的背面21b上粘贴划片带T并且同时将划片带T的外周部装配在环状的框架F。

在实施了上述的晶片支承工序之后，实施晶片分割工序，对晶片2施加外力，沿着形成有遮蔽隧道25的分割预定线将晶片2分割成分别具有器件23的各个器件芯片。在晶片分割工序中，使用图9所示的分割装置6来实施。图9所示的分割装置6具有：框架保持单元61，其保持上述环状的框架F；带扩展单元62，其对装配在环状的框架F的晶片2进行扩展，该环状的框架F由该框架保持单元61保持；以及拾取夹头63。框架保持单元61由环状的框架保持部件611以及作为配设于该框架保持部件611的外周的固定单元的多个夹具612构成。框架保持部件611的上表面形成载置环状的框架F的载置面611a，在该载置面611a上载置环状的框架F。并且，载置在载置面611a上的环状的框架F被夹具612固定于框架保持部件611。这样构成的框架保持单元61被带扩展单元62支承为能够在上下方向上进退。

带扩展单元62具有配设在上述环状的框架保持部件611的内侧的扩展筒621。该扩展筒621具有比环状的框架F的内径小且比粘贴在装配于该环状的框架F的划片带T的晶片2的外径大的内径和外径。并且，扩展筒621在下端具有支承凸缘622。带扩展单元62具有能够使上述环状的框架保持部件611在上下方向上进退的支承单元623。该支承单元623由配设在上述支承凸缘622上的多个气缸623a构成，其活塞杆623b与上述环状的框架保持部件611的下表面连结。这样由多个气缸623a构成的支承单元623使环状的框架保持部件611在基准位置与扩展位置之间沿上下方向移动，在该基准位置，如图10的(a)所示，环状的框架保持部件611的载置面611a与扩展筒621的上端处于大致同一高度，在该扩展位置，如图10的(b)所示，环状的框架保持部件611的载置面611a与扩展筒621的上端相比以规定的量位于下方。

参照图10对使用以如上方式构成的分割装置6来实施的晶片分割工序进行说明。即，将装配了粘贴有晶片2的划片带T的环状的框架F如图10的(a)所示那样载置在构成框架保持单元61的框架保持部件611的载置面611a上，并通过夹具612固定于框架保持部件611(框架保持工序)。此时，将框架保持部件611定位在图10的(a)所示的基准位置。接着，使作为构成带扩展单元62的支承单元623的多个气缸623a进行动作，而使环状的框架保持部件611下降到图10的(b)所示的扩展位置。因此，固定在框架保持部件611的载置面611a上的环状的框架F也下降，因此如图10的(b)所示，装配于环状的框架F的划片带T与扩展筒621的上端缘接触而被扩展(带扩展工序)。其结果为，由于对粘贴在划片带T上的晶片2放射状地作用拉伸力，因此沿着连续地形成有上述遮蔽隧道25故强度降低的分割预定线22而将该晶片2分割成分别具有器件23的各个器件芯片，并且在器件芯片间形成有间隔S。

接着，如图10的(c)所示那样使拾取夹头63进行动作，对器件23进行吸附，从划片带T剥离并拾取，且输送到未图示的托盘或者芯片接合工序。另外，在拾取工序中，由于像上述那样粘贴在划片带T上的分别具有器件23的器件芯片间的间隙S被扩宽，因此能够在不与邻接的器件芯片接触的情况下容易地进行拾取。

Claims (3)

1.一种晶片的加工方法，该晶片在具有偏离角的单晶基板的正面上被多条分割预定线划分，在由该多条分割预定线划分的多个区域中分别形成有器件，该晶片的加工方法的特征在于，包含如下的工序：

数值孔径设定工序，在会聚脉冲激光光线的聚光透镜的数值孔径NA除以单晶基板的折射率N得到的值为0.05～0.2的范围内设定聚光透镜的数值孔径NA；

遮蔽隧道形成工序，将脉冲激光光线的聚光点定位在从单晶基板的背面起的期望的位置而从单晶基板的背面侧沿着分割预定线照射脉冲激光光线，从定位于单晶基板的聚光点起沿着分割预定线形成遮蔽隧道，该遮蔽隧道由细孔和遮蔽该细孔的非晶质构成；以及

晶片分割工序，对实施了该遮蔽隧道形成工序的晶片施加外力，沿着形成有遮蔽隧道的分割预定线将晶片分割成各个器件芯片。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

该晶片的加工方法还包含晶片支承工序，在实施了该遮蔽隧道形成工序之后且在实施该晶片分割工序之前，对晶片的背面粘贴划片带并通过环状的框架支承该划片带的外周部。

3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，

该晶片的加工方法还包含膜断开工序，在形成于构成晶片的单晶基板的正面的多条分割预定线的表面上覆盖有膜，在实施该晶片分割工序之前，沿着分割预定线向该膜照射对于该膜具有吸收性的波长的激光光线，从而沿着分割预定线将该膜断开。