CN104701397B - 一种硅基薄膜太阳能电池结构及加工工艺 - Google Patents
一种硅基薄膜太阳能电池结构及加工工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104701397B CN104701397B CN201310668089.4A CN201310668089A CN104701397B CN 104701397 B CN104701397 B CN 104701397B CN 201310668089 A CN201310668089 A CN 201310668089A CN 104701397 B CN104701397 B CN 104701397B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- delineation
- battery
- sub
- width
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 10
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种硅基薄膜太阳能电池结构，其特征在于沿基板长度方向由分割线均匀分成至少两个外部并联的子电池，沿基板宽度方向由设置在透明导电前电极层设有刻划P1，沉积硅基薄膜层设有刻划P2，溅射背电极层设有刻划P3，刻划P1、P2、P3依次设置，本发明的关键在于根据PECVD设备沉积膜层的实际情况，按照最佳节宽度公式制作刻划P1、刻划P2和刻划P3，优化了最佳电池条宽度，长度方向分割电池，通过简单的方法将它们相并联，将大面积沉积硅基薄膜层厚度的不均匀性，以及短路点对电池性能的影响降到最低，使硅基薄膜电池在合适输出电压下，同时有最佳的输出电流，通过简单有效的方法充分发挥了大面硅基薄膜电池本身的潜能。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体地说是一种能改善太阳能电池性能的硅基薄膜太阳能电池结构及加工工艺。
背景技术
众所周知，太阳能光伏组件应用于生活领域逐渐增多，例如独立发电系统、太阳能路灯、并网发电、光伏建筑一体化等。目前市场成熟主流的技术以单晶硅和多晶硅太阳电池为主，但是由于硅材料的日渐短缺以及生产晶体硅过程中存在的破坏环境问题，非晶硅薄膜太阳电池具有耗材少、环境友好、成本下降空间较大、成本低、弱光响应好、高温性能好，相同装机容量下发电量高等优点，所以非晶硅薄膜太阳电池越来越受到人们的关注。目前，硅基薄膜太阳能电池主要问题是如何提高转化效率和降低光致衰退效应。现有技术中大都从改善膜层质量、优化工艺配方和沉积条件、及制备陷光结构等方式提高硅基薄膜太阳能电池的转化效率，但是，大面积制备硅薄膜主要存在的问题是：1、薄膜厚度不均匀；2、薄膜内部存在缺陷。对与硅基薄膜太阳能电池来说，这两方面的问题导致整个面的电流密度不均匀、存在短路等问题。因此，如何将电流密度不均匀和短路问题对电池造成的影响降到最低至关重要。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种通过化整为零，对薄膜太阳能电池进行纵横方向的合理分割，充分挖掘电池自身性能，将薄膜不均匀性和内部缺陷对电池的影响降到最低，使硅基薄膜电池在合适的输出电压下，同时有最佳输出电流的硅基薄膜太阳能电池结构。
本发明可以通过如下措施达到：
一种硅基薄膜太阳能电池结构，包括基板，基板a上设有由透明导电前电极层b、沉积硅基薄膜层c和溅射背电极层d构成的电池板和焊接电极，其特征在于沿基板长度方向由分割线P均匀分成至少两个外部并联的子电池，分割线P由功率约为1W的532nm的脉冲式激光器刻划，532nm的激光器可以透过透明导电前电极，将硅基薄膜层和背电极刻划断，划线宽度至少30um，分割线P在长度方向将电池均匀的分成至少两个子电池；沿基板宽度方向由设置在透明导电前电极层b设有刻划P1，刻划P1由功率约为500mW的1064nm红外脉冲激光器刻划，刻划P1线的宽度约为30um，刻划P1将透明导电前电极完全刻断，横跨刻划P1线的绝缘电阻≥5MΩ；刻划P1线划分了子电池的一个边界；硅基薄膜层c设有刻划P2，刻划P2偏离P1约100um，刻划P2由功率约为500mW的532nm的脉冲式激光器刻划，刻划P2的宽度约为30um；横跨刻划P2线的绝缘电阻≥5MΩ，溅射背电极层d设有刻划P3，刻划P3偏离P2约100um，刻划P3由功率约为500mW的532nm的脉冲式激光器刻划，刻划P3的宽度约为30um，横跨刻划P3线的绝缘电阻≥5MΩ刻划，P3划分了子电池的另一个边界，刻划P3将电池在宽度方向上划分为多个内部串联的子电池。
本发明所述沿基板宽度方向的子电池的宽度由下列公式计算：
其中的Jmpp为最佳功率点的电流密度、Vmpp 为最佳功率点的电压、PLS 为是指太阳能电池标准测试条件的辐射光强度的功率密度、Wa为子电池的有效宽度，Wd 为死区宽度、Rtco为透明导电前电极的方块电阻。
本发明所述的分割线P将硅基薄膜层和背电极刻划断，以实现通过电极连接在沿基板长度方向形成并联。
一种硅基薄膜太阳能电池加工工艺，包括以下步骤：
步骤一、首先测量透明导电前电极的方块电阻Rtco，测尽量多的点，取他们的平均值Rtco，
步骤二、根据计算，得出最佳功率点的电流密度（Jmpp）、电压（Vmpp）、死区宽度（Wd）按照公式（1）计算出最佳电池宽度W（W=Wa+Wb），在透明导电前电极层刻划P1，确定宽度方向子电池的尺寸，刻划P1由功率约为500mW的1064nm红外脉冲激光器刻划，刻划P1线的宽度为20-40um，刻划P1将透明导电前电极完全刻断，横跨刻划P1线的绝缘电阻≥5MΩ；刻划P1线划分了子电池的一个边界；
步骤二、采用沉积硅基薄膜得电池的P层、I层及N层；
步骤三、偏离刻划P1至少100um平行刻划P2线，刻划P2由功率约为500mW的532nm的脉冲式激光器刻划，刻划P2的宽度为20-40um；横跨刻划P2线的绝缘电阻≥5MΩ；
步骤四、采用溅射法溅射背电极，偏离刻划P2至少100um平行地刻划P3线，刻划P3由功率约为500mW的532nm的脉冲式激光器刻划，刻划P3的宽度约为30um，横跨刻划P3线的绝缘电阻≥5MΩ，刻划P3划分了子电池的另一个边界，刻划P3将电池在宽度方向上划分为多个内部串联的子电池；
步骤五、根据沉积硅基薄膜层的质量，确定在沿其板长度方向子电池的个数，制作分割线P，分割线P由功率约为1W的532nm的脉冲式激光器刻划，532nm的激光器可以透过透明导电前电极，将硅基薄膜层和背电极刻划断，划线宽度至少 30um，分割线P在长度方向将电池均匀的分成至少两个子电池；
步骤六、沿电池基板长度方向两端焊接电极，电极不仅起引出电流、电压的作用，还起到沿电池基板长度方向的子电池相并联。
本发明的关键在于根据PECVD设备沉积膜层的实际情况，按照最佳节宽度公式刻划P1、刻划P2和刻划P3，优化了最佳电池条宽度，在长度方向上分割电池，通过简单的方法将它们相并联，将大面积沉积硅基薄膜层厚度的不均匀性，以及短路点对电池的性能的影响降到最低，使硅基薄膜电池在合适的输出电压下，同时有最佳的输出电流，通过简单有效的方法充分发挥了大面硅基薄膜电池本身的潜能。
附图说明
图1本发明的一种平面结构示意图。
图2是图1的A-A剖视图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。
如图所示，一种硅基薄膜太阳能电池结构，包括基板，基板a上设有由透明导电前电极层b、沉积硅基薄膜层c和溅射背电极层d构成的电池板和焊接电极，其特征在于沿基板长度方向由分割线P均匀分成至少两个外部并联的子电池，分割线P由功率约为1W的532nm的脉冲式激光器刻划，532nm的激光器可以透过透明导电前电极，将硅基薄膜层和背电极刻划断，划线宽度至少30um，分割线P在长度方向将电池均匀的分成至少两个子电池；沿基板宽度方向由设置在透明导电前电极层b设有刻划P1，刻划P1由功率约为500mW的1064nm红外脉冲激光器刻划，刻划P1线的宽度约为30um，刻划P1将透明导电前电极完全刻断，横跨刻划P1线的绝缘电阻≥5MΩ；刻划P1线划分了子电池的一个边界；硅基薄膜层c设有刻划P2，刻划P2偏离P1约100um，刻划P2由功率约为500mW的532nm的脉冲式激光器刻划，刻划P2的宽度约为30um；横跨刻划P2线的绝缘电阻≥5MΩ，溅射背电极层d设有刻划P3，刻划P3偏离P2约100um，刻划P3由功率约为500mW的532nm的脉冲式激光器刻划，刻划P3的宽度约为30um，横跨刻划P3线的绝缘电阻≥5MΩ，刻划P3划分了子电池的另一个边界，刻划P3将电池在宽度方向上划分为多个内部串联的子电池。
本发明所述沿基板宽度方向的子电池的宽度由下列公式计算：
其中的Jmpp为最佳功率点的电流密度、Vmpp 为最佳功率点的电压、PLS 为是指太阳能电池标准测试条件的辐射光强度的功率密度、Wa为子电池的有效宽度，Wd 为死区宽度、Rtco为透明导电前电极的方块电阻。
本发明所述的分割线P将硅基薄膜层和背电极刻划断，以实现通过电极连接在沿基板长度方向形成并联。
一种硅基薄膜太阳能电池加工工艺，包括以下步骤：
步骤一、首先测量透明导电前电极的方块电阻Rtco，测尽量多的点，取他们的平均值Rtco，
步骤二、根据计算，得出最佳功率点的电流密度（Jmpp）、电压（Vmpp）、死区宽度（Wd）按照公式（1）计算出最佳电池宽度W（W=Wa+Wb），在透明导电前电极层刻划P1，确定宽度方向子电池的尺寸，刻划P1由功率约为500mW的1064nm红外脉冲激光器刻划，刻划P1线的宽度为20-40um，刻划P1将透明导电前电极完全刻断，横跨刻划P1线的绝缘电阻≥5MΩ；刻划P1线划分了子电池的一个边界；
步骤二、采用沉积硅基薄膜得电池的P层、I层及N层；
步骤三、偏离刻划P1至少100um平行刻划P2线，刻划P2由功率约为500mW的532nm的脉冲式激光器刻划，刻划P2的宽度为20-40um；横跨刻划P2线的绝缘电阻≥5MΩ；
步骤四、采用溅射法溅射背电极，偏离刻划P2至少100um平行地刻划P3线，刻划P3由功率约为500mW的532nm的脉冲式激光器刻划，刻划P3的宽度约为30um，横跨刻划P3线的绝缘电阻≥5MΩ，刻划P3划分了子电池的另一个边界，刻划P3将电池在宽度方向上划分为多个内部串联的子电池；
步骤五、根据沉积硅基薄膜层的质量，确定在沿其板长度方向子电池的个数，制作分割线P，分割线P由功率约为1W的532nm的脉冲式激光器刻划，532nm的激光器可以透过透明导电前电极，将硅基薄膜层和背电极刻划断，划线宽度至少 30um，分割线P在长度方向将电池均匀的分成至少两个子电池；
步骤六、沿电池基板长度方向两端焊接电极，电极不仅起引出电流、电压的作用，还起到沿电池基板长度方向的子电池相并联。
本发明的关键在于根据PECVD设备沉积膜层的实际情况，按照最佳节宽度公式刻划P1、刻划P2和刻划P3，优化了最佳电池条宽度，在长度方向上分割电池，通过简单的方法将它们相并联，将大面积沉积硅基薄膜层厚度的不均匀性，以及短路点对电池的性能的影响降到最低，使硅基薄膜电池在合适的输出电压下，同时有最佳的输出电流，通过简单有效的方法充分发挥了大面硅基薄膜电池本身的潜能。
Claims (5)
1.一种硅基薄膜太阳能电池加工工艺，包括基板a，基板a上设有由透明导电前电极层b、沉积硅基薄膜层c和溅射背电极层d构成的电池板和焊接电极，其特征在于沿基板长度方向由分割线P均匀分成至少两个外部并联的子电池，分割线P的宽度至少30μm，分割线P在长度方向将电池均匀的分成至少两个子电池；沿基板宽度方向设置在透明导电前电极层b设有刻划P1，刻划P1的宽度20-40μm，刻划P1将透明导电前电极完全刻断，横跨刻划P1的绝缘电阻≥5MΩ，刻划P1划分了子电池的一个边界；硅基薄膜层c设有刻划P2，刻划P2偏离刻划P1的距离为80-120μm，刻划P2的宽度为20-40μm；横跨刻划P2的绝缘电阻≥5MΩ，溅射背电极层d设有刻划P3，刻划P3偏离刻划P2的距离为80-120μm，刻划P3的宽度为20-40μm，横跨刻划P3线的绝缘电阻≥5MΩ，刻划P3划分了子电池的另一个边界，刻划P3将电池在宽度方向上划分为多个内部串联的子电池，其中沿基板宽度方向的子电池的宽度由下列公式计算：
其中的Jmpp为最佳功率点的电流密度、Vmpp为最佳功率点的电压、Pls为指太阳能电池标准测试条件的辐射光强度的功率密度、Wa为子电池的有效宽度，Wd为死区宽度、RTCO为透明导电前电极的方块电阻，所述分割线P将硅基薄膜层和背电极刻划断，通过电极连接在沿基板长度方向形成并联；其加工工艺包括以下步骤：
步骤一、首先测量透明导电前电极的方块电阻RTCO，测尽量多的点，取他们的平均值，平均值即为透明导电前电极的方块电阻RTCO；
步骤二、根据计算，得出最佳功率点的电流密度、电压、死区宽度，按照公式计算出最佳电池宽度W，W＝Wa+Wd，在透明导电前电极层刻划P1，确定宽度方向子电池的尺寸；
步骤三、采用沉积硅基薄膜得电池的P层、I层及N层；
步骤四、偏离刻划P1的距离80-120μm平行制作刻划P2线；
步骤五、采用溅射法溅射背电极，偏离刻划P2的距离80-120μm平行制作刻划P3线；
步骤六、根据沉积硅基薄膜层的质量，确定在沿基板长度方向子电池的个数，制作分割线P；
步骤七、沿电池基板长度方向两端焊接电极，电极不仅起引出电流、电压的作用，还起到沿电池基板长度方向的子电池相并联。
2.根据权利要求1所述的一种硅基薄膜太阳能电池加工工艺，其特征在于刻划P1由功率为500mW的1064nm红外脉冲激光器刻划，刻划P1线的宽度为20-40μm，刻划P1将透明导电前电极完全刻断，横跨刻划P1线的绝缘电阻≥5MΩ；刻划P1线划分了子电池的一个边界。
3.根据权利要求1所述的一种硅基薄膜太阳能电池加工工艺，其特征在于刻划P2由功率为500mW的532nm的脉冲式激光器刻划，刻划P2的宽度为20-40μm。
4.根据权利要求1所述的一种硅基薄膜太阳能电池加工工艺，其特征在于刻划P3由功率为500mW的532nm的脉冲式激光器刻划，刻划P3的宽度为30μm，P3划分了子电池的另一个边界，刻划P3将电池在宽度方向上划分为多个内部串联的子电池。
5.根据权利要求1所述的一种硅基薄膜太阳能电池加工工艺，其特征在于分割线P由功率为1W的532nm的脉冲式激光器刻划，532nm的激光器能够透过透明导电前电极，将硅基薄膜层和背电极刻划断，划线宽度至少30μm，分割线P在长度方向将电池均匀的分成至少两个子电池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310668089.4A CN104701397B (zh) | 2013-12-07 | 2013-12-07 | 一种硅基薄膜太阳能电池结构及加工工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310668089.4A CN104701397B (zh) | 2013-12-07 | 2013-12-07 | 一种硅基薄膜太阳能电池结构及加工工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104701397A CN104701397A (zh) | 2015-06-10 |
| CN104701397B true CN104701397B (zh) | 2018-11-09 |
Family
ID=53348323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310668089.4A Active CN104701397B (zh) | 2013-12-07 | 2013-12-07 | 一种硅基薄膜太阳能电池结构及加工工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104701397B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111653646B (zh) * | 2019-03-04 | 2024-04-09 | 东君新能源有限公司 | 薄膜太阳能电池的制备方法及刻划装置、刻划控制系统 |
| CN109950341B (zh) * | 2019-03-28 | 2020-08-25 | 昆山协鑫光电材料有限公司 | 薄膜太阳能电池组件和检测薄膜太阳能电池组件p2刻断情况的方法 |
| CN112054078B (zh) * | 2019-06-05 | 2024-03-08 | 东君新能源有限公司 | 薄膜太阳能电池的节宽设计方法、装置和薄膜太阳能电池 |
| DE102019129355A1 (de) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | Heliatek Gmbh | Photovoltaisches Element mit verbesserter Effizienz bei Verschattung und Verfahren zur Herstellung eines solchen photovoltaischen Elements |
| CN116419582A (zh) * | 2021-12-27 | 2023-07-11 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 太阳能电池、光伏组件和用电装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101567303A (zh) * | 2008-04-24 | 2009-10-28 | 福建钧石能源有限公司 | 激光刻膜设备和划线方法及用其制造的非晶硅薄膜光伏板 |
| CN203596355U (zh) * | 2013-12-07 | 2014-05-14 | 威海中玻光电有限公司 | 一种硅基薄膜太阳能电池结构 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005515639A (ja) * | 2002-01-07 | 2005-05-26 | ビーピー・コーポレーション・ノース・アメリカ・インコーポレーテッド | 薄膜光起電モジュールの製造方法 |
| KR20120105683A (ko) * | 2011-03-16 | 2012-09-26 | 주성엔지니어링(주) | 레이저 스크라이빙 장치, 이를 이용한 태양전지 및 그 제조방법 |
-
2013
- 2013-12-07 CN CN201310668089.4A patent/CN104701397B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101567303A (zh) * | 2008-04-24 | 2009-10-28 | 福建钧石能源有限公司 | 激光刻膜设备和划线方法及用其制造的非晶硅薄膜光伏板 |
| CN203596355U (zh) * | 2013-12-07 | 2014-05-14 | 威海中玻光电有限公司 | 一种硅基薄膜太阳能电池结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104701397A (zh) | 2015-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104701397B (zh) | 一种硅基薄膜太阳能电池结构及加工工艺 | |
| CN108666374B (zh) | 一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构 | |
| Jay et al. | Advanced process for n-type mono-like silicon a-Si: H/c-Si heterojunction solar cells with 21.5% efficiency | |
| CN104904021A (zh) | 用于单片岛型太阳能光伏电池和模块的系统和方法 | |
| CN101692467A (zh) | 基于丝网印刷工艺的制作高效双面p型晶体硅太阳电池的方法 | |
| US20190273170A1 (en) | Solar cell assembly | |
| CN102709347A (zh) | 一种埋栅结构异质结太阳电池 | |
| CN106229353B (zh) | 一种先并联再串联的薄膜电池组件制备方法 | |
| CN106098809B (zh) | 一种串并联式薄膜电池组件的制备方法 | |
| US11515440B2 (en) | Semitransparent thin-film solar module | |
| CN204361108U (zh) | 一种hit太阳能电池 | |
| CN110071186A (zh) | 一种薄膜光伏组件内联结构及生产工艺 | |
| CN105206703A (zh) | 一种薄膜太阳能电池的生产方法及其电沉积装置 | |
| CN203596355U (zh) | 一种硅基薄膜太阳能电池结构 | |
| CN106684209A (zh) | 一种新型碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法 | |
| CN103077981A (zh) | 柔性衬底硅基多结叠层薄膜太阳电池及其制造方法 | |
| CN104269449B (zh) | 一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法 | |
| CN208580749U (zh) | 一种用于叠片光伏组件的电池及叠片光伏组件 | |
| CN204697001U (zh) | 一种用于输电线路在线检测设备的电源系统 | |
| CN208489208U (zh) | 一种ibc电池及一种ibc电池串 | |
| CN103872179B (zh) | 一种提高薄膜太阳能电池效率的制备方法 | |
| CN203895474U (zh) | 一种薄膜太阳能电池 | |
| CN106129185A (zh) | 激光刻蚀透明导电膜制备等离激元增强晶硅太阳电池方法 | |
| CN202363460U (zh) | 弱光型薄膜太阳能电池 | |
| CN203910819U (zh) | 一种薄膜太阳能电池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20180919 Address after: 264200 -516-39, chess Hill Road, Cao Miao zi Town, Weihai port economic and Technological Development Zone, Shandong Applicant after: WEIHAI ZHONGBO NEW MATERIAL TECHNOLOGY R & D CO.,LTD. Address before: 264200 No. 9, Huan Shan Road, Huancui District, Weihai, Shandong. Applicant before: Weihai China Glass Solar Co.,Ltd. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240112 Address after: Room 202, Building 1, No. 66 Sibo Road, Sijing Town, Songjiang District, Shanghai Patentee after: China Glass New Energy (Shanghai) New Materials Technology Development Co.,Ltd. Address before: 264200 -516-39, chess Hill Road, Cao Miao zi Town, Weihai port economic and Technological Development Zone, Shandong Patentee before: WEIHAI ZHONGBO NEW MATERIAL TECHNOLOGY R & D CO.,LTD. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |