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CN104903259B - 玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置 - Google Patents

玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置 Download PDF

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CN104903259B CN201480001960.8A CN201480001960A CN104903259B CN 104903259 B CN104903259 B CN 104903259B CN 201480001960 A CN201480001960 A CN 201480001960A CN 104903259 B CN104903259 B CN 104903259B
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Avanstrate Holding Co ltd
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Abstract

玻璃处理装置是内壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成、使熔融玻璃流动并对所述熔融玻璃进行处理的装置，构成为由所述熔融玻璃的表面和所述内壁在内部形成气相空间。沿着所述熔融玻璃的流动方向而形成所述气相空间。在处理所述熔融玻璃时，在所述气相空间的所述壁，使用所述玻璃处理装置的加热以及散热的至少一个形成从所述壁中的最高温度沿着所述熔融玻璃的流动方向的上游方向或者下游方向具有温度梯度的温度梯度区域。为了能够抑制存在于所述气相空间的挥发的铂族金属的挥发物的凝集，使所述温度梯度区域中的所述最高温度和最低温度的温度差为150℃以下。

Description

玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置
技术领域
本发明涉及玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置。
背景技术
玻璃基板通常是在由玻璃原料生成熔融玻璃之后在进行澄清工序、搅拌工序(均质化工序)之后经过使熔融玻璃成型为玻璃基板的工序而制造。然而，为了从高温的熔融玻璃批量生产高品位的玻璃基板，希望考虑玻璃基板的缺陷要因的异物等不从制造玻璃基板的任意玻璃处理装置混入熔融玻璃。因此，在玻璃基板的制造过程中，与熔融玻璃连接的部件的壁需要根据与该部件连接的熔融玻璃的温度、要求的玻璃基板的品质等由适当的材料构成。例如，生成熔融玻璃之后至提供给成型工序为止之间的熔融玻璃由于是极其极高温状态，进行熔融、澄清、供给、搅拌的装置可使用含有具有耐热性高的铂族金属即铂的部件(例如专利文献1)。
现行技术文献
专利文献1：特开2010-111533号公报
发明内容
发明需要解决的课题
但是，铂族金属伴随熔融玻璃的高温而容易挥发。于是，铂族金属的挥发物凝集时，有该凝集物即结晶的一部分作为微粒子混入熔融玻璃中而导致玻璃基板的品质的降低之忧。尤其是，因为澄清工序是在从熔解工序至成型工序为止期间熔融玻璃的温度达到最高的工序，所以在主要进行澄清工序的澄清管中加热至极高的温度。因此，澄清管中的铂族金属的挥发旺盛，特别希望减少铂族金属的挥发以及凝集。
另外，来源于上述铂族金属等挥发物的凝集物的异物向熔融玻璃的混入问题在伴随近年来的高精细化而品质要求日益严格的液晶显示器所代表的显示器用玻璃基板中进一步增大。
本发明的目的在于提供在玻璃基板的成型前处理熔融玻璃的工序中通过减少存在于玻璃处理装置的气相空间中的铂族金属的挥发物的凝集而能够抑制异物混入至熔融玻璃的玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置。
用于解决课题的方法
本发明包含以下方式。
(方式1)
一种玻璃基板的制造方法，其特征在于，
具有：
熔解玻璃原料而生成熔融玻璃的熔解工序；以及
使熔融玻璃在内壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成的玻璃处理装置的内部流动、以在所述玻璃处理装置的内部处理所述熔融玻璃的处理工序，
在所述玻璃处理装置的内部，由所述熔融玻璃的表面和所述内壁形成气相空间，
沿着所述熔融玻璃的流动方向形成所述气相空间，
在所述处理工序中，在形成所述气相空间的所述内壁，使用所述玻璃处理装置的加热以及所述玻璃处理装置的散热中的至少一个形成温度梯度区域，所述温度梯度区域具有从所述内壁中的最高温度沿着所述熔融玻璃的流动方向中上游方向或者下游方向的温度梯度，
为了抑制存在于所述气相空间的挥发的铂族金属的挥发物的凝集，使所述温度梯度区域中的所述最高温度和最低温度的温度差为150℃以下。
(方式2)
一种玻璃基板的制造方法，其特征在于，
具有：
熔解玻璃原料而生成熔融玻璃的熔解工序；以及
在玻璃处理装置中对所述熔融玻璃进行处理的处理工序，其中，所述玻璃处理装置具有所述熔融玻璃流动的液相以及由所述熔融玻璃的液面和壁形成的气相空间，且包围所述气相空间的壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成，
沿着所述熔融玻璃的流动方向形成所述气相空间，
在所述处理工序中，在形成所述气相空间的所述壁，使用所述玻璃处理装置的加热以及所述玻璃处理装置的散热中的至少一个形成温度梯度区域，所述温度梯度区域从所述壁上的最高温度沿着所述熔融玻璃的流动方向中上游方向或者下游方向具有温度梯度，
为了能够抑制存在于所述气相空间的挥发的铂族金属的挥发物的凝集，使所述温度梯度区域中的所述最高温度和最低温度的温度差为150℃以下。
(方式3)
方式1或者2所述的玻璃基板的制造方法，其中，在所述玻璃处理装置的、所述熔融玻璃的流动方向上的所述内壁的途中，设置使所述气相空间和大气连通的通气管，
所述温度梯度区域中的最高温度的位置位于所述气相空间的端部和所述通气管的位置之间，
所述温度梯度区域形成于所述最高温度的位置和所述气相空间的端部之间的区域、或者所述最高温度的位置和所述通气管的位置之间的区域。
(方式4)
方式1～3中任一项所述的玻璃基板的制造方法，其中，在所述气相空间的端部设置从所述玻璃处理装置的外周向所述玻璃处理装置的外侧延伸的凸缘部件，所述温度梯度区域中的所述最低温度位置是所述气相空间的端部。
(方式5)
方式1～4中任一项所述的玻璃基板的制造方法，其中，所述最低温度和所述最高温度为1500～1750℃。
(方式6)
方式1～5中任一项所述的玻璃基板的制造方法，其中，所述玻璃处理装置是进行熔融玻璃的澄清的澄清装置。
(方式7)
一种玻璃基板制造装置，其特征在于，
具有玻璃处理装置，所述玻璃处理装置是内壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成、且使熔融玻璃流动并处理所述熔融玻璃的装置，所述玻璃处理装置被构成为由所述熔融玻璃的表面和所述内壁在内部形成气相空间，
所述玻璃基板制造装置被构成为在包围所述气相空间的所述内壁，使用所述玻璃处理装置的加热以及所述玻璃处理装置的散热中的至少一个形成温度梯度区域，所述温度梯度区域从所述内壁中的最高温度沿着所述熔融玻璃的流动方向的上游方向或者下游方向具有温度梯度，
为了抑制存在于所述气相空间的挥发的铂族金属的挥发物的凝集，所述温度梯度区域中的所述最高温度和最低温度的温度差为150℃以下。
(方式8)
方式1～6中任一项所述的玻璃基板的制造方法或者方式7中所述的所述玻璃基板制造装置，其中，在所述处理装置的内部流动的熔融玻璃的最高温度为1630℃～1750℃。
(方式9)
方式1～6以及8中任一项所述的玻璃基板的制造方法或者方式7或8所述的所述玻璃基板制造装置，其中，所述玻璃基板的氧化锡的含量为0.01摩尔％～0.3摩尔％。
(方式10)
方式1～6、8以及9中任一项所述的玻璃基板的制造方法或者方式7～9中任一项所述的所述玻璃基板制造装置，其中，所述气相空间中的铂族金属的蒸气压是0.1Pa～15Pa。
(方式11)
方式1～6、8、9以及10中任一项所述的玻璃基板的制造方法或者方式7～10中任一项所述的所述玻璃基板制造装置，其中，所述气相空间的氧浓度为0～10％。
(方式12)
方式1～6、8～11中任一项所述的玻璃基板的制造方法或者方式7～11中任一项所述的玻璃基板制造装置，其中，由于所述铂族金属的挥发物的凝集而生成的凝集物例如最大长度相对于最小长度的比即长宽比为100以上。
另外，例如，铂族金属的凝集物的最大长度为50μm～300μm，最小长度为0.5μm～2μm。此处，所谓铂族金属的凝集物的最大长度是指外接于对铂族金属的凝集物进行拍摄而得到的异物图像的外接长方形中最大长边的长度，所谓最小长度是指所述外接长方形的最小短边的长度。
或者，作为由于所述铂族金属的挥发物的凝集而生成的凝集物，最大长度相对于最小长度的比即长宽比为100以上，铂族金属的凝集物的最大长度确定为100μm以上，优选确定为100μm～300μm。
(方式13)
方式1～6、8～12中任一项所述的玻璃基板的制造方法或者方式7～12中任一项所述的玻璃基板制造装置，其中，所述玻璃基板为显示器用玻璃基板。
另外，适于氧化物半导体显示器用玻璃基板或者LTPS显示器用玻璃基板。
发明效果
根据本发明所涉及的玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置，在对玻璃基板成型前的熔融玻璃进行处理的工序中，能够抑制存在于玻璃处理装置的气相空间中的铂族金属的挥发物的凝集。由此，能够抑制异物混入熔融玻璃中。
附图说明
图1是示出实施方式所涉及的玻璃基板制造方法的工序的流程图。
图2是示出实施方式所涉及的玻璃基板制造装置的构成的模式图。
图3是主要表示实施方式所涉及的澄清管的外观图。
图4是表示实施方式所涉及的澄清管的内部的截面图和澄清管的温度曲线的一个例子的示意图。
图5是实验例的结果的一个例子的示意图。
具体实施方式
(玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置)
对本发明涉及的玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置的实施方式参照附图进行说明。图1是示出本实施方式所涉及的玻璃基板制造方法的工序的一个例子的流程图。玻璃基板的制造方法如图1所示主要具备熔解工序S1、澄清工序S2、搅拌工序S3、成型工序S4、退火工序S5、切断工序S6。
图2是示出本实施方式所涉及的玻璃基板制造装置200的构成的一个例子的模式图。玻璃基板制造装置200具备熔解槽40、澄清管41、搅拌装置100、成型装置42、移送管43a、43b、43c。移送管43a连接熔解槽40和澄清管41。移送管43b连接澄清管41和搅拌装置100。移送管43c连接搅拌装置100和成型装置42。
在熔解工序S1中，熔解玻璃原料而生成熔融玻璃。熔融玻璃存积于熔解槽中，加热至具有期望的温度。熔融玻璃含有澄清剂。从减少环境负荷的观点出发，优选使用氧化锡作为澄清剂。
在熔解槽40中，玻璃原料加热至对应于其组成等的温度并熔解。由此，在熔解槽40中，例如得到1500℃～1620℃的高温熔融玻璃G。并且，在熔解槽40中，通过在至少一对电极间流动电流，电极间的熔融玻璃G可以通电加热，另外通过在通电加热的基础上辅助给予燃烧炉的火焰，玻璃原料可以加热。
在澄清工序S2中，可在移送管以及澄清管的内部进行。澄清管内壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成，在澄清管的内部使熔融玻璃流动，使气相空间在熔融玻璃的表面的上部形成，并在气体处理装置的内部进行澄清。所谓熔融玻璃表面的上部是指相对于表面而位于垂直上方的部分。所谓气体处理装置的内部是指被内壁围成的内侧的空间。最初，用移送管以及澄清管使熔融玻璃的温度上升。澄清剂利用升温引起还原反应，放出氧。熔融玻璃中所包含的泡吸收放出的氧而泡的直径扩大，上浮至与澄清管内的气相空间连接的熔融玻璃的表面(液面)，泡破裂而消失。接着，在澄清工序S2中，使熔融玻璃的温度降低。由此，被还原的澄清剂引起氧化反应，吸收残存于熔融玻璃中的氧等气体成分。
具体而言，在熔解槽40中得到的熔融玻璃G从熔解槽40通过移送管43a流入澄清管41。澄清管41以及移送管43a、43b、43c是铂族金属制的管。并且，铂族金属是指单一的铂族元素构成的金属以及铂族元素构成的金属的合金。铂族元素是铂(Pt)、钯(Pd)、铑(Rh)、钌(Ru)、锇(Os)以及铱(Ir)六种元素。铂族金属熔点高，相对于熔融玻璃的耐蚀性优异。在澄清管41与熔解槽40同样设置有加热单元。另外，至少在移送管43a设置有加热单元。在澄清工序S2中，通过进一步升温而使熔融玻璃G澄清。例如，澄清管41中的熔融玻璃G的温度是1600℃～1720℃。
在澄清管41中澄清的熔融玻璃G从澄清管41通过移送管43b流入搅拌装置100。熔融玻璃G通过移送管43b时被冷却。
在搅拌工序S3中，澄清的熔融玻璃被搅拌，熔融玻璃的成分均质化。由此，玻璃基板的波筋等原因即熔融玻璃的组成不均被减少。均质化的熔融玻璃被送至成型工序S4。
具体而言，在搅拌装置100中，在低于通过澄清管41的熔融玻璃G的温度的温度下搅拌熔融玻璃G。例如，在搅拌装置100中，熔融玻璃G的温度为1250℃～1450℃。例如，在搅拌装置100中，熔融玻璃G的粘度为500泊～1300泊。熔融玻璃G在搅拌装置100被搅拌而均质化。
在搅拌装置100被均质化的熔融玻璃G从搅拌装置100通过移送管43c流入成型装置42。熔融玻璃G在通过移送管43c时冷却为适于熔融玻璃G的成型的粘度。例如，熔融玻璃G冷却至1100～1300℃。
在成型工序S4中，利用溢流下拉法或者沉浮法，玻璃板从熔融玻璃连续成型。
具体而言，流入成型装置42的熔融玻璃G被提供给设置于成型炉(无图示)的内部的成型体52。在成型体52的上面沿着成型体52的长方向形成有槽。熔融玻璃G被提供给成型体52的上面的槽。从槽溢出的熔融玻璃G沿着成型体52的一对侧面，向下方流下。流下成型体52的侧面的一对熔融玻璃G在成型体52的下端汇合，玻璃板GR连续地成型。
在退火工序S5中，在成型工序S4中连续成型的玻璃板具有期望的厚度，且为了不产生变形以及翘曲，而使玻璃板退火。
在切断工序S6中，在退火工序S5中退火的玻璃板切断为规定的长度，得到板状的玻璃。板状的玻璃进一步被切断为规定的尺寸，得到玻璃基板。
这样，本实施方式的玻璃基板的制造方法具有熔解玻璃原料而生成熔融玻璃的熔解工序、在玻璃处理装置中处理熔融玻璃的处理工序、例如在澄清装置中使熔融玻璃澄清的澄清工序。玻璃处理装置构成为使熔融玻璃流动而在熔融玻璃的表面上部形成气相空间。因而，在玻璃处理装置设置有熔融玻璃流动的液相、由与气相空间连接的熔融玻璃的表面(液面)和壁形成的气相空间。包围该气相空间的内壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成。
以下作为玻璃处理装置使用包含澄清管41的澄清装置进行说明，然而玻璃处理装置只要是设置于熔解槽40和成型装置42之间而对熔融玻璃G进行规定的处理的装置就没有特别的限定。玻璃处理装置除了澄清装置之外还可以以例如搅拌装置或者移送熔融玻璃的移送管为对象。因而，熔融玻璃G的处理除了使熔融玻璃澄清的处理之外还包含使熔融玻璃均质化的处理、移送熔融玻璃的处理等。
(玻璃基板的应用例)
位于玻璃基板表面的铂族金属的凝集物在使用玻璃基板的面板制造工序中从玻璃基板的表面脱离时，脱离的表面部分为凹部，形成于玻璃基板上的薄膜形成不均匀，存在引起画面的显示缺陷的问题。并且，在玻璃基板中存在铂族金属的凝集物时，在退火工序中由于因为玻璃和铂族金属的热膨胀率差而产生变形，存在引起画面的显示缺陷的问题。因此，本实施方式适于对画面的显示缺陷的要求严格的显示器用玻璃基板的制造。尤其是本实施方式适于对画面的显示缺陷的要求更加严格、使用IGZO(铟、镓、锌、氧)等氧化物半导体的氧化物半导体显示器用玻璃基板以及使用LTPS(低温多晶硅)半导体的LTPS显示器用玻璃基板等高精细显示器用玻璃基板。
根据以上内容，利用本实施方式的玻璃基板的制造方法制造的玻璃基板适于要求碱金属氧化物的含量极少的液晶显示器、等离子体显示器、有机EL显示器等面板显示器用玻璃基板或平板显示器(FPD)用的玻璃基板。另外，还优选为IGZO的氧化物半导体显示器用玻璃基板以及LTPS显示器用玻璃基板。并且，作为保护显示器的防护玻璃、磁盘用玻璃、太阳电池用玻璃基板也适用。作为面板显示器或平板显示器用的玻璃基板可使用无碱玻璃或者含微量碱的玻璃。面板显示器或面板显示器用玻璃基板在高温时的粘度高。例如，具有102.5泊的粘性的熔融玻璃的温度为1500℃以上。
(玻璃组成)
在熔解槽40中利用无图示的加热单元熔解玻璃原料，生成熔融玻璃。玻璃原料被调制为实质上能够得到期望组成的玻璃。作为玻璃组成的一个例子，作为面板显示器或面板显示器用的玻璃基板而优选的无碱玻璃含有SiO2：50质量％～70质量％、Al2O3：10质量％～25质量％、B2O3：0质量％～15质量％、MgO：0质量％～10质量％、CaO：0质量％～20质量％、SrO：0质量％～20质量％、BaO：0质量％～10质量％。此处，MgO、CaO、SrO以及BaO的合计含量为5质量％～30质量％。
或者，适于氧化物半导体显示器用玻璃基板以及LTPS显示器用玻璃基板的玻璃基板包含SiO2：55质量％～70质量％、Al2O3：15质量％～25质量％、B2O3：0质量％～15质量％、MgO：0质量％～10质量％、CaO：0质量％～20质量％、SrO：0质量％～20质量％、BaO：0质量％～10质量％。此处，MgO、CaO、SrO以及BaO的合计含量为5质量％～30质量％。此时，更优选为含有SiO2：60质量％～70质量％、BaO：3质量％～10质量％。
作为面板显示器或平板显示器用的玻璃基板除了无碱玻璃之外还可以使用含有微量碱金属的含微量碱的玻璃。玻璃基板的玻璃是含有氧化锡的无碱玻璃或者含有氧化锡的含微量碱的玻璃时，抑制由于用于后述的本实施方式的玻璃处理装置的内壁的铂族金属的挥发而产生的铂族金属的凝集物异物混入熔融玻璃中的效果显著。无碱玻璃或者含微量碱的玻璃与碱玻璃相比较而玻璃粘度高。由于在熔解工序中提高熔融温度而大部分的氧化锡在熔解工序中被还原，为了得到澄清效果而需要提高澄清工序中的熔融玻璃温度，促进氧化锡的还原，且使熔融玻璃粘度降低。另外，氧化锡由于与目前用作澄清剂的三氧化二砷或锑相比较而促进还原反应的温度高，为了提高熔融玻璃的温度而促进澄清，需要提高澄清管120的内壁温度。总之，在制造含有氧化锡的无碱玻璃基板或者含有氧化锡的含微量碱的玻璃的玻璃基板的时候，因为需要提高澄清工序中的熔融玻璃温度，所以容易发生铂族金属的挥发。
并且，所谓无碱玻璃基板是指实质上不含有碱金属氧化物(Li2O、K2O以及Na2O)的玻璃。另外，所谓含微量碱的玻璃是指碱金属氧化物的含量(Li2O、K2O以及Na2O的总量)大于0而小于0.8摩尔％的玻璃。含微量碱的玻璃作为成分包含例如0.1质量％～0.5质量％的碱金属氧化物，优选包含0.2质量％～0.5质量％的碱金属氧化物。此处，碱金属氧化物是选自Li、Na以及K中的至少一种。碱金属氧化物的含量的合计可以小于0.1质量％。玻璃基板中的碱金属氧化物的含量可以为0～0.8摩尔％，利用后述的方法能够抑制铂族金属的凝集物作为异物混入熔融玻璃中。
根据本实施方式制造的玻璃基板在上述成分的基础上还可以含有SnO20.01质量％～1质量％(优选为0.01质量％～0.5质量％)、Fe2O30质量％～0.2质量％(优选为0.01质量％～0.08质量％)。根据本实施方式制造的玻璃基板考虑到环境负荷而优选不含有As2O3、Sb2O3以及PbO或者实质上不含。
另外，作为在本实施方式中制造的玻璃基板还可以例示以下玻璃组成的玻璃基板。因而，调配玻璃原料，使玻璃基板具有以下玻璃组成。
例如，用摩尔％表示，含有SiO255～75摩尔％、Al2O35～20摩尔％、B2O30～15摩尔％、RO 5～20摩尔％(RO为MgO、CaO、SrO以及BaO的总量)、R′2O 0～0.4摩尔％(R′为Li2O、K2O以及Na2O的总量)、SnO20.01～0.4摩尔％。此时，包含SiO2、Al2O3、B2O3以及RO(R是Mg、Ca、Sr以及Ba中所述玻璃基板所含有的全部元素)中至少任一种，摩尔比((2×SiO2)+Al2O3)/((2×B2O3)+RO)可以为4.0以上。即，摩尔比((2×SiO2)+Al2O3)/((2×B2O3)+RO)为4.0以上的玻璃是高温粘性高的玻璃的一个例子。高温粘性高的玻璃因为通常需要提高澄清工序中的熔融玻璃温度，所以容易发生铂族金属的挥发。总之，在制造具有这样组成的玻璃基板的时候后述的本实施方式的效果即抑制铂族金属的凝集物作为异物混入熔融玻璃中的效果显著。并且，所谓高温粘性表示熔融玻璃为高温时的玻璃的粘性，此处所谓的高温表示例如1300℃以上。
在本实施方式中使用的熔融玻璃可以是粘度为102.5泊时的温度为1500～1700℃的玻璃组成。这样的玻璃是高温粘性高的玻璃，高温粘性高的玻璃因为通常需要提高澄清工序中的熔融玻璃温度，所以容易发生铂族金属的挥发。即，即使是高温粘性高的玻璃组成，后述的本实施方式的效果即抑制铂族金属的凝集物作为异物混入熔融玻璃中的效果显著。
在本实施方式中使用的熔融玻璃的应变点可以为650℃以上，更优选为660℃以上，进一步优选为690℃以上，特别优选为730℃以上。另外，应变点高的玻璃具有粘度为102.5泊的熔融玻璃温度增高的倾向。总之，越是制造应变点高的玻璃基板的时候，后述的本实施方式的效果即抑制铂族金属的凝集物作为异物混入熔融玻璃中的效果越显著。另外，越是应变点高的玻璃，由于用于高精细显示器，因此对铂族金属的凝集物作为异物混入的问题的要求越严格。因此，越是高应变点的玻璃基板，能够抑制铂族金属的凝集物异物混入的本实施方式越适合。
另外，熔解玻璃原料而使其成为包含氧化锡、粘度102.5泊时的熔融玻璃的温度为1500℃以上的玻璃的时候，本实施方式的上述效果更加显著，粘度为102.5泊时的熔融玻璃的温度例如为1500℃～1700℃，优选1550℃～1650℃。
假如熔融玻璃所包含的澄清剂例如氧化锡的含量变化，则从熔融玻璃被放出至气相空间的氧的放出量也变化。从这方面出发，从抑制铂族金属的挥发的方面出发，优选根据氧化锡的含量而控制(调整)气相空间中的氧浓度。因而，从抑制铂或者铂合金等挥发的方面出发，限制氧化锡的含量，为0.01～0.3摩尔％，优选0.03～0.2摩尔％。氧化锡的含量过多时则因为产生在熔融玻璃中发生氧化锡的二次结晶的问题而不优选。另外，氧化锡的含量过多时，则产生从熔融玻璃被放出至气相空间的氧增加、气相空间的氧浓度过度上升、来自处理装置的铂族金属的挥发量增加的问题。氧化锡的含量过少时熔融玻璃的泡的脱泡不充分。
(澄清管的构成)
接着，对澄清装置的澄清管41的构成详细进行说明。并且，澄清装置除了澄清管41之外包含通气管41a、加热电极41b以及包围澄清管41外周的无图示的耐火保护层以及耐火砖。图3是主要表示澄清管41的外观图。图4是表示澄清管41的内部的截面图和澄清管的温度曲线的一个例子的示意图。澄清管41优选为铂族金属制、铂、强化铂或者铂合金制。
在澄清管41安装有通气管41a以及一对加热电极41b。在澄清管41在其内部形成有熔融玻璃G流动的液相，形成有由与气相空间连接的熔融玻璃G的表面(液面)和壁形成的气相空间。沿着熔融玻璃G的流动方向而形成有气相空间41c。包围气相空间41c的壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成。在本实施方式中，包围气相空间41c的整个壁由包含铂族金属的材料构成。
通气管41a设置于熔融玻璃G流动方向的途中与气相空间41c连接的壁上，使气相空间41c和澄清管41的外侧的大气连通。通气管41a与澄清管41同样优选由铂族金属成型。通气管41a由于散热功能而通气管41a的温度容易降低，所以可以设置用于加热通气管41a的加热机构。
一对加热电极41b是设置于澄清管41a的两端的凸缘形状的电极板。加热电极41b使由无图示的电源提供的电流在澄清管41中流动，由于该电流，通电加热澄清管41。另外，为了抑制加热的破损，冷却一对加热电极41b。作为澄清剂使用氧化锡的时候，例如加热澄清管41，使最高温度为1600℃～1750℃，更优选为1630℃～1750℃，加热熔融玻璃G，使最高温度为引起氧化锡的还原反应的温度，例如1600℃～1720℃，更优选为1620℃～1720℃。通过控制在澄清管41流动的电流，能够控制在澄清管41的内部流动的熔融玻璃G的温度。优选熔融玻璃的温度为1630℃～1750℃，从抑制铂族金属的挥发量而减少残存的泡的数量的方面出发优选为1650℃～1750℃。
加热电极41b可在澄清管41设置一对，然而澄清管41的数量没有特别限定。通过加热电极41b的通电加热，澄清管41的与气相空间41c连接的内壁的温度例如在1500℃～1750℃的范围内。
在澄清管41的内部，通过添加入熔融玻璃G的澄清剂例如氧化锡的氧化还原反应，除去包含于熔融玻璃G的CO2或者SO2的泡。具体而言，最初，通过提高熔融玻璃G的温度，使澄清剂还原，在熔融玻璃G中使氧的泡产生。包含熔融玻璃G中所含的CO2、N2、SO2等气体成分的泡吸收由于澄清剂的还原反应而产生的氧。吸收氧而泡径扩大的泡上浮至与气相空间连接的熔融玻璃G的表面(液面)并放出泡，即泡破裂而消失。消失的泡所含的气体被放出至气相空间41c，经由通气管41a并被放出至澄清管41的外部。接着，降低熔融玻璃G的温度，使还原的澄清剂氧化。由此，残留于熔融玻璃G中的泡的氧被吸收至熔融玻璃G(吸收处理)。这样，残存的泡缩小而消失。这样，通过澄清剂的氧化还原反应，除去熔融玻璃G所含的泡。
这样，通过在澄清管41的熔融玻璃的流动方向的上游部分提高内壁的温度而使澄清剂的还原反应产生、在下游部分降低内壁的温度而使澄清剂的氧化反应产生，上游部分的熔融玻璃的温度与下游部分相比较增高，其结果调整为从熔融玻璃向气相空间放出的氧的放出量与下游部分相比较增多。此处，所谓上游部分是指相对于下游部分位于熔融玻璃的流动方向的上游侧的部分，所谓下游部分是指相对于上游部分位于熔融玻璃的流动方向的下游侧的部分，例如，上游部分是指熔融玻璃从澄清管41的熔融玻璃的流动方向的中央位置的流动方向的上游侧的部分，下游部分是指熔融玻璃从澄清管41的熔融玻璃的流动方向的中央位置的流动方向的下游侧的部分。
气相空间41c的氧浓度(平均氧浓度)可以为0％以上，然而优选调节为0.1％以上。另外，气相空间41c的氧浓度可以为30％以下，然而优选调节为10％以下。如使氧浓度为0％，则因为可控制铂族金属的挥发，所以从控制铂族金属的挥发的方面出发，优选氧浓度为0％。对于气相空间41c的氧浓度始终为0％，由于存在极度减少澄清剂的含量或需要成本的问题，因此为了实现泡减少、低成本以及铂族金属挥发的抑制，气相空间41c的氧浓度优选为0.01％以上。气相空间的氧浓度过度减小时，则通过熔融玻璃和气相空间的氧浓度差增大而从熔融玻璃向气相空间120a放出的氧增加，通过使熔融玻璃过度还原，结果存在在成型后的玻璃基板残存硫氧化物或氮等气泡之忧。另一方面，氧浓度过大时，促进铂族金属的挥发，存在挥发的铂族金属的析出量增大之忧。从以上出发，氧浓度的上限优选为10％。即，氧浓度优选为0～10％，更优选为0％以上3％以下，0％～1％，特别优选为0.01％以上1％以下。
为了抑制铂族金属的挥发而优选调整气相空间41c中的铂族金属的蒸气压。从抑制铂族金属的挥发以及凝集的方面出发，气相空间41c中的铂族金属的蒸气压优选为0.1Pa～15Pa，优选为3Pa～10Pa。
没有进行图示，然而耐火保护层设置于澄清管41的外壁面。在耐火保护层的外侧还设置耐火砖。在基台(无图示)载置有耐火砖。
在这样的澄清工序中，在形成气相空间41c的澄清管41的内壁形成从该内壁中的最高温度沿着熔融玻璃G的流动方向即X方向(参照图4)中上游方向或者下游方向具有温度梯度的温度梯度区域。上游方向是指熔融玻璃G的流动方向中从澄清管41观察而朝向熔解槽40侧的方向。下游方向是指熔融玻璃G的流动方向中从澄清管41观察而朝向成型装置42侧的方向。该温度梯度区域使用澄清管41的加热以及散热的至少一个而形成。然后，为了能够抑制存在于气相空间41c的挥发的铂族金属的挥发物的凝集，温度梯度区域中的最高温度和最低温度的温度差调整为150℃以下。此处，所谓挥发物的凝集的抑制是指除了挥发物的凝集为0之外，挥发量的凝集量包括与超过150℃的情况相比较减少上述温度差的情况。
通过调整为这样的温度差，能够抑制从由存在于气相空间41c内的铂族金属的挥发物例如澄清管41的铂族金属构成的壁挥发的铂族金属的挥发物的凝集。铂族金属按照根据温度确定的饱和蒸气压而作为挥发物挥发，然而温度越低该饱和蒸气压越低。因此，挥发物的一部分在温度低的区域变得容易凝集。可是，通过使澄清管41的壁中的温度差为150℃以下，挥发物按照饱和蒸气压的温度依赖性的曲线(饱和蒸气压曲线)而凝集的数量减少。因此，形成于气相空间41c的铂族金属的凝集物少，该凝集物的一部分脱离而成为微粒子，落至熔融玻璃G的情况减少。由此，能够抑制铂族金属的异物混入熔融玻璃G。
在本实施方式的澄清管41的情况下，具有凸缘形状的加热电极(凸缘部件)41b因为具有高散热功能，所以电极(凸缘部件)41b附近的壁与该壁的周边部分相比较容易成为低温。并且，例如为了抑制过热的破损，加热电极41b用液体或者气体冷却。另外，通气管41a也因为从澄清管41突出，所以通气管41a附近的与气相空间41c连接的澄清管41的壁与该壁周边相比较也容易成为低温。因此，与气相空间41c连接的澄清管41的壁的温度沿着X方向必然拥有温度曲线。换而言之，本实施方式的澄清管41的情况下，澄清管41的温度不固定，不可避免地产生温度差。澄清管41的两端附近的壁即一对加热电极41b的端附近的壁以及通气管41a附近的壁在X方向成为温度低的低温区域，通气管41a和加热电极41b之间的中间部分在X方向成为温度高的高温区域。这样的温度曲线的温度即使是最低温度通过加热电极41b的澄清管41通电加热也成为高温例如1500℃以上的温度。因此，在气相空间41c，构成澄清管41的铂族金属挥发，存在铂族金属的挥发物。或者，存在从别的部分挥发的铂族金属的挥发物。因此，上述挥发物随着铂族金属向低温区域移动、按照铂族金属的饱和蒸气压曲线而容易凝集。可是，在本实施方式中，如上所述，因为温度梯度区域中的最高温度和最低温度的温度差调整为150℃以下，所以能够抑制铂族金属的挥发物的凝集。因此，形成于气相空间41c的铂族金属的凝集物少。
图4示出与澄清管41的X方向的位置一致地表示的澄清管41的温度曲线(澄清管41的与气相空间41c连接的壁的X方向的温度曲线)的一个例子。在温度曲线中，在澄清管41的熔融玻璃G流入侧的端41d和通气管41a之间，温度为最高温度Tmax。从该最高温度Tmax的位置P开始向着澄清管41的端41d形成温度降低的温度梯度。同样，从最高温度Tmax的位置P向着通气管41a的X方向的位置形成温度降低的温度梯度。另外，温度梯度区域无图示，然而除以上所述之外，还可形成于通气管41a的X方向位置与澄清管41的熔融玻璃G流出侧的端41e之间。在这样的温度梯度区域，在任一温度梯度区域，温度梯度区域中的最高温度和最低温度的温度差为150℃。在气相空间41c中，因为温度梯度区域形成于澄清管41的与气相空间41c连接的壁上，所以从最高温度的位置P向澄清管41d形成气流。或者，从最高温度的位置P向通气管41a的位置形成气流。此时，即使从温度的位置P向澄清管41的端41d的气流或者从最高温度的位置P向通气管41a的位置的气流包含铂族金属的挥发物，因为将上述最高温度和上述最低温度的温度差调整为150℃以下，所以可抑制挥发物在气相空间41c的壁凝集。另外，即使从最高温度的位置P向通气管41a的位置的气流包含铂族金属的挥发物，因为从通气管41a向澄清管41的外侧迅速排气，所以可抑制铂族金属的挥发物在气相空间41a内凝集。
在本实施方式的澄清管41的端41d、41e设置有从澄清管41的外周延伸至澄清管41的外侧的包含加热电极41b的凸缘部件。凸缘部件散热功能高。上述温度梯度区域中的最低温度位置是澄清管41的端附近的壁。即使在此时，因为将上述最高温度和上述最低温度的温度差调整为150℃以下，所以可抑制铂族挥发物在端41d附近的壁凝集。
上述温度梯度区域中的最低温度和最高温度Tmax例如作为澄清剂使用氧化锡的时候为1500～1750℃，为铂族金属容易挥发的温度。即使是这种情况下，因为最高温度Tmax和上述温度梯度区域中的最低温度的温度差为150℃以下，更优选为100℃以下，所以抑制铂族金属的挥发物在气相空间41c的壁凝集。并且，例如，最低温度为1500～1650℃，优选为1530℃～1620℃。
调整澄清装置的澄清管41的壁的加热以及该壁的散热的至少一个而形成这样的温度差。即，上述温度差通过利用通电加热对澄清管41给予的加热量、从澄清管41的外周向外侧散热的散热量的调整而能够实现。另外，还通过从包含温度梯度区域的最高温度的高温区域至包含最低温度的低温区域通过耐火保护层或耐火砖使热传导而缩小温度差，能够实现上述温度差。
为了使上述最高温度和上述最低温度的温度差缩小，通过调整在澄清管41的圆周上各部分(上部、侧部以及下部)在X方向流动的用于通电加热的电流，可进行通电加热的加热量的调整。例如，通过缩小设置于凸缘形状的加热电极41b的水冷却管的截面积，使加热电极41b附近的电流偏向澄清管41的上部，能够使凸缘形状的加热电极41b附近的与气相空间41c连接的内壁的温度上升。由此，能够使上述最高温度和上述最低温度的温度差为150℃以下。但是，在缩小水冷却管的截面积的情况下，更换为澄清管41的加热电极41b附近的与气相空间41c连接的内壁的温度上升，在加热电极41b周边加热熔融玻璃的能力降低。因此，优选调整水冷却管的截面积，使气相空间的温度差为150℃以下，且熔融玻璃的温度为可获得澄清剂的澄清效果的温度以上。并且，所谓澄清管41的上部是指沿着澄清管41的高度方向即垂直方向将澄清管41的高度均匀三等分时的高度方向的最高部分，所谓下部是指三等分时的高度方向的最低部分，所谓侧部是指三等分时的剩余部分。
尤其是因为加热电极41b以及通气管41a附近的内壁为包含最低温度的低温区域，所以通过提高低温区域的温度而使上述温度差为150℃以下是有效的。
另外，通过调整包围澄清管41的外周的耐火保护层或者耐火砖的绝热特性(热传导率等)或热阻抗(＝(耐火保护层或耐火砖的厚度)/热传导率)等而进行从澄清管41的外周向澄清管41的外侧的散热量的调整。尤其是通过利用散热使包含最高温度Tmax的高温区域的温度下降而使上述温度差为150℃以下是有效的。
另外，热传导量的调整通过对包覆澄清管41的周围的耐火保护层或者耐火砖使用一部分热传导率高的材料，配置该材料，使其在上述高温区域和上述低温区域之间在X方向连续并延伸，形成从上述高温区域向上述低温区域的热流。由此，能够使上述最高温度和上述最低温度的温度差为150℃以下。当然，在传导率高的材料的外侧优选使用绝热性高的耐火砖，抑制散热。
使用使包含澄清装置的加热以及散热的热传导再现的计算机模拟，能够决定调整用于使这样的温度差为150℃以下的澄清管41的内壁的加热、散热等的条件。
在计算机模拟中，分别使包覆澄清管41周围的耐火保护层、澄清管41、通气管41a、加热电极41b、凸缘部件、熔融玻璃模型化，对模型给予这些模型化了的部件的比热、热传导率的材料数据。于是，使澄清管41产生热量、向耐火保护层的模型外面以及熔融玻璃的模型进行热传导的情景再现。
并且，用于使上述温度差为150℃以下的方法并不限定于上述方法。
在本实施方式中，作为玻璃处理装置以包含澄清管41的澄清装置为优选实施方式进行了说明。本实施方式代替澄清管41也能够适用于搅拌装置100的搅拌槽，然而内壁的温度差容易增大的澄清管的应用与搅拌槽的应用相比较，从使本实施方式的效果更加显著地发挥的方面考虑而优选。澄清管41中的内壁的温度高于搅拌槽中的内壁的温度，内壁的最高温度和最低温度的温度差容易增大。而且，在澄清管中因为进行为了澄清剂的还原反应而在澄清管的熔融玻璃的流动方向的上游部分加热内壁、在下游部分为了澄清剂的氧化反应而使内壁的温度降低的温度调整，所以在澄清管的上游部分和下游部分，内壁的温度差容易增大。这样的上游部分和下游部分的温度差在搅拌槽中不设立。而且，作为澄清剂使用氧化锡的情况下，为了使澄清剂的还原反应活跃，与使用三氧化二砷或锑的情况相比较需要提高最高温度。因此，在澄清管中，与搅拌槽相比较，上述温度差容易增大。在本实施方式中，即使内壁的温度高，也因为降低上述温度差，所以在上述温度差容易增大的澄清管中，能够抑制挥发的铂族金属凝集的效果与搅拌槽相比较而增大。
另外，从由于澄清管的方面与搅拌槽相比较而内壁的温度高因此铂族金属的挥发量增大、作为澄清剂使用氧化锡的情况下从熔融玻璃向气相空间放出氧而气相空间的氧浓度增高并促进铂族金属的挥发、并且在澄清管中由于温度分布而挥发的铂族金属容易凝集出发，澄清管的应用与搅拌槽的应用相比较，从使本实施方式的效果更加显著地发挥的方面考虑而优选。
本实施方式所涉及的制造方法在铂族合金制的澄清管41在使用氧化锡作为澄清剂的情况下，特别有效。近年来，从环境负荷的观点出发，代替三氧化二砷或锑而使用氧化锡作为澄清剂。由于使用氧化锡的时候比使用三氧化二砷或锑的时候在澄清管41需要使熔融玻璃更高温，因此铂族金属的挥发问题显著。于是，促进铂族金属的挥发时，则铂族金属的挥发物作为异物容易凝集附着在澄清管41的内壁以及通气管41a的内壁。在这方面，本实施方式的制造方法有效。
本实施方式的制造方法能够适用于面板显示器或平板显示器用玻璃基板的制造、保护显示器的防护玻璃的制造、磁盘用玻璃的制造或者太阳电池用玻璃基板的制造。本实施方式的制造方法对由铂族金属构成的澄清管41在使由适于液晶显示器、等离子体显示器以及有机EL显示器等面板显示器或平板显示器用玻璃基板的制造的玻璃原料生成的熔融玻璃澄清的时候特别有效。
在澄清管41中，通过调节熔融玻璃G的粘度为熔融玻璃G所含的泡容易上浮至与气相空间连接的熔融玻璃的表面(液面)的数值，使熔融玻璃G澄清。可是，适于面板显示器或平板显示器用玻璃基板的无碱玻璃以及含微量碱的玻璃在高温时具有高粘度。例如，用于使无碱玻璃以及含微量碱的玻璃成型的熔融玻璃G在粘度为102.5poise的情况下具有1500℃以上的温度。因此，在澄清工序，由于需要使熔融玻璃的温度高于通常的碱玻璃的熔融玻璃温度，上述的铂族金属的挥发问题显著。于是，促进铂族金属的挥发时，则铂族金属的凝集物作为异物容易附着于澄清管41的内壁以及通气管41a的内壁。在这方面，本实施方式的制造方法有效。
(实验例1)
作为澄清剂使用氧化锡，使用图3所示的澄清管41，伴随着进行熔融玻璃的澄清，在澄清后，成型为2270mm×2000mm、厚度为0.5mm的玻璃板，制作了100张玻璃基板(实施例1～5、比较例1～3)。
通过上述加热电极41b的凸缘形状的变更和对铂族金属制的通气管41a的通电加热的调整进行澄清管41的壁温度的调整，保持加热电极41b以及通气管41a周边的澄清管41的壁温度为1550℃以上，加热电极41b以及通气管41a和澄清管41的最高温度的温度差保持在设定的温度。澄清时间为1小时。另外，玻璃基板的玻璃组成为SiO266.6摩尔％、Al2O310.6摩尔％、B2O311.0摩尔％、MgO、CaO、SrO以及BaO的总量11.4摩尔％、SnO20.15摩尔％、Fe2O30.05摩尔％、碱金属氧化物的总量0.2摩尔％，应变点为660℃、粘度为102.5泊时的熔融玻璃的温度为1570℃。
另一方面，除了不进行加热电极41b的凸缘形状的变更和对通气管的通电加热的调整的方面，与上述实施例同样，进行了熔融玻璃的澄清(比较例1)。在比较例1中，澄清时的加热电极以及通气管的温度约为1300℃，加热电极以及通气管和澄清管的最高温度部分之间的温度差约为350℃。
用目视确认实施例1～5以及比较例1的玻璃基板的铂异物的有无的时候，在实施例1～5中，确认铂异物的玻璃基板的数量能够控制在比较例1的1/6以下。并且，作为铂异物，对长宽比为100以上、最大长度为100μm以上者计数。
并且，作为比较例2、3，使温度差进行各种变化。
在下表1示出更具体的温度差和结果。最低温度的加热电极41b或者通气管41a和最高温度的澄清管41的温度差为10℃、50℃、80℃、100℃、120℃、170℃、200℃的时候，对玻璃基板每1kg的铂异物数量计数。并且，以最高温度和最低温度的温度差为120℃时的铂异物数量为1.0，用比例表示各种条件下的铂异物数量。可知相对于温度差为170℃、200℃的情况(比较例2、3)，在温度差为10℃、50℃、80℃、100℃、120℃的情况(实施例1～5)下，能够抑制玻璃基板中的铂异物的量。并且，在控制温度差为10℃、50℃、80℃、100℃、120℃而制造玻璃基板的时候，能够控制玻璃基板的铂异物为0.001个/kg以下。图5是实施例1～5、比较例2、3的结果的一个例子的示意图。图5所示的图表的纵轴是以温度差120℃的时候的铂异物数量为1.0时的比例。比例超过1.5时，则因为玻璃基板的成品率在不容许的范围，在图5中，以比例1.5为阈值并用虚线表示。而且温度差超过150℃时，比例急剧上升，玻璃基板的成品率急剧恶化。
表1
温度差(℃) 确认有铂异物的玻璃基板的数量的比例
实施例1 10 0.22
实施例2 50 0.38
实施例3 80 0.57
实施例4 100 0.76
实施例5 120 1.0
比较例2 170 2.0
比较例3 200 3.0
(实验例2)
相对于实验例1，除了将玻璃基板的玻璃组成变更为SiO270摩尔％、Al2O312.9摩尔％、B2O32.5摩尔％、MgO 3.5摩尔％、CaO 6摩尔％、SrO1.5摩尔％、BaO 3.5摩尔％、SnO20.1摩尔％之外用与实施例1同样的方法制作玻璃基板。此时，玻璃基板的应变点为745℃。
其结果，与实验例1同样，可知能够抑制玻璃基板中的铂异物。
以上对本发明的玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置进行了详细说明，然而本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内当然可以进行各种改良或变更。
符号说明
40熔解槽；41澄清管；41a通气管；41b加热电极；41c气相空间；42d端；42成型装置；52成型体；43a、43b、43c移送管；100搅拌装置；200玻璃基板制造装置；G熔融玻璃

Claims (7)

1.一种玻璃基板的制造方法，其特征在于，
具有：
熔解玻璃原料而生成熔融玻璃的熔解工序；以及
使熔融玻璃在内壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成的玻璃处理装置的内部流动、以在所述玻璃处理装置的内部处理所述熔融玻璃的处理工序，
在所述玻璃处理装置中设置有用于加热所述内壁的加热电极，所述加热电极被冷却，
在所述玻璃处理装置的内部，由所述熔融玻璃的表面和所述内壁形成气相空间，
沿着所述熔融玻璃的流动方向形成所述气相空间，
在所述处理工序中，在形成所述气相空间的所述内壁，使用通过所述玻璃处理装置的所述加热电极进行的加热、以及所述玻璃处理装置的散热或所述加热电极的冷却形成所述内壁的温度梯度区域，所述温度梯度区域具有从所述内壁中的最高温度沿着所述熔融玻璃的流动方向中的上游方向或者下游方向的温度梯度，
为了抑制存在于所述气相空间的挥发的铂族金属的挥发物的凝集，使因所述散热或所述加热电极的冷却而产生的、形成所述气相空间的所述内壁的所述温度梯度区域中所述最高温度和最低温度的温度差为150℃以下。
2.一种玻璃基板的制造方法，其特征在于，
具有：
熔解玻璃原料而生成熔融玻璃的熔解工序；以及
在玻璃处理装置中对所述熔融玻璃进行处理的处理工序，其中，所述玻璃处理装置具有所述熔融玻璃流动的液相以及由所述熔融玻璃的液面和内壁形成的气相空间，且包围所述气相空间的内壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成，
在所述玻璃处理装置中设置有用于加热所述内壁的加热电极，所述加热电极被冷却，
沿着所述熔融玻璃的流动方向形成所述气相空间，
在所述处理工序中，在形成所述气相空间的所述内壁，使用通过所述玻璃处理装置的所述加热电极进行的加热、以及所述玻璃处理装置的散热或所述加热电极的冷却形成所述内壁的温度梯度区域，所述温度梯度区域从所述内壁上的最高温度沿着所述熔融玻璃的流动方向中的上游方向或者下游方向具有温度梯度，
为了能够减少存在于所述气相空间的挥发的铂族金属的挥发物的凝集，使因所述散热或所述加热电极的冷却而产生的、形成所述气相空间的所述内壁的所述温度梯度区域中的所述最高温度和最低温度的温度差为150℃以下。
3.根据权利要求1或者2所述的玻璃基板的制造方法，其中，
在所述玻璃处理装置的、所述熔融玻璃的流动方向上的所述内壁的途中，设置使所述气相空间和大气连通的通气管，
所述温度梯度区域中的最高温度的位置位于所述气相空间的端部和所述通气管的位置之间，
所述温度梯度区域形成于所述最高温度的位置和所述气相空间的端部之间的区域、以及所述最高温度的位置和所述通气管的位置之间的区域。
4.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其中，在所述气相空间的端部设置从所述玻璃处理装置的外周向所述玻璃处理装置的外侧延伸的凸缘部件，所述温度梯度区域中的所述最低温度位置是所述气相空间的端部。
5.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其中，所述最低温度和所述最高温度是1500～1750℃。
6.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其中，所述玻璃处理装置是进行熔融玻璃的澄清的澄清装置。
7.一种玻璃基板制造装置，其特征在于，
具有玻璃处理装置，所述玻璃处理装置是内壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成、且使熔融玻璃流动并处理所述熔融玻璃的装置，所述玻璃处理装置被构成为由所述熔融玻璃的表面和所述内壁在内壁形成气相空间，
在所述玻璃处理装置中设置有用于加热所述内壁的加热电极，所述加热电极被冷却，
所述玻璃基板制造装置被构成为在包围所述气相空间的所述内壁，使用通过所述玻璃处理装置的所述加热电极进行的加热、以及所述玻璃处理装置的散热或所述加热电极的冷却形成所述内壁的温度梯度区域，所述温度梯度区域从所述内壁中的最高温度沿着所述熔融玻璃的流动方向的上游方向或者下游方向具有温度梯度，
为了抑制存在于所述气相空间的挥发的铂族金属的挥发物的凝集，因所述散热或所述加热电极的冷却而产生的、形成所述气相空间的所述内壁的所述温度梯度区域中的所述最高温度和最低温度的温度差为150℃以下。
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