CN105102566B - 半导体装置的制造中使用的粘接片、切割带一体型粘接片、半导体装置、以及半导体装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种粘接片，其为半导体装置的制造中使用的粘接片，所述粘接片含有平均粒径为0.3μm以下的填料和丙烯酸类树脂，填料的含量相对于粘接片整体在20～45重量％的范围内，丙烯酸类树脂的含量相对于全部树脂成分在40～70重量％的范围内。

Description

半导体装置的制造中使用的粘接片、切割带一体型粘接片、半 导体装置、以及半导体装置的制造方法

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造中使用的粘接片、切割带一体型粘接片、半导体装置、以及半导体装置的制造方法。

背景技术

近年来更进一步要求半导体装置以及其封装体的薄型化、小型化。因此，作为半导体装置以及其封装体，广泛使用将半导体芯片等半导体元件通过倒装芯片焊接而安装(倒装芯片连接)到基板上而成的倒装芯片型的半导体装置。该倒装芯片连接以半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形态而被固定。这样的半导体装置等中，存在利用保护薄膜(倒装芯片型半导体背面用薄膜)保护半导体芯片的背面，防止半导体芯片的损伤等的情况(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-228496号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，由于近年的半导体芯片的薄型化，存在该半导体芯片发生翘曲的情况，要求对其进行抑制。

此外，倒装芯片型半导体背面用薄膜在外侧表现出，因此存在施加标记来赋予各种信息的情况。因此，要求标记的对比度高。此外，不限于倒装芯片型半导体背面用薄膜，在半导体装置的制造所使用的粘接片中，存在施加标记的情况。

本发明是鉴于前述问题而做出的发明，其目的在于，提供可以抑制半导体芯片发生翘曲、且标记时的标记对比度高的粘接片、切割带一体型粘接片、以及使用该切割带一体型粘接片而制造的半导体装置。

用于解决问题的方案

本申请发明人等为了解决上述现有问题而进行了研究，结果发现通过在粘接片中含有规定量的规定平均粒径以下的填料、且使丙烯酸类树脂的含量最适化，从而可以抑制半导体芯片发生翘曲、且可以提高标记时的标记对比度，由此完成了本发明。

即，本发明的粘接片的特征在于，其为在半导体装置的制造中使用的粘接片，

所述粘接片含有平均粒径为0.3μm以下的填料和丙烯酸类树脂，

前述填料的含量相对于粘接片整体在20～45重量％的范围内，

前述丙烯酸类树脂的含量相对于全部树脂成分在40～70重量％的范围内。

根据前述方案，相对于粘接片整体在20～45重量％的范围内含有平均粒径为0.3μm以下的填料。因此，通过标记加工使填料表面露出时，露出部的表面凹凸变得细小。因此，标记的读取时的、斜光照明的反射光量增大，标记加工部的亮度增加。其结果，可以增高标记时的标记对比度。

此外，相对于全部树脂成分含有40重量％以上的丙烯酸类树脂，因此可以抑制半导体芯片的翘曲。此外，丙烯酸类树脂的含量相对于全部树脂成分为70重量％以下，因此可以抑制粘性。其结果，可以抑制半导体芯片安装时向吸附筒夹(collet)等的固着。

使用平均粒径为0.3μm以下那样的填料(以下，也称为纳米填料)时，与平均粒径大于0.3μm的填料相比填料的表面积大，因此存在与树脂的接触面积、填料彼此的接触面积增加，弹性模量变高的倾向。因此，使用含有纳米填料的粘接片而制造的半导体装置容易发生较大的翘曲。然而，本发明中，通过将丙烯酸类树脂的含量设置于上述范围内，从而控制了弹性模量、抑制了翘曲。

如此，本发明中，相对于粘接片整体在20～45重量％的范围内含有平均粒径为0.3μm以下的填料，从而提高标记时的标记对比度，并且通过相对于全部树脂成分在40～70重量％的范围内含有丙烯酸类树脂，从而可以抑制使用纳米填料时会发生的翘曲。

需要说明的是，在本说明书中，“全部树脂成分”是指除填料以外的树脂成分整体(包含染料的情况下为除填料以及染料以外的树脂成分整体)。

在前述方案中，前述粘接片优选为用于形成在半导体元件的背面的倒装芯片型半导体背面用薄膜，所述半导体元件倒装芯片连接于被粘物上。对于倒装芯片型半导体背面用薄膜，由于形成在半导体元件的背面，因此可以进一步抑制半导体芯片发生翘曲。此外，倒装芯片型半导体背面用薄膜在外侧表现出，因此常常实施标记来赋予各种信息。因此，将前述粘接片用作要求标记的可视性的倒装芯片型半导体背面用薄膜时，有用性更优异。

在前述方案中，前述填料的最大粒径优选为0.5μm以下。前述填料的最大粒径为0.5μm以下时，通过标记加工而露出填料表面时的露出部的表面凹凸更细小。因此，可以进一步提高标记时的标记对比度。

在前述方案中，前述填料优选为二氧化硅系填料。前述填料为二氧化硅系填料时，在向溶剂的分散性良好、且分散后不易沉淀的方面优异。

在前述方案中，前述粘接片在未固化状态的23℃下的拉伸储能模量优选为1.0～3.0GPa。未固化状态的23℃下的拉伸储能模量为1.0～3.0GPa时，可以抑制半导体芯片的翘曲。此外，可以抑制粘性，因此可以抑制半导体芯片安装时向吸附筒夹等的固着。

此外，本发明的切割带一体型粘接片用于解决前述课题，其特征在于，其为在切割带上层叠有前述记载的粘接片的切割带一体型粘接片，前述切割带为在基材上层叠有粘合剂层的结构，前述粘接片层叠于前述粘合剂层上。

此外，本发明的半导体装置用于解决前述课题，其特征在于，其是使用前述记载的切割带一体型粘接片而制造的。

此外，本发明的半导体装置的制造方法用于解决前述课题。

本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，其为使用了前述记载的切割带一体型粘接片的半导体装置的制造方法，该方法具备以下工序：

在所述切割带一体型粘接片中的粘接片上贴附半导体晶圆的工序；

切割前述半导体晶圆而形成半导体元件的工序；

将所述半导体元件与所述切割带一体型粘接片一起从切割带的粘合剂层剥离的工序；和

将所述半导体元件倒装芯片连接到被粘物上的工序。

附图说明

图1为示出本发明的一实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜的一个例子的截面示意图。

图2为示出使用了本发明的一实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜的半导体装置的制造方法的一个例子的截面示意图。

具体实施方式

对于本发明的一实施方式，边参照图1边进行说明，但本发明不限于该例子。需要说明的是，在以下，对于本发明的粘接片为倒装芯片型半导体背面用薄膜的情况进行说明，但本发明的粘接片并不限于倒装芯片型半导体背面用薄膜，例如，可以为用于通过层压等从安装有芯片的基板的芯片侧贴合而封装该芯片的封装薄膜。

图1为示出本发明的一实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜的一个例子的截面示意图。需要说明的是，在本说明书中，图中、说明中省略不需要的部分，此外，为了使说明容易，有扩大或缩小等地图示的部分。

(切割带一体型半导体背面用薄膜)

如图1所示，切割带一体型半导体背面用薄膜1具备：在基材31上设置有粘合剂层32的切割带3、和设置于前述粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用薄膜(以下，有时称为“半导体背面用薄膜”)2。需要说明的是，切割带一体型半导体背面用薄膜1相当于本发明的切割带一体型粘接片的一实施方式。此外，对于本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜，如图1所示，可以为在切割带3的粘合剂层32上，仅在对应于半导体晶圆的贴附部分的部分33上形成有半导体背面用薄膜2的结构，也可以为在粘合剂层32的整面形成有半导体背面用薄膜的结构，此外，也可以为在比对应于半导体晶圆的贴附部分的部分33大且比粘合剂层32的整面小的部分形成有半导体背面用薄膜的结构。需要说明的是，半导体背面用薄膜2的表面(贴附于晶圆的背面侧的表面)在贴附到晶圆背面期间也可以利用隔离膜等来保护。

(倒装芯片型半导体背面用薄膜)

半导体背面用薄膜2具有薄膜状的形态。对于半导体背面用薄膜2，通常在作为产品的切割带一体型半导体背面用薄膜的形态下为未固化状态(包括半固化状态)，在使切割带一体型半导体背面用薄膜贴附到半导体晶圆之后使其热固化(对于详情在后面叙述)。

半导体背面用薄膜2含有平均粒径为0.3μm以下的填料和作为热塑性树脂的丙烯酸类树脂。此外，前述半导体背面用薄膜还优选包含热固化性树脂。

如上所述，半导体背面用薄膜2中含有平均粒径为0.3μm以下的填料。前述填料的平均粒径优选为0.2μm以下、优选为0.1μm以下。此外，前述填料的平均粒径例如可以设为0.01μm以上、0.02μm以上、0.03μm以上。

此外，对于前述填料的含量，相对于半导体背面用薄膜2整体在20～45重量％的范围内含有。前述填料的含量更优选在25～40重量％的范围内。需要说明的是，半导体背面用薄膜整体是指包含树脂成分以及填料的半导体背面用薄膜整体，包含染料的情况下，是指包含树脂成分、填料、以及染料的半导体背面用薄膜整体。

相对于半导体背面用薄膜2整体在20～45重量％的范围内含有平均粒径为0.3μm以下的填料，因此通过标记加工使填料表面在半导体背面用薄膜2的表面露出时，露出部的表面凹凸变细小。因此，标记的读取时的、斜光照明的反射光量增大，标记加工部的亮度增加。其结果，可以增高标记时的标记对比度。

此外，前述填料的最大粒径优选为0.5μm以下、更优选为0.3μm以下。前述填料的最大粒径为0.5μm以下时，通过标记加工而露出填料表面时的露出部的表面凹凸更细小。因此，可以进一步提高标记时的标记对比度。

前述填料的平均粒径以及最大粒径是利用激光衍射型粒度分布测定装置而测定的值。

上述无机填料的形状没有特别限定，可以为球状、椭圆球状、平板状、棒状、柱状、层状、链状、鳞片状、环状、不定形状等任意的形状。需要说明的是，无论为何种形状，平均粒径以及最大粒径都基于将作为对象的无机填料假定为球状时该球的直径而求出。

作为前述填料，可以为无机系填料、有机系填料的任意者，适宜为无机系填料。通过无机系填料等填充剂的配混，可以实现对半导体背面用薄膜赋予导电性、提高导热性、调节弹性模量等。需要说明的是，作为半导体背面用薄膜2可以为导电性、也可以为非导电性。作为前述无机系填料，例如，可以列举出二氧化硅、粘土、石膏、碳酸钙、硫酸钡、氧化铝、氧化铍、碳化硅、氮化硅等陶瓷类；铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯、软钎料等金属、或合金类；以及由碳等形成的各种无机粉末等。填料可以单独或组合使用2种以上来使用。作为填料，尤其在向溶剂的分散性良好、且分散后不易沉淀的方面优选二氧化硅系填料。

如上所述，半导体背面用薄膜2中含有丙烯酸类树脂。前述丙烯酸类树脂的含量相对于全部树脂成分在40～70重量％的范围内，优选为45～65重量％。相对于全部树脂成分在40～70重量％的范围内含有丙烯酸类树脂，因此可以抑制半导体芯片的翘曲。

使用平均粒径为0.3μm以下那样的填料(纳米填料)时，与平均粒径大于0.3μm的填料相比，填料的表面积大，因此存在与树脂的接触面积、填料彼此的接触面积增加，弹性模量变高的倾向。因此，使用含有纳米填料的半导体背面用薄膜而制造的半导体装置容易发生较大的翘曲。然而，本实施方式的半导体背面用薄膜2中，通过将丙烯酸类树脂的含量设置于上述范围内，控制了弹性模量，抑制了翘曲。

如此，本实施方式的半导体背面用薄膜2中，通过相对于半导体背面用薄膜2整体在20～45重量％的范围内含有平均粒径为0.3μm以下的填料，从而可以提高标记时的标记对比度，并且通过相对于全部树脂成分在40～70重量％的范围内含有丙烯酸类树脂，从而可以抑制使用纳米填料时会产生的翘曲。

作为前述丙烯酸类树脂，没有特别限定，可以列举出以1种或2种以上具有碳数30以下(优选碳数4～18、更优选碳数6～10、特别优选碳数8或9)的直链或支链的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯为成分的聚合物等。即，本发明中，丙烯酸类树脂是指还包括甲基丙烯酸类树脂的广义的意义。作为前述烷基，例如，可以列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基等。

此外，作为用于形成前述丙烯酸类树脂的其它的单体(除烷基的碳数为30以下的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的单体)，没有特别限定，例如，可以列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等那样的含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等那样的酸酐单体；(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟已酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟月桂酯或丙烯酸-4-羟甲基环己基甲酯等那样的含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺酸丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等那样的含磺酸基单体、或2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等那样的含磷酸基单体等。需要说明的是，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸，本发明的(甲基)全部为同样的意义。

此外，作为前述热固化性树脂，可以列举出环氧树脂、酚醛树脂、以及氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、热固化性聚酰亚胺树脂等。热固化性树脂可以单独或组合使用2种以上来使用。作为热固化性树脂，尤其是较少含有会腐蚀半导体元件的离子性杂质等的环氧树脂是适宜的。此外，作为环氧树脂的固化剂，可以适宜使用酚醛树脂。

作为环氧树脂，没有特别限定，例如，可以使用双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、三羟苯基甲烷型环氧树脂、四羟苯基乙烷型环氧树脂等双官能环氧树脂、多官能环氧树脂、或乙内酰脲型环氧树脂、异氰脲酸三缩水甘油酯型环氧树脂或缩水甘油胺型环氧树脂等环氧树脂。

作为环氧树脂，前述例示之中，特别优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟苯基甲烷型环氧树脂、四羟苯基乙烷型环氧树脂。这是因为，这些环氧树脂富有与作为固化剂的酚醛树脂的反应性，耐热性等优异。

进而，前述酚醛树脂作为前述环氧树脂的固化剂起作用，例如，可以列举出苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂、聚对羟基苯乙烯(polyparaoxystyrene)等聚羟基苯乙烯(polyoxy styrene)等。酚醛树脂可以单独或组合使用2种以上来使用。这些酚醛树脂之中，特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。这是因为能够提高半导体装置的连接可靠性。

对于环氧树脂与酚醛树脂的配混比例，例如以相对于前述环氧树脂成分中的环氧基1当量，酚醛树脂中的羟基为0.5当量～2.0当量的方式进行配混是适宜的。更适宜的是0.8当量～1.2当量。即这是因为，两者的配混比例偏离前述范围时，无法进行充分的固化反应，环氧树脂固化物的特性容易劣化。

本发明中，可以使用环氧树脂与酚醛树脂的热固化促进催化剂。作为热固化促进催化剂，没有特别限制，可以从公知的热固化促进催化剂之中适当选择来使用。热固化促进催化剂可以单独使用或组合使用2种以上。作为热固化促进催化剂，例如，可以使用胺系固化促进剂、磷系固化促进剂、咪唑系固化促进剂、硼系固化促进剂、磷-硼系固化促进剂等。

作为前述胺系固化促进剂，没有特别限定，例如，可以列举出单乙醇胺三氟硼酸盐(Stella Chemifa Corporation.制造)、双氰胺(NACALAI TESQUE,INC.制造)等。

作为前述磷系固化促进剂，没有特别限定，例如，可以列举出三苯基膦、三丁基膦、三(对甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦等三有机基膦、四苯基溴化鏻(商品名；TPP-PB)、甲基三苯基溴化鏻(商品名；TPP-MB)、甲基三苯基氯化鏻(商品名；TPP-MC)、甲氧基甲基三苯基氯化鏻(商品名；TPP-MOC)、苄基三苯基氯化鏻(商品名；TPP-ZC)等(均为北兴化学株式会社制造)。此外，作为前述三苯基膦系化合物，优选对于环氧树脂实质上显示出非溶解性的物质。对于环氧树脂为非溶解性时，可以抑制热固化过度地进行。作为具有三苯基膦结构、并且对于环氧树脂实质上显示出非溶解性的热固化催化剂，例如，可以例示出甲基三苯基溴化鏻(商品名；TPP-MB)等。需要说明的是，前述“非溶解性”意味着包含三苯基膦系化合物的热固化催化剂对于包含环氧树脂的溶剂为不溶性，更详细而言，意味着在温度10～40℃的范围内不会溶解10重量％以上。

作为前述咪唑系固化促进剂，可以列举出2-甲基咪唑(商品名；2MZ)、2-十一烷基咪唑(商品名；C11-Z)、2-十七烷基咪唑(商品名；C17Z)、1,2-二甲基咪唑(商品名；1.2DMZ)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名；2E4MZ)、2-苯基咪唑(商品名；2PZ)、2-苯基-4-甲基咪唑(商品名；2P4MZ)、1-苄基-2-甲基咪唑(商品名；1B2MZ)、1-苄基-2-苯基咪唑(商品名；1B2PZ)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名；2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑(商品名；C11Z-CN)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸盐(商品名；2PZCNS-PW)、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪(商品名；2MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪(商品名；C11Z-A)、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪(商品名；2E4MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪异氰脲酸加成物(商品名；2MA-OK)、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑(商品名；2PHZ-PW)、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑(商品名；2P4MHZ-PW)等(均为四国化成工业株式会社制造)。

作为前述硼系固化促进剂，没有特别限定，例如，可以列举出三氯硼烷等。

作为前述磷-硼系固化促进剂，没有特别限定，例如，可以列举出四苯基鏻四苯基硼酸盐(商品名；TPP-K)、四苯基鏻四对甲苯基硼酸盐(商品名；TPP-MK)、苄基三苯基鏻四苯基硼酸盐(商品名；TPP-ZK)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名；TPP-S)等(均为北兴化学株式会社制造)。

前述热固化促进催化剂的比例相对于热固化性树脂总量可以设为0.01重量％以上且20重量％以下。热固化促进催化剂的前述比例为0.01重量％以上时，倒装芯片连接于被粘物上的半导体元件即便为薄型(例如，厚度为300μm以下、进而为200μm以下)，也可以有效地抑制或防止其的翘曲。此外，将热固化促进催化剂的前述比例设为20重量％以下，从而不会使倒装芯片型半导体背面用薄膜的收缩量过大，可以控制为适度的大小。作为热固化促进催化剂的前述比例的下限值，优选为0.03重量％以上(更优选为0.05重量％以上)。此外，作为上限值，优选为18重量％以下(更优选为15重量％以下)。

作为前述半导体背面用薄膜，由包含环氧树脂以及酚醛树脂的树脂组合物、包含环氧树脂、酚醛树脂以及丙烯酸类树脂的树脂组合物而形成是适宜的。这些树脂的离子性杂质少、耐热性高，因此可以确保半导体元件的可靠性。

半导体背面用薄膜2对于半导体晶圆的背面(未形成电路的面)具有粘接性(密合性)是重要的。半导体背面用薄膜2例如可以由包含作为热固化性树脂的环氧树脂的树脂组合物形成。为了预先使半导体背面用薄膜2以一定程度交联，优选在制作时添加作为交联剂的与聚合物的分子链末端官能团等反应的多官能性化合物。由此，可以提高高温下的粘接特性，实现耐热性的改善。

半导体背面用薄膜对于半导体晶圆的粘接力(23℃、剥离角度180度、剥离速度300mm/分钟)优选为0.5N/20mm～15N/20mm的范围，更优选为0.7N/20mm～10N/20mm的范围。通过设为0.5N/20mm以上，从而可以以优异的密合性贴附于半导体晶圆、半导体元件，防止浮起等的产生。此外，也可以防止在半导体晶圆的切割时发生芯片飞散。另一方面，通过设为15N/20mm以下，从而可以容易地从切割带剥离。需要说明的是，半导体背面用薄膜对于半导体晶圆的前述粘接力例如为如下所述而测定的值。即，在半导体背面用薄膜的一个面贴附粘合带(商品名“BT315”日东电工株式会社制造)而进行背面增强。然后，在50℃下以2kg的辊进行一次往返、通过热层压法将厚度0.6mm的半导体晶圆贴合于进行了背面增强的长度150mm、宽度10mm的半导体背面用薄膜的表面。然后，在热板上(50℃)静置2分钟之后，在常温(23℃左右)下静置20分钟。静置后，使用剥离试验机(商品名“Autograph AGS-J”株式会社岛津制作所制造)，在温度23℃下，在剥离角度：180°、拉伸速度：300mm/min的条件下剥离进行了背面增强的半导体背面用薄膜。前述粘接力为在此时的半导体背面用薄膜与半导体晶圆的界面进行剥离而测定的值(N/10mm宽度)。

作为前述交联剂，没有特别限制，可以使用公知的交联剂。具体而言，例如，可以列举出异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、以及尿素系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮丙啶系交联剂、胺系交联剂等。作为交联剂，异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂是适宜的。此外，前述交联剂可以单独或组合使用2种以上。

作为前述异氰酸酯系交联剂，例如，可以列举出1,2-亚乙基二异氰酸酯、1,4-亚丁基二异氰酸酯、1,6-六亚甲基二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类；环亚戊基二异氰酸酯、环亚己基二异氰酸酯、异氟尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯、氢化二甲苯二异氰酸酯等脂环族多异氰酸酯类；2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯等芳香族多异氰酸酯类等，此外，也可以使用三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯3聚体加成物[Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.制造、商品名“Coronate L”]、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯3聚体加成物[NipponPolyurethane Industry Co.,Ltd.制造、商品名“Coronate HL”]等。此外，作为前述环氧系交联剂，例如，可以列举出N,N,N’,N’-四缩水甘油基间二甲苯二胺、二缩水甘油基苯胺、1,3-双(N,N-缩水甘油基氨基甲基)环己烷、1,6-己二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、山梨糖醇聚缩水甘油醚、甘油聚缩水甘油醚、季戊四醇聚缩水甘油醚、聚甘油聚缩水甘油醚、失水山梨糖醇聚缩水甘油醚、三羟甲基丙烷聚缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三缩水甘油基-三(2-羟基乙基)异氰脲酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚、双酚-S-二缩水甘油醚、以及在分子内具有2个以上环氧基的环氧系树脂等。

需要说明的是，交联剂的用量没有特别限制，可以根据要进行交联的程度适当选择。具体而言，作为交联剂的用量，例如，相对于100重量份聚合物成分(尤其是具有分子链末端的官能团的聚合物)通常优选为7重量份以下(例如，0.05重量份～7重量份)。交联剂的用量相对于100重量份聚合物成分多于7重量份时，粘接力降低，因此不优选。需要说明的是，从内聚力提高的观点出发，交联剂的用量相对于100重量份聚合物成分优选为0.05重量份以上。

需要说明的是，本发明中，代替使用交联剂、或者在使用交联剂的同时，可以利用电子束、紫外线等的照射来实施交联处理。

前述半导体背面用薄膜优选进行了着色。由此，可以发挥优异的标记性以及外观性、可以形成具有附加值的外观的半导体装置。如此，由于着色了的半导体背面用薄膜具有优异的标记性，因此，可以在半导体元件或使用了该半导体元件的半导体装置的非电路面侧的面上，介由半导体背面用薄膜，利用印刷方法、激光标记方法等各种标记方法而实施标记来赋予文字信息、图形信息等各种信息。尤其，通过控制着色的颜色，从而可以以优异的可视性看到利用标记而赋予的信息(文字信息、图形信息等)。此外，半导体背面用薄膜进行了着色，因此可以容易地区分切割带与半导体背面用薄膜，可以提高操作性等。进而，例如作为半导体装置，可以利用颜色区分不同产品。使半导体背面用薄膜有颜色时(非无色/透明的情况)，对通过着色而呈现的颜色没有特别限制，例如，优选为黑色、蓝色、红色等深色，尤其为黑色是适宜的。

在本实施方式中，深色基本上是指用L*a*b*色度体系规定的L*为60以下(0～60)[优选为50以下(0～50)、进一步优选为40以下(0～40)]的深色。

此外，黑色基本上是指用L*a*b*色度体系规定的L*为35以下(0～35)[优选为30以下(0～30)、进一步优选为25以下(0～25)]的黑色系颜色。需要说明的是，在黑色中，用L*a*b*色度体系规定的a*、b*分别可以根据L*的值而适当选择。作为a*、b*，例如，两者均优选为-10～10、更优选为-5～5，特别是在-3～3的范围(尤其为0或大致为0)是适宜的。

需要说明的是，在本实施方式中，用L*a*b*色度体系规定的L*、a*、b*通过使用色彩色差计(商品名“CR-200”Minolta公司制造；色彩色差计)来测定而求出。需要说明的是，L*a*b*色度体系为国际照明委员会(CIE)在1976年推荐的色度空间，是指被称为CIE1976(L*a*b*)色度体系的色度空间。此外，L*a*b*色度体系在日本工业标准中被规定在ISZ8729中。

在将半导体背面用薄膜着色时，可以根据目标颜色使用着色材料(着色剂)。作为这样的着色材料，可以适宜使用黑色系着色材料、蓝色系着色材料、红色系着色材料等各种深色系着色材料，尤其适宜黑色系着色材料。作为着色材料，可以是颜料、染料等中任意种。着色材料可以单独或组合使用2种以上。需要说明的是，作为染料，可以使用酸性染料、反应染料、直接染料、分散染料、阳离子染料等任意形态的染料。此外，对颜料的形态也没有特别限制，可以从公知的颜料中适当选择使用。

尤其，作为着色材料使用染料时，形成染料通过溶解而均匀或大致均匀地分散在半导体背面用薄膜中的状态，因此可以容易地制造着色浓度均匀或大致均匀的半导体背面用薄膜(进而容易地制造切割带一体型半导体背面用薄膜)。因此，作为着色材料使用染料时，对于切割带一体型半导体背面用薄膜中的半导体背面用薄膜，可以使着色浓度均匀或大致均匀，可以提高标记性、外观性。

作为黑色系着色材料没有特别限制，例如，可以从无机的黑色系颜料、黑色系染料中适当选择。此外，作为黑色系着色材料，可以是青色系着色材料(蓝绿色系着色材料)、品红系着色材料(红紫色系着色材料)以及黄色系着色材料(黄色系着色材料)混合而成的着色材料混合物。黑色系着色材料可以单独或组合使用2种以上。自然，黑色系着色材料还可以与除黑色以外的颜色的着色材料组合使用。

具体而言，作为黑色系着色材料，例如，可以列举出炭黑(炉黑、槽黑、乙炔黑、热裂炭黑、灯黑等)、石墨(graphite)、氧化铜、二氧化锰、偶氮系颜料(偶氮甲碱偶氮黑等)、苯胺黑、苝黑、钛黑、花青黑(cyanine black)、活性炭、铁素体(非磁性铁素体、磁性铁素体等)、磁铁矿、氧化铬、氧化铁、二硫化钼、铬络合物、复合氧化物系黑色色素、蒽醌系有机黑色色素等。

本发明中，作为黑色系着色材料，也可以利用C.I.溶剂黑3、C.I.溶剂黑7、C.I.溶剂黑22、C.I.溶剂黑27、C.I.溶剂黑29、C.I.溶剂黑34、C.I.溶剂黑43、C.I.溶剂黑70、C.I.直接黑17、C.I.直接黑19、C.I.直接黑22、C.I.直接黑32、C.I.直接黑38、C.I.直接黑51、C.I.直接黑71、C.I.酸性黑1、C.I.酸性黑2、C.I.酸性黑24、C.I.酸性黑26、C.I.酸性黑31、C.I.酸性黑48、C.I.酸性黑52、C.I.酸性黑107、C.I.酸性黑109、C.I.酸性黑110、C.I.酸性黑119、C.I.酸性黑154、C.I.分散黑1、C.I.分散黑3、C.I.分散黑10、C.I.分散黑24等黑色系染料；C.I.颜料黑1、C.I.颜料黑7等黑色系颜料等。

作为这样的黑色系着色材料，例如，市售有商品名“Oil Black BY”、商品名“OilBlack BS”、商品名“OilBlackHBB”、商品名“Oil Black803”、商品名“Oil Black860”、商品名“Oil Black5970”、商品名“Oil Black5906”、商品名“OilBlack5905”(OrientChemical Industries Co.,Ltd.制造)等。

作为黑色系着色材料以外的着色材料，例如，可以列举出青色系着色材料、品红系着色材料、黄色系着色材料等。作为青色系着色材料，例如，可以列举出C.I.溶剂蓝25、C.I.溶剂蓝36、C.I.溶剂蓝60、C.I.溶剂蓝70、C.I.溶剂蓝93、C.I.溶剂蓝95；C.I.酸性蓝6、C.I.溶剂蓝45等青色系染料；C.I.颜料蓝1、C.I.颜料蓝2、C.I.颜料蓝3、C.I.颜料蓝15、C.I.颜料蓝15：1、C.I.颜料蓝15：2、C.I.颜料蓝15：3、C.I.颜料蓝15：4、C.I.颜料蓝15：5、C.I.颜料蓝15：6、C.I.颜料蓝16、C.I.颜料蓝17、C.I.颜料蓝17：1、C.I.颜料蓝18、C.I.颜料蓝22、C.I.颜料蓝25、C.I.颜料蓝56、C.I.颜料蓝60、C.I.颜料蓝63、C.I.颜料蓝65、C.I.颜料蓝66；C.I.还原蓝4；C.I.还原蓝60、C.I.颜料绿7等青色系颜料等。

此外，在品红系着色材料中，作为品红系染料，例如，可以列举出C.I.溶剂红1、C.I.溶剂红3、C.I.溶剂红8、C.I.溶剂红23、C.I.溶剂红24、C.I.溶剂红25、C.I.溶剂红27、C.I.溶剂红30、C.I.溶剂红49、C.I.溶剂红52、C.I.溶剂红58、C.I.溶剂红63、C.I.溶剂红81、C.I.溶剂红82、C.I.溶剂红83、C.I.溶剂红84、C.I.溶剂红100、C.I.溶剂红109、C.I.溶剂红111、C.I.溶剂红121、C.I.溶剂红122；C.I.分散红9；C.I.溶剂紫8、C.I.溶剂紫13、C.I.溶剂紫14、C.I.溶剂紫21、C.I.溶剂紫27；C.I.分散紫1；C.I.碱性红1、C.I.碱性红2、C.I.碱性红9、C.I.碱性红12、C.I.碱性红13、C.I.碱性红14、C.I.碱性红15、C.I.碱性红17、C.I.碱性红18、C.I.碱性红22、C.I.碱性红23、C.I.碱性红24、C.I.碱性红27、C.I.碱性红29、C.I.碱性红32、C.I.碱性红34、C.I.碱性红35、C.I.碱性红36、C.I.碱性红37、C.I.碱性红38、C.I.碱性红39、C.I.碱性红40；C.I.碱性紫1、C.I.碱性紫3、C.I.碱性紫7、C.I.碱性紫10、C.I.碱性紫14、C.I.碱性紫15、C.I.碱性紫21、C.I.碱性紫25、C.I.碱性紫26、C.I.碱性紫27、28等。

在品红系着色材料中，作为品红系颜料，例如，可以列举出C.I.颜料红1、C.I.颜料红2、C.I.颜料红3、C.I.颜料红4、C.I.颜料红5、C.I.颜料红6、C.I.颜料红7、C.I.颜料红8、C.I.颜料红9、C.I.颜料红10、C.I.颜料红11、C.I.颜料红12、C.I.颜料红13、C.I.颜料红14、C.I.颜料红15、C.I.颜料红16、C.I.颜料红17、C.I.颜料红18、C.I.颜料红19、C.I.颜料红21、C.I.颜料红22、C.I.颜料红23、C.I.颜料红30、C.I.颜料红31、C.I.颜料红32、C.I.颜料红37、C.I.颜料红38、C.I.颜料红39、C.I.颜料红40、C.I.颜料红41、C.I.颜料红42、C.I.颜料红48：1、C.I.颜料红48：2、C.I.颜料红48：3、C.I.颜料红48：4、C.I.颜料红49、C.I.颜料红49：1、C.I.颜料红50、C.I.颜料红51、C.I.颜料红52、C.I.颜料红52：2、C.I.颜料红53：1、C.I.颜料红54、C.I.颜料红55、C.I.颜料红56、C.I.颜料红57：1、C.I.颜料红58、C.I.颜料红60、C.I.颜料红60：1、C.I.颜料红63、C.I.颜料红63：1、C.I.颜料红63：2、C.I.颜料红64、C.I.颜料红64：1、C.I.颜料红67、C.I.颜料红68、C.I.颜料红81、C.I.颜料红83、C.I.颜料红87、C.I.颜料红88、C.I.颜料红89、C.I.颜料红90、C.I.颜料红92、C.I.颜料红101、C.I.颜料红104、C.I.颜料红105、C.I.颜料红106、C.I.颜料红108、C.I.颜料红112、C.I.颜料红114、C.I.颜料红122、C.I.颜料红123、C.I.颜料红139、C.I.颜料红144、C.I.颜料红146、C.I.颜料红147、C.I.颜料红149、C.I.颜料红150、C.I.颜料红151、C.I.颜料红163、C.I.颜料红166、C.I.颜料红168、C.I.颜料红170、C.I.颜料红171、C.I.颜料红172、C.I.颜料红175、C.I.颜料红176、C.I.颜料红177、C.I.颜料红178、C.I.颜料红179、C.I.颜料红184、C.I.颜料红185、C.I.颜料红187、C.I.颜料红190、C.I.颜料红193、C.I.颜料红202、C.I.颜料红206、C.I.颜料红207、C.I.颜料红209、C.I.颜料红219、C.I.颜料红222、C.I.颜料红224、C.I.颜料红238、C.I.颜料红245；C.I.颜料紫3、C.I.颜料紫9、C.I.颜料紫19、C.I.颜料紫23、C.I.颜料紫31、C.I.颜料紫32、C.I.颜料紫33、C.I.颜料紫36、C.I.颜料紫38、C.I.颜料紫43、C.I.颜料紫50；C.I.还原红1、C.I.还原红2、C.I.还原红10、C.I.还原红13、C.I.还原红15、C.I.还原红23、C.I.还原红29、C.I.还原红35等。

此外，作为黄色系着色材料，例如，可以列举出C.I.溶剂黄19、C.I.溶剂黄44、C.I.溶剂黄77、C.I.溶剂黄79、C.I.溶剂黄81、C.I.溶剂黄82、C.I.溶剂黄93、C.I.溶剂黄98、C.I.溶剂黄103、C.I.溶剂黄104、C.I.溶剂黄112、C.I.溶剂黄162等黄色系染料；C.I.颜料橙31、C.I.颜料橙43；C.I.颜料黄1、C.I.颜料黄2、C.I.颜料黄3、C.I.颜料黄4、C.I.颜料黄5、C.I.颜料黄6、C.I.颜料黄7、C.I.颜料黄10、C.I.颜料黄11、C.I.颜料黄12、C.I.颜料黄13、C.I.颜料黄14、C.I.颜料黄15、C.I.颜料黄16、C.I.颜料黄17、C.I.颜料黄23、C.I.颜料黄24、C.I.颜料黄34、C.I.颜料黄35、C.I.颜料黄37、C.I.颜料黄42、C.I.颜料黄53、C.I.颜料黄55、C.I.颜料黄65、C.I.颜料黄73、C.I.颜料黄74、C.I.颜料黄75、C.I.颜料黄81、C.I.颜料黄83、C.I.颜料黄93、C.I.颜料黄94、C.I.颜料黄95、C.I.颜料黄97、C.I.颜料黄98、C.I.颜料黄100、C.I.颜料黄101、C.I.颜料黄104、C.I.颜料黄108、C.I.颜料黄109、C.I.颜料黄110、C.I.颜料黄113、C.I.颜料黄114、C.I.颜料黄116、C.I.颜料黄117、C.I.颜料黄120、C.I.颜料黄128、C.I.颜料黄129、C.I.颜料黄133、C.I.颜料黄138、C.I.颜料黄139、C.I.颜料黄147、C.I.颜料黄150、C.I.颜料黄151、C.I.颜料黄153、C.I.颜料黄154、C.I.颜料黄155、C.I.颜料黄156、C.I.颜料黄167、C.I.颜料黄172、C.I.颜料黄173、C.I.颜料黄180、C.I.颜料黄185、C.I.颜料黄195；C.I.还原黄1、C.I.还原黄3、C.I.还原黄20等黄色系颜料等。

青色系着色材料、品红系着色材料、黄色系着色材料等各种着色材料分别可以单独或组合使用2种以上。需要说明的是，使用2种以上青色系着色材料、品红系着色材料、黄色系着色材料等各种着色材料的情况下，作为这些着色材料的混合比例(或配混比例)，没有特别限制，可以根据各着色材料的种类、目标的颜色等适当选择。

在使半导体背面用薄膜2着色时，对其着色形态没有特别限制。例如，半导体背面用薄膜可以为添加有着色剂的单层的薄膜状物。此外，可以为至少层叠至少由热固化性树脂形成的树脂层和着色剂层而成的层叠薄膜。需要说明的是，半导体背面用薄膜2为树脂层和着色剂层的层叠薄膜时，作为层叠形态的半导体背面用薄膜2，优选具有树脂层/着色剂层/树脂层的层叠形态。此时，着色剂层的两侧的2个树脂层可以为相同组成的树脂层，也可以为不同组成的树脂层。

半导体背面用薄膜2中可以根据需要适宜地配混其它的添加剂。作为其它的添加剂，例如，可以列举出阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕捉剂、以及增量剂、抗老化剂、抗氧化剂、表面活性剂等。

作为前述阻燃剂，例如，可以列举出三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。阻燃剂可以单独或组合使用2种以上来使用。作为前述硅烷偶联剂，例如，可以列举出β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。硅烷偶联剂可以单独或组合使用2种以上来使用。作为前述离子捕捉剂，例如，可以列举出水滑石类、氢氧化铋等。离子捕捉剂可以单独或组合使用2种以上来使用。

对于半导体背面用薄膜2，例如可以通过将环氧树脂等热固化性树脂、根据需要的丙烯酸类树脂等热塑性树脂、和根据需要的溶剂、其它的添加剂等混合来制备树脂组合物并形成为薄膜状的层的惯用的方法而形成。具体而言，例如，可以通过将前述树脂组合物涂布到切割带的粘合剂层32上的方法；在适当的隔离膜(剥离纸等)上涂布前述树脂组合物而形成树脂层(或粘接剂层)，将其转印(转移)到粘合剂层32上的方法等，从而形成作为半导体背面用薄膜的薄膜状的层(粘接剂层)。需要说明的是，前述树脂组合物可以为溶液，也可以为分散液。

需要说明的是，半导体背面用薄膜2由包含环氧树脂等热固化性树脂的树脂组合物而形成的情况下，半导体背面用薄膜在应用于半导体晶圆之前的阶段中，热固化性树脂为未固化或部分固化的状态。此时，应用于半导体晶圆之后(具体而言，通常在倒装芯片焊接工序中使封装材料固化时)，使半导体背面用薄膜中的热固化性树脂完全或大致完全固化。

如此，半导体背面用薄膜即使包含热固化性树脂，该热固化性树脂也为未固化或部分固化的状态，因此作为半导体背面用薄膜的凝胶率，没有特别限制，例如，可以从50重量％以下(0重量％～50重量％)的范围适当选择，优选为30重量％以下(0重量％～30重量％)、特别是10重量％以下(0重量％～10重量％)是适宜的。半导体背面用薄膜的凝胶率的测定方法可以通过以下的测定方法来测定。

<凝胶率的测定方法>

从半导体背面用薄膜取样约0.1g，进行精确称量(试样的重量)，将该样品用网状片包裹之后，在约50ml的甲苯中在室温下浸渍1星期。然后，自甲苯取出不溶于溶剂的成分(网状片的内容物)，在130℃下使其干燥约2小时，称量干燥后的不溶于溶剂的成分(浸渍并干燥后的重量)，通过下式(a)算出凝胶率(重量％)。

凝胶率(重量％)＝[(浸渍并干燥后的重量)/(试样的重量)]×100(a)

需要说明的是，半导体背面用薄膜的凝胶率能够通过树脂成分的种类和/或其含量、交联剂的种类和/或其含量、以及加热温度和/或加热时间等来控制。

在本发明中，半导体背面用薄膜为由包含环氧树脂等热固化性树脂的树脂组合物形成的薄膜状物时，能够有效地发挥对于半导体晶圆的密合性。

需要说明的是，半导体晶圆的切割工序中使用切削水，因此有时半导体背面用薄膜发生吸湿而达到常态以上的含水率。在这样的高含水率的状态下直接进行倒装芯片焊接时，有时水蒸气在半导体背面用薄膜2与半导体晶圆或其加工体(半导体)的粘接界面上积存，而产生浮起。因此，作为半导体背面用薄膜，通过形成在两面设置有透湿性高的芯材料的结构，从而水蒸气扩散，可以避免所述的问题。从所述观点出发，也可以使用在芯材料的单面或两面形成有半导体背面用薄膜2的多层结构作为半导体背面用薄膜。作为前述芯材料，可以列举出薄膜(例如聚酰亚胺薄膜、聚酯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纤维和/或塑料制无纺纤维强化了的树脂基板、硅基板或玻璃基板等。

半导体背面用薄膜2的厚度没有特别限定，例如，可以从2μm～200μm左右的范围适当选择。进而，前述厚度优选为4μm～160μm左右、更优选为6μm～100μm左右、特别优选为10μm～80μm左右。

半导体背面用薄膜2的前述未固化状态的23℃下的拉伸储能模量优选为1.0GPa～3.0GPa的范围、更优选为1.2GPa～2.9GPa的范围。未固化状态的23℃下的拉伸储能模量为1.0～3.0GPa时，可以抑制半导体芯片的翘曲。此外，可以抑制粘性，因此可以抑制半导体芯片安装时向吸附筒夹等的固着。半导体背面用薄膜的未固化状态下的前述拉伸储能模量(23℃)可以通过树脂成分(热塑性树脂、热固化性树脂)的种类和/或其含量、二氧化硅填料等填料的种类和/或其含量等来控制。尤其是，可以通过丙烯酸类树脂的含量来控制。

需要说明的是，前述拉伸储能模量为如下得到的值：制作未层叠于切割带3的未固化状态的半导体背面用薄膜2，使用Rheometrics Co.,Ltd.制的动态粘弹性测定装置“Solid Analyzer RS A2”，以拉伸模式，以样品宽度：10mm、样品长度：22.5mm、样品厚度：0.2mm、且频率：1Hz、升温速度：10℃/分、氮气气氛下、规定的温度(23℃)来进行测定，从而得到的拉伸储能模量的值。

前述半导体背面用薄膜2优选至少一个面用隔离膜(剥离衬垫)保护(未图示)。例如，切割带一体型半导体背面用薄膜1的情况下，可以仅仅在半导体背面用薄膜的一个面上设置有隔离膜，另一方面，在没有与切割带一体化的半导体背面用薄膜的情况下，可以在半导体背面用薄膜的单面或两面设置有隔离膜。隔离膜具有作为供给实用之前保护半导体背面用薄膜的保护材料的功能。此外，在切割带一体型半导体背面用薄膜1的情况下，隔离膜进一步可以作为将半导体背面用薄膜2转印到切割带的基材上的粘合剂层32时的支撑基材来使用。隔离膜在将半导体晶圆贴附到半导体背面用薄膜上时被剥离。作为隔离膜，也可以使用聚乙烯、聚丙烯、利用氟系剥离剂、丙烯酸长链烷基酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜(聚对苯二甲酸乙二醇酯等)、纸等。需要说明的是，隔离膜可以利用现有公知的方法而形成。此外，隔离膜的厚度等也没有特别限制。

半导体背面用薄膜2未层叠于切割带3的情况下，对于半导体背面用薄膜2，可以使用1张在两面具有剥离层的隔离膜，以卷绕为卷状的形态利用在两面具有剥离层的隔离膜来进行保护，也可以利用在至少一个面具有剥离层的隔离膜来进行保护。

此外，半导体背面用薄膜2的可见光(波长：400nm～800nm)的光线透过率(可见光透过率)没有特别限制，例如，优选为20％以下(0％～20％)的范围、更优选为10％以下(0％～10％)、特别优选为5％以下(0％～5％)。半导体背面用薄膜2的可见光透过率大于20％时，由于光线通过，有时对半导体元件产生不良影响。此外，前述可见光透过率(％)可以通过半导体背面用薄膜2的树脂成分的种类和/或其含量、着色剂(颜料、染料等)的种类和/或其含量、无机填充材料的含量等来控制。

半导体背面用薄膜2的可见光透过率(％)可以如下所述进行测定。即，制作厚度(平均厚度)20μm的半导体背面用薄膜2单体。接着，对于半导体背面用薄膜2，在规定的强度下照射波长：400nm～800nm的可见光线[装置：岛津制作所制造的可见光产生装置(商品名“ABSORPTION SPECTRO PHOTOMETR”)]，测定透过的可见光线的强度。进而，可以根据可见光线透过半导体背面用薄膜2前后的强度变化而求出可见光透过率的值。需要说明的是，也可以由厚度不是20μm的半导体背面用薄膜2的可见光透过率(％；波长：400nm～800nm)的值导出厚度：20μm的半导体背面用薄膜2的可见光透过率(％；波长：400nm～800nm)。此外，本发明中，求出厚度20μm的半导体背面用薄膜2的情况下的可见光透过率(％)，但本发明的半导体背面用薄膜并不限于厚度20μm的薄膜。

此外，作为半导体背面用薄膜2，优选其吸湿率低。具体而言，前述吸湿率优选为1重量％以下、更优选为0.8重量％以下。通过将前述吸湿率设为1重量％以下，从而可以提高激光标记性。此外，例如也可以在回流焊工序中，在半导体背面用薄膜2与半导体元件之间抑制或防止空隙的产生等。需要说明的是，前述吸湿率为由将半导体背面用薄膜2在温度85℃、相对湿度85％RH的气氛下放置168小时前后的重量变化而算出的值。半导体背面用薄膜2由包含热固化性树脂的树脂组合物而形成的情况下，前述吸湿率意味着对于热固化后的半导体背面用薄膜在温度85℃、相对湿度85％RH的气氛下放置了168小时的值。此外，前述吸湿率例如可以通过使无机填料的添加量变化而调整。

此外，作为半导体背面用薄膜2，优选挥发成分的比例少。具体而言，优选加热处理后的半导体背面用薄膜2的失重率(失重量的比例)为1重量％以下、更优选为0.8重量％以下。加热处理的条件例如为加热温度250℃、加热时间1小时。通过将前述失重率设为1重量％以下，从而可以提高激光标记性。此外，例如，在回流焊工序中，可以抑制或防止倒装芯片型的半导体装置产生裂纹。前述失重率例如能够通过添加可以减少无铅软钎料回流焊时的裂纹产生的无机物来进行调整。需要说明的是，半导体背面用薄膜2由包含热固化性树脂的树脂组合物形成时，前述失重率意味着对于热固化后的半导体背面用薄膜在加热温度250℃、加热时间1小时的条件下进行了加热时的值。

(切割带)

前述切割带3由在基材31上形成粘合剂层32来构成。如此，切割带3只要具有基材31与粘合剂层32层叠而成的结构即可。基材(支撑基材)可以用作粘合剂层等的支撑母体。前述基材31优选具有辐射线透过性。作为前述基材31，例如，可以使用纸等纸系基材；布、无纺布、毛毡、网等纤维系基材；金属箔、金属板等金属系基材；塑料的薄膜、片等塑料系基材；橡胶片等橡胶系基材；发泡片等发泡体、它们的层叠体[尤其，塑料系基材与其它的基材的层叠体、塑料薄膜(或片)彼此的层叠体等]等适宜的薄层体。本发明中，作为基材，可以适宜地使用塑料的薄膜、片等塑料系基材。作为这样的塑料材料的原材料，例如，可以列举出聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物等烯烃系树脂；乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物等以乙烯为单体成分的共聚物；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；丙烯酸类树脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；聚酰胺(尼龙)、全芳香族聚酰胺(芳纶)等酰胺系树脂；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纤维素系树脂；有机硅树脂；氟树脂等。

此外，作为基材31的材料，可以列举出前述树脂的交联体等聚合物。前述塑料薄膜可以未拉伸地使用，也可以根据需要实施单轴或双轴的拉伸处理来使用。根据通过拉伸处理等赋予了热收缩性的树脂片，通过在切割后使该基材31热收缩，从而使粘合剂层32与半导体背面用薄膜2的粘接面积降低，可以实现半导体芯片回收的容易化。

为了提高与邻接的层的密合性、保持性等，基材31的表面可以实施惯用的表面处理，例如，铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、电离辐射线处理等化学或物理处理、利用底涂剂(例如后述的粘合物质)的涂布处理。

前述基材31可以适当选择同种或不同种类的物质来使用，根据需要可以使用多种共混而成的物质。此外，为了对基材31赋予抗静电能力，在前述的基材31上可以设置包含金属、合金、它们的氧化物等的厚度为左右的导电性物质的蒸镀层。基材31可以为单层或者2种以上的多层。

基材31的厚度(层叠体的情况下为总厚度)没有特别限制，可以根据强度、柔软性、使用目的等而适当选择，例如，通常为1000μm以下(例如，1μm～1000μm)、优选为10μm～500μm、进一步优选为20μm～300μm、特别为30μm～200μm左右，但不限于它们。

需要说明的是，在基材31中，在不损害本发明的效果等的范围内，也可以含有各种添加剂(着色剂、填充材料、增塑剂、抗老化剂、抗氧化剂、表面活性剂、阻燃剂等)。

前述粘合剂层32由粘合剂形成，具有粘合性。作为这样的粘合剂，没有特别限制，可以从公知的粘合剂之中适当选择。具体而言，作为粘合剂，例如，可以从丙烯酸类粘合剂、橡胶系粘合剂、乙烯基烷基醚系粘合剂、有机硅系粘合剂、聚酯系粘合剂、聚酰胺系粘合剂、聚氨酯系粘合剂、氟系粘合剂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系粘合剂、在这些粘合剂中配混熔点约200℃以下的热熔融性树脂的蠕变特性改良型粘合剂等公知的粘合剂(例如，参照日本特开昭56-61468号公报、日本特开昭61-174857号公报、日本特开昭63-17981号公报、日本特开昭56-13040号公报等)之中适当选择具有前述特性的粘合剂来使用。此外，作为粘合剂，也可以使用辐射线固化型粘合剂(或能量射线固化型粘合剂)、热膨胀性粘合剂。粘合剂可以单独使用或组合使用2种以上。

作为前述粘合剂，可以适宜地使用丙烯酸类粘合剂、橡胶系粘合剂，尤其丙烯酸类粘合剂是适宜的。作为丙烯酸类粘合剂，可以列举出将如下的丙烯酸类聚合物(均聚物或共聚物)作为基础聚合物的丙烯酸类粘合剂，其中，所述丙烯酸类聚合物(均聚物或共聚物)使用1种或2种以上(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体成分。

作为前述丙烯酸类粘合剂中的(甲基)丙烯酸烷基酯，例如，可以列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等(甲基)丙烯酸烷基酯等。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，烷基的碳数为4～18的(甲基)丙烯酸烷基酯是适宜的。需要说明的是，(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基可以为直链状或支链链状中的任意者。

需要说明的是，前述丙烯酸类聚合物以内聚力、耐热性、交联性等的改性为目的，根据需要，可以含有对应于可以与前述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它单体成分(共聚性单体成分)的单元。作为这样的共聚性单体成分，例如，可以列举出(甲基)丙烯酸(丙烯酸、甲基丙烯酸)、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等含酸酐基的单体；(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸羟基丁酯、(甲基)丙烯酸羟基己酯、(甲基)丙烯酸羟基辛酯、(甲基)丙烯酸羟基癸酯、(甲基)丙烯酸羟基月桂酯、甲基丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺酸丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基的单体；(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺等(N-取代)酰胺系单体；(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系单体；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基的丙烯酸类单体；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯系单体；醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯基酯系单体；异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃系单体；乙烯基醚等乙烯基醚系单体；N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺类、N-乙烯基己内酰胺等含氮单体；N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺等马来酰亚胺系单体；N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺、N-月桂基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺系单体；N-(甲基)丙烯酰氧基亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧基六亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-8-氧基八亚甲基琥珀酰亚胺等琥珀酰亚胺系单体；(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇系丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸四氢糠酯、氟代(甲基)丙烯酸酯、有机硅(甲基)丙烯酸酯等具有杂环、卤素原子、硅原子等的丙烯酸酯系单体；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸丁酯、二(甲基)丙烯酸己酯等多官能单体等。这些共聚性单体成分可以使用1种或2种以上。

作为粘合剂使用辐射线固化型粘合剂(或能量射线固化型粘合剂)时，作为辐射线固化型粘合剂(组合物)，例如，可以列举出：使用在聚合物侧链或主链中或者主链末端具有自由基反应性碳-碳双键的聚合物作为基础聚合物的内在型的辐射线固化型粘合剂；在粘合剂中配混有紫外线固化性的单体成分、低聚物成分的辐射线固化型粘合剂等。此外，作为粘合剂使用热膨胀性粘合剂时，作为热膨胀性粘合剂，例如，可以列举出包含粘合剂和发泡剂(尤其是热膨胀性微球)的热膨胀性粘合剂等。

本发明中，在粘合剂层32中，在不损害本发明的效果的范围内，可以含有各种添加剂(例如，赋粘树脂、着色剂、增稠剂、增量剂、填充材料、增塑剂、抗老化剂、抗氧化剂、表面活性剂、交联剂等)。

作为前述交联剂，没有特别限制，可以使用公知的交联剂。具体而言，作为交联剂，可以列举出异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、以及尿素系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮丙啶系交联剂、胺系交联剂等，异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂是适宜的。交联剂可以单独或组合使用2种以上。需要说明的是，交联剂的用量没有特别限制。

作为前述异氰酸酯系交联剂，例如，可以列举出1,2-亚乙基二异氰酸酯、1,4-亚丁基二异氰酸酯、1,6-六亚甲基二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类；环亚戊基二异氰酸酯、环亚己基二异氰酸酯、异氟尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯、氢化二甲苯二异氰酸酯等脂环族多异氰酸酯类；2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯等芳香族多异氰酸酯类等，此外，也可以使用三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯3聚体加成物[Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.制造、商品名“Coronate L”]、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯3聚体加成物[NipponPolyurethane Industry Co.,Ltd.制造、商品名“Coronate HL”]等。此外，作为前述环氧系交联剂，例如，可以列举出N,N,N’,N’-四缩水甘油基间二甲苯二胺、二缩水甘油基苯胺、1,3-双(N,N-缩水甘油基氨基甲基)环己烷、1,6-己二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、山梨糖醇聚缩水甘油醚、甘油聚缩水甘油醚、季戊四醇聚缩水甘油醚、聚甘油聚缩水甘油醚、失水山梨糖醇聚缩水甘油醚、三羟甲基丙烷聚缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三缩水甘油基-三(2-羟基乙基)异氰脲酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚、双酚-S-二缩水甘油醚、以及在分子内具有2个以上环氧基的环氧系树脂等。

需要说明的是，本发明中，代替使用交联剂、或者在使用交联剂的同时，可以利用电子束、紫外线等的照射来实施交联处理。

对于粘合剂层32，例如可以通过将粘合剂(压敏粘接剂)、以及根据需要的溶剂、其它的添加剂等混合并形成为片状的层的惯用的方法来形成。具体而言，例如，可以通过将包含粘合剂以及根据需要的溶剂、其它的添加剂的混合物涂布到基材31上的方法；在适当的隔离膜(剥离纸等)上涂布前述混合物而形成粘合剂层32，将其转印(转移)到基材31上的方法等，而形成粘合剂层32。

粘合剂层32的厚度没有特别限制，例如，为5μm～300μm(优选为5μm～200μm、进一步优选为5μm～100μm、特别优选为7μm～50μm)左右。粘合剂层32的厚度在前述范围内时，能够发挥适度的粘合力。需要说明的是，粘合剂层32可以为单层、多层中任一种。

前述切割带3的粘合剂层32对倒装芯片型半导体背面用薄膜2的粘接力(23℃、剥离角度180度、剥离速度300mm/分钟)优选为0.02N/20mm～10N/20mm的范围、更优选为0.05N/20mm～5N/20mm的范围。将前述粘接力设为0.02N/20mm以上，从而在半导体晶圆的切割时可以防止半导体元件发生芯片飞散。另一方面，通过将前述粘接力设为10N/20mm以下，从而在拾取半导体元件时可以防止该半导体元件的剥离变得困难、或产生残胶。

需要说明的是，本发明中，可以使倒装芯片型半导体背面用薄膜2、切割带一体型半导体背面用薄膜1具有抗静电能力。由此，可以防止在其粘接时以及剥离时等产生静电、防止因由此引起的半导体晶圆等的起电而导致电路破坏等。抗静电能力的赋予可以通过将抗静电剂、导电性物质添加到基材31、粘合剂层32、进而半导体背面用薄膜2的方法；向基材31附设包含电荷移动络合物、金属膜等的导电层的方法等适宜的方式来进行。作为这些方式，优选不易产生可能使半导体晶圆变质的杂质离子的方式。

此外，倒装芯片型半导体背面用薄膜2、切割带一体型半导体背面用薄膜1可以以卷绕为卷状的形态而形成，也可以以使片(薄膜)层叠的形态而形成。例如，具有卷绕为卷状的形态的情况下，半导体背面用薄膜2或半导体背面用薄膜2与切割带3的层叠体可以根据需要在用隔离膜保护的状态下卷绕为卷状，制作成卷绕为卷状的状态或形态的半导体背面用薄膜2、切割带一体型半导体背面用薄膜1。需要说明的是，作为卷绕为卷状的状态或形态的切割带一体型半导体背面用薄膜1，可以由基材31、形成于前述基材31的一个面的粘合剂层32、形成于前述粘合剂层32上的半导体背面用薄膜、和形成于前述基材31的另一面的剥离处理层(背面处理层)构成。

需要说明的是，作为切割带一体型半导体背面用薄膜1的厚度(半导体背面用薄膜的厚度与包含基材31以及粘合剂层32的切割带的厚度的总厚度)，例如，可以从8μm～1500μm的范围中选择，优选为20μm～850μm(进一步优选为31μm～500μm、特别优选为47μm～330μm)。

需要说明的是，在切割带一体型半导体背面用薄膜1中，通过控制半导体背面用薄膜2的厚度与切割带3的粘合剂层32的厚度的比、半导体背面用薄膜2的厚度与切割带3的厚度(基材31以及粘合剂层32的总厚度)的比，从而可以提高切割工序时的切割性、拾取工序时的拾取性等，可以在半导体晶圆的切割工序至半导体芯片的倒装芯片焊接工序中有效地利用切割带一体型半导体背面用薄膜1。

(切割带一体型半导体背面用薄膜的制造方法)

对于本实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜的制造方法，以图1中示出的切割带一体型半导体背面用薄膜1为例进行说明。首先，基材31可以利用现有公知的成膜方法来成膜。作为该成膜方法，例如可以例示出压延成膜法、有机溶剂中的流延法、密闭体系中的吹胀挤出法、T模挤出法、共挤出法、干式层压法等。

接着，在基材31上涂布粘合剂组合物、使其干燥(根据需要使其加热交联)而形成粘合剂层32。作为涂布方式，可以列举出辊涂覆、丝网涂覆、凹版涂覆等。需要说明的是，可以将粘合剂层组合物直接涂布于基材31，在基材31上形成粘合剂层32，此外，可以将粘合剂组合物涂布到对表面进行了剥离处理的剥离纸等上，形成粘合剂层32，然后，将该粘合剂层32转印到基材31上。由此，制作在基材31上形成有粘合剂层32的切割带3。

另一方面，将用于形成半导体背面用薄膜2的形成材料涂布到剥离纸上，使得干燥后的厚度成为规定厚度，进而在规定条件下干燥(在需要热固化的情况下等，根据需要实施加热处理进行干燥)，形成涂布层。将该涂布层转印到前述粘合剂层32上，从而在粘合剂层32上形成半导体背面用薄膜2。需要说明的是，通过在前述粘合剂层32上直接涂布用于形成半导体背面用薄膜2的形成材料，然后，在规定条件下进行干燥(需要热固化的情况下等，根据需要实施加热处理进行干燥)，也可以在粘合剂层32上形成半导体背面用薄膜2。根据以上，可以得到本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜1。需要说明的是，形成半导体背面用薄膜2时进行热固化的情况下，以成为部分固化的状态的程度进行热固化是重要的，优选不进行热固化。

本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜1在具备倒装芯片焊接工序的半导体装置的制造时可以适宜地使用。即，本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜1在制造倒装芯片安装的半导体装置时使用，以在半导体芯片的背面贴附切割带一体型半导体背面用薄膜1的半导体背面用薄膜2的状态或形态制造倒装芯片安装的半导体装置。因此，本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜1可以用于倒装芯片安装的半导体装置(半导体芯片以倒装芯片焊接方式固定到基板等被粘物上的状态或形态的半导体装置)。

需要说明的是，半导体背面用薄膜2与切割带一体型半导体背面用薄膜1同样地可以用于倒装芯片安装的半导体装置(半导体芯片以倒装芯片焊接方式固定于基板等被粘物上的状态或形态的半导体装置)。

(半导体晶圆)

作为半导体晶圆，若为公知和/或惯用的半导体晶圆则没有特别限制，可以从各种原材料的半导体晶圆中适当选择来使用。本发明中，作为半导体晶圆可以适宜地使用硅晶圆。

(半导体装置的制造方法)

对于本实施方式的半导体装置的制造方法，边参照图2边在以下进行说明。图2为示出使用了前述切割带一体型半导体背面用薄膜1时的半导体装置的制造方法的截面示意图。

前述半导体装置的制造方法可以使用前述切割带一体型半导体背面用薄膜1来制造半导体装置。具体而言，至少具备：在前述切割带一体型半导体背面用薄膜上贴附半导体晶圆的工序、切割前述半导体晶圆的工序、拾取由切割而得到的半导体元件的工序、和将前述半导体元件倒装芯片连接到被粘物上的工序。

需要说明的是，半导体背面用薄膜2的情况下，通过按照使用了切割带一体型半导体背面用薄膜1时的半导体装置的制造方法的方法，可以制造半导体装置。例如，半导体背面用薄膜2与切割带贴合，制成与切割带一体化的切割带一体型半导体背面用薄膜来使用，可以制造半导体装置。此时，使用半导体背面用薄膜2的半导体装置的制造方法成为前述切割带一体型半导体背面用薄膜的制造方法的工序中还具备以半导体背面用薄膜与切割带的粘合剂层接触的形态使半导体背面用薄膜与切割带贴合的工序的制造方法。

此外，半导体背面用薄膜2也可以不与切割带一体化，而在半导体晶圆上贴附来使用。此时，使用半导体背面用薄膜2的半导体装置的制造方法成为如下的制造方法：将前述切割带一体型半导体背面用薄膜的制造方法中在切割带一体型半导体背面用薄膜上贴附半导体晶圆的工序设为：将半导体背面用薄膜贴附到半导体晶圆的工序、以半导体背面用薄膜与切割带的粘合剂层接触的形态使切割带贴合到贴附于半导体晶圆的半导体背面用薄膜的工序。

此外，半导体背面用薄膜2还可以在将半导体晶圆单片化而成的半导体芯片上贴附来使用。此时，使用半导体背面用薄膜2的半导体装置的制造方法例如可以为至少具备以下工序的制造方法：将切割带贴附到半导体晶圆的工序、切割前述半导体晶圆的工序、拾取由切割而得到的半导体元件的工序、将前述半导体元件倒装芯片连接到被粘物上的工序、和在半导体元件上贴附半导体背面用薄膜的工序。

[安装工序]

首先，如图2的(a)所示，适宜地剥离在切割带一体型半导体背面用薄膜1的半导体背面用薄膜2上任意地设置的隔离膜，在该半导体背面用薄膜2上贴附半导体晶圆4，使其粘接保持进行固定(安装工序)。此时，前述半导体背面用薄膜2为未固化状态(包括半固化状态)。此外，切割带一体型半导体背面用薄膜1贴附于半导体晶圆4的背面。半导体晶圆4的背面意味着与电路面相反的一侧的面(也称为非电路面、非电极形成面等)。贴附方法没有特别限定，优选基于压接的方法。压接通常一边利用压接辊等压制构件进行压制一边进行。

[切割工序]

接着，如图2的(b)所示，进行半导体晶圆4的切割。由此，将半导体晶圆4切断为规定的尺寸进行单片化(小片化)，制造半导体芯片5。切割例如按照常规方法从半导体晶圆4的电路面侧进行。此外，本工序中，例如，可以采用切入至切割带一体型半导体背面用薄膜1为止的被称为完全切割的切断方式等。作为本工序中使用的切割装置，没有特别限定，可以使用现有公知的切割装置。此外，半导体晶圆4利用具有半导体背面用薄膜的切割带一体型半导体背面用薄膜1而以优异的密合性粘接固定，因此，可以抑制芯片缺口、芯片飞散，并且还可以抑制半导体晶圆4的破损。需要说明的是，半导体背面用薄膜2由包含环氧树脂的树脂组合物形成时，即便通过切割而被切断，也可以抑制或防止半导体背面用薄膜的粘接剂层的胶在其切断面发生渗出。其结果，可以抑制或防止切断面彼此发生再附着(粘连)，可以更好地进行后述的拾取。

需要说明的是，进行切割带一体型半导体背面用薄膜1的扩展时，该扩展可以使用现有公知的扩展装置来进行。扩展装置具有可以介由切割环将切割带一体型半导体背面用薄膜1向下方按压的环状的外环、和直径小于外环且支撑切割带一体型半导体背面用薄膜的内环。通过该扩展工序，在后述的拾取工序中，可以防止相邻的半导体芯片彼此接触而破损。

[拾取工序]

为了回收粘接固定于切割带一体型半导体背面用薄膜1的半导体芯片5，如图2的(c)所示，进行半导体芯片5的拾取，将半导体芯片5与半导体背面用薄膜2一起从切割带3剥离。作为拾取的方法没有特别限定，可以采用现有公知的各种方法。例如，可以列举出从切割带一体型半导体背面用薄膜1的基材31侧利用针形件顶起各个半导体芯片5，利用拾取装置拾取被顶起的半导体芯片5的方法等。需要说明的是，所拾取的半导体芯片5的背面被半导体背面用薄膜2保护。

[倒装芯片连接工序]

对于拾取的半导体芯片5，如图2的(d)所示，利用倒装芯片焊接方式(倒装芯片安装方式)而固定于基板等被粘物。具体而言，以半导体芯片5的电路面(也称为表面、电路图案形成面、电极形成面等)与被粘物6相对的形态按照常规方法使半导体芯片5固定于被粘物6。例如，使形成于半导体芯片5的电路面侧的凸块51与粘附在被粘物6的连接焊盘的接合用导电材料(软钎料等)61接触，边按压边使导电材料熔融，从而可以确保半导体芯片5与被粘物6的电导通，并使半导体芯片5固定在被粘物6上(倒装芯片焊接工序)。此时，在半导体芯片5与被粘物6之间形成空隙，该空隙间距离通常为30μm～300μm左右。需要说明的是，将半导体芯片5倒装芯片焊接(倒装芯片连接)到被粘物6上之后，清洗半导体芯片5与被粘物6的相对面、间隙，在该间隙填充封装材料(封装树脂等)进行封装是重要的。

作为被粘物6，可以使用引线框、电路基板(布线电路基板等)等各种基板。作为这样的基板的材质，没有特别限定，可以列举出陶瓷基板、塑料基板。作为塑料基板，例如，可以列举出环氧基板、双马来酰亚胺三嗪基板、聚酰亚胺基板等。

在倒装芯片焊接工序中，作为凸块、导电材料的材质，没有特别限定，例如，可以列举出锡-铅系金属材料、锡-银系金属材料、锡-银-铜系金属材料、锡-锌系金属材料、锡-锌-铋系金属材料等软钎料类(合金)、金系金属材料、铜系金属材料等。

需要说明的是，在倒装芯片焊接工序中，使导电材料熔融，使半导体芯片5的电路面侧的凸块与被粘物6的表面的导电材料连接，作为该导电材料的熔融时的温度，通常为260℃左右(例如，250℃～300℃)。对于本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜，通过由环氧树脂等形成半导体背面用薄膜，从而可以具有能够耐受该倒装芯片焊接工序中的高温的耐热性。

本工序中，优选进行半导体芯片5与被粘物6的相对面(电极形成面)、间隙的清洗。作为该清洗中使用的清洗液，没有特别限制，例如，可以列举出有机系的清洗液、水系的清洗液。本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜中的半导体背面用薄膜具有针对清洗液的耐溶剂性，在这些清洗液中实质上没有溶解性。因此，如前所述，作为清洗液，可以使用各种清洗液，不需要特别的清洗液，可以按照以往的方法来清洗。

接着，进行用于封装被倒装芯片焊接的半导体芯片5与被粘物6之间的间隙的封装工序。封装工序使用封装树脂来进行。作为此时的封装条件，没有特别限定，通常，在175℃下进行60秒钟～90秒钟的加热，从而进行封装树脂的热固化，但本发明并不限定于此，例如，可以在165℃～185℃下进行几分钟熟化。在该工序的热处理中，不仅封装树脂、而且半导体背面用薄膜2的热固化也可以同时进行。由此，封装树脂以及半导体背面用薄膜2两者伴随热固化的进行而发生固化收缩。其结果，起因于封装树脂的固化收缩而施加于半导体芯片5的应力可以通过半导体背面用薄膜2发生固化收缩而抵消和/或缓和。此外，通过该工序，可以完全或几乎完全地使半导体背面用薄膜2热固化，从而能够以优异的密合性贴附于半导体元件的背面。进而，本发明的半导体背面用薄膜2即便为未固化状态，在该封装工序时也能与封装材料一起热固化，因此，不需要新追加用于使半导体背面用薄膜2热固化的工序。

作为前述封装树脂，若为具有绝缘性的树脂(绝缘树脂)则没有特别限制，可以从公知的封装树脂等封装材料中适当选择来使用，更优选具有弹性的绝缘树脂。作为封装树脂，例如，可以列举出包含环氧树脂的树脂组合物等。作为环氧树脂，可以列举出前述例示的环氧树脂等。此外，关于由包含环氧树脂的树脂组合物制成的封装树脂，作为树脂成分，除环氧树脂以外还可以含有环氧树脂以外的热固化性树脂(酚醛树脂等)、热塑性树脂等。需要说明的是，作为酚醛树脂，也可以作为环氧树脂的固化剂来使用，作为这样的酚醛树脂，可以列举出前述例示的酚醛树脂等。

对于使用前述切割带一体型半导体背面用薄膜1、半导体背面用薄膜2而制造的半导体装置(倒装芯片安装的半导体装置)，在半导体芯片的背面贴附有半导体背面用薄膜，因此可以以优异的可视性实施各种标记。尤其，标记方法即便为激光标记方法，也可以以优异的对比度来实施标记，可以良好地看到利用激光标记而实施的各种信息(文字信息、图形信息等)。需要说明的是，进行激光标记时，可以利用公知的激光标记装置。此外，作为激光，可以使用气体激光、固体激光、液体激光等各种激光。具体而言，作为气体激光没有特别限制，可以利用公知的气体激光，二氧化碳激光(CO₂激光)、准分子激光(ArF激光、KrF激光、XeCl激光、XeF激光等)是适宜的。此外，作为固体激光没有特别限制，可以利用公知的固体激光，YAG激光(Nd：YAG激光等)、YVO₄激光是适宜的。

使用本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜、半导体背面用薄膜而制造的半导体装置为以倒装芯片安装方式安装而成的半导体装置，因此与以芯片焊接(die bonding)安装方式安装而成的半导体装置相比，可以成为薄型化、小型化的形状。因此，可以适宜地作为各种电子设备/电子部件或它们的材料/构件来使用。具体而言，作为利用本发明的倒装芯片安装的半导体装置的电子设备，可以列举出所谓“移动电话”、“PHS”、小型的计算机(例如，所谓“PDA”(便携式信息终端)、所谓“笔记本电脑”、所谓“Net Book(商标)”、所谓“可穿戴计算机”等)、“移动电话”与计算机一体化而成的小型的电子设备、所谓“DigitalCamera(商标)”、所谓“数字摄像机”、小型电视机、小型游戏机、小型数字音频播放器、所谓“电子记事薄”、所谓“电子辞典”、所谓“电子书籍”用电子设备终端、小型数字型的钟表等移动型的电子设备(便携式电子设备)等，当然，也可以是除移动型以外(固定型等)的电子设备(例如，所谓“台式电脑”、薄型电视机、录像/播放用电子设备(硬盘录像机、DVD播放器等)、投影仪、微型机械等)等。此外，作为电子部件或、电子设备/电子部件的材料/构件，例如，可以列举出所谓“CPU”的构件、各种存储装置(所谓“存储器”、硬盘等)的构件等。

实施例

以下，例示性地详细说明该发明的适宜的实施例。其中，该实施例中所记载的材料、配混量等只要没有特别限定性的记载，则该发明的范围并不限定于这些。此外，份意味着重量份。

(实施例1)

<粘接片的制作>

相对于以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯系聚合物(商品名“PARACRON W-197CM”、根上工业株式会社制造)：100份，将环氧树脂(商品名“EPICOAT1004”、JER株式会社制造)：21份、酚醛树脂(商品名“MILEX XLC-4L、”三井化学株式会社制造)：22份、平均粒径为0.05μm且最大粒径0.3μm以下的球状二氧化硅填料(Admatechs Co.,Ltd.制造)：69份、染料1(商品名“OIL GREEN 502”、Orient Chemical Industries Co.,Ltd.制造)：5份、以及染料2(商品名“OIL BLACK BS”、Orient Chemical Industries Co.,Ltd.制造)：11份溶解在甲乙酮中，制备固体成分浓度为23.6重量％的粘接剂组合物溶液A。需要说明的是，在本实施例中，固体成分意味着树脂的固体成分、球状二氧化硅和染料的总和。此外，固体成分浓度意味着以甲乙酮(溶剂)与上述固体成分的总和为整体时的固体成分的重量％。

将粘接剂组合物溶液A涂布到作为剥离衬垫(隔离膜)的由进行了有机硅脱模处理的厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜上，然后，在130℃下使其干燥2分钟，从而制作厚度30μm的粘接片A。

<切割带一体型粘接片的制作>

使用手压辊将粘接片A贴合到切割带(商品名“V-8-T”、日东电工株式会社制造；基材的平均厚度：65μm、粘合剂层的平均厚度：10μm)的粘合剂层上，制作切割带一体型粘接片A。

(实施例2)

<粘接片的制作>

相对于以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯系聚合物(商品名“PARACRON W-197CM”、根上工业株式会社制造)：100份，将环氧树脂(商品名“EPICOAT1004”、JER株式会社制造)：21份、酚醛树脂(商品名“MILEX XLC-4L、”三井化学株式会社制造)：22份、平均粒径为0.05μm且最大粒径0.3μm以下的球状二氧化硅填料(Admatechs Co.,Ltd.制造)：134份、染料1(商品名“OIL GREEN 502”、Orient Chemical Industries Co.,Ltd.制造)：7份、以及染料2(商品名“OIL BLACK BS”、Orient Chemical Industries Co.,Ltd.制造)：14份溶解在甲乙酮中，制备固体成分浓度为23.6重量％的粘接剂组合物溶液B。

将粘接剂组合物溶液B涂布到作为剥离衬垫(隔离膜)的由进行了有机硅脱模处理的厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜上，然后，在130℃下使其干燥2分钟，从而制作厚度30μm的粘接片B。

<切割带一体型粘接片的制作>

使用手压辊将粘接片B贴合到切割带(商品名“V-8-T”、日东电工株式会社制造；基材的平均厚度：65μm、粘合剂层的平均厚度：10μm)的粘合剂层上，制作切割带一体型粘接片B。

(实施例3)

<粘接片的制作>

相对于以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯系聚合物(商品名“PARACRON W-197CM”、根上工业株式会社制造)：100份，将环氧树脂(商品名“EPICOAT1004”、JER株式会社制造)：21份、酚醛树脂(商品名“MILEX XLC-4L、”三井化学株式会社制造)：22份、平均粒径为0.05μm且最大粒径0.3μm以下的球状二氧化硅填料(Admatechs Co.,Ltd.制造)：40份、染料1(商品名“OIL GREEN 502”、Orient Chemical Industries Co.,Ltd.制造)：4份、以及染料2(商品名“OIL BLACK BS”、Orient Chemical Industries Co.,Ltd.制造)：10份溶解在甲乙酮中，制备固体成分浓度为23.6重量％的粘接剂组合物溶液C。

将粘接剂组合物溶液C涂布到作为剥离衬垫(隔离膜)的由进行了有机硅脱模处理的厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜上，然后，在130℃下使其2分钟干燥，从而制作厚度30μm的粘接片C。

<切割带一体型粘接片的制作>

使用手压辊将粘接片C贴合到切割带(商品名“V-8-T”、日东电工株式会社制造；基材的平均厚度：65μm、粘合剂层的平均厚度：10μm)的粘合剂层上，制作切割带一体型粘接片C。

(实施例4)

<粘接片的制作>

相对于以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯系聚合物(商品名“PARACRON W-197CM”、根上工业株式会社制造)：100份，将环氧树脂(商品名“EPICOAT1004”、JER株式会社制造)：70份、酚醛树脂(商品名“MILEX XLC-4L、”三井化学株式会社制造)：75份、平均粒径为0.05μm且最大粒径0.3μm以下的球状二氧化硅填料(Admatechs Co.,Ltd.制造)：230份、染料1(商品名“OIL GREEN 502”、Orient Chemical Industries Co.,Ltd.制造)：12份、以及、染料2(商品名“OIL BLACK BS”、Orient Chemical IndustriesCo.,Ltd.制造)：24份溶解在甲乙酮中，制备固体成分浓度为23.6重量％的粘接剂组合物溶液D。

将粘接剂组合物溶液D涂布到作为剥离衬垫(隔离膜)的由进行了有机硅脱模处理的厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜上，然后，在130℃下使其干燥2分钟，从而制作厚度30μm的粘接片D。

<切割带一体型粘接片的制作>

使用手压辊将粘接片D贴合到切割带(商品名“V-8-T”、日东电工株式会社制造；基材的平均厚度：65μm、粘合剂层的平均厚度：10μm)的粘合剂层上，制作切割带一体型粘接片D。

(实施例5)

<粘接片的制作>

相对于以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯系聚合物(商品名“PARACRON W-197CM”、根上工业株式会社制造)：100份，将环氧树脂(商品名“EPICOAT1004”、JER株式会社制造)：70份、酚醛树脂(商品名“MILEX XLC-4L、”三井化学株式会社制造)：75份、平均粒径为0.05μm且最大粒径0.3μm以下的球状二氧化硅填料(Admatechs Co.,Ltd.制造)：68份、染料1(商品名“OIL GREEN 502”、Orient Chemical Industries Co.,Ltd.制造)：7份、以及、染料2(商品名“OIL BLACK BS”、Orient Chemical Industries Co.,Ltd.制造)：17份溶解在甲乙酮中，制备固体成分浓度为23.6重量％的粘接剂组合物溶液E。

将粘接剂组合物溶液E涂布到作为剥离衬垫(隔离膜)的由进行了有机硅脱模处理的厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜上，然后，在130℃下使其干燥2分钟，从而制作厚度30μm的粘接片E。

<切割带一体型粘接片的制作>

使用手压辊将粘接片E贴合到切割带(商品名“V-8-T”、日东电工株式会社制造；基材的平均厚度：65μm、粘合剂层的平均厚度：10μm)的粘合剂层上，制作切割带一体型粘接片E。

(比较例1)

<切割带一体型粘接片的制作>

添加134份平均粒径0.5μm的球状二氧化硅填料(商品名“SO-25R”、AdmatechsCo.,Ltd.制造)来代替添加69份平均粒径为0.05μm且最大粒径0.3μm以下的球状二氧化硅填料(Admatechs Co.,Ltd.制造)，除此以外与实施例1的切割带一体型粘接片A同样地操作，制作比较例1的切割带一体型粘接片F。

(比较例2)

<粘接片的制作>

相对于以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯系聚合物(商品名“PARACRON W-197CM”、根上工业株式会社制造)：100份，将环氧树脂(商品名“EPICOAT1004”、JER株式会社制造)：70份、酚醛树脂(商品名“MILEX XLC-4L、”三井化学株式会社制造)：75份、平均粒径为0.05μm且最大粒径0.3μm以下的球状二氧化硅填料(Admatechs Co.,Ltd.制造)：47份、染料1(商品名“OIL GREEN 502”、Orient Chemical Industries Co.,Ltd.制造)：6份、以及、染料2(商品名“OIL BLACK BS”、Orient Chemical Industries Co.,Ltd.制造)：16份溶解在甲乙酮中，制备固体成分浓度为23.6重量％的粘接剂组合物溶液G。

将粘接剂组合物溶液G涂布到作为剥离衬垫(隔离膜)的由进行了有机硅脱模处理的厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜上，然后，在130℃下使其干燥2分钟，从而制作厚度30μm的粘接片G。

<切割带一体型粘接片的制作>

使用手压辊将粘接片G贴合到切割带(商品名“V-8-T”、日东电工株式会社制造；基材的平均厚度：65μm、粘合剂层的平均厚度：10μm)的粘合剂层上，制作切割带一体型粘接片G。

(比较例3)

<粘接片的制作>

相对于以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯系聚合物(商品名“PARACRON W-197CM”、根上工业株式会社制造)：100份，将环氧树脂(商品名“EPICOAT1004”、JER株式会社制造)：70份、酚醛树脂(商品名“MILEX XLC-4L、”三井化学株式会社制造)：75份、平均粒径为0.05μm且最大粒径0.3μm以下的球状二氧化硅填料(Admatechs Co.,Ltd.制造)：286份、染料1(商品名“OIL GREEN 502”、Orient Chemical Industries Co.,Ltd.制造)：13份、以及、染料2(商品名“OIL BLACK BS”、Orient Chemical IndustriesCo.,Ltd.制造)：27份溶解在甲乙酮中，制备固体成分浓度为23.6重量％的粘接剂组合物溶液H。

将粘接剂组合物溶液H涂布到作为剥离衬垫(隔离膜)的由进行了有机硅脱模处理的厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜上，然后，在130℃下使其干燥2分钟，从而制作厚度30μm的粘接片H。

<切割带一体型粘接片的制作>

使用手压辊将粘接片H贴合到切割带(商品名“V-8-T”、日东电工株式会社制造；基材的平均厚度：65μm、粘合剂层的平均厚度：10μm)的粘合剂层上，制作切割带一体型粘接片H。

(比较例4)

<粘接片的制作>

相对于以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯系聚合物(商品名“PARACRON W-197CM”、根上工业株式会社制造)：100份，将环氧树脂(商品名“EPICOAT1004”、JER株式会社制造)：100份、酚醛树脂(商品名“MILEX XLC-4L、”三井化学株式会社制造)：107份、平均粒径为0.05μm且最大粒径0.3μm以下的球状二氧化硅填料(AdmatechsCo.,Ltd.制造)：85份、染料1(商品名“OIL GREEN 502”、Orient Chemical IndustriesCo.,Ltd.制造)：9份、以及、染料2(商品名“OIL BLACK BS”、Orient Chemical IndustriesCo.,Ltd.制造)：21份溶解在甲乙酮中，制备固体成分浓度为23.6重量％的粘接剂组合物溶液I。

将粘接剂组合物溶液I涂布到作为剥离衬垫(隔离膜)的由进行了有机硅脱模处理的厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜上，然后，在130℃下使其干燥2分钟，从而制作厚度30μm的粘接片I。

<切割带一体型粘接片的制作>

使用手压辊将粘接片I贴合到切割带(商品名“V-8-T”、日东电工株式会社制造；基材的平均厚度：65μm、粘合剂层的平均厚度：10μm)的粘合剂层上，制作切割带一体型粘接片I。

(比较例5)

<粘接片的制作>

相对于以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯系聚合物(商品名“PARACRON W-197CM”、根上工业株式会社制造)：100份，将环氧树脂(商品名“EPICOAT1004”、JER株式会社制造)：12份、酚醛树脂(商品名“MILEX XLC-4L、”三井化学株式会社制造)：13份、平均粒径为0.05μm且最大粒径0.3μm以下的球状二氧化硅填料(Admatechs Co.,Ltd.制造)：118份、染料1(商品名“OIL GREEN 502”、Orient Chemical Industries Co.,Ltd.制造)：6份、以及、染料2(商品名“OIL BLACK BS”、Orient Chemical Industries Co.,Ltd.制造)：13份溶解在甲乙酮中，制备固体成分浓度为23.6重量％的粘接剂组合物溶液J。

将粘接剂组合物溶液J涂布到作为剥离衬垫(隔离膜)的由进行了有机硅脱模处理的厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜上，然后，在130℃下使其干燥2分钟，从而制作厚度30μm的粘接片J。

<切割带一体型粘接片的制作>

使用手压辊将粘接片J贴合到切割带(商品名“V-8-T”、日东电工株式会社制造；基材的平均厚度：65μm、粘合剂层的平均厚度：10μm)的粘合剂层上，制作切割带一体型粘接片J。

需要说明的是，表1中总结了实施例、以及比较例的配混量。此外，对于填料相对于粘接片整体的含量、丙烯酸类树脂相对于全部树脂成分的含量也在表1中记载。

[表1]

(翘曲评价)

首先，在热板上将厚度100μm的硅晶圆加热到80℃。接着，以切割带一体型粘接片的粘接片面与硅晶圆相对的方式将由实施例、以及比较例制作的切割带一体型粘接片放置在硅晶圆上，用手压辊进行贴合。接着，用切片机(DISCO社制)将硅晶圆与粘接片一起单片化为10mm×10mm，制成带粘接片的芯片。接着，从切割带剥离带粘接片的芯片，然后，在165℃下进行2小时固化，从而得到评价用的带粘接片的芯片。

将评价用的带粘接片的芯片以粘接片成为下面的方式放置在平坦的台上，用接触式直读式厚度计进行厚度测定。厚度测定以从台面至最远部分的厚度为止方式来测定。接着，将从所得到的测定厚度减去晶圆厚度：100μm和粘接片厚度：30μm而得到的值作为翘曲量，将翘曲量不足100μm时评价为○、将100μm以上时评价为×。在表2中示出结果。

(激光标记的对比度评价)

首先，以与上述翘曲的评价同样的方法，得到实施例、以及比较例的评价用的带粘接片的芯片。接着，以粘接片成为上面的方式设置评价用的带粘接片的芯片，使用激光打印装置(商品名“MD-S9900”、KEYENCE株式会社制造)，在下述照射条件下进行激光打印。

激光打印的照射条件

激光波长：532nm

激光功率：1.2W

频率：32kHz

在进行了激光打印的粘接片上，使用KEYENCE株式会社的装置名：CA-DDW8，对粘接片面从全部方位的方向照射斜光照明，用CCD照相机(装置名：CV-0350)(KEYENCE株式会社制造)收取反射光。使用KEYENCE株式会社的装置名：CV-5000测定所收取的反射光的亮度。亮度测定对于激光打印部和非打印部两者来进行。需要说明的是，亮度是指将白色设为100％并将黑色设为0％的值，在本说明书中，设为使用上述KEYENCE株式会社的装置名：CV-5000进行测定而得到的值。将激光打印部的亮度和非打印部的亮度之差设为对比度[％]，将40％以上的情况评价为○、将不足40％的情况评价为×。在表2中示出结果。

(粘接片的未固化状态的23℃下的拉伸储能模量的测定)

[拉伸储能模量的测定]

使用粘弹性测定装置(Rheometrics Co.,Ltd.制造；型号：RSA-II)测定由各实施例以及比较例制作的粘接片的23℃下的拉伸储能模量。具体而言，切断所制作的粘接片，将样品尺寸制成长度30mm×宽度5mm，将测定试样放置于薄膜拉伸测定用夹具，在-20℃～100℃的温度区域在频率1Hz、应变0.01％、升温速度10℃/min的条件下进行测定。在表2中示出结果。

(粘性评价)

将由实施例以及比较例制作的粘接片贴合于厚度500μm的硅晶圆，单片化(切割)为10mm见方，得到带粘接片的芯片。接着，在厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上以粘接片面与聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜相对的方式载置带粘接片的芯片。接着，在芯片上放置50g的砝码来施加载荷，在40℃环境下保管3天。然后，移除砝码，将聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜翻转。将带粘接片的芯片下落而未贴附于聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的情况评价为○、将贴附于聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜而未下落的情况评价为×。在表2中示出结果。

[表2]

	拉伸储能模量(GPa)	对比度评价	翘曲评价	粘性
					实施例1	3.0	○	○	○
实施例2	1.5	○	○	○
					实施例3	2.0	○	○	○
实施例4	3.0	○	○	○
					实施例5	2.5	○	○	○
比较例1	1.0	×	○	○
					比较例2	2.0	×	○	○
比较例3	4.0	○	×	○
					比较例4	3.2	○	×	○
比较例5	0.8	○	○	×

附图标记说明

1 切割带一体型半导体背面用薄膜

2 倒装芯片型半导体背面用薄膜(半导体背面用薄膜)

3 切割带

31 基材

32 粘合剂层

33 对应半导体晶圆的贴附部分的部分

4 半导体晶圆

5 半导体芯片

51 形成于半导体芯片5的电路面侧的凸块

6 被粘物

61 粘附于被粘物6的连接焊盘的接合用的导电材料

Claims (9)

1.一种粘接片，其特征在于，其为半导体装置的制造中使用的粘接片，

所述粘接片含有平均粒径小于0.1μm的填料和丙烯酸类树脂，

所述填料的含量相对于粘接片整体在20～45重量％的范围内，

所述丙烯酸类树脂的含量相对于全部树脂成分在40～70重量％的范围内。

2.根据权利要求1所述的粘接片，其特征在于，所述粘接片为用于形成在半导体元件的背面的倒装芯片型半导体背面用薄膜，所述半导体元件倒装芯片连接于被粘物上。

3.根据权利要求1所述的粘接片，其特征在于，所述填料的最大粒径为0.5μm以下。

4.根据权利要求1所述的粘接片，其特征在于，所述填料为二氧化硅系填料。

5.根据权利要求1所述的粘接片，其特征在于，未固化状态的23℃下的拉伸储能模量为1.0GPa～3.0GPa。

6.根据权利要求1所述的粘接片，其特征在于，所述填料的平均粒径为0.05μm以下。

7.一种切割带一体型粘接片，其特征在于，其为在切割带上层叠有权利要求1～6中任一项所述的粘接片的切割带一体型粘接片，

所述切割带为在基材上层叠有粘合剂层的结构，所述粘接片层叠于所述粘合剂层上。

8.一种半导体装置，其特征在于，其是使用权利要求7所述的切割带一体型粘接片而制造的。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其为使用了权利要求7所述的切割带一体型粘接片的半导体装置的制造方法，该方法具备以下工序：

在所述切割带一体型粘接片中的粘接片上贴附半导体晶圆的工序；

切割所述半导体晶圆而形成半导体元件的工序；

将所述半导体元件与所述切割带一体型粘接片一起从切割带的粘合剂层剥离的工序；和

将所述半导体元件倒装芯片连接到被粘物上的工序。