CN105067178A - 一种差分电容式mems压力传感器及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 14
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 4
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/12—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in capacitance, i.e. electric circuits therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L13/00—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values
- G01L13/02—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using elastically-deformable members or pistons as sensing elements
- G01L13/025—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using elastically-deformable members or pistons as sensing elements using diaphragms
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0264—Pressure sensors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种差分电容式MEMS压力传感器及其制造方法，敏感结构层包括公共敏感部以及位于公共敏感部边缘的公共支撑部，且公共支撑部的厚度大于公共敏感部的厚度；包括相对于敏感结构层上下对称的用于与公共敏感部形成差分电容的上固定电极结构层、下固定电极结构层。本发明的MEMS压力传感器，通过差分电容结构，增强了芯片对共模信号的抑制，提高了输出信号的信噪比；同时，本发明公共支撑部的厚度大于公共敏感部的厚度，这就使得外围的公共支撑部可以屏蔽温度和应力所引起的应变，从而大大降低了由于温度和应力变化所传递到公共敏感部上的应变，提高了芯片的温度稳定性和应力稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及传感器领域，更具体地，涉及一种差分电容式的MEMS压力传感器；本发明还涉及一种差分电容式MEMS压力传感器的制造方法。
背景技术
现行的技术方案中，MEMS压力传感器主要有电容式和压阻式两种，其中，电容式MEMS压力传感器包括压力敏感膜、衬底和触点。压力敏感膜与衬底形成密封的真空腔，压力敏感膜形成的电容极板会对外界的压力变化做出反应；当外界的气压变化时，处在真空腔上方的压力敏感膜会发生弯曲，从而压力敏感膜与衬底形成的电容值会发生变化，进而由ASIC电路读出该电容的变化，来表征外界的压力变化。
上述电容式MEMS压力传感器是通过单个电容来检测外界压力变化的，一般来说，外界气压变化所引起的电容变化量都是很小的，采用单个电容进行检测的误差很大。另外，除了外界的压力变化会引起电容变化外，其它干扰信号也会引起电容的变化，如应力、温度及其它的共模信号，都会影响电容的变化值，这些有害的信号不会加以衰减或滤除，而是随压力信号一并输出,进而影响压力检测的精度和稳定性。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种差分电容式MEMS压力传感器的新技术方案。
根据本发明的第一方面，提供了一种差分电容式MEMS压力传感器，包括：
敏感结构层，包括位于中部的公共敏感部，以及位于公共敏感部边缘的公共支撑部，所述公共敏感部连接在公共支撑部的侧壁上，且公共支撑部的厚度大于公共敏感部的厚度，使得敏感结构层的截面整体呈哑铃型；
上固定电极结构层，包括悬置在公共敏感部上方、并与公共敏感部组成电容结构的上固定电极，所述上固定电极上设置有腐蚀孔；
下固定电极结构层，与上固定电极结构层结构一致，二者沿着敏感结构层上下对称，所述下固定电极结构层包括悬置在公共敏感部下方、并与公共敏感部组成电容结构的下固定电极；所述下固定电极上设置有腐蚀孔；
用于支撑的衬底，所述衬底与公共敏感部之间形成了真空腔。
优选地，所述公共支撑部上与公共敏感部连接的位置具有过渡的公共斜面，该公共斜面包括位于公共支撑部上表面的第一斜面，以及位于公共支撑部下表面的第二斜面。
优选地，所述上固定电极结构层包括连接上固定电极边缘的上固定电极支撑部，所述上固定电极支撑部通过绝缘层与公共支撑部的上表面连接；
所述下固定电极结构层包括连接下固定电极边缘的下固定电极支撑部，所述下固定电极支撑部与通过绝缘层与公共支撑部的上表面连接。
优选地，所述上固定电极结构层还包括呈倾斜状的上固定电极连接部，所述上固定电极通过上固定电极连接部与上固定电极支撑部连接，且所述上固定电极连接部位于第一斜面的上方，且与第一斜面具有相同的斜度；
所述下固定电极结构层还包括呈倾斜状的下固定电极连接部，所述下固定电极通过下固定电极连接部与下固定电极支撑部连接，且所述下固定电极连接部位于第二斜面的下方，且与第二斜面具有相同的斜度。
优选地，所述上固定电极连接部与第一斜面之间、所述下固定电极连接部与第二斜面之间分别设有绝缘层。
优选地，所述下固定电极支撑部上设置有导电部，该导电部贯穿绝缘层、公共支撑部与上固定电极支撑部连接在一起，并在上固定电极支撑部上隔离形成下固定电极的第一导电触点；
在所述公共支撑部上设置有导电部，该导电部贯穿绝缘层与上固定电极支撑部连接在一起，并在上固定电极支撑部上隔离形成公共敏感部的第二导电触点；
在所述上固定电极支撑部上还设置有上固定电极的第三导电触点。
优选地，所述衬底通过绝缘层连接在下固定电极结构层的下固定电极支撑部上。
优选地，所述衬底通过绝缘层连接在敏感结构层的公共支撑部上，所述下固定电极结构层悬置在真空腔内。
本发明还提供了一种上述MEMS压力传感器的制造方法，包括以下步骤：
a)在敏感结构层的一端刻蚀贯通其上下两端的通孔，之后在通孔的孔壁上生长绝缘层，并在通孔内填充多晶硅导电材料或金属部；
b)在敏感结构层上表面进行刻蚀或腐蚀，形成公共支撑部的下表面、第二斜面以及公共敏感部的下表面；
c)在整个敏感结构层的上表面生长绝缘层，并对绝缘层进行图形化刻蚀；
d)在绝缘层的上表面沉积下固定电极结构层，形成下固定电极支撑部、下固定电极连接部、下固定电极；且下固定电极支撑部与多晶硅导电材料或金属部连接在一起；
e)在下固定电极上刻蚀形成腐蚀孔；
f)通过腐蚀孔将下固定电极与公共敏感部之间的绝缘层腐蚀掉，将下固定电极从公共敏感部上释放开来；
g)将整个敏感结构层、下固定电极结构层翻转，并键合在衬底上，形成了位于衬底与公共敏感部之间的真空腔；
h)在敏感结构层上表面进行刻蚀或腐蚀，形成公共支撑部的上表面、第一斜面以及公共敏感部的上表面；
i)在整个敏感结构层的上表面生长绝缘层，并对绝缘层进行图形化刻蚀；
j)在绝缘层的上表面沉积上固定电极结构层，形成上固定电极支撑部、上固定电极连接部、上固定电极；且透过图形化的绝缘层，所述上固定电极支撑部与多晶硅导电材料或金属部、公共支撑部连接在一起；
k)在上固定电极支撑部的相应位置制作第一导电触点、第二导电触点、第三导电触点；
l)在上固定电极上刻蚀形成腐蚀孔；并在上固定电极支撑部上进行刻蚀，将第一导电触点、第二导电触点、第三导电触点相互隔离开；
m)通过腐蚀孔将上固定电极与公共敏感部之间的绝缘层腐蚀掉，将上固定电极从公共敏感部上释放开来。
优选地，在所述步骤g)和步骤h)之间，还包括将敏感结构层减薄到预定厚度的步骤。
本发明的MEMS压力传感器，上固定电极、公共敏感部、下固定电极构成了差分电容结构，从而增强了芯片对共模信号的抑制，提高了输出信号的信噪比；同时，本发明公共支撑部的厚度大于公共敏感部的厚度，使得敏感结构层的截面整体呈哑铃型，这就使得外围的公共支撑部可以屏蔽温度和应力所引起的应变，从而大大降低了由于温度和应力变化所传递到公共敏感部上的应变，提高了芯片的温度稳定性和应力稳定性。
本发明的发明人发现，在现有技术中，采用单个电容进行检测的误差很大，另外，除了外界的压力变化会引起电容变化外，其它干扰信号也会引起电容的变化，如应力、温度及其它的共模信号，都会影响电容的变化值，这些有害的信号不会加以衰减或滤除，而是随压力信号一并输出,进而影响压力检测的精度和稳定性。因此，本发明所要实现的技术任务或者所要解决的技术问题是本领域技术人员从未想到的或者没有预期到的，故本发明是一种新的技术方案。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明MEMS压力传感器的结构示意图。
图2至图13是本发明MEMS压力传感器制造方法的工艺流程图。
图14是本发明MEMS压力传感器另一实施结构的示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
参考图1，本发明提供的一种差分电容式MEMS压力传感器，其包括衬底1以及支撑在衬底1上的敏感结构层2、上固定电极结构层3、下固定电极结构层4，其中，上固定电极结构层3位于敏感结构层2的上方，其与敏感结构层2可构成第一检测电容，下固定电极结构层4位于敏感结构层2的下方，其与敏感结构层2可构成第二检测电容，敏感结构层2作为两个检测电容的公共敏感极板，而且上固定电极结构层3、下固定电极结构层4相对于敏感结构层2对称，使得第一检测电容和第二检测电容构成了差分电容结构，从而提高了微小电容的检测能力，增强了芯片对共模信号的抑制，提高了输出信号的信噪比。
具体地，参考图1，本发明的敏感结构层2，其包括位于中部的公共敏感部22，以及位于公共敏感部22边缘的公共支撑部20，该公共敏感部22和公共支撑部20可以是一体的，采用单晶硅材料制成。公共敏感部22为电容结构的可动极板，在外界的压力作用下，该公共敏感部22发生弯曲变形。公共支撑部20主要为公共敏感部22提供支撑，使公共敏感部22保持在预定的位置。公共敏感部22的边缘连接在公共支撑部20的侧壁上，优选其连接位置位于公共支撑部20侧壁的中部，使得公共敏感部22被公共支撑部20环绕起来。其中，所述公共支撑部20的厚度大于公共敏感部22的厚度，使得敏感结构层2的截面整体呈哑铃型。
本发明的上固定电极结构层3，包括悬置在公共敏感部22上方的上固定电极32，上固定电极32可通过本领域技术人员所熟知的方式支撑并悬置在公共敏感部22的上方，使得该公共敏感部22可与上固定电极32构成一可用于检测压力变化的第一检测电容。
在本发明一个具体的实施方式中，所述上固定电极结构层3还包括位于上固定电极32边缘的上固定电极支撑部30，该上固定电极32和上固定电极支撑部30可以是一体的，采用多晶硅材料制成。上固定电极支撑部30主要为上固定电极32提供支撑，使上固定电极32保持在预定的位置上。上固定电极32的边缘与上固定电极支撑部30连接在一起，使得上固定电极32被上固定电极支撑部30环绕起来。其中，上固定电极支撑部30通过绝缘层5支撑在敏感结构层2的公共支撑部20的上端面，使得上固定电极32可以悬置在公共敏感部22的上方，二者之间留有供第一检测电容工作的空间23。
本发明的下固定电极结构层4位于敏感结构层2的下方，其与上固定电极结构层3的结构一致，二者沿着敏感结构层2上下对称。包括悬置在公共敏感部22下方的下固定电极42，下固定电极42可通过本领域技术人员所熟知的方式支撑并悬置在公共敏感部22的下方，使得该公共敏感部22可与下固定电极42构成一可用于检测压力变化的第二检测电容。
在本发明一个具体的实施方式中，所述下固定电极结构层4还包括位于下固定电极42边缘的下固定电极支撑部40，该下固定电极42和下固定电极支撑部40可以是一体的，采用多晶硅材料制成。下固定电极支撑部40主要为下固定电极42提供支撑，使下固定电极42保持在预定的位置上。下固定电极42的边缘与下固定电极支撑部40连接在一起，使得下固定电极42被下固定电极支撑部40环绕起来。其中，下固定电极支撑部40通过绝缘层5连接在敏感结构层2的公共支撑部20的下端面上，使得下固定电极42可以悬置在公共敏感部22的下方，二者之间留有供第二检测电容工作的空间。
在本发明一个具体的实施方式中，可将下固定电极支撑部40通过绝缘层键合在衬底1上，并使衬底1与下固定电极42之间形成一真空腔7。此时，为了使公共敏感部22可以感应外界压力变化而发生弯曲变形，在所述上固定电极32上设置有多个腐蚀孔33，通过该多个腐蚀孔33，使得公共敏感部22可以与外界连通起来。在本发明一个优选的实施方式中，在所述下固定电极42上也设置有多个腐蚀孔43，此时，可以看成，真空腔7由公共敏感部22和衬底1围成，从而提高了真空腔7的容积，使得公共敏感部22的形变力度更能反应出外界压力变化的力度。
在本发明另一个具体的实施方式中，参考图14，所述衬底1通过绝缘层键合在敏感结构层2的公共支撑部20上，这就使得所述下固定电极结构层4整体悬置在真空腔7内。将下固定电极结构层4与衬底1的键合区域分开，可以防止键合工艺对下固定电极结构层4造成损伤。另外，还可以将上、下固定电极上对灵敏度没有贡献的部分刻蚀掉，降低上、下固定电极对公共敏感部22的寄生电容，以起到抑制噪声的目的。这种降低寄生电容的方法属于本领域技术人员的公知常识，在此不再具体说明。
本发明的MEMS压力传感器，上固定电极、公共敏感部、下固定电极构成了差分电容结构，从而增强了芯片对共模信号的抑制，提高了输出信号的信噪比；同时，本发明公共支撑部的厚度大于公共敏感部的厚度，使得敏感结构层的截面整体呈哑铃型，这就使得外围的公共支撑部可以屏蔽温度和应力所引起的应变，从而大大降低了由于温度和应力变化所传递到公共敏感部上的应变，提高了芯片的温度稳定性和应力稳定性。
在本发明一个优选的实施方式中，所述公共支撑部20上与公共敏感部22连接的位置具有过渡的公共斜面，该公共斜面包括位于公共支撑部20上表面的第一斜面21，以及位于公共支撑部20下表面的第二斜面24，公共敏感部22与公共支撑部20上的公共斜面连接，使得公共敏感部22、公共支撑部20的公共斜面形成了近似等腰梯形的凹槽；同时，通过设置的公共斜面，使得在制作上固定电极结构层3、下固定电极结构层4时，上固定电极结构层3、下固定电极结构层4沉积在具有阶梯坡度的敏感结构层2上，能够大大降低薄膜的内应力。
为了和敏感结构层2对应起来，所述上固定电极结构层3还包括呈倾斜状的上固定电极连接部31，所述上固定电极32通过上固定电极连接部31与上固定电极支撑部30连接，其中，上固定电极连接部31与第一斜面21具有角度相同的斜度，使得上固定电极连接部31与第一斜面21完全平行。选择整个上固定电极结构层3具有均一的厚度，也就是说，整个上固定电极结构层3的结构走向与敏感结构层2上表面的结构完全一致。其中，上固定电极支撑部30通过绝缘层5平行地支撑在公共支撑部20的上方，所述上固定电极连接部31、上固定电极32通过上固定电极支撑部30分别平行地支撑悬置在第一斜面21、公共敏感部22的上方。进一步优选的是，上固定电极连接部31与第一斜面21之间也可设置绝缘层，该位置的绝缘层与上固定电极支撑部30、公共支撑部20之间的绝缘层5是一体的。
下固定电极结构层4、上固定电极结构层3相对于敏感结构层2上下对称，为了和敏感结构层2对应起来，所述下固定电极结构层4还包括呈倾斜状的下固定电极连接部41，所述下固定电极42通过下固定电极连接部41与下固定电极支撑部40连接。其中，下固定电极连接部41与第二斜面24具有角度相同的斜度，使得下固定电极连接部41与第一斜面21完全平行。选择整个下固定电极结构层4具有均一的厚度，也就是说，整个下固定电极结构层4的结构走向与敏感结构层2下表面的结构完全一致。其中，下固定电极支撑部40通过绝缘层5平行地连接在公共支撑部20的下方，所述下固定电极连接部41、下固定电极42通过下固定电极支撑部40分别平行地悬置在第二斜面24、公共敏感部22的下方。进一步优选的是，下固定电极连接部41与第二斜面24之间也可设置绝缘层，该位置的绝缘层与下固定电极支撑部40、公共支撑部20之间的绝缘层5是一体的。
本发明的MEMS压力传感器，需要将上固定电极32、公共敏感部22、下固定电极42的电信号引出，通过电路来获得第一检测电容、第二检测电容的数值。在此，可通过本领域技术人员所熟知的方式将上述三个极板的信号引出。在本发明一个具体的实施方式中，参考图1，所述下固定电极支撑部40上设置有导电部，该导电部的下端与下固定电极支撑部40连接，其上端贯穿绝缘层5、公共支撑部20，与上固定电极支撑部30连接在一起，并在上固定电极支撑部30上形成下固定电极42的第一导电触点80。
在所述公共支撑部20上也可设有导电部，该导电部贯穿绝缘层5与上固定电极支撑部30连接在一起，并在上固定电极支撑部30的相应位置上形成公共敏感部22的第二导电触点81；在所述上固定电极支撑部30上还设置有上固定电极32的第三导电触点82。三个导电触点均设置在上固定电极支撑部30上，为了彼此之间的绝缘，可在上固定电极支撑部30上进行图形化处理，形成隔离区9，从而将上固定电极支撑部30上三个导电触点的区域彼此隔离开。
上述的导电部起到电导通的作用，其可以是本领域技术人员所熟知的任意导电材料，其可以是金属材料，也可以是多晶硅材料。应用到本发明的技术方案中，公共支撑部20与上固定电极支撑部30之间的导电部也可以采用多晶硅材料，其与上固定电极支撑部30采用相同的材质，在此，可以理解为该导电部与上固定电极支撑部30是一体的。下固定电极支撑部40与上固定电极支撑部30之间的导电部，包括位于公共支撑部20中的金属部6，其中金属部6的上、下两端分别通过电连接部与上固定电极支撑部30、下固定电极支撑部40连接在一起；该电连接部可以为多晶硅材料，其与上固定电极支撑部30、下固定电极支撑部40上采用相同的材质，在此，可以理解为该两个导电部分别与上固定电极支撑部30、下固定电极支撑部40是一体的。
本发明还提供了一种上述MEMS压力传感器的制造方法，包括以下步骤：
a)在敏感结构层2的一端刻蚀贯通其上下两端的通孔，之后在通孔的孔壁上生长绝缘层5，并在通孔内填充多晶硅导电材料或金属部6，参考图2；敏感结构层2可以采用单晶硅材料，通过绝缘层5与通孔内的多晶硅导电材料或金属部6保持绝缘；
b)在敏感结构层2的上表面进行刻蚀或腐蚀，形成公共支撑部20的下表面、第二斜面24以及公共敏感部22的下表面，参考图3；可通过各向异性腐蚀的方法，在敏感结构层2的上表面形成呈等腰梯形的凹槽，该凹槽的底部为公共敏感部22的下表面，其侧壁为公共支撑部20的第二斜面24；
c)在整个敏感结构层2的上表面生长一层绝缘层5，使得该绝缘层5覆盖在敏感结构层2的整个上表面；对绝缘层5进行图形化刻蚀，将位于多晶硅导电材料或金属部6上方的绝缘层5刻蚀掉，形成刻蚀孔60，从而将多晶硅导电材料或金属部6的端面露出，参考图4；
d)在绝缘层5的上表面沉积下固定电极结构层4，该下固定电极结构层4可以是多晶硅材料，其具有均一的厚度，该下固定电极结构层4沉积在绝缘层5上之后，形成了下固定电极支撑部40、下固定电极连接部41、下固定电极42；且下固定电极支撑部40沉积至刻蚀孔60中，与多晶硅导电材料或金属部6连接在一起，参考图5；
e)在下固定电极42上刻蚀形成多个腐蚀孔43，参考图6；
f)通过腐蚀孔43将下固定电极42与公共敏感部22之间的绝缘层5腐蚀掉，从而将下固定电极42从公共敏感部22上释放开来，下固定电极42与公共敏感部22之间具有一定的空间23，使得下固定电极42与公共敏感部22可以构成用于检测的电容，参考图7；
g)将整个敏感结构层2、下固定电极结构层4翻转，键合在衬底1上，并形成了位于衬底1与公共敏感部22之间的真空腔7，参考图8；在该步骤中，可以将下固定电极支撑部40通过绝缘层键合在衬底1上，也可以通过改变结构，将公共支撑部20通过绝缘层键合在衬底1上；
h)在上述结构翻转后，对敏感结构层2的另一面进行处理，参考图9的方向，与步骤b)相似，在敏感结构层2上表面进行刻蚀或腐蚀，形成公共支撑部20的上表面、第一斜面21以及公共敏感部22的上表面；可通过各向异性腐蚀的方法，在敏感结构层2的上表面形成呈等腰梯形的凹槽，该凹槽的底部为公共敏感部22的上表面，其侧壁为公共支撑部20的第一斜面21；其中，在该步骤之前，根据需要，还包括将敏感结构层2减薄到预定厚度的步骤；
i)在整个敏感结构层2的上表面生长绝缘层5，使得该绝缘层5覆盖在敏感结构层2的整个上表面，并对绝缘层5进行图形化刻蚀，将位于多晶硅导电材料或金属部6上方的绝缘层5刻蚀掉，形成刻蚀孔800，将多晶硅导电材料或金属部6的端面露出；同时将位于公共支撑部20上方预定位置的绝缘层5刻蚀掉，形成刻蚀孔810，使部分公共支撑部20露出，参考图10；
j)在绝缘层5的上表面沉积上固定电极结构层3，与步骤d)相似，该上固定电极结构层3可以是多晶硅材料，其具有均一的厚度，该上固定电极结构层3沉积在绝缘层5上之后，形成了上固定电极支撑部30、上固定电极连接部31、上固定电极32；且上固定电极支撑部30沉积至刻蚀孔800、810中，分别与多晶硅导电材料或金属部6、公共支撑部20连接在一起，参考图11；
k)在上固定电极支撑部30的相应位置制作第一导电触点80、第二导电触点81、第三导电触点82，参考图12，具体地，第一导电触点80位于刻蚀孔800的正上方，第二导电触点81位于刻蚀孔810的正上方；
l)在上固定电极32上刻蚀形成腐蚀孔33；并在上固定电极支撑部30上进行刻蚀，形成隔离区9，将第一导电触点80、第二导电触点81、第三导电触点82相互隔离开，参考图13；
m)通过腐蚀孔33将上固定电极32与公共敏感部22之间的绝缘层5腐蚀掉，从而将上固定电极32从公共敏感部22上释放开来，上固定电极32与公共敏感部22之间具有一定的空间23，使得上固定电极32与公共敏感部22可以构成用于检测的电容，参考图1。
本发明的制造方法，敏感结构层的形成是通过在其上、下表面的腐蚀或刻蚀来完成的，降低了芯片的加工成本；同时，采用单晶硅来制作敏感结构层，可以大大降低其残余的应力，提高了芯片的稳定性；上固定电极结构层、下固定电极结构层的多晶硅层沉积在敏感结构层的具有阶梯坡度的表面上，可以大大降低薄膜的内应力。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (10)
1.一种差分电容式MEMS压力传感器，其特征在于，包括：
敏感结构层(2)，包括位于中部的公共敏感部(22)，以及位于公共敏感部(22)边缘的公共支撑部(20)，所述公共敏感部(22)连接在公共支撑部(20)的侧壁上，且公共支撑部(20)的厚度大于公共敏感部(22)的厚度，使得敏感结构层(2)的截面整体呈哑铃型；
上固定电极结构层(3)，包括悬置在公共敏感部(22)上方、并与公共敏感部(22)组成电容结构的上固定电极(32)，所述上固定电极(32)上设置有腐蚀孔(33)；
下固定电极结构层(4)，与上固定电极结构层(3)结构一致，二者沿着敏感结构层(2)上下对称，所述下固定电极结构层(4)包括悬置在公共敏感部(22)下方、并与公共敏感部(22)组成电容结构的下固定电极(42)；所述下固定电极(42)上设置有腐蚀孔(43)；
用于支撑的衬底(1)，所述衬底(1)与公共敏感部(22)之间形成了真空腔(7)。
2.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于：所述公共支撑部(20)上与公共敏感部(22)连接的位置具有过渡的公共斜面，该公共斜面包括位于公共支撑部(20)上表面的第一斜面(21)，以及位于公共支撑部(20)下表面的第二斜面(24)。
3.根据权利要求2所述的MEMS压力传感器，其特征在于：
所述上固定电极结构层(3)包括连接上固定电极(32)边缘的上固定电极支撑部(30)，所述上固定电极支撑部(30)通过绝缘层(5)与公共支撑部(20)的上表面连接；
所述下固定电极结构层(4)包括连接下固定电极(42)边缘的下固定电极支撑部(40)，所述下固定电极支撑部(40)与通过绝缘层(5)与公共支撑部(20)的上表面连接。
4.根据权利要求3所述的MEMS压力传感器，其特征在于：
所述上固定电极结构层(3)还包括呈倾斜状的上固定电极连接部(31)，所述上固定电极(32)通过上固定电极连接部(31)与上固定电极支撑部(30)连接，且所述上固定电极连接部(31)位于第一斜面(21)的上方，且与第一斜面(21)具有相同的斜度；
所述下固定电极结构层(4)还包括呈倾斜状的下固定电极连接部(41)，所述下固定电极(42)通过下固定电极连接部(41)与下固定电极支撑部(40)连接，且所述下固定电极连接部(41)位于第二斜面(24)的下方，且与第二斜面(24)具有相同的斜度。
5.根据权利要求4所述的MEMS压力传感器，其特征在于：所述上固定电极连接部(31)与第一斜面(21)之间、所述下固定电极连接部(41)与第二斜面(24)之间分别设有绝缘层(5)。
6.根据权利要求3所述的MEMS压力传感器，其特征在于：
所述下固定电极支撑部(40)上设置有导电部，该导电部贯穿绝缘层、公共支撑部(20)与上固定电极支撑部(30)连接在一起，并在上固定电极支撑部(30)上隔离形成下固定电极(42)的第一导电触点(80)；
在所述公共支撑部(20)上设置有导电部，该导电部贯穿绝缘层与上固定电极支撑部(30)连接在一起，并在上固定电极支撑部(30)上隔离形成公共敏感部(22)的第二导电触点(81)；
在所述上固定电极支撑部(30)上还设置有上固定电极(32)的第三导电触点(82)。
7.根据权利要求3所述的MEMS压力传感器，其特征在于：所述衬底(1)通过绝缘层连接在下固定电极结构层(4)的下固定电极支撑部(40)上。
8.根据权利要求3所述的MEMS压力传感器，其特征在于：所述衬底(1)通过绝缘层连接在敏感结构层(2)的公共支撑部(20)上，所述下固定电极结构层(4)悬置在真空腔(7)内。
9.一种如权利要求1至8任一项所述的MEMS压力传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
a)在敏感结构层(2)的一端刻蚀贯通其上下两端的通孔，之后在通孔的孔壁上生长绝缘层，并在通孔内填充多晶硅导电材料或金属部(6)；
b)在敏感结构层(2)上表面进行刻蚀或腐蚀，形成公共支撑部(20)的下表面、第二斜面(24)以及公共敏感部(22)的下表面；
c)在整个敏感结构层(2)的上表面生长绝缘层(5)，并对绝缘层(5)进行图形化刻蚀；
d)在绝缘层(5)的上表面沉积下固定电极结构层(4)，形成下固定电极支撑部(40)、下固定电极连接部(41)、下固定电极(42)；且下固定电极支撑部(40)与多晶硅导电材料或金属部(6)连接在一起；
e)在下固定电极(42)上刻蚀形成腐蚀孔(43)；
f)通过腐蚀孔(43)将下固定电极(42)与公共敏感部(22)之间的绝缘层(5)腐蚀掉，将下固定电极(42)从公共敏感部(22)上释放开来；
g)将整个敏感结构层(2)、下固定电极结构层(4)翻转，并键合在衬底(1)上，形成了位于衬底(1)与公共敏感部(22)之间的真空腔(7)；
h)在敏感结构层(2)上表面进行刻蚀或腐蚀，形成公共支撑部(20)的上表面、第一斜面(21)以及公共敏感部(22)的上表面；
i)在整个敏感结构层(2)的上表面生长绝缘层(5)，并对绝缘层(5)进行图形化刻蚀；
j)在绝缘层(5)的上表面沉积上固定电极结构层(3)，形成上固定电极支撑部(30)、上固定电极连接部(31)、上固定电极(32)；且透过图形化的绝缘层，所述上固定电极支撑部(30)与多晶硅导电材料或金属部(6)、公共支撑部(20)连接在一起；
k)在上固定电极支撑部(30)的相应位置制作第一导电触点(80)、第二导电触点(81)、第三导电触点(82)；
l)在上固定电极(32)上刻蚀形成腐蚀孔(33)；并在上固定电极支撑部(30)上进行刻蚀，将第一导电触点(80)、第二导电触点(81)、第三导电触点(82)相互隔离开；
m)通过腐蚀孔(33)将上固定电极(32)与公共敏感部(22)之间的绝缘层(5)腐蚀掉，将上固定电极(32)从公共敏感部(22)上释放开来。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于：在所述步骤g)和步骤h)之间，还包括将敏感结构层(2)减薄到预定厚度的步骤。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510290080.3A CN105067178B (zh) | 2015-05-29 | 2015-05-29 | 一种差分电容式mems压力传感器及其制造方法 |
| PCT/CN2015/096916 WO2016192360A1 (zh) | 2015-05-29 | 2015-12-10 | 一种差分电容式mems压力传感器及其制造方法 |
| US15/559,331 US10495535B2 (en) | 2015-05-29 | 2015-12-10 | Differential capacitive MEMS pressure sensor and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510290080.3A CN105067178B (zh) | 2015-05-29 | 2015-05-29 | 一种差分电容式mems压力传感器及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105067178A true CN105067178A (zh) | 2015-11-18 |
| CN105067178B CN105067178B (zh) | 2018-01-19 |
Family
ID=54496602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510290080.3A Active CN105067178B (zh) | 2015-05-29 | 2015-05-29 | 一种差分电容式mems压力传感器及其制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10495535B2 (zh) |
| CN (1) | CN105067178B (zh) |
| WO (1) | WO2016192360A1 (zh) |
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| CN105067178B (zh) | 2015-05-29 | 2018-01-19 | 歌尔股份有限公司 | 一种差分电容式mems压力传感器及其制造方法 |
-
2015
- 2015-05-29 CN CN201510290080.3A patent/CN105067178B/zh active Active
- 2015-12-10 WO PCT/CN2015/096916 patent/WO2016192360A1/zh not_active Ceased
- 2015-12-10 US US15/559,331 patent/US10495535B2/en active Active
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|---|---|
| US10495535B2 (en) | 2019-12-03 |
| WO2016192360A1 (zh) | 2016-12-08 |
| US20180113041A1 (en) | 2018-04-26 |
| CN105067178B (zh) | 2018-01-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Development Zone, Shandong, China, No. 268 Applicant after: Goertek Inc. Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Development Zone, Shandong, China, No. 268 Applicant before: Goertek Inc. |
|
| COR | Change of bibliographic data | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200610 Address after: 266104 room 103, 396 Songling Road, Laoshan District, Qingdao, Shandong Province Patentee after: Goer Microelectronics Co.,Ltd. Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Development Zone, Shandong, China, No. 268 Patentee before: GOERTEK Inc. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
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|
| CP03 | Change of name, title or address |