CN105008070B - 银粉 - Google Patents
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Abstract
一种银粉,其在制造糊剂时具有适当的粘度范围、混炼容易且抑制了薄片的产生。通过JIS‑K6217‑4法测定得到的邻苯二甲酸二丁酯的吸收量为7.0~9.5ml/100g,并且在吸收量测定时的吸油曲线中具有两个峰或者具有半峰宽为1.5ml/100g以下的一个峰。
Description
技术领域
本发明涉及银粉,更详细而言,涉及成为利用在电子仪器的布线层、电极等的形成中的银糊剂的主要成分的银粉。本申请基于2012年12月5日于日本申请的日本专利申请号特愿2012-266627作为基础来要求优先权,通过参照该申请而将其援引至本申请。
背景技术
为了形成电子仪器中的配线层、电极等而大多使用树脂型银糊剂、焙烧型银糊剂之类的银糊剂。即,通过将这些银糊剂涂布或印刷在各种基材上,然后进行加热固化或加热焙烧,可以形成成为配线层、电极等的导电膜。
例如,树脂型银糊剂包含银粉、树脂、固化剂、溶剂等,将其印刷在导电体电路图案或端子上,以100℃~200℃进行加热固化来制成导电膜,从而形成配线、电极。另外,焙烧型银糊剂包含银粉、玻璃、溶剂等,将其印刷在导电体电路图案或端子上,加热焙烧至600℃~800℃来制成导电膜,从而形成配线、电极。用这些银糊剂形成的配线、电极中,通过银粉的连接而形成电连接的电流通路。
银糊剂中使用的银粉的粒径为0.1μm~数μm,所使用的银粉的粒径因要形成的配线的粗细、电极的厚度等而异。另外,通过使银粉均匀地分散在糊剂中,可以形成粗细均匀的配线或厚度均匀的电极。
在制作银糊剂时,一般而言,例如首先将银粉与溶剂等其它构成成分进行预混炼而使其相容,其后,边用三辊磨等施加规定的压力边进行混炼,从而制作。根据该方法,能够一次性制造大量的银糊剂,因此可以期待生产率高、制造成本降低的效果。另一方面,对银粉要求能够用辊有效地进行混炼、即具有良好的混炼性。
糊剂的粘度过高或过低时,均难以用三辊磨进行有效的混炼。对于粘度低的银粉而言,用三辊磨时的剪切应力变小,施加于银糊剂的剪断力变小,从而使银粉在糊剂中的分散变得不充分。另一方面,粘度高的银粉难以与溶剂等其它构成成分混炼并相容,导致将银粉与溶剂等其它构成成分的混炼不充分的糊剂投入到三辊磨中。
糊剂中的银粉的分散不充分时、银粉与溶剂等其它构成成分的混炼不充分而使糊剂粘度下降时,糊剂中存在银颗粒彼此的聚集块。若用三辊磨混炼这样的糊剂,则会因聚集的银颗粒的块被碾碎而产生数mm单位的薄片状粉(薄片)等粗大粉体。不希望将所产生的薄片直接残留在糊剂中,因此使用筛网等进行筛分而去除。但产生的薄片过多时,还产生筛网之间被粗大粉体堵塞等不良情况,从而无法有效地进行去除,导致严重影响生产率。
另外,如上述那样如果在糊剂中产生薄片,则在使用该糊剂进行丝网印刷的情况下,微细的丝网被粗大的薄片堵塞,从而难以正确地印刷图案。
像这样,制作糊剂时产生薄片会大大影响丝网印刷时的印刷性。因此,理想的是,银粉具有制作糊剂时能够容易地混炼的粘度,银粉在溶剂中的分散性良好,且混炼中银颗粒的块具有不会被碾碎程度的强度。
为了使糊剂的制作变得容易而提出了控制银粉的粒度分布、形态的方案。
例如,专利文献1中提出了一种导电性粘接剂,其向粘结剂用的树脂中配混作为导电粉的、导电性粘接剂中为30~98重量%的银粉。导电性粘接剂中含有银粉,该银粉的一次颗粒形成为扁平状,该银粉具有振实密度为1.5g/cm3以下的块状聚集结构。
根据专利文献1,聚集结构的银粉可以容易地解聚为一次颗粒,因而具有高分散性,不会因银粉的分散不良而引起导电性恶化,能够表现出稳定的导电性,可以获得赋予导电性以及粘接性、耐热性、耐湿性、作业性和导热性等优异的固化物的导电性粘接剂。
然而,该提案中,并未考虑因糊剂的粘度变化、在糊剂中分散的银颗粒再聚集而产生的粗大薄片,难以确保最终获得的糊剂中的分散性。
在专利文献2中,提出了预先向含有银络合物的溶液中加入HLB值为6~17的非离子性表面活性剂的方案。这是为了防止在添加还原剂时被还原了的银颗粒的聚集。在专利文献2中,提出一种银粉的制造方法,通过将含还原剂的水溶液的添加速度设为快至1当量/分钟以上,从而获得振实密度为2.5g/cm3以上、平均粒径为1~6μm、比表面积为5m2/g以下且分散性优异的银粉。
然而,该提案是防止所得银粉聚集而获得分散的银粉的提案,并未对制作糊剂时在溶剂中的分散性、薄片的产生作任何考量。
专利文献3中提出了一种导电性糊剂,其特征在于,其由导电性颗粒和以热固化性树脂作为主成分的粘结剂构成,该导电性颗粒的平均粒径为0.5~20μm、比表面积为0.07~1.7m2/g,聚集颗粒的聚集度(聚集度=聚集颗粒平均直径/一次颗粒平均直径)在1.05~3.90的范围内。
根据该提案,可以获得具有良好的流动性、分散性的导电性糊剂,向通路内的填充性和通孔内部的导电性颗粒彼此的接触稳定,可以偏差较小且稳定地形成高品质的通孔导体。
然而,该提案的目的在于糊剂在通路内的填充性和高连接可靠性,并未对制作糊剂时的溶剂中的银粉自身的分散性、薄片的产生作任何考量。并且,仅在聚集度的规定中,没有规定是由聚集体(面接触下的强度较强)导致的聚集度,还是由附聚体(agglomerate)(点接触下的强度较弱)导致的聚集度,因此并未对薄片的产生作任何考量。
专利文献4中提出了源自扫描型电子显微镜的一次颗粒的平均粒径DIA为0.6μm以下,与利用激光衍射散射粒度分布测定法的平均粒径D50之比D50/DIA规定为1.5以下,为分散性非常优异的物质。这种分散性优异的物质在制作糊剂时在溶剂中的粘度下降,有可能产生薄片。
专利文献5中规定了上述D50/DIA为5以下。这是因为:在粒度分布的测定中使水+表面活性剂中的MT-D50值为5μm以上,因此在制作糊剂时的溶剂中有可能产生薄片。
如上所述,存在改善糊剂中的银粉的分散性、使用糊剂形成的电极、配线的导电性以及可靠性的相关提案。然而,尚无抑制在制造糊剂时产生薄片的提案。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-197030号公报
专利文献2:日本特开2000-129318号公报
专利文献3:日本特开2004-265901号公报
专利文献4:日本特开2004-100013号公报
专利文献5:日本特开2005-149913号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的在于,鉴于上述以往的情况,提供在制造糊剂时具有适当的粘度范围、混炼容易且抑制了薄片的产生的银粉。
用于解决问题的方案
本发明人为了实现上述目的而重复进行了研究,结果发现,通过抑制粘度变化,将制造糊剂时的粘度保持在适当的范围,使混炼变得容易而能够改善混炼性。并且发现,制造糊剂时的粘度变化能够通过以使银粉的邻苯二甲酸二丁酯吸收量测定时的吸油曲线成为特定形状的方式来抑制,从而完成了本发明。
即,本发明的银粉的特征在于,通过JIS-K6217-4法测定得到的邻苯二甲酸二丁酯的吸收量为7.0~9.5ml/100g,并且在吸收量测定时的吸油曲线中具有两个峰或者具有半峰宽为1.5ml/100g以下的一个峰。
本发明的银粉优选的是,当吸油曲线中具有两个峰时,将作为最高扭矩的峰设为P1、将作为次高扭矩的峰设为P2,此时上述峰的扭矩值为P2≤0.75P1的关系,峰值时的吸收量为P2<P1的关系。
本发明的银粉优选的是,邻苯二甲酸二丁酯的吸收量为7.5~8.5ml/100g。
本发明的银粉优选的是,通过BET法测定得到的比表面积(SABET)除以由通过扫描型电子显微镜测量得到的一次粒径(DSEM)计算出的比表面积(SASEM)的面积比SABET/SASEM为0.6~0.8。
本发明的银粉优选的是,通过激光衍射散射粒度分布测定法测定得到的体积累积50%粒径(D50)除以通过扫描型电子显微镜测量得到的一次粒径(DSEM)所求出的聚集度D50/DSEM为1.5~4.0。
发明的效果
根据本发明所述的银粉,制作糊剂时粘度被控制在适当的范围、粘度变化受到抑制,因此可以适当且容易地进行混炼。并且,根据本发明所述的银粉,可以抑制银颗粒的聚集块的产生、可以抑制薄片的产生,因此可以改善混炼性、印刷性。
进而,根据本发明所述的银粉,不仅在糊剂中的分散性优异,另外,由使用了该银粉的树脂型银糊剂、焙烧型银糊剂形成的配线层、电极的均匀性和导电性优异,作为用于形成电子仪器的配线层、电极等的银糊剂用途的工业价值极大。
附图说明
图1为示意性地表示本发明所述的银粉的银颗粒的形态的图。
图2为表示银颗粒的聚集度与吸收量的关系的图。
图3为表示实施例和比较例的吸油曲线的图。
具体实施方式
以下,针对本发明所述的银粉的具体实施方式进行详细说明。需要说明的是,本发明不限定于以下的实施方式,可在不变更本发明主旨的条件下适当变更。
<银粉>
银粉是指除了一次颗粒的银颗粒以外,还包含二次颗粒和聚集体的物质。在以下的说明中,一次颗粒是指,如图1(A)所示,将从外观几何学的形态判断为单位颗粒的银颗粒称为一次颗粒,如图1(B)所示,将一次颗粒通过缩颈而连结2~3个以上而成的颗粒称为二次颗粒。如图1(C)所示,将这些一次颗粒和二次颗粒的集合体称为聚集体。需要说明的是,在以下的说明中,有时将一次颗粒、二次颗粒和聚集体总称为银颗粒。
本发明人得到了如下见解:为了使银粉糊剂具有适度的粘性,且具有良好的混炼性,重要的是,银粉为具有一定的聚集强度的聚集体。即,作为糊剂中银粉的存在状态,对于由一次颗粒、该一次颗粒多个连结而成的二次颗粒、以及它们聚集而成的具有适度强度的集合体(以下,称为聚集体)构成的银粉而言,银粉与糊剂中的有机溶剂呈现不易分离的状态,抑制糊剂中生成过度聚集的粗大聚集块,糊剂的粘度调整变得容易,并且混炼性提高。
以往,在银糊剂的制造中,使用一个一个的一次颗粒尽可能分散且平均粒径为0.1μm~1.5μm的银粉。然而,在这种一次颗粒已分散的微细的银颗粒的情况下,制造糊剂时容易聚集而形成粗大的块。这种聚集块中,一次颗粒与其它颗粒的接点多而空隙减少,因此导致糊剂的溶剂成分难以侵入一次颗粒之间,使在糊剂中自由流动的表观溶剂量变多。由此糊剂的粘度变低,例如在通过糊剂的制造中通常使用的三辊磨进行混炼时,剪断力小、混炼变得不充分。结果可知,已聚集的块在未被破坏的情况下直接进入辊内,结果导致形成薄片等mm数量级的粗大颗粒。
另一方面可知:在大部分由一次颗粒或二次颗粒以较弱的聚集强度聚集而成的聚集体(如附聚物这样的聚集体)构成的银粉的情况下,制造糊剂时聚集体被破坏,呈现分散有上述这样的一次颗粒的状态,导致形成薄片等mm数量级的粗大颗粒。
与此相对,在上述的聚集体与一次颗粒和二次颗粒混合存在的银粉的情况下,在制造糊剂时,在糊剂中自由流动的溶剂成分变为适量,并具有适当的粘度范围。并且,即使在制造糊剂后,也残留有聚集体,使银粉与溶剂等其它构成成分的混炼、通过三辊磨进行的混炼变得容易,此外不会产生粗大的薄片。
聚集体例如呈现葡萄串样形状,大致为2~10μm左右的大小。混合存在有包含这种聚集体的颗粒的银粉在糊剂制造的初期、也就是使银粉和溶剂成分相容的阶段、例如进行基于搅拌式混炼机等的预混炼和基于三辊磨等的主混炼的通常的糊剂制造方法中的预混炼的阶段中,微细的一次颗粒不会聚集,此外,溶剂成分包围在构成银粉的各颗粒之间,从而成为具有适度粘度的糊剂(以下,有时为了与最终得到的糊剂区分,而将其称为混炼物)。通过主混炼对这种混炼物进行混炼时,能够对银颗粒间施加充分的剪断力,使银颗粒在不聚集的情况下分散于糊剂中。另外,由于已充分分散的银颗粒基本上不会再聚集,因此能够抑制因粗大的聚集块而产生薄片。
即使在分散有以往的一次颗粒的银粉或大部分由聚集体形成的银粉中,也可以通过将混炼物调整为适度的粘度并进行用于最终制成糊剂的混炼,但若调整该混炼物的粘度,则其后的粘度变化大,从而难以将最终糊剂的粘度调整为适合值。
最终的银糊剂的粘度过高或过低时,均无法获得良好的糊剂的印刷性,但是通过为制造糊剂后也混合存在有聚集体与一次颗粒和二次颗粒的银粉、即具有上述那样的聚集度的银粉,可以调整为适度的粘度。而且,通过使用这种银粉,可以获得具有优异印刷性的糊剂。
进而,糊剂混炼时,通过控制银粉的吸油量和其吸油曲线,可以抑制糊剂混炼时的粘度变化,抑制作为粗大颗粒的薄片的产生,并且可以适当地维持粘度范围。这样的银粉的吸油曲线中由于银粉具有适度大小的聚集体,因此具有如图3中的实施例1所示的半峰宽极窄的1个峰。另一方面,对于聚集体较小的银粉,具有如图3中的比较例1所示的半峰宽平缓的1个峰,伴随聚集度的增加,具有图3中的实施例2所示的两个峰。此外,若聚集度增加,则吸收量也增加。
在此,作为测定聚集体的大小和量的方法,存在称为油吸收量的指标。具体而言,以日本工业标准JIS K6217-4(2008)为基准来进行。
在JIS K6217-4中,滴加邻苯二甲酸二丁酯,将表示最大扭矩的70%扭矩值的滴加量作为油吸收量(以下也简称为吸收量。)。可确认油吸收量与聚集体的大小和量成比例。
在此的扭矩是指施加于搅拌银粉的夹具的扭矩。若开始滴加邻苯二甲酸二丁酯,则向聚集体内部进入(吸油)、逐渐内部堵塞而变得无法进入,则在聚集体表面成膜。对于没有聚集体的颗粒,无法进入而在表面上形成膜。颗粒间的接触通过该液膜来进行,在此处产生拉普拉斯压力,使颗粒间产生吸附作用,作为夹具的扭矩表现出来,伴随油滴加量的扭矩变化成为吸油曲线被测定。若颗粒表面被液膜覆盖,则扭矩增加,若继续供给过量的邻苯二甲酸二丁酯,则液体流入膜间,而发生拉普拉斯压力的快速地下降,使施加于夹具的扭矩减少。即,若继续滴加邻苯二甲酸二丁酯,则存在表示最大扭矩的滴加量。该最大扭矩表示聚集体和分散颗粒间的相互作用的总和,该扭矩值越大,则越可以称之为颗粒间的相互作用高的银粉。该相互作用是未施加剪切力时的糊剂的高粘度的原因,像印刷时这样,若施加超过该扭矩的剪切应力时,通过相互作用所形成的颗粒结构被破坏,变化为低粘度的流体。
实际上粒径越小、比表面积越大、颗粒与溶剂的亲和性越高,则表观扭矩变得越高。由此关注了粉体表面的特性的情况下,单位比表面积的最大扭矩值可以进一步反映出粉体表面的特征。即,若将最大扭矩值除以比表面积值,则使用该值可以掌握各种粒径的粉体的特性。
对于本发明的实施所述的银粉,通过JIS-K6217-4法测定得到的邻苯二甲酸二丁酯的吸收量为7.0~9.5ml/100g。吸收量优选为7.5~8.5mL。这样的银粉可以改善混炼性。
若吸收量不足7.0ml/100g,使用三辊磨等制成糊剂时,不能确保糊剂的粘性,而导致薄片的产生。另一方面,若吸收量超过9.5ml/100g,则预混炼时的粘度高而操作性变差、制成糊剂后的粘度也过高。在基于三辊磨制成糊剂时,在基于三辊磨进行主混炼前,由于基于捏合机等进行预混炼,因此预混炼时的操作性变得重要。
另外,对于银粉,在吸收量测定时的吸油曲线中具有两个峰、或者具有半峰宽(半值全宽)为1.5ml/100g以下的1个峰。吸油曲线受到聚集度、粒径分布、比表面积等颗粒表面性状的支配,因此通过控制吸油曲线的形状,能够抑制糊剂制作时的粘度变化。例如,对于聚集度低且分散有银颗粒的银粉或比表面积大的银粉而言,吸油曲线的峰向低吸收量侧位移、或者成为平缓的峰。
若吸油曲线中的峰的半峰宽超过1.5ml/100g,则自低吸收量起峰呈现缓缓立起的形状,扭矩值立起得快,在吸收量少的状态下扭矩急剧下降。即,即使吸收量低糊剂粘度也下降,因此在制成糊剂时,不能确保粘度而产生薄片。
另一方面,对于具有半峰宽为1.5ml/100g以下的1个峰的本实施方式所述的银粉,扭矩会降低的吸收量增多。因此,即使在糊剂混炼中,粘度也不会下降,维持在适当的范围,因此能抑制薄片的产生而呈现良好的混炼性。为了改善混炼性,优选扭矩会降低的吸收量多,因此优选具有半峰宽为1.5ml/100g以下的1个峰的吸油曲线。
在吸油曲线中,扭矩值通常随着吸收量的增加而略微变化。因此,通过吸收量为0.5ml/100g幅度内的扭矩的上升下降来判断峰。0.5ml/100g幅度内的扭矩的略微变化不判断为峰。因此,所述半峰宽通常不会不足0.5ml/100g。
另外,吸油曲线中具有两个峰的情况下,将成为最高扭矩的峰设为P1、将成为次高扭矩的峰设为P2时,峰的扭矩值为P2≤0.75P1,峰值时的吸收量成为P2<P1是优选的。由此,可以使降低扭矩的吸收量增多。在峰的扭矩值成为P2>0.75P1和/或成为P2≥P1的情况下,在吸收量较少的状态下,有时扭矩快速地下降,对于这样的银粉,制成糊剂时有可能产生薄片。
另外,本实施方式所述的银粉的通过BET法测定得到的比表面积SABET除以由通过扫描型电子显微镜测量得到的一次粒径DSEM计算出的比表面积SASEM的面积比SABET/SASEM优选为0.6~0.8,更优选为0.65~0.75。
当面积比不足0.6时,预混炼时的操作性差,制成糊剂后的粘度也过高,若超过0.8,则通过三辊磨等的制成糊剂时,不能确保粘性,而产生薄片。
进而,对于银粉,通过激光衍射散射粒度分布测定法测定得到的体积累积50%粒径D50除以由扫描型电子显微镜的观察图像测量得到的一次粒径DSEM所求得的聚集度优选为1.5~4.0,更优选为2.5~3.5。当聚集度小于1.5的情况下,通过三辊磨等制成糊剂时,不能确保粘性,产生薄片,在超过4.0的情况下,预混炼时的操作性较差,制成糊剂后的粘度也过高。另外,吸收量也受到银颗粒的表面状态的影响,也受到聚集度的影响,如图2所示,有以下的倾向:若聚集度较小,则吸收量变少,若聚集度较大,则吸收量增多。需要说明的是,图2中,■的吸油曲线具有陡峭的1个峰,◆的吸油曲线具有两个峰,▲的吸油曲线具有半峰宽平缓的1个峰。
因此,为了求得银粉的聚集度,需要通过体积基准的粒度分布求出D50。在此,对于体积基准的粒度分布,可以通过例如使用激光衍射散射法等测定获得。将使用激光衍射散射法测定的各组的总体积作为100%求出累积曲线时,使该累积曲线成为50%时的粒径为D50。
本实施方式所述的银粉不限于适用于特定的银糊剂,还可适用于通常使用的所有银糊剂。具体而言,在使用本实施方式所述的银粉制造导电性银糊剂时,例如可以将利用锥板型粘度计等测定得到的、剪切速度为4.0(1/秒钟)时的糊剂的粘度制成50~150Pa·s。另外,可以将剪切速度为20.0(1/秒钟)时的粘度制成20~50Pa·s。
对于银糊剂的粘度分别低于上述范围的银粉而言,有时会向印刷银糊剂而形成的配线等中渗出、垂落等,无法维持其形状。另一方面,对于银糊剂的粘度分别高于上述范围的银粉而言,有时难以进行银糊剂的印刷。
另外,如上述那样,具有优异的糊剂特性的本实施方式所述的银粉即使在通常使用的银糊剂中也可以有效地抑制因过度聚集导致的粗大聚集块的形成。
即,在银糊剂中产生过度的聚集而形成粗大的聚集块的银粉会产生由聚集块被挤压而成的薄片。另外,聚集体过量的银粉中,制造糊剂时的粘度变得过大,难以进行混炼等,在糊剂制造中产生不良情况。另外,所制造的银糊剂的印刷性等糊剂特性也变得不良。本实施方式所述的银粉由于可以制造具有上述适度的粘度的糊剂,因此可以抑制过度的聚集,并有效地抑制因形成粗大的聚集块而产生的不良情况。
需要说明的是,使用具有上述特征的本实施方式所述的银粉来制作银糊剂时,对制成糊剂的方法没有特别限定,可以使用公知的方法。例如,作为要使用的赋形剂,可以使用在醇系、醚系、酯系等溶剂中溶解有各种纤维素、酚醛树脂、丙烯酸类树脂等的赋形剂。
<银粉的制造方法>
接着,针对具有上述特征的银粉的制造方法进行说明。
银粉的制造方法例如基本上如下操作:将利用络合剂溶解氯化银等起始原料而得到的包含银络合物的溶液与还原剂溶液混合,将银络合物还原,使银颗粒析出,从而获得银颗粒浆料,并经过洗涤、干燥、粉碎的各工序,从而获得银粉。
而且,在银粉的制造方法中,向用于还原银络合物的还原剂溶液中添加相对于银为1.0~3.8质量%、更优选为1.0~3.5质量%的水溶性高分子。
此外,在银粉的制造方法中,用还原剂溶液还原银络合物而得到银颗粒浆料后,进行洗涤、干燥、粉碎的各工序时,在干燥后使用真空减压气氛转动搅拌机等边温和搅拌边粉碎。
像这样,向还原剂溶液中添加相对于银为1.0~3.8质量%、更优选为1.0~3.5质量%的水溶性高分子来还原银络合物,并且在将所得银颗粒浆料干燥后,边温和搅拌边粉碎,从而可以控制银颗粒的聚集状态和比表面积,可以获得如上述这样可以使邻苯二甲酸二丁酯的吸收量为7.0~9.5ml/100g、吸收量测定时的吸油曲线中具有两个峰或具有半峰宽(半值全宽)为1.5ml/100g以下的1个峰的银粉。
以下,针对该银粉的制造方法,列举出以氯化银为起始原料时的例子作为优选的形态,进一步对每个工序进行具体的说明。需要说明的是,以氯化银以外的原料作为起始原料时也可以通过同样的方法获得银粉,但在使用硝酸银时,需要上述亚硝酸气体的回收装置、废水中的硝酸系氮的处理装置。
对于银粉的制造方法,首先进行通过湿式还原法生成银颗粒浆料的还原工序,所述湿式还原法为:将利用络合剂溶解氯化银而得到的包含银络合物的银络合物溶液与还原剂溶液混合,将银络合物还原,使银颗粒析出。
在还原工序中,首先,使用络合剂溶解起始原料氯化银,制备包含银络合物的溶液。络合剂没有特别限定,优选使用易与氯化银形成络合物且不含以杂质形式残留的成分的氨水。另外,氯化银优选使用高纯度的氯化银。
作为溶解氯化银的方法,例如使用氨水作为络合剂时,可以先制作氯化银等的浆料再添加氨水,但为了提高络合物浓度而提高生产率,优选在氨水中添加氯化银并溶解。用于溶解氯化银的氨水可以是工业上通常使用的氨水,为了防止杂质的混入,优选纯度尽可能高的氨水。
接着,制备用于与银络合物溶液混合的还原剂溶液。作为还原剂,优选使用抗坏血酸。通过使用抗坏血酸,可以使银颗粒中的晶粒生长,并且可以将银粉的比表面积控制在适度的范围。也可以使用肼或者福尔马林,但因还原力比抗坏血酸强,而使银颗粒中的晶体减小。另外,为了反应的均匀性或控制反应速度,也可以将还原剂用纯水等溶解或稀释而制成浓度经调整的水溶液后使用。另外,也可以使数nm~100nm程度的银纳米颗粒分散在该还原剂中,并将这种纳米颗粒作为种材,在还原工序中使用种生成法。
在本实施方式所述的银粉的制造方法中,向还原剂溶液中添加相对于银为1.0~3.8质量%、更优选为1.0~3.5质量%的水溶性高分子。
像这样,在本实施方式所述的银粉的制造中,选择水溶性高分子作为抗聚集剂及其添加量是重要的。
利用还原剂溶液进行还原而生成的银颗粒(一次颗粒)的表面为活性,容易与其它银颗粒连结而形成二次颗粒。进而二次颗粒聚集而形成聚集体。此时,若使用抗聚集效果高的抗聚集剂、例如表面活性剂、脂肪酸,则二次颗粒、聚集体的形成无法充分地进行,一次颗粒变多,导致无法形成适度的聚集体。另一方面,使用抗聚集效果低的抗聚集剂时,过量地形成二次颗粒、聚集体,导致形成包含过度聚集而成的粗大聚集块的银粉。相对于该聚集剂,水溶性高分子具有适度的抗聚集效果,因而通过调整其添加量,可以容易地控制二次颗粒、聚集体的形成,可以使添加还原剂溶液后的含银络合物的溶液中形成适度大小的聚集体。
要添加的水溶性高分子没有特别限定,优选为聚乙二醇、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、明胶等中的至少1种,更优选为聚乙二醇、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮中的至少1种。根据这些水溶性高分子,尤其是可以防止过度的聚集,防止生长的核的聚集不充分而使银颗粒(一次颗粒)变得微细,容易地形成具有规定大小的聚集体的银粉。
此处,通过添加水溶性高分子而使银颗粒连结至规定大小从而形成聚集体的机理考虑如下。即,可以认为,通过添加水溶性高分子,该水溶性高分子吸附于银颗粒表面。此时,银颗粒表面基本上全部被水溶性高分子覆盖时,银颗粒分别以单体的形式存在,通过以规定比例向银中添加水溶性高分子,会残留一部分不存在水溶性高分子的表面,银颗粒彼此介由该表面进行连结,从而形成聚集体。
由此,水溶性高分子的添加量设为相对于银为1.0~3.8质量%的比例。水溶性高分子的添加量相对于银低于1.0质量%时,在银颗粒浆料中的分散性变差,银粉过度聚集,导致产生大量粗大的聚集体。另一方面,相对于银的添加量大于3.8质量%时,银颗粒表面基本上全部被水溶性高分子覆盖,导致银颗粒彼此无法连结,无法形成聚集体。其结果,成为由一次颗粒形成的银粉,即使在该情况下,在制造糊剂时也会产生薄片。
因此,通过这样地添加相对于银为1.0~3.8质量%的水溶性高分子,可以使银颗粒彼此介由不存在水溶性高分子的表面适度地进行连结,从而形成结构稳定的聚集体,在使制造糊剂时的分散性良好的同时,还可以有效地抑制薄片的产生。而且,更优选以相对于银为1.0~3.5质量%的比例来添加水溶性高分子。通过使添加量为1.0~3.5质量%以下,可以使水溶性高分子更适度地吸附于银颗粒表面,可以使银颗粒连结至规定的大小为止而形成稳定性高的聚集体,从而更有效地抑制薄片的形成。
进而,优选将该水溶性高分子添加到还原剂溶液中。通过预先将水溶性高分子添加到还原剂溶液中,核生成或核生长处存在水溶性高分子,所生成的核或银颗粒的表面迅速地吸附水溶性高分子,从而可以高效地控制银颗粒的聚集。因此,通过调整上述水溶性高分子的浓度,并预先将该水溶性高分子添加到还原剂溶液中,可以抑制银颗粒的过度聚集而导致的粗大聚集体的形成,使银颗粒彼此更适度地连结至规定的大小为止,从而形成稳定性高的聚集体。
需要说明的是,也可以预先将水溶性高分子以添加量的一部分或全部添加到含银络合物的溶液中,此时,存在难以向核生成或核生长处供给水溶性高分子、银颗粒的表面无法适度地吸附水溶性高分子的可能。因此,预先在含银络合物的溶液中添加时,优选将水溶性高分子的添加量设为相对于银为超过3.0质量%的量。因此,在使水溶性高分子添加到含银络合物的溶液中时,添加量特别优选相对于银为超过3.0质量%且10.0质量%以下的量。
另外,添加水溶性高分子时,有时还原反应时会发泡,因此优选在含银络合物的溶液或还原剂混合液中添加消泡剂。消泡剂没有特别限定,为通常还原时使用的消泡剂即可。其中,为了不抑制还原反应,消泡剂的添加量优选设为能够获得消泡效果的最小限度。
需要说明的是,针对制备含银络合物的溶液和还原剂溶液时所使用的水,为了防止杂质的混入,优选使用去除了杂质的水,特别优选使用纯水。
接着,将上述那样制备的含银络合物的溶液与还原剂溶液混合,将银络合物还原,使银颗粒析出。该还原反应可以使用间歇法进行,也可以使用管式反应器法、溢流法之类的连续还原法进行。为了获得具有均匀粒径的一次颗粒,优选使用容易控制粒生长时间的管式反应器法。另外,银颗粒的粒径可以通过含银络合物的溶液与还原剂溶液的混合速度、银络合物的还原速度来控制,可以容易地控制为目标粒径。
在本实施方式所述的银粉的制造中,更优选的是,在含银络合物的溶液中被还原而形成的聚集体进一步聚集而形成粗大的聚集块之前,用抗聚集效果高的处理剂对所形成的聚集体的表面进行表面处理,从而防止过度的聚集。即,表面处理是从银络合物还原时至干燥银颗粒之间对银颗粒使用表面活性剂进行的处理。另外,不只仅使用表面活性剂,与表面活性剂同时或者在其之后使用分散剂进行处理。优选还原银络合物时添加表面活性剂,对所生成的银颗粒进行处理,在还原后且干燥前使用分散剂进行处理。另外,也可以在还原后使用表面活性剂和分散剂对银颗粒进行处理。由此,可以防止聚集的过度产生,维持所希望的聚集体的结构稳定性,可以有效地抑制粗大的聚集块的形成。在还原时进行表面处理的情况下,优选与水溶性高分子的添加同样地添加至还原剂溶液中。
过度的聚集会因干燥而进一步推进,因此,表面处理只要在对银颗粒进行干燥之前的任一阶段进行,即可得到效果。例如,可以在还原工序之后且上述的洗涤工序之前进行,可以与洗涤工序同时进行或在洗涤工序之后等进行。
其中,特别优选表面处理在还原工序之后且洗涤工序之前进行、或者在1次洗涤工序之后进行。由此,可以维持经过还原处理而形成的、聚集为规定大小的聚集体。另外,对包含聚集体的银颗粒施加表面处理,从而可以制造分散性好的银粉。
若更具体地说明,在本实施方式中,在还原剂溶液中以相对于银为规定的比例添加水溶性高分子并进行还原,使银颗粒表面适度地吸附水溶性高分子,形成银颗粒连结至规定大小而成的聚集体。然而,吸附于银颗粒表面的水溶性高分子比较容易因洗涤处理而被洗掉,因此在表面处理之前进行洗涤工序时,存在银颗粒表面的水溶性高分子被洗涤去除、导致银颗粒彼此之间过度地聚集、从而形成比所形成的聚集体更粗大的聚集块的可能。另外,若这样地形成粗大的聚集块,则难以对银颗粒表面进行同样的表面处理。
因此,由此在还原工序后进行表面处理的情况下,通过在洗涤工序之前、或者在1次洗涤工序后进行,可以抑制因水溶性高分子被去除而导致的银颗粒的过度聚集,同时可以对所形成的包含所希望的聚集体的银颗粒有效地施加表面处理,可以制造没有粗大聚集体、分散性良好的银粉。
需要说明的是,还原处理之后且洗涤工序之前的表面处理优选在还原工序结束后使用压滤器等将含有银颗粒的浆料固液分离之后再进行。通过这样地在固液分离后进行表面处理,可以使作为表面处理剂的表面活性剂、分散剂直接对所生成的包含规定大小的聚集体的银颗粒起作用,所形成的聚集体确实地吸附表面处理剂,从而可以更有效地抑制聚集的聚集块的过度生成。
该表面处理工序中,更优选用表面活性剂和分散剂两者进行表面处理。若这样地用表面活性剂和分散剂两者进行表面处理,则通过其相互作用可以在银颗粒表面形成更稳固的表面处理层,因此,防止过度聚集的效果高,对维持所希望的聚集体是有效的。
作为使用表面活性剂和分散剂的优选表面处理的具体方法,将银颗粒投入到添加有表面活性剂和分散剂的水中并搅拌,或者在将银颗粒投入到添加有表面活性剂的水中进行搅拌后进一步添加分散剂并搅拌即可。
另外,在洗涤工序的同时进行表面处理时,可以在洗涤液中同时添加表面活性剂和分散剂,或者在添加表面活性剂后再添加分散剂。为了使表面活性剂和分散剂对银颗粒的吸附性更良好,优选在添加有表面活性剂的水或洗涤液中投入银颗粒并搅拌后,进一步添加分散剂并搅拌。
另外,作为其它方法,也可以将表面活性剂投入到还原剂溶液中,并向含银络合物的溶液与还原剂溶液混合而得到的银颗粒的浆料中投入分散剂并搅拌。通过使核生成或核生长处存在表面活性剂,使所生成的核或银颗粒的表面迅速地吸附表面活性剂,进而吸附分散剂,可以稳定且均匀地实施表面处理。
此处,作为表面活性剂没有特别限定,优选使用阳离子系表面活性剂。阳离子系表面活性剂由于不受pH影响地电离为正离子,因此可以获得改善对例如以氯化银作为起始原料的银粉的吸附性的效果。
作为阳离子系表面活性剂没有特别限定,优选选自以单烷基胺盐为代表的烷基单胺盐型;以N-烷基(C14~C18)丙二胺二油酸盐为代表的烷基二胺盐型;以烷基三甲基氯化铵为代表的烷基三甲基铵盐型;以烷基二甲基苄基氯化铵为代表的烷基二甲基苄基铵盐型;以烷基二聚氧乙烯甲基氯化铵为代表的季铵盐型;以烷基吡啶鎓盐型、硬脂基二甲基胺为代表的叔胺型、聚氧丙烯·聚氧乙烯烷基胺为代表的聚氧乙烯烷基胺型;以N,N’,N’-三(2-羟乙基)-N-烷基(C14~18)1,3-丙二胺为代表的二胺的氧亚乙基加成型中的至少1种,更优选为季铵盐型、叔胺盐型中的任意一种或其混合物。
另外,表面活性剂优选具有至少1个以甲基、丁基、鲸蜡基、硬脂基、牛脂基、氢化牛脂基、植物系硬脂基为代表的、具有C4~C36的碳数的烷基。作为烷基,优选加成有选自聚氧乙烯、聚氧丙烯、聚氧乙烯聚氧丙烯、聚丙烯酸、多羧酸中的至少1种而成的物质。这些烷基与后述的作为分散剂使用的脂肪酸的吸附强,因而在使分散剂介由表面活性剂吸附至银颗粒时,可以稳固地吸附脂肪酸。
另外,表面活性剂的添加量设为相对于银颗粒为0.05~1.000质量%的范围。表面活性剂基本上全部吸附于银颗粒,因此表面活性剂的添加量与吸附量基本相等。表面活性剂的添加量低于0.05质量%时,有时无法获得抑制银颗粒的聚集或改善分散剂的吸附性的效果。另一方面,添加量超过1.000质量%时,使用银糊剂形成的配线层、电极的导电性降低。
作为分散剂,例如可以使用脂肪酸、有机金属、明胶等保护胶体,但若考虑不用担心混入杂质以及与表面活性剂的吸附性,则优选使用脂肪酸或其盐。需要说明的是,脂肪酸或其盐还能够以乳剂的形式添加。
用作分散剂的脂肪酸没有特别限定,优选为选自硬脂酸、油酸、肉豆蔻酸、棕榈酸、亚油酸、月桂酸、亚麻酸中的至少1种。这是因为这些脂肪酸的沸点较低,对使用银糊剂形成的配线层、电极的不良影响少。
分散剂的添加量优选相对于银颗粒为0.01~2.00质量%的范围,更优选为0.05~1.00质量%的范围。对银颗粒的吸附量因分散剂的种类而异,添加量低于0.01质量%时,有时分散剂吸附到银粉的量不能够达到充分获得抑制银颗粒的聚集或改善分散剂的吸附性的效果的量。另一方面,分散剂的添加量超过2.00质量%时,吸附于银颗粒的分散剂变多,有时使用银糊剂形成的配线层、电极无法获得充分的导电性。
接着,洗涤银颗粒。银颗粒的表面吸附有大量的氯离子和水溶性高分子。因此,为了使使用银糊剂形成的配线层、电极的导电性充分,优选将所得银颗粒的浆料进行洗涤,通过洗涤去除银颗粒的表面所吸附的过量的氯离子和水溶性高分子。需要说明的是,为了抑制因去除吸附于银颗粒表面的水溶性高分子而发生的过度聚集,如上所述,优选在银颗粒的表面处理工序之后等进行洗涤工序。
洗涤方法没有特别限定,通常使用如下方法:将使用压滤器等从浆料中固液分离而得的银颗粒投入到洗涤液中,使用搅拌机或超声波洗涤器搅拌后,再次进行固液分离,从而回收银颗粒。另外,为了充分地去除表面吸附物,优选重复进行数次投入到洗涤液中并搅拌洗涤和固液分离的操作。
洗涤液可以使用水,为了高效地去除氯,还可以使用碱的水溶液。碱溶液没有特别限定,优选使用残留的杂质少且廉价的氢氧化钠水溶液。使用氢氧化钠水溶液作为洗涤液时,理想的是,在用氢氧化钠水溶液洗涤后,为了去除钠,将银颗粒或其浆料进一步用水洗涤。
另外,氢氧化钠水溶液的浓度优选为0.01~0.30mol/l。浓度低于0.01mol/l时,洗涤效果不充分,另一方面,浓度超过0.30mol/l时,有时银颗粒会残留容许量以上的钠。需要说明的是,用于洗涤液的水优选为不含有对银颗粒有害的杂质元素的水,特别优选为纯水。
在进行洗涤和表面处理之后,进行固液分离而回收银颗粒。需要说明的是,洗涤和表面处理所使用的装置为通常使用的装置即可,例如可以使用带搅拌机的反应槽等。另外,固液分离所使用的装置也可以为通常使用的装置,例如可以使用离心机、抽滤机、压滤器等。
使回收的银颗粒在干燥工序中蒸发水分而使其干燥。作为干燥方法,例如,将洗涤和表面处理结束后回收的银粉放置在不锈钢垫上,使用热空气干燥机或真空干燥机等市售的干燥装置,以40℃~80℃的温度进行加热即可。
然后,本实施方式所述的银粉的制造方法以温和粉碎条件对通过还原工序控制银颗粒的聚集、优选通过表面处理使聚集程度稳定化的干燥后的银粉进行粉碎处理。上述表面处理后的银粉即使因其后的干燥等而使聚集体之间进一步聚集,其结合力也弱,因此在制作糊剂时容易分离至规定大小的聚集体。然而,为了使糊剂稳定化,优选进行粉碎、分级处理。
作为粉碎方法的具体粉碎条件,使用真空减压气氛转动搅拌机等粉碎力弱的装置以例如5~40m/s、优选5~23m/s的搅拌叶片圆周速度对干燥后的银颗粒边搅拌边粉碎。像这样,通过对干燥后的银粉进行温和粉碎,可以防止银颗粒连结而形成的、具有规定大小的聚集体被粉碎。圆周速度为5m/s以下时,粉碎能量弱,因此聚集体大量残留,另一方面,圆周速度大于40m/s时,粉碎能量变强,聚集体变得过少,任一情况下均无法获得具有上述粒度分布的银粉。
也可以将干燥与粉碎同时地进行。例如,也可以将银颗粒的湿润滤饼在真空减压气氛下的亨舍尔搅拌机内加热、边搅拌边干燥进行粉碎。
通过在上述粉碎处理后进行分级处理,可以获得所希望的粒径以下的银粉。分级处理时所使用的分级装置没有特别限定,可以使用气流式分级机、筛等。
对于以上这样的银粉,通过JIS-K6217-4法测定得到的邻苯二甲酸二丁酯的吸收量为7.0~9.5ml/100g,并且在吸收量测定时的吸油曲线中具有两个峰或具有半峰宽为1.5ml/100g以下的1个峰,混合存在有适度大小的聚集体。因此,通过使用该银粉,成为具有适度粘度的糊剂,可以容易地进行适当的混炼。糊剂中的银颗粒的分散良好,可以抑制因粗大的聚集块所导致的粗大薄片的产生。由此,使用了该银粉的糊剂的印刷性优异,可以形成导电性优异的导电膜。
实施例
以下,针对本发明的具体实施例进行说明。其中,本发明不限定于以下的任何实施例。
(实施例1)
在实施例1中,向在38℃的热水浴中将液体温度保持为36℃的25%氨水36L中边搅拌边投入2130g氯化银(住友金属矿山株式会社制,氯化银中的银1440g),制作银络合物溶液。将消泡剂(ADEKA CORPORATION制、Adekanol LG-126)按体积比计稀释至100倍,将18.7ml该消泡剂稀释液添加到银络合物溶液中,将所得银络合物溶液在热水浴中保持为36℃。
另一方面,将作为还原剂的抗坏血酸921g(关东化学株式会社制、试剂、相对于银颗粒为56.9质量%)溶解在36℃的纯水14.61L中,制成还原剂溶液。接着,取作为水溶性高分子的聚乙烯醇40.0g(Kuraray Co.,Ltd.制、PVA205、相对于银为2.5质量%),溶解于36℃的纯水1L中制成溶液与作为表面处理剂的市售阳离子系表面活性剂即聚氧乙烯加成季铵盐1.15g(Croda Japan K.K.制、Silasol、相对于银颗粒为0.072质量%)混合于还原剂溶液中。
接着,使用可以定量供给的泵,将所制作的银络合物溶液和还原剂溶液以银络合物溶液为2.7L/分钟、还原剂溶液为0.9L/分钟的速度输送到反应管内,将银络合物还原。此时的还原速度以银量计为97.2g/分钟。另外,还原剂的供给速度与银的供给速度之比为1.4。需要说明的是,反应管使用了内径10mmφ的Y字型管。将包含通过银络合物的还原而得的银颗粒的浆料边搅拌边收纳在容纳槽中。
其后,将还原得到的银颗粒浆料固液分离,将已回收的干燥前的银颗粒与包含作为分散剂的脂肪酸即硬脂酸和棕榈酸以及表面活性剂的硬脂酸乳剂24.5g(中京油脂株式会社制、SELOSOL 920、硬脂酸和棕榈酸的总计相对于银颗粒为0.24质量%)投入到15.4L纯水中,搅拌60分钟进行表面处理。表面处理后,使用压滤器对银颗粒浆料进行过滤,固液分离银颗粒。
接着,在将已回收的银颗粒干燥之前,将银颗粒投入到0.05mol/L的氢氧化钠(NaOH)水溶液15.4L中,搅拌15分钟并洗涤,然后用压滤器进行过滤,回收银颗粒。
接着,将已回收的银颗粒投入到保持为40℃的23L纯水中,搅拌和过滤后,将银颗粒滤饼转移至不锈钢垫上,用真空干燥机以60℃干燥10小时。取1~1.5kg干燥后的银粉,投入到3L的亨舍尔搅拌机(NIPPON COKE&ENGINEERING CO.,LTD.制、FM3C)中。在亨舍尔搅拌机内,以每分钟2300转(搅拌叶片的圆周速度为18.2m/s)预粉碎30分钟,以2880转(搅拌叶片的圆周速度为22.8m/s)进行主粉碎,从而得到银粉。
使用激光衍射散射式粒度分布测定装置(NIKKISO CO.,LTD.制、MICROTRAC HRA9320X-100)对所得银粉的粒度分布进行测定。分散介质使用异丙醇,在机器内循环的状态下投入银粉并测定。通常多数投入的是通过超声波等分散后的银浆料,但在实施例1中,以评价银粉自身的分散性为目标,因此直接投入约0.1g银粉进行测定。并且,求出使用激光衍射散射法得到的体积基准的粒度分布的粒径(D50)。
另外,粉碎后的银颗粒使用扫描电子显微镜(JEOL LTD.制、JSM-6360L)来观察,对约500个进行测长,求出平均粒径(以下,记为DSEM。)。通过平均粒径计算出银颗粒的比表面积(以下,记为SASEM。)。
对于比表面积粒径(以下,记为SABET。),使用多检体BET比表面积测定装置(YUASA-IONICS制、Multisorb-16)来测定比表面积,并换算为BET粒径。
对于吸收量,使用吸收量测定器(ASAHISOUKEN CO.,LTD.制、S-500)来测定。测定方法以JIS K6217-4(2008)为基准进行。得到的银粉的吸油曲线在图2中示出。在吸油曲线中,具有半峰宽为1.0ml/100g的1个峰,峰的形状为类似陡峭山峰的形状。
作为测定的结果,吸收量为8.1ml。另外,聚集度(D50/DSEM)为2.9,面积比(SABET/SASEM)为0.70。关于得到的银粉,进行经由通过三辊磨的混炼的糊剂评价的结果,未产生薄片,能确认具有良好的混炼性。
实施例1的制造条件(还原时的Ag浓度、PVA添加量、聚氧乙烯加成季铵盐添加量、分散剂添加量)在表1中示出。
(实施例2)
在实施例2中,仅改变了表1所示的制造条件,除此以外与实施例1同样地实施,获得银粉且进行评价。
图3表示实施例2的银粉的吸油曲线。吸油曲线具有两个峰。另外,吸收量为7.0ml、聚集度(D50/DSEM)为2.5、面积比(SABET/SASEM)为0.69。将作为最高扭矩的峰设为P1、将作为次高扭矩的峰设为P2时,P1的扭矩值为1.48,P2的扭矩值为1.07,满足了P2≤0.75P1的关系。另外,P1的吸收量为7.2,P2的吸收量为5.2,满足了峰值时的吸收量为P2<P1的关系。并且进行糊剂评价的结果,仅有微量的薄片产生,能确认对混炼性不造成影响。
(比较例1)
在比较例1中,仅改变了表1所示的制造条件,除此以外与实施例1同样地实施,获得银粉且进行评价。
图3表示比较例1的银粉的吸油曲线。吸油曲线具有半峰宽超过2ml/100g的1个峰。另外,吸收量为5.6ml、聚集度(D50/DSEM)为1.9、面积比(SABET/SASEM)为0.72。进行糊剂评价的结果,产生了较多的薄片,能确认混炼性较差。
(比较例2)
在比较例2中,改变了表1所示的制造条件并且未进行粉碎,除此以外与实施例1同样地实施,获得银粉且进行评价。
比较例2的银粉的吸油曲线具有如实施例1这样的半峰宽为1.0ml/100g的1个峰,但吸收量为10.0ml。另外,聚集度(D50/DSEM)为5.3、面积比(SABET/SASEM)为0.77。关于得到的银粉,进行经由通过三辊磨的混炼的糊剂评价的结果,产生了较多的薄片,能确认混炼性较差。
[表1]
根据实施例和比较例的结果可知,实施例1和2与比较例1和2相比含有适度大小的聚集体,具有适度的粘性,因此混炼性优异。由此可知,在实施例1和2中,未产生粗大的薄片,能获得印刷性优异的糊剂。可知:适用本发明的银粉,在制成糊剂的处理时也未形成薄片,因此可适合地用作还能够适应于伴随精品化的配线的树脂型银糊剂用途和焙烧型银糊剂用途。
Claims (4)
1.一种银粉,其特征在于,通过JIS-K6217-4法测定得到的邻苯二甲酸二丁酯的吸收量为7.0~9.5ml/100g,并且在吸收量测定时的吸油曲线中具有两个峰或者具有半峰宽为1.5ml/100g以下的一个峰,
当所述吸油曲线中具有两个峰时,将作为最高扭矩的峰设为P1、将作为次高扭矩的峰设为P2,此时所述峰的扭矩值为P2≤0.75P1的关系,峰值时的吸收量为P2<P1的关系。
2.根据权利要求1所述的银粉,其特征在于,所述邻苯二甲酸二丁酯的吸收量为7.5~8.5ml/100g。
3.根据权利要求1所述的银粉,其特征在于,通过BET法测定得到的比表面积SABET除以由通过扫描型电子显微镜测量得到的一次粒径DSEM计算出的比表面积SASEM的面积比SABET/SASEM为0.6~0.8。
4.根据权利要求1所述的银粉,其特征在于,通过激光衍射散射粒度分布测定法测定得到的体积累积50%粒径D50除以通过扫描型电子显微镜测量得到的一次粒径DSEM所求出的聚集度D50/DSEM为1.5~4.0。
Applications Claiming Priority (3)
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