CN105568368A - 保护热场部件减小损耗的热场及方法 - Google Patents
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Abstract
保护热场部件减小损耗的热场及方法。本发明公开了一种直拉单晶硅生长的热场系统；包括设置在热场外壳内的加热器等；所述热场外壳的下方设置有导流孔，三瓣坩埚通过轴支撑在底盘上，三瓣坩埚的正上方设置导流筒，三瓣坩埚与热场外壳之间依次设置主保温内筒和主保温外筒；所述导流筒与热场外壳之间依次设置上保温内筒和上保温外筒；所述导流筒和上保温内筒以及上保温外筒之间的连接处设置上保温盖，在上保温内筒以及上保温外筒和主保温内筒以及主保温外筒之间的连接处设置主保温盖，在主保温内筒和主保温外筒的下方设置下保温盖；三瓣坩埚和主保温内筒之间设置加热器，加热器与三瓣坩埚以及加热器与主保温内筒之间分别设置导流通道。
Description
技术领域
本发明涉及直拉单晶硅热场技术领域，特别是涉及一种保护热场部件减小损耗的热场及方法。
背景技术
单晶硅作为一种半导体材料，主要用于半导体和光伏领域。大部分的半导体单晶硅采用直拉法(CZ)制造。在这种方法中，多晶硅被装进石英坩埚内，加热熔化，然后将熔硅略做降温，给予一定的过冷度，把一支特定晶向的硅单晶体(称做籽晶)与熔体硅接触，通过调整熔体的温度和籽晶的向上提升速度，使籽晶体长大至近目标直径时，提高提升速度，使单晶体近恒直径生长。在生长过程的尾期，此时埚内的硅熔体尚未完全消失，通过增加晶体的提升速度和调整向埚的供热量将晶体直径渐渐减小而形成一个尾形锥体，当锥体的尖足够小时，晶体就会与熔体脱离，从而完成晶体的无位错生长过程。
直拉单晶炉的热场系统是单晶硅成晶的最重要的条件之一，热场的温度梯度分布直接影响着是否能顺利的拉制出单晶以及单晶的质量。因而热场的设计和改进对一个有竞争力的拉晶厂家来说非常重要。热场的部件主要包括加热器、三瓣坩埚、保温筒、保温盖、导流筒以及底盘等等，各家在设计过程中会略有不同，各个部件主要是采用石墨材料加工而成的。
单晶生长过程中以惰性气体氩气作为保护气体，减压状态下流动的氩气会带走熔硅与石英坩埚反应(见式1)产生的一氧化硅蒸气。被带走的一氧化硅蒸气会与热场部件表面(碳)发生反应(见式2)，生成一层薄的碳化硅，在这种情况下形成的碳化硅,其粘结强度和硬度都不是很高,冷却后很小的摩擦就能掉落，热场部件逐渐损耗变薄，影响其正常使用和寿命。
在热场系统中，加热器可以说是最核心的部件，加热器的形状通常为圆筒鸟笼状，侧面进行开槽，形成多个叶片。当一氧化硅气体流经加热器时，会发生反应损耗加热器，尤其以固液界面附近的部位损耗最大。叶片损耗部位越薄，发热就越厉害，因而损耗也加剧，最终导致叶片该部位最先断裂。这种叶片损耗不均匀的情况，不仅大大缩短了加热器的寿命，而且严重影响了加热器的发热情况，使得固液界面的温度梯度逐渐发生变化，影响单晶的生长和质量。
更换频率最高的部件是三瓣坩埚，由于其在单晶生长过程中长时间承受熔硅的重量，并要做旋转，还要承受拉晶结束后硅熔体结晶产生的冲击，因此对材料的机械强度和抗冲击能力都有很高要求。由于石墨材料的强度有限，而且在使用过程中经历一氧化硅蒸气长时间地腐蚀后表面老化变脆，容易开裂影响寿命，甚至引发漏硅打火等事故。
保温装置的作用十分重要，单晶生长需要合适的温度梯度，保温装置可以使熔体维持一个比较合适的温度梯度，以利于单晶的拉制。保温装置的材质和形状，对熔体的温度梯度有着很大影响。保温筒在使用时需要承受其他热场部件的重量，长时间腐蚀老化后也容易变脆开裂，造成保温效果下降，使温度梯度发生变化，影响单晶的生长和质量。
随着单晶硅市场竞争的日益激烈，降低能耗、节省成本、提升质量成为技术发展的核心，诸如碳/碳复合材料之类的新型复合保温材料不断地应用于热场系统中。碳/碳复合材料是以碳纤维增强碳基体制备而成的，与石墨材料相比，其机械强度和韧性都大大提高，热膨胀系数小，抗热震性好，在急热、急冷环境中使用时不会开裂，而且其导热系数小，有利于保温节能。热场各个部件使用碳/碳复合材料的主要目的是不一样的：一是延长使用寿命(如三瓣坩埚)；二是增强保温降低能耗(如保温筒)；三是形成稳定合适的温度梯度，提高拉晶稳定性和单晶品质(如导流筒)。但是，由于碳/碳复合材料的密度较小，材质相对疏松，因此受到一氧化硅的腐蚀要比石墨材料更加厉害，严重影响了它的使用寿命。
发明内容
本发明要解决的问题是针对在直拉单晶硅生长过程中，由于热场部件的损耗影响其使用和寿命，从而进一步影响单晶的生长和质量的难题，提供一种能够保护热场部件减小损耗的热场改进方案。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种一种直拉单晶硅生长的热场系统；包括设置在热场外壳内的加热器、三瓣坩埚、主保温内筒、主保温外筒、上保温内筒、主保温盖、上保温外筒、上保温盖、下保温盖、导流筒和底盘；所述热场外壳的下方设置有导流孔，三瓣坩埚通过轴支撑在底盘上，三瓣坩埚的正上方设置导流筒，三瓣坩埚与热场外壳之间依次设置主保温内筒和主保温外筒；所述导流筒与热场外壳之间依次设置上保温内筒和上保温外筒；所述导流筒和上保温内筒以及上保温外筒之间的连接处设置上保温盖，在上保温内筒以及上保温外筒和主保温内筒以及主保温外筒之间的连接处设置主保温盖，在主保温内筒和主保温外筒的下方设置下保温盖；三瓣坩埚和主保温内筒之间设置加热器，加热器与三瓣坩埚以及加热器与主保温内筒之间分别设置导流通道。
作为对本发明所述的直拉单晶硅生长的热场系统的改进：所述导流筒为倒圆锥形。
作为对本发明所述的直拉单晶硅生长的热场系统的进一步改进：所述加热器通过石墨材料制成；其叶片内外表面设置碳化硅涂层。
作为对本发明所述的直拉单晶硅生长的热场系统的进一步改进：所述三瓣坩埚、主保温内筒、上保温内筒以及导流筒均由碳/碳复合材料制成；所述导流筒和三瓣坩埚的外表面、以及主保温内筒和上保温内筒的内表面均设置有碳化硅涂层。
作为对本发明所述的直拉单晶硅生长的热场系统的进一步改进：所述下保温盖、主保温盖、上保温盖和底盘均由保温材料制成；所述下保温盖、主保温盖、上保温盖和底盘上设置有碳化硅涂层。
作为对本发明所述的直拉单晶硅生长的热场系统的进一步改进：所述碳化硅涂层均匀，表观密度为2.0～4.0g/cm2，纯度大于99.99％，厚度为10～500μm。
作为对本发明所述的直拉单晶硅生长的热场系统的进一步改进：所述的内表面是指朝向中心的一面，所述的外表面是指朝向炉壁的一面。
保护热场部件减小损耗的热场改进方法：通过石墨材料制成加热器，并在其叶片内外表面均匀设置碳化硅涂层；通过碳/碳复合材料制成三瓣坩埚、主保温内筒、上保温内筒以及导流筒，并在其内表面均匀设置碳化硅涂层；通过保温材料制成下保温盖、主保温盖、上保温盖和底盘，并在其上设置碳化硅涂层。
作为对本发明所述的保护热场部件减小损耗的热场改进方法的改进：所述碳化硅涂层均匀设置，表观密度为2.0～4.0g/cm2，纯度大于99.99％，厚度为10～500μm。
作为对本发明所述的保护热场部件减小损耗的热场改进方法的进一步改进：所述保温材料由碳/碳复合材料和碳毡相互错开层叠，并高温烧结固化而成。
本发明中，硅单晶的少子寿命大大提升以及碳含量大大下降，这是因为碳化硅涂层隔绝了热场部件中的杂质高温挥发进入到熔硅中。另外，硅单晶的径向电阻率均匀性(简称RRV)以及空洞型原生微缺陷(简称COP)都有很好的改善，这是因为改进的热场使用了导热系数较小的新型复合保温材料，热场保温更佳，硅单晶受到的热辐射有所减弱，晶体生长界面的温度梯度增大，生长界面变得更平坦，不仅可以有效抑制COP缺陷的长大，径向的杂质分布也更加均匀。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细说明。
图1是本发明的改进方法所使用的单晶炉热场的主要结构示意图。
具体实施方式
实施例1、图1给出了一种能够保护热场部件减小损耗的热场改进方法，包括一种适用于直拉法CZ制造单晶硅的单晶炉热场，单晶炉热场包括设置在热场外壳内的加热器3、三瓣坩埚2、主保温内筒6、主保温外筒7、上保温外筒10、上保温内筒9、主保温盖8、上保温盖11、下保温盖5、导流筒1和底盘4；热场外壳的下方设置导流孔，三瓣坩埚2通过轴支撑在底盘4上，三瓣坩埚2的正上方设置有倒圆锥形的导流筒1，三瓣坩埚2与热场外壳之间依次设置主保温内筒6和主保温外筒7；导流筒1与热场外壳之间依次设置上保温内筒9和上保温外筒10；在导流筒1和上保温内筒9以及上保温外筒10之间的连接处设置上保温盖11，在上保温内筒9以及上保温外筒10和主保温内筒6以及主保温外筒7之间的连接处设置主保温盖8，在主保温内筒6和主保温外筒7的下方设置下保温盖5；三瓣坩埚2和主保温内筒6之间设置加热器3，加热器3与三瓣坩埚2以及加热器3与主保温内筒6之间分别设置导流通道。
以上所述的加热器3采用石墨材料制成，在加热器3的叶片内外表面都涂覆一层碳化硅涂层；导流筒1、三瓣坩埚2、主保温内筒6和上保温内筒9都由碳/碳复合材料制成，导流筒1和三瓣坩埚2的外表面、以及主保温内筒6和上保温内筒9的内表面都涂覆了一层碳化硅涂层；下保温盖5、主保温盖8、上保温盖11和底盘4都是采用一种新型复合材料制成，这种复合材料是由碳/碳复合材料和碳毡相互错开层叠，高温烧结固化而成的一种保温材料，下保温盖5、主保温盖8、上保温盖11和底盘4上有一氧化硅蒸气流经的部位都涂覆一层碳化硅涂层。
以上所述的碳化硅涂层均匀且致密，表观密度为3.2g/cm2，纯度99.999％，厚度180μm。
本发明的能够保护热场部件减小损耗的热场改进方法中，单晶炉热场的下保温盖5、主保温盖8、上保温盖11和底盘4均使用导热系数较小的新型复合保温材料(由碳/碳复合材料和碳毡相互错开层叠，高温烧结固化而成)，不仅避免了脆性石墨材料所存在的腐蚀老化瞬间崩裂现象，有效防止了漏硅、打火等事故的发生，而且增强保温降低能耗，硅单晶体受到的热辐射也有所减弱，因此晶体生长界面处的温度梯度增大，生长界面变得更平坦，对单晶的生长以及品质都有积极的作用。
本发明的热场部件表面均有碳化硅涂层的保护，碳化硅涂层的高温抗氧化性能非常好，与碳基体具有较好的热膨胀相容性，粘结强度和硬度都很高，能够长期有效地隔绝一氧化硅蒸气对各热场部件的侵蚀，大大延长了各热场部件的使用寿命，使新型复合保温材料在节能上的优势得以发挥。由于热场部件损耗变小，热场温度梯度的稳定性大大提升，而且碳化硅的热导率高，不会影响到加热器3的发热以及三瓣坩埚2的传热，因此对热场温度梯度的影响很小。同时，碳化硅涂层隔绝了热场部件中的杂质(尤其是距离熔硅液面很近的导流筒1中的杂质)高温挥发进入到熔硅中，从而提高了硅单晶的品质。
对比例1(通过使用现有技术中的热场与本发明的方法改进后的热场进行对比后，得出本对比例)：
使用本发明的方法改进后的热场系统，一些主要热场部件的使用寿命对比如下表所示：
由上表可以看出，在改进热场中，各热场部件的使用寿命都大大地提升。这是因为三瓣坩埚2、导流筒1、主保温内筒6和上保温内筒9的材质由石墨材料换成了强度和韧度都更高的碳/碳复合材料，不会出现瞬间崩裂而导致报废的现象，而且各热场部件的表面均涂覆了一层碳化硅涂层，能够长期有效地隔绝一氧化硅蒸气对各热场部件的侵蚀。
分别使用现有技术中的热场和本发明的方法改进后的热场拉制6英寸N型<111>高阻硅单晶，一些质量参数对比如下表所示：
由上表可以看出，在改进热场中，硅单晶的少子寿命大大提升以及碳含量大大下降，这是因为碳化硅涂层隔绝了热场部件中的杂质高温挥发进入到熔硅中。另外，硅单晶的径向电阻率均匀性(简称RRV)以及空洞型原生微缺陷(简称COP)都有很好的改善，这是因为改进的热场使用了导热系数较小的新型复合保温材料，热场保温更佳，硅单晶受到的热辐射有所减弱，晶体生长界面的温度梯度增大，生长界面变得更平坦，不仅可以有效抑制COP缺陷的长大，径向的杂质分布也更加均匀。
以上对本发明的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
Claims (10)
1.一种直拉单晶硅生长的热场系统；其特征在于：包括设置在热场外壳内的加热器(3)、三瓣坩埚(2)、主保温内筒(6)、主保温外筒(7)、上保温内筒(9)、主保温盖(8)、上保温外筒(10)、上保温盖(11)、下保温盖(5)、导流筒(1)和底盘(4)；
所述热场外壳的下方设置有导流孔，三瓣坩埚(2)通过轴支撑在底盘(4)上，三瓣坩埚(2)的正上方设置导流筒(1)，三瓣坩埚(2)与热场外壳之间依次设置主保温内筒(6)和主保温外筒(7)；
所述导流筒(1)与热场外壳之间依次设置上保温内筒(9)和上保温外筒(10)；所述导流筒(1)和上保温内筒(9)以及上保温外筒(10)之间的连接处设置上保温盖(11)，在上保温内筒(9)以及上保温外筒(10)和主保温内筒(6)以及主保温外筒(7)之间的连接处设置主保温盖(8)，在主保温内筒(6)和主保温外筒(7)的下方设置下保温盖(5)；三瓣坩埚(2)和主保温内筒(6)之间设置加热器(3)，加热器(3)与三瓣坩埚(2)以及加热器(3)与主保温内筒(6)之间分别设置导流通道。
2.根据权利要求1所述的直拉单晶硅生长的热场系统，其特征在于：所述导流筒(1)为倒圆锥形。
3.根据权利要求2所述的直拉单晶硅生长的热场系统，其特征在于：所述加热器(3)通过石墨材料制成；
其叶片内外表面设置碳化硅涂层。
4.根据权利要求3所述的直拉单晶硅生长的热场系统，其特征在于：所述三瓣坩埚(2)、主保温内筒(6)、上保温内筒(9)以及导流筒(1)均由碳/碳复合材料制成；
所述导流筒(1)和三瓣坩埚(2)的外表面、以及主保温内筒(6)和上保温内筒(9)的内表面均设置有碳化硅涂层。
5.根据权利要求4所述的直拉单晶硅生长的热场系统，其特征在于：所述下保温盖(5)、主保温盖(8)、上保温盖(11)和底盘(4)均由保温材料制成；
所述下保温盖(5)、主保温盖(8)、上保温盖(11)和底盘(4)上设置有碳化硅涂层。
6.根据权利要求5所述的直拉单晶硅生长的热场系统，其特征在于：所述碳化硅涂层均匀，表观密度为2.0～4.0g/cm2，纯度大于99.99％，厚度为10～500μm。
7.根据权利要求6所述的直拉单晶硅生长的热场系统，其特征在于：所述的内表面是指朝向中心的一面，所述的外表面是指朝向炉壁的一面。
8.保护热场部件减小损耗的热场改进方法，其特征在于：通过石墨材料制成加热器(3)，并在其叶片内外表面均匀设置碳化硅涂层；
通过碳/碳复合材料制成三瓣坩埚(2)、主保温内筒(6)、上保温内筒(9)以及导流筒(1)，并在其内表面均匀设置碳化硅涂层；
通过保温材料制成下保温盖(5)、主保温盖(8)、上保温盖(11)和底盘(4)，并在其上设置碳化硅涂层。
9.根据权利要求8所述的保护热场部件减小损耗的热场改进方法，其特征在于：所述碳化硅涂层均匀设置，表观密度为2.0～4.0g/cm2，纯度大于99.99％，厚度为10～500μm。
10.根据权利要求9所述的保护热场部件减小损耗的热场改进方法，其特征在于：所述保温材料由碳/碳复合材料和碳毡相互错开层叠，并高温烧结固化而成。
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Cited By (8)
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|---|---|---|---|---|
| CN107779945A (zh) * | 2016-08-25 | 2018-03-09 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 异型加热器及单晶提拉炉热场结构 |
| CN107955964A (zh) * | 2017-12-18 | 2018-04-24 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种mems用低氧硅单晶材料的制备方法及其热系统 |
| TWI622669B (zh) * | 2016-08-25 | 2018-05-01 | 上海新昇半導體科技有限公司 | 熱屏組件及單晶提拉爐熱場結構 |
| CN109576775A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-05 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | 单晶炉的热场结构以及单晶炉 |
| CN112281207A (zh) * | 2020-10-09 | 2021-01-29 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种用于减少拉晶炉的热量散失的保温盖及拉晶炉 |
| CN114014676A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-02-08 | 中南大学 | 一种石英纤维/炭纤维增强炭基复合材料保温桶及其制备方法 |
| CN116716657A (zh) * | 2023-05-31 | 2023-09-08 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 一种单晶炉热场用的保温装置、单晶炉以及单晶硅棒 |
| TWI897675B (zh) * | 2024-10-11 | 2025-09-11 | 環球晶圓股份有限公司 | 長晶設備及其熱場機構 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102021648A (zh) * | 2011-01-10 | 2011-04-20 | 湖南金博复合材料科技有限公司 | 导流筒抗氧化涂层及制备方法 |
| CN103102170A (zh) * | 2011-11-11 | 2013-05-15 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 一种坩埚及其制备方法 |
| CN103510154A (zh) * | 2012-06-30 | 2014-01-15 | 上海合晶硅材料有限公司 | 新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场 |
| CN103570378A (zh) * | 2012-08-01 | 2014-02-12 | 苏州宏久航空防热材料科技有限公司 | 一种石墨发热体加热炉内碳素材料表面直接沉积SiC涂层的方法 |
-
2015
- 2015-06-16 CN CN201510331146.9A patent/CN105568368A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102021648A (zh) * | 2011-01-10 | 2011-04-20 | 湖南金博复合材料科技有限公司 | 导流筒抗氧化涂层及制备方法 |
| CN103102170A (zh) * | 2011-11-11 | 2013-05-15 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 一种坩埚及其制备方法 |
| CN103510154A (zh) * | 2012-06-30 | 2014-01-15 | 上海合晶硅材料有限公司 | 新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场 |
| CN103570378A (zh) * | 2012-08-01 | 2014-02-12 | 苏州宏久航空防热材料科技有限公司 | 一种石墨发热体加热炉内碳素材料表面直接沉积SiC涂层的方法 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107779945A (zh) * | 2016-08-25 | 2018-03-09 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 异型加热器及单晶提拉炉热场结构 |
| TWI622669B (zh) * | 2016-08-25 | 2018-05-01 | 上海新昇半導體科技有限公司 | 熱屏組件及單晶提拉爐熱場結構 |
| TWI622672B (zh) * | 2016-08-25 | 2018-05-01 | 上海新昇半導體科技有限公司 | 新型加熱器及單晶提拉爐熱場結構 |
| CN107779945B (zh) * | 2016-08-25 | 2020-11-27 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 异型加热器及单晶提拉炉热场结构 |
| CN107955964A (zh) * | 2017-12-18 | 2018-04-24 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种mems用低氧硅单晶材料的制备方法及其热系统 |
| CN109576775A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-05 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | 单晶炉的热场结构以及单晶炉 |
| CN109576775B (zh) * | 2018-12-27 | 2024-12-03 | 中环领先(徐州)半导体材料有限公司 | 单晶炉的热场结构以及单晶炉 |
| CN112281207A (zh) * | 2020-10-09 | 2021-01-29 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种用于减少拉晶炉的热量散失的保温盖及拉晶炉 |
| CN114014676A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-02-08 | 中南大学 | 一种石英纤维/炭纤维增强炭基复合材料保温桶及其制备方法 |
| CN114014676B (zh) * | 2021-12-20 | 2022-11-29 | 中南大学 | 一种石英纤维/炭纤维增强炭基复合材料保温桶及其制备方法 |
| CN116716657A (zh) * | 2023-05-31 | 2023-09-08 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 一种单晶炉热场用的保温装置、单晶炉以及单晶硅棒 |
| TWI897675B (zh) * | 2024-10-11 | 2025-09-11 | 環球晶圓股份有限公司 | 長晶設備及其熱場機構 |
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