CN105474396A - 辐射检测器、制造辐射检测器的方法、成像单元以及成像显示系统 - Google Patents

Abstract

提供了一种辐射检测器(1)，其包括：多个光电转换装置(20)，每个光电转换装置至少部分地形成在嵌入层(15)内并且具有至少部分地位于所述嵌入层外面的光接收表面(20A)；以及多个闪烁器晶体(30)，所述多个闪烁器晶体中的至少第一闪烁器晶体在近端处与至少一个光接收表面接触，其中，所述第一闪烁器晶体在所述近端处的横截面小于所述第一闪烁器晶体在远端处的横截面。

Description

辐射检测器、制造辐射检测器的方法、成像单元以及成像显示系统

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年8月28日提交的日本优先权专利申请JP2013-177175的优先权，该申请的全部内容以引用的形式全部并入本文。

技术领域

本技术涉及一种检测辐射(诸如，α射线、β射线、γ射线以及X射线)的辐射检测器和制造该辐射检测器的方法。而且，本技术涉及一种包括该辐射检测器的成像单元以及成像显示系统。

背景技术

已经提出了多种成像单元，作为包括内置在每个像素(成像像素)中的光电转换装置的成像单元。例如，PTL1指辐射成像单元，作为包括光电转换装置的这种成像单元的示例。

[引用列表]

[专利文件]

[PTL1]

JP2011-135561A

发明内容

[技术问题]

通常，在如上所述的成像单元中，通过驱动多个像素来获得图像。已经提出了多种为由此获得的图像实现更高图像质量的技术。然而，期望提出一种能够实现进一步更高图像质量的成像单元。

期望提出一种能够实现更高图像质量的辐射检测器以及制造这种辐射检测器的方法。也期望提供一种包括这种辐射探测器的成像单元和成像显示系统。

[问题的解决方案]

根据本技术的实施例，提供了一种辐射检测器，其包括：多个光电转换区域，每个光电转换区域配置为将入射在光接收表面上的光转换为电流信号；不连续表面，其形成在光接收表面周围，该不连续表面相对于光接收表面是不连续的；以及闪烁器层，其通过将光接收表面用作晶体生长表面而形成并且配置为将入射的辐射转换为光。

根据本技术的实施例，提供了一种成像单元，其包括：辐射检测器；以及驱动部分，其配置为驱动该辐射检测器。辐射探测器包括：多个光电转换区域，每个光电转换区域配置为将入射在光接收表面上的光转换为电流信号；不连续表面，其形成在光接收表面周围，该不连续表面相对于光接收表面是不连续的；多个转换电路，其按照一对一的关系对应于多个光电转换区域而提供并且分别配置为将电流信号转换为电压信号；以及闪烁器层，其通过将光接收表面用作晶体生长表面而形成并且配置为将入射的辐射转换为光。

根据本技术的实施例，提供了一种成像显示系统，其包括：成像单元；以及显示单元，其配置为基于由成像单元获得的成像信号执行图像显示。成像单元包括：辐射检测器；以及驱动部分，其配置为驱动该辐射检测器。辐射检测器包括：多个光电转换区域，每个光电转换区域配置为将入射在光接收表面上的光转换为电流信号；不连续表面，其形成在光接收表面周围，不连续表面相对于光接收表面是不连续的；多个转换电路，其按照一对一的关系对应于多个光电转换区域而提供并且分别配置为将电流信号转换为电压信号；以及闪烁器层，其通过将光接收表面用作晶体生长表面而形成并且配置为将入射的辐射转换为光。

在根据本技术的实施例的辐射检测器、成像单元以及成像显示系统中，每个光电转换区域的光接收表面被不连续表面环绕，并且用作闪烁器层的晶体生长表面。因此，光接收表面与闪烁器层直接接触。因此，可以实现比例如在光接收表面与闪烁器层之间提供仅用于允许闪烁器层在其上生长的构件的情况下的光接收效率高的光接收效率。而且，光接收表面被不连续表面环绕。因此，当在光接收表面上形成闪烁器层时，由于在光接收表面与不连续表面之间的不连续性，所以在与不连续表面相对的区域中形成在闪烁器层的厚度方向上延伸的晶体界面。因此，在闪烁器层中生成的光的部分被晶体界面反射并且进入光接收表面。因此，实现了高分辨率。

根据本技术的实施例，提供了一种制造辐射检测器的方法，该方法包括：(A)将包括在器件衬底中的多个器件中的部分或者所有转移至衬底，该多个器件固定到包括在器件衬底中的支撑衬底上，并且该多个器件均配置为将入射在光接收表面上的光转换为电流信号；以及(B)通过将光接收表面用作晶体生长表面来形成闪烁器层，该闪烁器层配置为将入射的辐射转换为光。

在根据本技术的实施例的制造辐射检测器的方法中，将固定至器件衬底的多个器件中的部分或者所有转移至衬底。而且，转移至衬底的每个器件的光接收表面用作闪烁器层的晶体生长表面。因此，光接收表面与闪烁器层直接接触。因此，可以实现比例如在光接收表面与闪烁器层之间提供仅用于允许闪烁器层在其上生长的构件的情况下的光接收效率高的光接收效率。而且，转移至衬底的每个器件的光接收表面被形成在器件之间的间隔环绕。因此，当在光接收表面上形成闪烁器层时，由于在光接收表面与形成在器件之间的间隔之间的不连续性，所以在与形成在器件之间的间隔相对的区域中形成在闪烁器层的厚度方向上延伸的晶体界面。因此，在闪烁器层中生成的光的部分被晶体界面反射并且进入光接收表面。因此，实现了高分辨率。

根据本技术的实施例，提供了一种辐射检测器，其包括：多个光电转换装置，每个光电转换装置至少部分地形成在嵌入层内，并且具有至少部分地位于嵌入层外面的光接收表面；以及多个闪烁器晶体，该多个闪烁器晶体中的至少第一闪烁器晶体在近端处与至少一个光接收表面接触，其中，第一闪烁器晶体在近端处的横截面小于第一闪烁器晶体在远端处的横截面。

根据本技术的实施例，提供了一种形成辐射检测器的方法，其包括：在衬底上形成多个光电转换装置，该多个光电转换装置中的至少第一光电转换装置包括一个或者多个电极，其中，第一光电转换装置形成为使得该一个或者多个电极中的至少一个电极耦合至形成在衬底内的电路；在衬底上形成嵌入层，从而将第一光电转换装置的至少一部分嵌入在嵌入层内；以及在第一光电转换层的表面上形成闪烁器层。

根据本技术的实施例，提供了一种成像单元，其包括辐射检测器和配置为驱动该辐射检测器的驱动电路，该辐射检测器包括多个像素，该多个像素中的至少第一像素包括：光电转换装置，其至少部分地形成在嵌入层内并且具有至少部分地位于嵌入层外面的光接收表面；以及第一闪烁器晶体，其在近端处与光接收表面接触，其中，第一闪烁器晶体在近端处的横截面小于第一闪烁器晶体在远端处的横截面。根据本技术的实施例，提供了一种成像显示系统，其包括成像单元；以及显示单元，其配置为基于由成像单元获得的成像信号执行图像显示，成像单元包括：辐射检测器；以及驱动电路，其用于驱动该辐射检测器，辐射检测器包括多个像素，该多个像素中的至少第一像素包括：光电转换装置，其至少部分地形成在嵌入层内并且具有至少部分地位于嵌入层外面的光接收表面；以及第一闪烁器晶体，其在近端处与光接收表面接触，其中，第一闪烁器晶体在近端处的横截面小于第一闪烁器晶体在远端处的横截面。

本发明的有益效果如下：

根据本技术的实施例的辐射检测器、成像单元以及成像显示系统，光接收表面与闪烁器层直接接触，并且光接收表面被不连续表面围绕。因此，实现了高光接收效率和高分辨率。因此，可以实现图像的更高图像质量。要注意，本技术的有利效果并不一定限于上述效果，并且可以是在本说明书中描述的任何一种效果。

根据本技术的实施例的制造辐射检测器的方法，光接收表面与闪烁器层直接接触，并且光接收表面被形成在器件之间的间隔围绕。因此，实现了高光接收效率和高分辨率。因此，可以实现图像的更高图像质量。要注意，本技术的有利效果并不一定限于上述效果，并且可以是在本说明书中描述的任何一种效果。

要理解，前文的一般性说明和下文的详细说明都是示例性的，并且旨在提供对所要求的技术的进一步阐释。

附图说明

附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并且并入本说明书中构成本说明书的一部分。附图图示了实施例，并且连同本说明书用于阐释本技术的原理。

图1是图示了根据本技术的第一实施例的辐射检测器的横截面配置的示例的图；

图2是图示了在图1中示出的辐射检测器中的电路配置的示例的图；

图3是图示了在图1中示出的器件的横截面配置的示例的图；

图4是图示了在图1中示出的器件的横截面配置的另一个示例的图；

图5是用于阐释制造在图1中示出的辐射检测器的过程的示例的横截面图；

图6是用于阐释在图5中示出的步骤之后的步骤的横截面图；

图7是用于阐释在图6中示出的步骤之后的步骤的横截面图；

图8是用于阐释在图7中示出的步骤之后的步骤的横截面图；

图9是用于阐释在图8中示出的步骤之后的步骤的横截面图；

图10是用于阐释在图9中示出的步骤之后的步骤的横截面图；

图11是用于阐释在图10中示出的步骤之后的步骤的横截面图；

图12是用于阐释在图11中示出的步骤之后的步骤的横截面图；

图13是图示了在图1中示出的辐射检测器的修改例的横截面图；

图14是图示了在图13中示出的布线衬底和电路衬底的电路配置的示例的图；

图15是图示了在图3中示出的器件的修改例的横截面图；

图16是图示了在图4中示出的器件的修改例的横截面图；

图17是图示了根据本技术的第二实施例的辐射检测器的横截面配置的示例的图；

图18是图示了在图17中示出的器件的横截面配置的示例的图；

图19是用于阐释制造在图17中示出的辐射检测器的过程的示例的横截面图；

图20是用于阐释在图19中示出的步骤之后的步骤的横截面图；

图21是用于阐释在图20中示出的步骤之后的步骤的横截面图；

图22是用于阐释在图21中示出的步骤之后的步骤的横截面图；

图23是用于阐释在图22中示出的步骤之后的步骤的横截面图；

图24是用于阐释在图23中示出的步骤之后的步骤的横截面图；

图25是用于阐释在图24中示出的步骤之后的步骤的横截面图；

图26是用于阐释在图25中示出的步骤之后的步骤的横截面图；

图27是图示了包括在图3中示出的器件的辐射检测器的修改例的横截面图；

图28是图示了包括在图4中示出的器件的辐射检测器的修改例的横截面图；

图29是图示了在图17中示出的辐射检测器的修改例的横截面图；

图30是图示了在图1中示出的辐射检测器的修改例的横截面图；

图31是图示了在图17中示出的辐射检测器的修改例的横截面图；

图32A是图示了在图1中示出的辐射检测器的修改例的横截面图；

图32B是图示了在图1中示出的辐射检测器的修改例的横截面图；

图32C是图示了在图1中示出的辐射检测器的修改例的横截面图；

图33是图示了在图17中示出的辐射检测器的修改例的横截面图；

图34是图示了在图1中示出的辐射检测器的修改例的横截面图；

图35是图示了在图17中示出的辐射检测器的修改例的横截面图；

图36是图示了根据本技术的第三实施例的辐射检测器的横截面配置的示例的图；

图37是图示了在图1中示出的辐射检测器的修改例的横截面图；

图38是图示了在图17中示出的辐射检测器的修改例的横截面图；

图39是图示了在图36中示出的辐射检测器的修改例的横截面图；

图40是图示了根据本技术的第四实施例的成像单元的示意配置的示例的图；

图41是图示了在图40中示出的像素电路的示意配置的示例的图；

图42是图示了根据本技术的第五实施例的成像显示系统的示意配置的示例的图；以及

图43是图示了根据本技术的第六实施例的成像系统的示意配置的示例的图。

具体实施方式

下面将参照附图对本技术的一些实施例进行详细描述。将按照以下顺序进行说明。

1、第一实施例(辐射检测器)

在芯片状器件中提供光电转换区域的示例

2、第二实施例(辐射检测器)

在芯片状器件中提供光电转换装置和转换电路的示例

3、第一和第二实施例的修改例(辐射检测器)

提供覆盖芯片状器件的保护膜的示例

提供覆盖闪烁器层的保护膜的示例

在公共衬底中提供多个光电转换区域的示例

在公共衬底中提供多个光电转换区域和多个转换电路的示例

在衬底的顶表面的除了光接收表面的区域之外的区域中提供阻光层的示例

4、第三实施例(辐射检测器)

将多个辐射检测器设置成矩阵的示例

5、修改例(辐射检测器)

省略闪烁器层的示例

6、第四实施例(成像单元)

7、第五实施例(成像显示系统)

8、第六实施例(成像系统)

(1、第一实施例)

(配置)

首先，将提供对根据本技术的第一实施例的辐射检测器1的说明。图1图示了根据本实施例的辐射检测器1的横截面配置的示例。辐射检测器1检测辐射，诸如，α射线、β射线、γ射线以及X射线。辐射检测器1使用间接转换方法。该间接转换方法是指将辐射转换为光学信号然后再将该光学信号转换为电信号的方法。辐射检测器1可以包括，例如，电路衬底10、多个器件20、闪烁器层30以及反射板40。

图2图示了在辐射检测器1中的将光学信号转换为电信号的部分的电路配置的示例。电路衬底10包括多个像素电路13和用于将各自的像素电路13和各自的器件20连接至外部电路的各种布线。按照一对一的关系对应于器件20来提供像素电路13。像素电路13包括驱动器件20的驱动电路。在每个像素电路13中，驱动电路可以包括，例如，开关装置13S(参见图2)，该开关装置13S串联连接至器件20。换言之，按照一对一的关系为像素电路13分配开关装置13S。开关装置13S基于从外界供应的控制信号来控制器件20的导通与断开。开关装置13S可以包括，例如，TFT。如图2所示，电路衬底10可以包括，例如，多条数据线12A、多条栅极线12B以及多条偏压线12C，作为各种布线。例如，每条数据线12A可以连接至在列方向上并排设置的每个像素电路13(例如，开关装置13S)的输出端子，并且可以是提取从像素电路13输出至外界的信号的布线。每条栅极线12B可以连接至在行方向上并排设置的每个像素电路13(例如，开关装置13S)的栅极端子，并且可以是向像素电路13供应用于驱动像素电路13的信号的布线。每条偏压线12C可以连接至在列方向上并排设置的每个器件20的端部，并且可以是向器件20供应偏压的布线。

像素电路13可以进一步包括，例如，转换电路、放大器电路以及AD转换电路。转换电路将从器件20输出的电流信号转换为电压信号。放大器电路放大从转换电路输出的电压信号。AD转换电路将从放大器电路输出的模拟信号转换为数字信号。要注意，电路衬底10可以包括在与像素电路13不同的电路中的多个这种转换电路、多个这种放大器电路以及多个这种AD转换电路。当电路衬底10包括在与像素电路13不同的电路中的多个转换电路时，可以针对多个器件20提供每个转换电路。在这种情况下，分配给每个转换电路的多个器件20可以形成为单个器件。当电路衬底10包括在与像素电路13不同的电路中的多个放大器电路时，可以针对多个器件20提供每个放大器电路。当电路衬底10包括在与像素电路13不同的电路中的多个AD转换电路时，可以针对多个器件20提供每个AD转换电路。

电路衬底10可以由，例如，支撑衬底11和按照顺序层压在支撑衬底11上的电路层12和嵌入层15配置而成。支撑衬底11可以由，例如，绝缘衬底(诸如，玻璃衬底)配置而成。支撑衬底11可以是具有不透光特性的衬底(阻光层)，诸如，硅衬底。提供嵌入层15，用于防止用于稍后描述的凸块23的材料(诸如，焊料)影响到闪烁器层30。至少凸块23嵌入在嵌入层15中。嵌入层15可以由，例如，诸如底填树脂等材料配置而成。底填树脂的示例可以包括聚对二甲苯树脂、丙烯基树脂、环氧基树脂、硅酮树脂以及聚氨脂基树脂。嵌入层15可以是包括具有不透光特性的材料的阻光层。

电路层12可以包括，例如，多个像素电路13和多个焊盘电极14。电路层12可以进一步包括，例如，将各自的像素电路13和各自的器件20连接至外部电路的布线。如图2所示，电路层12可以包括，例如，多条数据线12A、多条栅极线12B以及多条偏压线12C。焊盘电极14是电连接至像素电路13的端子电极。使焊盘电极14暴露于电路层12的顶表面。焊盘电极14与在器件20中的凸块23(将在稍后进行描述)接触。一个像素电路13和多个焊盘电极14分配给每个器件20，并且，可以设置在，例如，与器件20相对的每个区域中。每个焊盘电极14可以包括，例如，导电金属材料，诸如，UBM(凸块下金属化层)。UBM可以由，例如，镍(Ni)配置而成，并且用作焊料扩散抑制层。在电路层12中，可以将像素电路13嵌入，例如，在层间绝缘膜中。层间绝缘膜可以由，例如，诸如氧化硅(SiO₂)和氮氧化硅(SiON)等材料配置而成。层间绝缘膜可以用作包括具有不透光特性的材料的阻光层。

多个器件20安装在公共电路衬底10上。多个器件20可以，例如，二维地设置在电路衬底10上。例如，每个器件20可以已经通过稍后将描述的转移技术从器件衬底100转移到电路衬底10A上。器件20彼此远离地设置在平面中。因此，每个器件20的顶表面(即，光接收表面20A)被形成在两个相邻的器件20之间的间隔围绕。间隔的宽度可以，例如，等于或者小于器件20的横向宽度。该间隔的底表面配置成电路衬底10的顶表面(例如，嵌入层15的顶表面)，并且配置成相对于光接收表面20A不连续的不连续表面15A。在本文中，措词“相对于光接收表面20A不连续”不仅仅指光接收表面20A和不连续表面15A未设置在同一平面中的状态。措词“相对于光接收表面20A不连续”还指当在辐射检测器的制造过程中形成闪烁器层30时实现了形成在闪烁器层30的厚度方向上延伸的晶体界面31A(将在稍后进行描述)的不连续性。

每个器件20可以是，例如，亚毫米级的芯片。要注意，每个器件20的尺寸可以大于亚毫米级。每个器件20是用作，例如，单元、电子电路等的组件的分开部件。每个器件20是芯片状部件。每个器件20可以包括，例如，芯片状功能部分21、多个电极22以及凸块23。功能部分21具有将入射在功能部分21的顶表面上的光转换为电流信号的功能。功能部分21的顶表面用作器件20的光接收表面20A。光接收表面20A可以是，例如，平面化的表面。要注意，光接收表面20A可以是具有凹面和凸面的弯曲表面。每个电极22是电连接至功能部分21中的光电转换电路120(将在稍后进行描述)的端子电极。每个电极22设置在功能部分21的底表面(即，与光接收表面20A相对的表面)上。每个电极22与凸块23接触。每个电极22可以包括，例如，导电金属材料，诸如，UBM。凸块23与电极22和焊盘电极14接触。凸块23可以由，例如，合金(包括铅或者锡作为主要成分)配置而成。凸块23可以，例如，通过对焊膏进行电解电镀、压印等而形成。

图3和图4分别图示了器件20的横截面配置的示例。图3图示了包括光电转换装置120的器件20的横截面配置的示例，该光电转换装置120配置为检测从光电转换装置120的顶表面进入的光。换言之，在图3中示出的光电转换装置120具有顶表面照明结构。图4图示了包括光电转换装置120的器件20的横截面配置的示例，该光电转换装置120配置为检测从光电转换装置120的背表面进入的光。换言之，在图4中示出的光电转换装置120具有背表面照明结构。

(顶表面照明结构，图3)

如图3所示，器件20可以具有，例如，绝缘层111、绝缘层112和绝缘层113按照顺序从光接收表面20A层压的结构。绝缘层111的背表面(即，与在其上层压有绝缘层112和绝缘层113的表面相对的表面)用作光接收表面20A。绝缘层111可以由，例如，硅酮基树脂配置而成。绝缘层112和113也可以分别由，例如，诸如硅酮基树脂等材料配置而成。

如图3所示，器件20可以进一步包括，例如，光电转换装置120和将光电转换装置120电连接至电极22的导电路径。导电路径可以由，例如，从光电转换装置120按照顺序设置的焊盘电极114、布线层115、连接部分116和连接部分117配置而成。光电转换装置120可以设置在，例如，绝缘层113中。焊盘电极114、布线层115和连接部分116可以设置在，例如，绝缘层112中。连接部分117可以设置在，例如，绝缘层113。

光电转换装置120可以具有，例如，包括光电转换区域122的半导体层、多个电极123和多个凸块124层压在衬底121上的结构。因此，在每个器件120中形成一个光电转换区域122。器件20包括半导体层，该半导体层包括光电转换区域122和设置在该半导体层上方的绝缘层111。在光电转换装置120中，包括光电转换区域122的半导体层设置在更接近光接收表面20A的位置中，并且衬底121设置在更接近器件20的底表面的位置中。每个电极123电连接至光电转换区域122。每个凸块124设置为与电极123接触并且与焊盘电极114接触。焊盘电极114和连接部分116设置为与布线层115接触。连接部分117设置为与连接部分116接触并且与电极22接触。

衬底121由半导体衬底配置而成。在形成在衬底121上的半导体层中形成光电转换装置122。光电转换区域122可以由，例如，按照顺序层压的P型半导体层、i型半导体层以及n型半导体层配置而成。光电转换区域122(包括光电转换区域122的半导体层)可以由，例如，晶体硅或者非晶硅配置而成。电极123、凸块124、焊盘电极114、布线层115、连接部分116和连接部分117分别由导电金属材料配置而成。

(背表面照明结构，图4)

如图4所示，器件20可以具有，例如，在衬底121上层压有包括光电转换区域122的半导体层、多个电极22和多个凸块23的结构。在器件20中，包括光电转换区域122的半导体层设置在更接近光接收表面20A的位置中，并且衬底121设置在更接近器件20的底表面的位置中。衬底121的背表面(与在其上层压有包括光电转换区域122的半导体层的表面相对的表面)用作光接收表面20A。

闪烁器层30将入射在光接收表面20A上的辐射的波长转换为在光电转换区域122的灵敏度范围内的波长。具体地，闪烁器层30将入射在光接收表面20A上的辐射转换为光。闪烁器层30可以由，例如，荧光材料配置而成，该荧光材料将辐射(诸如，α射线、β射线、γ射线以及X射线)转换为可见光。这种荧光材料的示例可以包括通过将铊(Tl)或者钠(Na)添加至碘化铯(CsI)而获得的材料和通过将铊(Tl)添加至碘化钠(NaI)而获得的材料。上文提及的荧光材料的示例可以包括通过将铕(Eu)添加至溴化铯(CsBr)而获得的材料和通过将铕(Eu)添加至二氟二溴化铯(CsBrF)而获得的材料。

通过将光接收表面20A用作晶体生长表面来形成闪烁器层30。闪烁器层30也可以，例如，通过真空沉积方法由成膜形成。闪烁器层30在与不连续表面15相对的区域中具有在闪烁器层30的厚度方向上延伸的晶体界面31A。晶体界面31A在闪烁器层30的厚度方向上从光接收表面20A的端部延伸，并且由此，对应于每个器件20(或者每个光电转换区域122)，对闪烁器层30进行分段。因此，闪烁器层30包括多个闪烁器部分31，每个闪烁器部分31通过晶体界面31A分配给每个器件20(或者每个光电转换区域122)。

在更接近反射板40的位置中的闪烁器部分31的横截面积大于在更接近光接收表面20A的位置中的闪烁器部分31的横截面积。要注意，上文提及的横截面积指闪烁器部分31的平行于光接收表面20A的横截面的面积。因此，在两个相邻的闪烁器部分31之间的间隔的宽度d从不连续表面15A侧至反射板40侧(闪烁器部分31的上侧)减小。如图1所示，当从不连续表面15A侧观察时，晶体界面31A可以是，例如，凹状的弯曲表面。在光接收表面20A的端部处由晶体界面31A和光接收表面20A形成的角θ1为钝角。由晶体界面31A的切平面30S和光接收表面20A形成的角θ2为90°或者更大。角θ2随着切平面30S的切点进一步远离光接收表面20A侧并且更接近反射板40侧(闪烁器部分31的上侧)而减小。因此，在闪烁器部分31中生成并且朝光接收表面20A行进的光的部分被晶体界面31A反射并且被允许进入光接收表面20A。换言之，闪烁器部分31用作聚光透镜。在相邻的晶体界面31A之间形成空气间隔。要注意，可以在相邻的晶体界面31A之间提供通过将不连续表面15A用作晶体生成表面而形成的闪烁器部分。在这种情况下，通过将不连续表面15A用作晶体生长表面而形成的闪烁器部分的侧表面配置成晶体界面，并且设置为与器件20的侧表面和晶体界面31A相对，在器件20的侧表面和晶体界面31A之间具有预定间隔。

反射板40的作用是将在与器件20相对的方向上从闪烁器层30发出的光朝器件20返回。反射板40可以由基本上不透湿的不透湿材料配置而成。在这种情况下，可以通过使用反射板40来防止湿气进入闪烁器层30。反射板40可以由，例如，薄板玻璃配置而成。可以省略反射板40。提供在闪烁器层30上的反射结构可以是除了上述反射板40之外的配置，并且可以由，例如，由Al制成的沉积膜配置而成。

(制造方法)

接下来，将对制造辐射检测器1的方法的示例进行说明。图5至图12图示了按照步骤顺序制造辐射检测器1的过程。首先，制备器件衬底100和电路衬底10A(图5和图6)。

如图5所示，器件衬底100可以包括，例如，支撑衬底101、固定层102和多个器件20。每个器件20设置在支撑衬底101上从而使得电极22位于上侧。支撑衬底101支撑多个器件20。支撑衬底101可以由，例如，玻璃衬底、树脂衬底等配置而成。固定层102将每个器件20固定到支撑衬底101上并且允许在转移过程时从支撑衬底101上剥离每个器件20。在通过激光烧蚀执行转移过程时，固定层102可以由，例如，吸收在激光振荡波长范围内的光的材料配置而成。固定层102可以形成在，例如，支撑衬底101的整个顶表面上。如图5所示，固定层102可以仅仅形成在，例如，在支撑衬底101与每个器件20之间的间隔中。考虑到转移性质，可以优选地针对每个器件20形成固定层102，如图5所示。考虑到过程的简易性，固定层102可以优选地形成在支撑衬底101的整个顶表面上。固定层102可以与支撑衬底101直接接触。要注意，可以在固定层102与支撑衬底101之间插入一个层，诸如，粘合层、绝缘层和金属层。电路衬底10A具有与上述电路衬底10的配置相似的配置，不同之处在于省略了嵌入层15。因此，使焊盘电极14暴露于电路衬底10A的顶表面。

接下来，在电路衬底10A的整个顶表面上形成固定层103(图7)。固定层103在转移过程时接受各自的器件20，并且通过粘合保持住一个或者多个转移后的器件20。固定层103由具有粘度的液体或者凝胶配置而成，并且可以由，例如，助熔剂配置而成。助熔剂主要由树脂和溶剂配置而成。助熔剂是所谓的助焊剂，并且是具有还原在金属表面上的氧化物的功能的液体或者膏状材料，或者是添加有活化剂以实现还原功能的液体或者膏状材料。这种活化剂是具有还原性质的材料，诸如，熔盐或者酸。这种熔盐的示例可以包括卤化物，诸如，氯化物和氟化物。这种酸的示例可以包括正磷酸、有机酸、胺类与卤化氢胺盐。必要时，可以将其它添加剂添加至助溶剂。通过诸如旋涂、喷涂法、刮刀法、印刷、转移法和压印法等方法，将助溶剂涂覆到具有薄的并且均匀的厚度的电路衬底10A的整个顶表面上。因此，在该过程中，助溶剂具有适合于涂覆的低粘度水平。要注意，可以在执行将在稍后进行描述的转移过程之前执行用于增加在电路衬底10A上的固定层103的粘度水平的过程。

接下来，将在器件衬底100上的多个器件20的部分或者所有转移至电路衬底10A。首先，在转移设备中设置器件衬底100和电路衬底10A。随后，将器件衬底100和电路衬底10A设置为彼此相对(换言之，远离彼此)，在器件衬底100与电路衬底10A之间具有预定空气间隔104，如图8所示，或者，将器件衬底100和电路衬底10A设置为彼此紧密地附接，如图9所示。随后，例如，通过激光烧蚀，将在器件衬底100上的多个器件20中的一个或者多个器件20转移至电路衬底10A(图10)。由此，通过使用固定层103将转移后的一个或者多个器件20暂时地固定至电路衬底10A。此时，在多个器件20中的两个器件20之间形成相对于光接收表面20A不连续的不连续表面103A，由于向电路衬底10A的转移过程，所以这两个器件20已经变得彼此相邻。要注意，可以通过除了激光烧蚀之外的方法来执行转移过程。

在转移过程时，凸块23伸入固定层103中，并且用作锚固件。此时，凸块23的厚度(更精确地说，在功能部分21的底表面与凸块23的尖端之间的距离)可以大于或者小于固定层103的厚度。在转移过程之后，电极22的部分或者全部与焊盘电极14相对，在电极22与焊盘电极14之间具有凸块23。要注意，当从电路衬底10A的安装表面的法线方向观察时，电极22的与焊盘电极14相对的部分的面积约等于电极22的面积的一半便足够。因此，允许按照仅仅实现这种状态的精确度来执行该转移过程。要注意，在必须在执行将在稍后进行描述的回流过程之前或者在回流过程期间防止每个转移后的装置20的移动的情况下，可以在执行将在稍后进行描述的回流过程之前执行增加在电路衬底10A上的固定层103的粘度水平的过程。

接下来，在电路衬底10A上执行回流过程(图11)。在该过程中，将凸块23熔化或者软化。因此，电极22与焊盘电极14相对，或者，由于凸块23的自对准功能，与焊盘电极14恰好相对。而且，由于熔化或者软化后的凸块23，转移后的器件20(或者转移后的电极22)电连接至电路衬底10A(或者焊盘电极14)。换言之，转移后的器件20(或者转移后的电极22)经由导电凸部(凸块23)电连接至电路衬底10A(或者焊盘电极14)。在回流过程之后，凸块23凝固，从而高精确度地将每个器件20固定在电路衬底10A上的预定位置中。

随后，去除(清洗)固定层103。在该过程中，使用作固定层103的助溶剂溶解并且消除残留物质便足够。可以使用适合于助溶剂的清洗剂。此时，允许在清洗助溶剂的同时去除粘附至电路衬底10A的安装表面的物质(诸如，灰尘)，诸如，通过激光烧蚀生成的残留物质。要注意，当助溶剂是非清洗型助溶剂时，可以省略去除固定层103的过程。

随后，形成至少覆盖凸块23的嵌入层15(见图12)。因此，形成电路衬底10。此时，在两个相邻的器件20之间形成相对于光接收表面20A不连续的不连续表面15A。随后，例如，通过真空沉积方法形成膜，通过将光接收表面20A用作晶体生长表面来形成闪烁器层30(图12)。在形成闪烁器层30时，在与不连续表面15A相对的区域中形成在闪烁器层30的厚度方向上延伸的晶体界面31A。而且，形成多个闪烁器部分31，每个闪烁器部分31通过晶体界面31A分配给每个器件20(图12)。最后，在闪烁器层30上形成反射板40。由此，制成辐射检测器1。

(效果)

接下来，将对辐射检测器1的效果进行说明。在辐射检测器1中，每个器件20的光接收表面20A被不连续表面15A围绕，并且用作闪烁器层30的晶体生长表面。因此，光接收表面20A与闪烁器层直接接触30。因此，可以实现比例如在光接收表面20A与闪烁器层30之间提供仅用于允许闪烁器层30在其上生长的构件的情况下的光接收效率高的光接收效率。此外，光接收表面20A被不连续表面15A围绕。因此，当在光接收表面20A上形成闪烁器层30时，由于在光接收表面20A与不连续表面15A之间的不连续性，所以在与不连续表面15A相对的区域中形成在闪烁器层30的厚度方向上延伸的晶体界面31A。因此，在闪烁器层30中生成的光的部分被晶体界面31A反射并且进入光接收表面20A。因此，实现了高分辨率。因此，可以实现图像的更高图像质量。

而且，在辐射检测器1中，各自的器件20设置在电路衬底10上。因此，也允许直接在各自的器件20的下方形成在电路衬底10中的各种布线。与在电路衬底10中形成各自的器件20的情况下的宽度相比，这允许在电路衬底10中的各种布线中的每个布线的宽度变大。因此，通过允许在电路衬底10中的各种布线的宽度变大，减小了布线电阻，并且因此减小了约翰逊(Johnson)噪声。

而且，在辐射检测器1中，在光电转换区域122由结晶硅配置而成的情况下，与光电转换区域122由非晶硅配置而成的情况相比，减小了包括在由辐射检测器1获得的图像中的后像。

(2、第一实施例的修改例)

(修改例1)

在上述实施例中，作为示例，已经描述了按照一对一的关系在与各自的器件20相对的位置处设置多个像素电路13的情况。然而，例如，如图13和图14所示，辐射检测器1可以包括支撑各自的器件20的布线衬底90，而非电路衬底10，并且可以进一步包括在布线衬底90的外围边缘处(具体地，在辐射运用区域外面)的电路衬底95。

布线衬底90是包括多个开关装置13S和多个布线(例如，数据线12A、栅极线12B和偏压线12C)的衬底。多个开关装置13分别串联连接至器件20。多个布线连接至各自的开关装置13S和各自的器件20。具体地，布线衬底90可以具有，例如，布线层92和嵌入层94按照顺序层压在支撑衬底91上的配置。支撑衬底91可以是，例如，绝缘衬底，诸如，玻璃衬底或者树脂衬底。嵌入层94是用于防止用作凸块23的材料的焊料等作用在闪烁器层30上的层。至少凸块23嵌入在嵌入层94中。嵌入层94可以由，例如，底填树脂等配置而成。嵌入层94可以配置为包括不透光材料的阻光层。

布线层92可以包括，例如，多个焊盘电极93和将各自的器件20连接至电路衬底95的布线(例如，数据线12A、栅极线12B和偏压线12C)。焊盘电极93是电连接至在布线层92中的布线的端子电极，并且暴露于布线层92的顶表面。焊盘电极93与在器件20中的凸块23接触。针对各自的器件20分配多个焊盘电极93。例如，可以针对与各自的器件20相对的每个区域分别设置多个焊盘电极93。每个焊盘电极93可以包括，例如，导电金属材料，诸如，UMB。在布线层92中的布线嵌入在，例如，层间绝缘膜等中。层间绝缘膜可以由，例如，氧化硅(SiO₂)和氮氧化硅(SiON)等配置而成。层间绝缘膜可以配置为包括不透光材料的阻光层。

多个器件20安装在公共布线衬底90上。多个器件20可以，例如，二维地设置在电路衬底90上。例如，每个器件20可以已经通过转移技术从器件衬底200转移到布线衬底90上。器件20彼此远离地设置在平面中。因此，每个器件20的顶表面(即，光接收表面20A)被在两个相邻的器件20之间形成的间隔围绕。间隔的宽度可以，例如，等于或者小于器件20的横向宽度。间隔的底表面配置成布线衬底90的顶表面(例如，嵌入层94的顶表面)，并且配置成相对于光接收表面20A不连续的不连续表面94A。换言之，不连续表面94A是在两个相邻的器件20之间的间隔的底表面。在本文中，措词“相对于光接收表面20A不连续”不仅仅指光接收表面20A和不连续表面94A未设置在同一平面中的状态。措词“相对于光接收表面20A不连续”还指当在辐射检测器的制造过程中形成闪烁器层30时实现了形成在闪烁器层30的厚度方向上延伸的晶体界面31A的不连续性。

电路衬底95处理从器件20输出的信号。如图14所示，电路衬底95可以包括在FPC(挠性印制电路)95A上的输出电路IC95B。输出电路IC95B可以包括：例如，转换电路95B1，其将从器件20输出的电流信号转换为电压信号；以及放大器电路95B2，其放大从转换电路95B1输出的电压信号以用于每个像素列。输出电路IC95B可以进一步包括，例如，将从放大器输出的模拟信号转换为数字信号的AD转换电路。例如，可以针对所有像素列提供一个AD转换电路。

在本修改例中，在辐射应用区域中提供多个开关装置13S和多条数据线12A等，并且在辐射应用区域外面提供处理从器件20输出的信号的电路(电路衬底95)。这允许电路衬底95更少地暴露于辐射，提高了辐射检测器1对辐射的容限。

[修改例2]

在上述修改例中，可以按照一对一的关系对应于器件20(而非布线衬底90)提供多个开关装置13S。例如，如图15和16所示，在每个器件20中，每个开关装置13S提供在形成有光电转化区域122的半导体层中。在这种情况下，光电转换区域122和开关装置13S(即，包括光电转换区域122和开关装置13S的半导体层)可以优选地由晶体硅配置而成。在这种情况下，除了减小包括在由辐射检测器1获得的图像中的后像之外，还实现了对开关装置13S的切换速度的提高

(2、第二实施例)

(配置)

接下来，将对根据本技术的第二实施例的辐射检测器2进行说明。图17图示了根据本实施例的辐射检测器2的横截面配置的示例。辐射检测器2检测辐射，诸如，α射线、β射线、γ射线以及X射线。辐射检测器2使用间接转换方法。辐射检测器2可以包括，例如，布线衬底50、多个器件60、闪烁器层30以及反射板40。

布线衬底50包括用于将每个器件60连接至外部电路的各种布线。布线衬底50可以由，例如，支撑衬底51和按照顺序层压在支撑衬底51上的布线层52和嵌入层54配置而成。支撑衬底51可以由，例如，绝缘衬底(诸如，玻璃衬底和树脂衬底)配置而成。支撑衬底51可以是具有不透光特性的衬底(阻光层)，诸如，硅衬底。提供嵌入层54，用于防止用于稍后描述的凸块63的材料(诸如，焊料)影响到闪烁器层30。至少凸块63嵌入在嵌入层54中。嵌入层54，例如，可以由诸如底填树脂等材料配置而成。嵌入层54可以是包括具有不透光特性的材料的阻光层。

布线层52可以包括，例如，多个焊盘电极53和将各自的焊盘电极53连接至外部电路的布线。焊盘电极53是电连接至在布线层52中的布线的端子电极。使焊盘电极53暴露于布线层52的顶表面。焊盘电极53与在器件60中的凸块63接触。多个焊盘电极53分配给每个器件60，并且可以设置在，例如，与器件60相对的每个区域中。每个焊盘电极53可以包括，例如，导电金属材料，诸如，UBM。在布线层52中的布线可以嵌入在，例如，层间绝缘膜中。层间绝缘膜可以由，例如，诸如氧化硅(SiO₂)和氮氧化硅(SiON)等材料配置而成。层间绝缘膜可以用作包括具有不透光特性的材料的阻光层。

多个器件60安装在公共布线衬底50上。多个器件60可以，例如，二维地设置在布线衬底50上。例如，每个器件60可以已经通过在稍后进行描述的转移技术从器件衬底200转移到布线衬底50上。器件60彼此远离地设置在平面中。因此，每个器件60的顶表面(即，光接收表面60A)被在两个相邻的器件60之间形成的间隔围绕。间隔的宽度可以，例如，等于或者小于器件60的横向宽度。间隔的底表面配置成布线衬底50的顶表面(例如，嵌入层54的顶表面)，并且配置成相对于光接收表面60A不连续的不连续表面54A。因此，不连续表面54A是在两个相邻的器件60之间的间隔的底表面。在本文中，措词“相对于光接收表面_60A不连续”不仅仅指光接收表面_60A和不连续表面54A未设置在同一平面中的状态。措词“相对于光接收表面_60A不连续”还指当在辐射检测器的制造过程中形成闪烁器层_30时实现了形成在闪烁器层30的厚度方向上延伸的晶体界面31A的不连续性。

每个器件60可以是，例如，亚毫米级芯片。要注意，每个器件60的尺寸可以大于亚毫米级。每个器件60是用作，例如，单元、电子电路等的组件的分开部分。每个器件60是芯片状部件。每个器件60可以包括，例如，芯片状功能部分61、多个电极62以及凸块63。功能部分61具有将入射在功能部分61的顶表面上的光转换为电流信号的功能。功能部分61的顶表面用作器件60的光接收表面60A。光接收表面60A可以是，例如，平面化的表面。要注意，光接收表面60A可以是具有凹面和凸面的弯曲表面。功能部分61可以进一步具有将电流信号转换为电压信号的功能。

每个电极62是电连接至在功能部分61中的光电转换装置120并且电连接至像素电路IC160(将在稍后进行描述)的端子电极。每个电极62设置在功能部分61的底表面(即，与光接收表面60A相对的表面)。每个电极62与凸块63接触。每个电极62可以包括，例如，导电金属材料，诸如，UBM。凸块63与电极62和焊盘电极53接触。凸块63可以由，例如，合金(包括铅或者锡作为主要成分)配置而成。凸块63可以，例如，通过对焊膏进行电解电镀、压印等而形成。

图18图示了器件60的横截面配置的示例。图18图示了包括光电转换装置120的器件60的横截面配置的示例，该光电转换装置120配置为检测从光电转换装置120的顶表面进入的光。换言之，在图18中示出的光电转换装置120具有顶表面照明结构。

如图18所示，器件60可以具有，例如，绝缘层111、绝缘层112、绝缘层113、绝缘层151以及绝缘层152按照顺序从光接收表面60A层压的结构。绝缘层111的背表面(即，与在其上层压有绝缘层112、113、151和152的表面相对的表面)用作光接收表面60A。绝缘层151和152可以分别由，例如，氧化硅(SiO₂)和氮氧化硅(SiON)配置而成。如图18所示，器件60可以进一步包括，例如，光电转换装置120,、像素电路IC160和导电路径，该导电路径将光电转换装置120和像素电路IC160电连接至电极22。导电路径可以包括第一路径，该第一路径可以由，例如，按照顺序从光电转换装置120设置的焊盘电极114、布线层115、连接部分116、连接部分117、布线层154和连接部分155配置而成。导电路径可以进一步包括第二路径，该第二路径可以由按照顺序从像素电路IC160设置的焊盘电极153、布线层154和连接部分155配置而成。像素电路IC160可以设置在，例如，绝缘层151和152中。焊盘电极153、布线层154和连接部分155可以设置在，例如，绝缘层151和152中。

针对每个光电转换区域122提供一个像素电路IC160。像素电路IC160设置在器件60中。因此，在每个器件60中形成一个像素电路IC160。像素电路IC160设置在器件60中的与光电转换区域122(或者光电转换装置120)相对的位置中，并且设置在光电转换区域122(或者光电转换装置120)下方(即，更接近器件60的底表面的位置中)。像素电路IC160可以包括：例如，像素电路部分161、多个电极162和多个凸块163。像素电路部分161可以包括：例如，驱动电路，其驱动光电转换装置120；以及转换电路，其将从光电转换装置120输出的电流信号转换为电压信号。像素电路部分161可以进一步包括：例如，诸如放大器电路等电路，其放大电压信号；以及AD转换电路，其将从放大器电路输出的模拟信号转换为数字信号。要注意，放大器电路和AD转换电路可以不形成在像素电路部分161中，而是形成在布线衬底50中。可以对应于多个光电转换区域122提供一个转换电路。在这种情况下，可以在相同的器件中形成分配给每个转换电路的多个光电转换区域122。然而，在这种情况下，针对每个光电转换区域122，可以优选地在包括多个光电转换区域122的器件的顶表面中形成光接收表面60A。而且，可以优选地在两个相邻的光接收表面60A之间的间隔中形成相对于光接收表面60A不连续的不连续表面。每个电极162电连接至像素电路部分161。每个凸块163设置为与电极162和焊盘电极153接触。焊盘电极153设置为与布线层154接触。连接部分155设置为与布线层154接触并且与电极62接触。电极62、凸块163、焊盘电极153、布线层154和连接部分155可以由导电金属材料配置而成。

闪烁器层30将入射在光接收表面60A上的辐射的波长转换为在光电转换区域122的灵敏度范围内的波长。具体地，闪烁器层3将入射在光接收表面60A上的辐射转换为光。通过将光接收表面60A用作晶体生长表面来形成闪烁器层30。闪烁器层30也可以，例如，通过真空沉积方法由成膜形成。闪烁器层30在与不连续表面54A相对的区域中具有在闪烁器层30的厚度方向上延伸的晶体界面31A。晶体界面31A在闪烁器层30的厚度方向上从光接收表面60A的端部延伸，并且由此，对应于每个器件60(或者每个光电转换区域122)，对闪烁器层30进行分段。因此，闪烁器层30包括多个闪烁器部分31，每个闪烁器部分31通过晶体界面31A分配给每个器件60(或者每个光电转换区域122)。

由晶体界面31A和光接收表面60A形成的角θ1为钝角。因此，在闪烁器层31中生成的光被晶体界面31A反射并且允许进入光接收表面60A。换言之，闪烁器部分31用作聚光透镜。在相邻的晶体界面31A之间形成空气间隔。要注意，可以在相邻的晶体界面31A之间提供通过将不连续表面54A用作晶体生成表面而形成的闪烁器部分。在这种情况下，通过将不连续表面54A用作晶体生长表面而形成的闪烁器部分的侧表面配置成晶体界面，并且设置为与器件60的侧表面和晶体界面31A相对，在器件20的侧表面和晶体界面31A之间具有预定间隔。(制造方法)

接下来，将对制造辐射检测器2的方法的示例进行说明。图19至图26图示了按照步骤顺序制造辐射检测器2的过程。首先，制备器件衬底200和布线衬底50A(图19和图20)。

如图19所示，器件衬底200可以包括，例如，支撑衬底201、固定层202和多个器件60。每个器件60设置在支撑衬底201上从而使得电极62位于上侧。支撑衬底201支撑多个器件60。支撑衬底201可以由，例如，硅衬底、玻璃衬底、树脂衬底等配置而成。固定层202将每个器件60固定到支撑衬底201上并且允许在转移过程时从支撑衬底201上剥离每个器件60。在通过激光烧蚀执行转移过程时，固定层202可以由，例如，吸收在激光振荡波长范围内的光的材料配置而成。固定层202可以形成在，例如，支撑衬底201的整个顶表面上。如图19所示，固定层202可以形成在，例如，仅仅在支撑衬底201和每个器件60之间的间隔中。考虑到转移性质，可以优选地针对每个器件60形成固定层202，如图19所示。考虑到过程的简易性，固定层202可以优选地形成在支撑衬底201的整个顶表面上。固定层202可以与支撑衬底201直接接触。要注意，可以在固定层202与支撑衬底201之间插入一个层，诸如，粘合层、绝缘层和金属层。布线衬底50A具有与上述布线衬底50的配置相似的配置，不同之处在于省略了嵌入层54。因此，使焊盘电极53暴露于布线衬底50A的顶表面。

接下来，在布线衬底50A的整个顶表面上形成固定层203(图21)。固定层203在转移过程时接受各自的器件60，并且通过粘合保持住一个或者多个转移后的器件60。固定层203由具有粘度的液体或者凝胶配置而成，并且可以由，例如，在上述实施例中作为示例提及的助熔剂配置而成。通过诸如旋涂、喷涂法、刮刀法、印刷、转移法和压印法，将助溶剂涂覆到具有薄的并且均匀的厚度的布线衬底50A的整个顶表面上。因此，在该过程中，助溶剂具有适合于涂覆的低粘度水平。要注意，可以在执行将在稍后进行描述的转移过程之前执行用于增加在布线衬底50A上的固定层203的粘度水平的过程。

接下来，将在器件衬底200上的多个器件60的部分或者所有转移至布线衬底50A。首先，在转移设备中设置器件衬底200和布线衬底50A。随后，将器件衬底200和布线衬底50A设置为彼此相对(换言之，远离彼此)，在器件衬底200与布线衬底50A之间具有预定空气间隔204，如图22所示，或者，将器件衬底200和布线衬底60A设置为彼此紧密地附接，如图23所示。随后，例如，通过激光烧蚀，将在器件衬底200上的多个器件60中的一个或者多个器件60转移至布线衬底50A(图24)。由此，通过使用固定层203将转移后的器件60暂时地固定至布线衬底50A。此时，在多个器件60中的两个器件60之间形成相对于光接收表面60A不连续的不连续表面203A，由于向电路衬底50A的转移过程，所以这两个器件60变得彼此相邻。要注意，可以通过除了激光烧蚀之外的方法来执行转移过程。

在转移过程时，凸块63伸入到固定层203中，并且用作锚固件。此时，凸块63的厚度(更精确地说，在功能部分61的底表面与凸块63的尖端之间的距离)可以大于或者小于固定层203的厚度。在转移过程之后，电极62的部分或者全部与焊盘电极53相对，在电极62与焊盘电极53之间具有凸块63。要注意，当从布线衬底50A的安装表面的法线方向观察时，电极62的与焊盘电极53相对的部分的面积约等于电极62的面积的一半便足够。因此，允许按照仅仅实现这种状态的精确度来执行该转移过程。要注意，在必须在执行将在稍后进行描述的回流过程之前或者在回流过程期间防止每个转移后的器件60的移动的情况下，可以在执行将在稍后进行描述的回流过程之前执行增加在布线衬底50A上的固定层203的粘度水平的过程。

接下来，在布线衬底50A上执行回流过程(图25)。在该过程中，将凸块63熔化或者软化。因此，电极62与焊盘电极53相对，或者，由于凸块63的自对准功能，与焊盘电极53恰好相对。而且，由于熔化或者软化后的凸块63，转移后的器件60(或者转移后的电极62)电连接至布线衬底50A(或者焊盘电极53)。换言之，转移后的器件60(或者转移后的电极62)经由导电凸部(凸块63)电连接至布线衬底50A(或者焊盘电极53)。在回流过程之后，凸块63凝固，从而高精确度地将每个器件60固定在电路衬底50A上的预定位置中。

随后，去除(清洗)固定层203。在该过程中，使用作固定层203的助溶剂溶解并且消除残留物质便足够。可以使用适合于助溶剂的清洗剂。此时，允许在清洗助溶剂的同时去除粘附至布线衬底50A的安装表面的物质(诸如，灰尘)，诸如，通过激光烧蚀生成的残留物质。要注意，当助溶剂是非清洗型助溶剂时，可以省略去除固定层203的过程。

随后，形成覆盖至少凸块63的嵌入层54(见图26)。因此，形成布线衬底50。此时，在两个相邻的器件60之间形成相对于光接收表面60A不连续的不连续表面54A。随后，例如通过真空沉积方法形成膜，通过将光接收表面60A用作晶体生长表面来形成闪烁器层30(图26)。在形成闪烁器层30时，在与不连续表面54A相对的区域中形成在闪烁器层30的厚度方向上延伸的晶体界面31A。而且，形成多个闪烁器部分31，每个闪烁器部分31通过晶体界面31A分配给每个器件60(图26)。最后，在闪烁器层30上形成反射板40。由此，制成辐射检测器2。

(效果)

接下来，将对辐射检测器2的效果进行说明。在辐射检测器2中，每个器件60的光接收表面60A被不连续表面54A围绕，并且用作闪烁器层30的晶体生长表面。因此，光接收表面60A与闪烁器层直接接触30。因此，可以实现比例如在光接收表面60A与闪烁器层30之间提供仅用于允许闪烁器层30在其上生长的构件的情况下的光接收效率高的光接收效率。而且，光接收表面60A被不连续表面54A围绕。因此，当在光接收表面60A上形成闪烁器层30时，由于在光接收表面60A与不连续表面54A之间的不连续性，所以在与不连续表面54A相对的区域中形成在闪烁器层30的厚度方向上延伸的晶体界面31A。因此，在闪烁器层30中生成的光的部分被晶体界面31A反射并且进入光接收表面60A。因此，实现了高分辨率。因此，可以实现图像的更高图像质量。

(3、第一和第二实施例的修改例)

接下来，将对根据上述第一和第二实施例的辐射检测器1和2进行说明。

(修改例1)

如图3和图4所示，在上述第一实施例中，例如，绝缘层111的顶表面或者衬底121的顶表面用作每个器件20的光接收表面20A。然而，如图27和28所示，例如，当每个器件20包括与绝缘层111的或者光电转换装置120的顶表面接触的保护膜118时，保护膜118的顶表面用作光接收表面20A。如图18所示，在上述第二实施例中，例如，绝缘层111的顶表面用作每个器件60的光接收表面60A。然而，如图29所示，例如，当每个器件60包括与绝缘层111的顶表面接触的保护膜119时，保护膜119的顶表面用作光接收表面60A。保护膜118和119分别可以由，例如，由聚对二甲苯C制成的有机膜配置而成。

保护膜118可以针对每个器件20分开地形成，或者可以形成为由多个器件20共用。当保护膜118形成为由多个器件20共用时，例如，保护膜118可以由单个膜配置而成，该单个膜不仅形成在每个器件20的顶表面上，而且还形成在嵌入层15的顶表面上，如图30所示。在这种情况下，保护膜118的对应于在两个相邻的器件20之间的间隔的底表面的一部分用作相对于光接收表面20A不连续的不连续表面118A。

同理，保护膜119可以针对每个器件60分开地形成，或者可以形成为由多个器件60共用。当保护膜119形成为由多个器件60共用时，例如，保护膜119可以由单个膜配置而成，该单个膜不仅形成在每个器件60的顶表面上，而且还形成在嵌入层54的顶表面上，如图31所示。在这种情况下，保护膜119的对应于在两个相邻的器件60之间的间隔的底表面的一部分用作相对于光接收表面60A不连续的不连续表面119A。

在本修改例中，保护膜118或者119分别用作光接收表面20A或者60A。换言之，保护膜118和119用作闪烁器层30的晶体生长表面。而且，在这种情况下，可以实现比例如在光接收表面20A或者60A与闪烁器层30之间提供仅用于允许闪烁器层30在其上生长的构件的情况下的光接收效率高的光接收效率。因此，在本修改例中，可以实现图像的更高图像质量。

(修改例2)

在上述第一实施例中，按照一对一的关系对应于器件20提供多个光电转换区域122。然而，如图32A所示，例如，可以在公共衬底70中提供多个光电转换区域122。衬底70由半导体衬底和半导体层配置而成，该半导体层包括形成在半导体衬底上的多个光电转换区域122。在衬底70中，半导体衬底设置在更接近光接收表面20A的位置中。多个光电转换区域122彼此远离地设置在衬底70中。因此，在与光电转换区域122相对的位置中的多个光接收表面20A也彼此远离地设置在半导体衬底的顶表面中。衬底70(或者半导体衬底)包括在光接收表面20A周围的凹槽70A。凹槽70A的底表面配置成相对于光接收表面20A不连续的不连续表面70B。要注意，在本修改例中，例如，如图32B所示，辐射检测器1可以包括支撑衬底70的布线衬底90，而非电路衬底10，并且可以进一步包括在布线衬底90的外围边缘处(具体地，辐射应用区域外面)的电路衬底95。这允许电路衬底95更少地暴露于辐射，提高了辐射检测器1对辐射的容限。而且，在图32B中示出的辐射检测器1中，例如，如图32C所示，可以在衬底70而非布线衬底90中提供多个开关装置13S。在这种情况下，光电转换区域122和开关装置13S(即，包括光电转换区域122和开关装置13S的衬底70)可以优选地由晶体硅配置而成。在这种情况下，除了减小包括在由辐射检测器1获得的图像中的后像之外，还实现了对开关装置13S的切换速度的提高。

在上述第二实施例中，按照一对一的关系对应于器件60提供多个光电转换区域122和多个像素电路IC160。然而，如图33所示，例如，可以在公共衬底80中提供多个光电转换区域122和多个像素电路IC160。通过在半导体衬底上形成包括多个光电转换区域122半导体层，并且然后在待嵌入在衬底80中的半导体衬底上安装多个像素电路IC160，来形成衬底80。在衬底80中，半导体衬底设置在更接近光接收表面60A的位置中。多个光电转换区域122彼此远离地设置在衬底80中。因此，在与光电转换区域122相对的位置中的多个光接收表面60A也彼此远离地设置在半导体衬底的顶表面中。衬底80(或者半导体衬底)具有在光接收表面60A周围的凹槽80A。凹槽60A的底表面配置成相对于光接收表面60A不连续的不连续表面80B。

在本修改例中，通过诸如蚀刻等方法在衬底70或者80中提供凹槽70A或者80A，并且从而分别形成被不连续表面70B围绕的光接收表面20A或者60A。按照这样的方式，通过使用蚀刻技术而非上述转移技术，可以分别在光接收表面20A或者60A与不连续表面70B或者80B之间实现不连续性。由此，在与不连续表面70B或者80B相对的区域中形成在闪烁器层30的厚度方向上延伸的晶体界面31A。因此，在本修改例中，也可以实现图像的更高图像质量。

(修改例3)

在上述第一实施例中，按照一对一的关系对应于器件20提供多个光电转换区域122。然而，如图34所示，例如，可以在公共衬底73中提供多个光电转换区域122。衬底73由半导体衬底和半导体层配置而成，该半导体层包括形成在半导体衬底上的多个光电转换区域122。在衬底73中，半导体衬底设置在更接近光接收表面20A的位置中。多个光电转换区域122彼此远离地设置在衬底73中。因此，在与光电转换区域122相对的位置中的多个光接收表面20A也彼此远离地设置在半导体衬底的顶表面中。根据本修改例的辐射检测器1包括在衬底73(或者半导体衬底)的顶表面中的光接收表面20A周围的阻光层74。阻光层74包括具有不透光特性的材料。阻光层74的顶表面配置成相对于光接收表面20A不连续的不连续表面74A。

在上述第二实施例中，按照一对一的关系对应于器件60提供多个光电转换区域122和多个像素电路IC160。然而，如图35所示，例如，可以在公共衬底81中提供多个光电转换区域122和多个像素电路IC160。通过在半导体衬底上形成包括多个光电转换区域122的半导体层，并且然后在待嵌入在衬底81中的半导体层上安装多个像素电路IC160，来配置衬底81。在衬底81中，半导体衬底设置在更接近光接收表面60A的位置中。多个光电转换区域122彼此远离地设置在衬底81中。因此，在与光电转换区域122相对的位置中的多个光接收表面60A也彼此远离地设置在半导体衬底的顶表面上。衬底81(或者半导体衬底)包括在光接收表面60A周围的阻光层82。阻光层82包括具有不透光特性的材料。阻光层82的顶表面配置成相对于光接收表面60A不连续的不连续表面82A。

在本修改例中，闪烁器层30包括通过将不连续表面74A或者82A用作晶体生长表面而形成的闪烁器部分32。闪烁器部分32在与不连续表面74A或者82A相对的区域中具有在闪烁器层30的厚度方向上延伸的晶体界面。闪烁器部分32的晶体界面可以设置为，例如，与闪烁器部分31的闪烁器界面31A相对，在闪烁器部分32的晶体界面与闪烁器部分31的闪烁器界面31A之间具有预定间隔。要注意，闪烁器部分32的晶体界面可以形成为与闪烁器部分31的晶体界面31A接触。

在本修改例中，在衬底73或者81的顶表面上提供阻光层74或者82，并且从而形成被不连续表面74A或者82A围绕的光接收表面20A或者60A。按照这样的方式，通过使用膜形成技术而非上述转移技术，可以分别在光接收表面20A或者60A与不连续表面74A或者82A之间实现不连续性。由此，在与不连续表面74A或者82A相对的区域中形成在闪烁器层30的厚度方向上延伸的晶体界面31A。因此，在本修改例中，也可以实现图像的更高图像质量。

(4、第三实施例)

接下来，将对根据第三实施例的辐射检测器3进行说明。图36图示了辐射检测器3的横截面配置的示例。辐射检测器3由根据上述实施例及其修改例的在平面中设置成矩阵的多个辐射检测器1或者2配置而成。因此，如在上述实施例及其修改例中一样，在辐射检测器3中，也可以实现图像的更高图像质量。

(5、修改例)

在第一和第二实施例及其修改例中，在每个器件20或者60的顶表面上形成闪烁器层30。按照类似的方式，在第三实施例中，也在每个器件20或者60的顶表面上形成闪烁器层30。然而，如图37、38和39所示，例如，可以省略闪烁器层30。然而，在这种情况下，包括在每个器件20或者60中的光电转化器件120(或者光电转换区域122)使用直接转换方法，通过该直接转换方法，将辐射直接转换为电信号。在本修改例中，光电转换区域122可以由，例如，半导体晶体(诸如，碲化镉(CdTe))形成。

在本修改例中，省略闪烁器层30，并且光电转换装置120使用直接转换方法，通过该直接转换方法，将辐射直接转换为电信号。因此，可以实现比在光电转换装置120使用间接转换方法的情况下的分辨率高的分辨率。因此，可以实现图像的更高图像质量。

(6、第四实施例)

接下来，将对根据第四实施例的成像单元4进行说明。图14图示了成像单元4的示意配置的示例。成像单元4在像素部分中使用上述辐射检测器1至3中的任何一种。成像单元4可以适当地用作用于医疗应用或者用于其它非破坏性检查应用(诸如，行李检查)的成像单元。成像单元4可以包括，例如，在衬底410上的像素部分420和在像素部分420的外围区域中的驱动部分。驱动部分驱动像素部分420。驱动部分可以包括，例如，行扫描部分430、水平选择部分440、列扫描部分450以及系统控制部分460。

像素420用作在成像单元4中的成像区域。像素部分420由辐射检测器1、2和3配置而成。当像素部分420由辐射检测器1或者分别包括多个辐射检测器1的辐射检测器3配置而成时，一对光电转换装置120和像素电路13配置成单位像素P。当像素部分420由辐射检测器2或者分别包括多个辐射检测器2的辐射检测器3配置而成时，一对光电转换电路120和像素电路IC160配置成单位像素P。

在像素部分420中，多个单位像素P设置成矩阵。两个像素驱动线470(具体地，将在稍后进行描述的行选择线471和重置控制线472)连接至每个单位像素P。在像素部分420中，多个像素驱动线470在行方向上延伸，并且多个垂直信号线480在列方向上延伸。垂直信号线480发送用于从单位像素P读出信号的驱动信号。每条像素驱动线470连接至行扫描部分430的输出端子并且连接至像素部分420。每条垂直信号线480连接至水平选择部分440的输入端子并且连接至像素部分420。

行扫描部分430由诸如移位寄存器和地址解码器等组件配置而成。行扫描部分430是像素驱动部分，该像素驱动部分可以，例如，以行单位为基础来驱动在像素部分420中的各自的单位像素P。经由每条垂直信号线480将从由行扫描部分430选择性地扫描的像素行中的每个单位像素P输出的信号供应至水平选择部分440。水平选择部分440可以由，例如，诸如针对每条垂直信号线480提供的放大器和水平选择开关等组件配置而成。

列扫描部分450可以由，例如，诸如移位寄存器和地址解码器等组件配置而成。列扫描部分450在扫描在水平选择部分440中的各自的水平选择开关的同时顺序地驱动在水平选择部分440中的各自的水平选择开关。由于由列扫描部分450进行的选择性扫描，所以，将经由各自的垂直信号线480从各自的单位像素P发送来的信号顺序地输出至水平信号线490，并且经由水平信号线将输出的信号发送至衬底410外。

由行扫描部分430、水平选择部分440、列扫描部分450以及水平信号线490配置而成的电路部分可以直接形成在衬底410上，或者可以设置在外部控制IC中。可替代地，可以通过使用电缆，在连接至成像单元4的另一衬底上形成这种电路部分。

系统控制部分460可以接收，例如，从衬底410外供应的时钟、指示操作模式的数据等。系统控制部分460输出数据，诸如，成像单元4的内部信息。系统控制部分460包括生成各种定时信号的定时发生器。系统控制部分460基于由定时发生器生成的各种定时信号，来执行诸如行扫描部分430、水平选择部分440和列扫描部分450等外围电路的驱动控制。

(像素电路13或者像素电路部分161)

图41图示了像素电路13或者像素电路部分161的示意配置的示例。像素电路13或者像素电路部分161可以包括，例如，晶体管Tr1、Tr2和Tr3，以及电容式组件Cs。光电转换装置120连接在施加有参考电位Vxref的端子421与累积节点N之间。

晶体管Tr1是重置晶体管。晶体管Tr1连接在供应有参考电位Vref的端子422与累积节点N之间。晶体管Tr1的栅极连接至重置控制线472。响应于重置信号Vrst来导通晶体管Tr1，并且从而，晶体管Tr1将累积节点N的电位重置为参考电位Vref。晶体管Tr2是读出晶体管。晶体管Tr2的栅极连接至累积节点N，并且晶体管Tr2的端子423(漏极)连接至电源VDD。晶体管Tr2在其栅极处接收在光电转换装置120中生成的信号电荷，并且基于接收的信号电荷输出信号电压。晶体管Tr3是行选择晶体管。晶体管Tr3连接在晶体管Tr2的源极与垂直信号线480之间。晶体管Tr3的栅极连接至行选择线471。响应于行扫描信号Vread来导通晶体管Tr3，并且从而，晶体管Tr3将从晶体管Tr2供应的信号输出至垂直信号线480。晶体管Tr3可以连接在晶体管Tr2的漏极与电源VDD之间。累积节点N包括电容式组件Cs，并且将在光电转换装置120中生成的信号电荷累积在累积节点N中。

在本实施例中，在像素部分420中使用上述辐射检测器1至3中的任何一种。因此，可以实现具有更高图像质量的图像。

(7、第五实施例)

接下来，将对根据第五实施例的成像显示系统5进行说明。图42图示了成像显示系统5的示意配置的示例。成像显示系统5包括上述成像单元4，其中像素部分420配置为包括辐射检测器1至3中的任一种。成像显示系统5可以包括，例如，成像单元4、图像处理部分6和显示单元7。图像处理部分6对由成像单元4获得的成像信号Dout执行预定的图像处理。显示单元7基于由成像单元4获得的成像信号Dout执行图像显示。具体地，显示单元7基于在图像处理部分6中经过处理之后的成像信号(显示信号D1)来显示图像。

在本实施例中，成像单元4检测从照射源300朝着对象400照射的辐射中已经穿过对象400的成分。在图像处理部分6中，对通过成像单元4对这种成分的检测而获得的成像信号Dout进行预定处理。将已经经过预定处理的成像信号(显示信号D1)输出至显示单元7。因此，将基于显示信号D1的图像显示在显示单元7的监视屏上。

在本实施例中，按照这种方式，在成像单元4中使用上述辐射检测器1至3中的任何一种。因此，可以实现具有更高图像质量的图像。

(8、第六实施例)

接下来，对根据第六实施例的成像系统6进行描述。图43图示了成像系统6的示意配置的示例。成像系统6进一步包括在成像显示系统5中的形成单元8。该形成单元8配置为基于已经由图像处理部分6处理的成像信号(3DCAD(计算机辅助设计)信号D2)形成三维结构。形成单元8可以是，例如，3D打印机。图像处理部分6通过对成像信号Dout执行预定的图像处理来生成3DCAD信号D2。要注意，必要时，可以省略显示单元7。而且，形成单元8可以配置为被允许随后附接至成像系统6。

在本实施例中，在成像单元4中使用上述辐射检测器1至3的任何一种。因此，可以形成具有高精确度的三维结构。

在上文中，已经参照一些实施例及其修改例对本技术进行了描述。然而，本技术不限于上述实施例及其修改例，并且可以进行各种修改。要注意，在本说明书中描述的效果仅仅是示例。本技术的效果不限于在本说明书中描述的效果。本技术可以具有除了在本说明书中描述的效果之外的效果。

例如，在每个上述实施例及其修改例中，可以省略不连续表面15A、54A、70B、74A、80B、82A、94A、103A、118A或者119A，或者可以与光接收表面20A或者60A成平面关系。

而且，本技术可以具有，例如，以下配置。

(1)一种辐射探测器，其包括：

多个光电转换区域，每个光电转换区域配置为将入射在光接收表面上的光转换为电流信号；

不连续表面，其形成在光接收表面周围，该不连续表面相对于光接收表面是不连续的；以及

闪烁器层，其通过将光接收表面用作晶体生长表面而形成并且配置为将入射的辐射转换为光。

(2)根据(1)的辐射检测器，其中，闪烁器层包括在与不连续表面相对的区域中的晶体界面，并且包括多个闪烁器部分，晶体界面在闪烁器层的厚度方向上延伸，并且晶体界面将多个闪烁器部分彼此分开以允许按照一对一的关系对应于多个光电转换区域提供多个闪烁器部分。

(3)根据(2)的辐射检测器，其中，

多个闪烁器部分中的两个相邻闪烁器部分之间的间隔的宽度随着该宽度的位置更加远离不连续表面并且更接近闪烁层部分的上部而减小。

(4)根据(1)至(3)中任一项的辐射检测器，其中，

按照一对一的方式在多个芯片状器件中形成多个光电转换区域，并且在多个芯片状器件中的两个相邻器件之间的间隔的底表面配置成不连续表面。

(5)根据(4)的辐射检测器，其中，

每个器件包括光电转换装置和绝缘层，该光电转化器件包括光电转换区域，并且该绝缘层设置在光电转换装置上方并且支撑光电转换装置，并且

绝缘层的顶表面配置成光接收表面。

(6)根据(4)的辐射检测器，其中，

每个器件是包括光电转换区域的光电转换装置，并且

光电转换装置的顶表面配置成光接收表面。

(7)根据(4)的辐射检测器，其中，

每个器件包括光电转换装置、绝缘层和保护膜，该光电转换装置包括光电转换区域，该绝缘层设置在光电转换装置上方并且支撑光电转换装置，并且该保护膜与绝缘层的顶表面接触，并且

保护膜的顶表面配置成光接收表面。

(8)根据(4)的辐射检测器，其中，

每个器件包括光电转换装置和保护膜，该光电转换装置包括光电转换区域，并且该保护膜与光电转换装置的顶表面接触，并且

保护膜的顶表面配置成光接收表面。

(9)根据(1)至(8)中任一项的辐射检测器，其进一步包括形成在器件下方的阻光层。

(10)根据(4)的辐射检测器，其进一步包括：

开关装置，其包括在每个器件中并且串联连接至光电转换区域；

布线衬底，其包括在支撑衬底上的多个布线并且支撑每个器件，该多个布线电连接至各自的开关装置；以及

电路衬底，其包括多个转换电路，该多个转换电路连接至布线的各自的端部并且分别配置为将电流信号转换为电压信号，其中，

光电转换区域和开关装置分别由晶体硅制成。

(11)根据(4)的辐射检测器，其进一步包括：

布线衬底，其包括多个开关装置和在支撑衬底上的多个布线并且支撑每个器件，该多个开关装置串联连接至各自的光电转换区域，并且该多个布线连接至各自的开关装置；以及

电路衬底，其包括多个转换电路，该多个转换电路连接至布线的各自的端部并且分别配置为将电流信号转换为电压信号，其中，

光电转换区域分别由晶体硅制成。

(12)根据(2)或者(3)的辐射检测器，其进一步包括半导体衬底，该半导体衬底包括在其上形成的多个光电转换区域，其中，

半导体衬底包括在光接收表面周围的凹槽，以及

凹槽的底表面配置成不连续表面。

(13)根据(12)的辐射检测器，其进一步包括：

多个开关装置，其包括在半导体衬底中并且串联连接至各自的光电转换区域；

布线衬底，其包括在支撑衬底上的多个布线并且支撑每个器件，该多个布线电连接至各自的开关装置；以及

电路衬底，其包括多个转换电路，该多个转换电路连接至布线的各自的端部并且分别配置为将电流信号转换为电压信号，其中，

光电转换区域和开关装置分别由晶体硅制成。

(14)根据(12)的辐射检测器，其进一步包括：

布线衬底，其包括多个开关装置和在支撑衬底上的多个布线并且支撑半导体衬底，该多个开关装置串联连接至各自的光电转换区域，并且该多个布线连接至各自的开关装置；以及

电路衬底，其包括多个转换电路，该多个转换电路连接至布线的各自的端部并且分别配置为将电流信号转换为电压信号，其中，

光电转换区域分别由晶体硅制成。

(15)根据(2)或者(3)的辐射检测器，其进一步包括：

半导体衬底，其包括在其上形成的多个光电转换区域；以及

阻光部分，其形成在半导体衬底的顶表面的在光接收表面周围的区域中，其中，

阻光部分的顶表面配置成不连续表面。

(16)一种成像单元，其包括：

辐射探测器；以及

驱动部分，其配置为驱动辐射探测器，

该辐射探测器包括：

多个光电转换区域，每个光电转换区域配置为将入射在光接收表面上的光转换为电流信号；

不连续表面，其形成在光接收表面周围，该不连续表面相对于光接收表面是不连续的，

多个转换电路，其按照一对一的关系对应于多个光转换区域而提供并且分别配置为将电流信号转化为电压信号；以及

闪烁器层，其通过将光接收表面用作晶体生长表面而形成并且配置为将入射的辐射转换为光。

(17)根据(16)的辐射检测器，其中，闪烁器层包括在与不连续表面相对的区域中的晶体界面，并且包括多个闪烁器部分，该晶体界面在闪烁器层的厚度方向上延伸，并且晶体界面将多个闪烁器部分彼此分开以允许按照一对一的关系对应于多个光电转换区域提供多个闪烁器部分。

(18)一种成像显示系统，其包括：

成像单元；以及

显示单元，其配置为基于由成像单元获得的成像信号执行图像显示，

该成像单元包括：

辐射探测器；以及

驱动部分，其配置为驱动辐射探测器，

该辐射探测器包括：

多个光电转换区域，每个光电转换区域配置为将入射在光接收表面上的光转换为电流信号；

不连续表面，其形成在光接收表面周围，该不连续表面相对于光接收表面是不连续的，

多个转换电路，其按照一对一的关系对应于多个光转换区域而提供并且分别配置为将电流信号转化为电压信号；以及

闪烁器层，其通过将光接收表面用作晶体生长表面而形成并且配置为将入射的辐射转换为光。

(19)根据(18)的辐射检测器，其中，闪烁器层包括在与不连续表面相对的区域中的晶体界面，并且包括多个闪烁器部分，该晶体界面在闪烁器层的厚度方向上延伸，并且晶体界面将多个闪烁器部分彼此分开以允许按照一对一的关系对应于多个光电转换区域提供多个闪烁器部分。

(20)一种制造辐射检测器的方法，其包括：

将包括在器件衬底中的多个器件的部分或者所有转移至衬底，该多个器件固定到包括在器件衬底中的支撑衬底上，并且该多个器件分别配置为将入射在光接收表面上的辐射转换为电流信号；以及

通过将光接收表面用作晶体生长表面来形成闪烁器层，该闪烁器层配置为将入射的辐射转换为光。

(21)根据(20)的方法，其包括：

在将多个器件的部分或者所有转移至衬底时，在多个器件中的两个相邻器件之间形成不连续表面，该不连续表面相对于光接收表面是不连续的；以及

在形成闪烁器层时，在与不连续表面相对的区域中形成晶体界面，并且按照一对一的关系形成通过该晶体界面分配给器件的多个闪烁器部分，晶体界面在闪烁器层的厚度方向上延伸。

而且，本技术可以具有，例如，以下配置。

(22)一种辐射探测器，其包括：

多个光电转换区域，每个光电转换区域配置为将入射在光接收表面的光转换为电流信号，光电转换区域分布由晶体硅制成；以及

闪烁器层，其通过将光接收表面用作晶体生长表面而形成并且配置为将入射的辐射转换为光。

(23)根据(22)的辐射检测器，其进一步包括：

多个开关装置，其串联连接至各自的光电转换区域，

光电转换区域和开关装置按照一对一的关系分配给像素，

在每个像素中，开关装置连同光电转换区域形成在公共衬底上并且由晶体硅制成。

(24)根据(23)的辐射检测器，其进一步包括：

布线衬底，其包括在支撑衬底上连接至各自的开关装置的多个布线，并且支撑各自的光电转换区域和各自的开关装置，衬底介于各自的光电转换区域与各自的开关装置之间；以及

电路衬底，其包括多个转换电路，该多个转换电路连接至布线的各自的端部并且分别配置为将电流信号转换为电压信号。

(25)根据(24)的辐射检测器，其中，支撑衬底是玻璃衬底和树脂衬底中的一种。

(26)根据(23)至(25)中任一项的辐射检测器，其中，光电转换区域针对各自的像素按照一对一的关系形成在芯片状器件中，并且开关装置针对各自的像素按照一对一的关系形成在芯片状器件中。

(27)根据(23)至(25)中任一项的辐射检测器，其中，各自的光电转换区域和各自的开关装置形成在公共衬底上。

(28)根据(22)的辐射检测器，其进一步包括：

布线衬底，其包括多个开关装置和在支撑衬底上的多个布线并且支撑各自的光电转换区域，该开关装置串联连接至各自的光电转换区域，并且该多个布线连接至各自的开关装置。

(29)根据(28)的辐射检测器，其中，支撑衬底是玻璃衬底和树脂衬底中的一种。

(30)根据(28)或者(29)的辐射检测器，其中，光电转换区域按照一对一的关系形成在芯片状器件中。

(31)根据(28)或者(29)的辐射检测器，其中，各自的光电转换区域形成在公共衬底上。

(32)一种辐射探测器，其包括：

多个光电转换装置，每个光电转换装置至少部分地形成在嵌入层内，并且具有至少部分地位于嵌入层外面的光接收表面；以及

多个闪烁器晶体，该多个闪烁器晶体中的至少第一闪烁器晶体在近端处与至少一个光接收表面接触，其中，第一闪烁器晶体在近端处的横截面小于第一闪烁器晶体在远端处的横截面。

(33)根据(32)的辐射检测器，其中，第一闪烁器晶体配置为将入射的辐射转换为光。

(34)根据(32)的辐射检测器，其进一步包括在第一闪烁器晶体和与第一闪烁器晶体相邻的第二闪烁器晶体之间的空间。

(35)根据(34)的辐射检测器，其中，第一闪烁器晶体在第一闪烁器晶体的远端处与多个闪烁器晶体中的第二闪烁器晶体接触。

(36)根据(32)的辐射检测器，其中，第一闪烁器晶体的表面在近端与远端之间弯曲。

(37)根据(32)的辐射检测器，其进一步包括与第一闪烁器晶体在远端处接触的光反射表面。

(38)根据(32)的辐射检测器，其中，嵌入层包括阻光材料。

(39)根据(38)的辐射检测器，其中，嵌入层包括硅酮基树脂。

(40)根据(32)的辐射检测器，其中，多个光电转换装置中的至少第一光电转换装置包括绝缘层、半导体层以及耦合至半导体层的电极。

(41)根据(32)的辐射检测器，其进一步包括：

多个开关装置，其串联连接至多个光电转换装置；

布线衬底，其包括在支撑衬底上的多个布线，该多个布线电连接至多个开关装置中的各自的开关装置；以及

电路衬底，其包括多个转换电路，该多个转换电路连接至布线的端部并且配置为将电流信号转换为电压信号，

其中，多个光电转换装置和多个开关装置由晶体硅制成。

(42)根据(32)的辐射检测器，其进一步包括：

布线衬底，其包括多个开关装置和在支撑衬底上的多个布线，该多个开关装置串联连接至各自的光电转换装置，并且该多个布线连接至各自的开关装置；以及

电路衬底，其包括多个转换电路，该多个转换电路连接至布线的各自的端部并且配置为将电流信号转换为电压信号，

其中，光电转换装置由晶体硅制成。

(43)一种形成辐射检测器的方法，其包括：

在衬底上形成多个光电转换装置，该多个光电转换装置中的至少第一光电转换装置包括一个或者多个电极，其中，第一光电转换装置形成为使得该一个或者多个电极中的至少一个电极耦合至形成在衬底内的电路；

在衬底上形成嵌入层，使得第一光电转换装置的至少一部分嵌入在嵌入层内；以及

在第一光电转换层的表面上形成闪烁器层。

(44)根据(43)的方法，其中，嵌入层包括硅酮基树脂。

(45)根据(43)的方法，其中，闪烁器层经由真空沉积形成。

(46)一种成像单元，其包括：

辐射探测器；以及

驱动电路，其用于驱动辐射探测器，

辐射探测器包括：

多个像素，该多个像素中的至少第一像素包括：

光电转换装置，其至少部分地形成在嵌入层内并且具有至少部分地位于嵌入层外面的光接收表面；以及

第一闪烁器晶体，其在近端处与光接收表面接触，其中，第一闪烁器晶体在近端处的横截面小于第一闪烁器晶体在远端处的横截面。

(47)根据(46)的成像单元，其进一步包括在第一闪烁器晶体和在与第一像素相邻的第二像素中的第二闪烁器晶体之间的空气间隙。

(48)根据(47)的成像单元，其中，第一闪烁器晶体在第一闪烁器晶体的远端处接触第二闪烁器晶体。

(49)根据(46)的成像单元，其中，第一闪烁器晶体的表面在近端与远端之间弯曲。

(50)根据(46)的成像单元，其中，嵌入层包括阻光材料。

(51)一种成像显示系统，其包括：

成像单元；以及

显示单元，其配置为基于由成像单元获得的成像信号执行图像显示，

成像单元包括：

辐射探测器；以及

驱动电路，其配置为驱动辐射探测器，

辐射探测器包括：

多个像素，该多个像素中的至少第一像素包括：

光电转换装置，其至少部分地形成在嵌入层内并且具有至少部分地位于嵌入层外面的光接收表面；以及

第一闪烁器晶体，其在近端处与光接收表面接触，其中，第一闪烁器晶体在近端处的横截面小于第一闪烁器晶体在远端处的横截面。

本领域的技术人员应该理解，根据设计要求和其它因素，可以发生各种修改、组合、子组合和更改，如同这些修改、组合、子组合和更改在随附权利要求书或者其等效物的范围内。

[附图标记列表]

1、2、3辐射检测器

4成像单元

5成像显示系统

6成像系统

7显示单元

8形成单元

10、10A电路衬底11支撑衬底

12电路层

13像素电路

14焊盘电极

15嵌入层

15A不连续表面

20器件

20A光接收表面

21功能部分

22电极

23凸块

30闪烁器层

30S切平面

31、32闪烁器部分

31A晶体界面

40反射板

50、50A布线衬底

51支撑衬底

52布线层

53焊盘电极

54嵌入层

54A不连续表面

60器件

60A光接收表面

61功能部分

62电极

63凸块

70衬底

70A凹槽

70B不连续表面

73衬底

74阻光层

74A不连续表面

80衬底

80A凹槽

80B不连续表面

81衬底

82阻光层

82A不连续表面

90布线衬底

91支撑衬底

92布线层

93焊盘电极

94嵌入层

94A不连续表面

100器件衬底

101支撑衬底

102、103固定层

103A不连续表面

104空气间隔

111绝缘层

112、113绝缘层

114焊盘电极

115布线层

116、117连接部分

118、119保护膜

118A、119A不连续表面

120光电转换装置

121衬底

122光电转换区域

123电极

124凸块

151、152绝缘层

153焊盘电极

154布线层

155连接部分

160像素电路IC

161像素电路部分

162电极

163凸块

200器件衬底

201支撑衬底

202、203固定层

203A不连续表面

204空气间隔

300辐射源

400对象

410衬底

420像素部分

430行扫描部分

440水平选择部分

450列扫描部分

460系统控制部分

470像素驱动线

471行选择线

472重置控制线

480垂直信号线

490水平信号线

D1显示信号

D23DCAD信号

Dout成像信号

Tr1、Tr2、Tr3晶体管

Cs电容式组件

θ1、θ2角

Claims (20)

1.一种辐射检测器，其包括：

多个光电转换装置，每个光电转换装置至少部分地形成在嵌入层内并且具有至少部分地位于所述嵌入层外面的光接收表面；以及

多个闪烁器晶体，所述多个闪烁器晶体中的至少第一闪烁器晶体在近端处与至少一个光接收表面接触，其中，所述第一闪烁器晶体在所述近端处的横截面小于所述第一闪烁器晶体在远端处的横截面。

2.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中，所述第一闪烁器晶体配置为将入射的辐射转换为光。

3.根据权利要求1所述的辐射检测器，其进一步包括在所述第一闪烁器晶体和与所述第一闪烁器晶体相邻的第二闪烁器晶体之间的空间。

4.根据权利要求3所述的辐射检测器，其中，所述第一闪烁器晶体在所述第一闪烁器晶体的所述远端处与所述多个闪烁器晶体中的所述第二闪烁器晶体接触。

5.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中，所述第一闪烁器晶体的表面在所述近端与所述远端之间弯曲。

6.根据权利要求1所述的辐射检测器，其进一步包括在所述远端处与所述第一闪烁器晶体接触的光反射表面。

7.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中，所述嵌入层包括阻光材料。

8.根据权利要求7所述的辐射检测器，其中，所述嵌入层包括硅酮基树脂。

9.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中，所述多个光电转换装置中的至少第一光电转换装置包括绝缘层、半导体层和耦合至所述半导体层的电极。

10.根据权利要求1所述的辐射检测器，其进一步包括：

多个开关装置，其串联连接至所述多个光电转换装置；

布线衬底，其包括在支撑衬底上的多个布线，所述多个布线电连接至所述多个开关装置中的各自的开关装置；以及

电路衬底，其包括多个转换电路，所述多个转换电路连接至所述布线的端部并且配置为将电流信号转换为电压信号，

其中，所述多个光电转换装置和所述多个开关装置由晶体硅制成。

11.根据权利要求1所述的辐射检测器，其进一步包括：

布线衬底，其包括多个开关装置和在支撑衬底上的多个布线，所述多个开关装置串联连接至各自的光电转换装置，并且所述多个布线连接至各自的开关装置；以及

电路衬底，其包括多个转换电路，所述多个转换电路连接至所述布线的各自的端部并且配置为将电流信号转换为电压信号，

其中，所述光电转换装置由晶体硅制成。

12.一种形成辐射检测器的方法，其包括：

在衬底上形成多个光电转换装置，所述多个光电转换装置中的至少第一光电转换装置包括一个或者多个电极，其中，所述第一光电转换装置形成为使得所述一个或者多个电极中的至少一个电极耦合至在所述衬底内形成的电路；

在所述衬底上形成嵌入层，使得所述第一光电转换装置的至少一部分嵌入在所述嵌入层内；以及

在所述第一光电层的表面上形成闪烁器层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述嵌入层包括硅酮基树脂。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述闪烁器层经由真空沉积形成。

15.一种成像单元，其包括：

辐射检测器；以及

驱动电路，其配置为驱动所述辐射检测器，

所述辐射检测器包括：

多个像素，所述多个像素中的至少第一像素包括：

光电转换装置，其至少部分地形成在嵌入层内并且具有至少部分地位于所述嵌入层外面的光接收表面；以及

第一闪烁器晶体，其在近端处与所述光接收表面接触，其中，所述第一闪烁器晶体在所述近端处的横截面小于所述第一闪烁器晶体在远端处的横截面。

16.根据权利要求15所述的成像单元，其进一步包括在所述第一闪烁器晶体和与所述第一像素相邻的第二像素中的第二闪烁器晶体之间的空气间隙。

17.根据权利要求16所述的成像单元，其中，所述第一闪烁器晶体在所述第一闪烁器晶体的所述远端处接触所述第二闪烁器晶体。

18.根据权利要求15所述的成像单元，其中，所述第一闪烁器晶体的表面在所述近端和所述远端之间弯曲。

19.根据权利要求15所述的成像单元，其中，所述嵌入层包括阻光材料。

20.一种成像显示系统，其包括：

成像单元；以及

显示单元，其配置为基于由所述成像单元获得的成像信号执行图像显示，

所述成像单元包括：

辐射检测器；以及

驱动电路，其用于驱动所述辐射检测器，

所述辐射检测器包括：

多个像素，所述多个像素中的至少第一像素包括：

光电转换装置，其至少部分地形成在嵌入层内并且具有至少部分地位于所述嵌入层外面的光接收表面；以及

第一闪烁器晶体，其在近端处与所述光接收表面接触，其中，第一闪烁器晶体在所述近端处的横截面小于所述第一闪烁器晶体在远端处的横截面。