CN104502637A - 测试头模块重新修整的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种测试头模块重新修整的方法，包括：提供一测试头模块，此测试头模块包括至少一凹口设置于测试头的工作面；以及热界面材料，埋设于凹口中，其中热界面材料的固相-液相转换温度介于测试头模块的操作温度与测试头的熔点之间。之后，加热以熔融热界面材料；提供模具至热界面材料；施加压力，以模铸热界面材料；冷却热界面材料；以及移除模具。

Description

测试头模块重新修整的方法

技术领域

本发明涉及一种测试头模块的修整方法，且特别是涉及一种包括可重塑形的热界面材料的测试头模块及将其重新修整的方法。

背景技术

在电子元件(例如，集成电路元件、芯片或管芯等)的制造过程中，通常会使用电子元件测试装置，以测试电子元件的性能或功能。

现有的电子元件测试装置一般包括接触臂(handler)，用以吸附并运送电子元件。此接触臂的顶端设有测试头模块。为了使电子元件在特定的温度下进行测试，利用测试头模块中的温度调节器进行温度控制。此外，为了提升测试头和电子元件之间的接触密着性及热传导性(thermal conductivity)，在测试头和电子元件之间会设置热界面材料(thermal interface material,TIM)。

随着热界面材料反复地与电子元件接触及剥离，热界面材料的表面会产生伤痕或缺损。如此一来，热界面材料与电子元件之间将无法产生良好的接触及热传导，进而无法精准控制电子元件的测试温度。为避免上述问题，通常在经过特定的使用次数之后，会将热界面材料陶汰以旧换新。然而，如此一来将导致生产成本的提高。因此在本领域中需要寻求进一步的改善。

发明内容

为解决上述问题，本发明的一实施例揭示一种将测试头模块重新修整的方法，包括：提供一测试头模块，此测试头模块包括：测试头，包括至少一凹口设置于测试头的工作面；以及热界面材料，埋设于凹口中，其中热界面材料的固相-液相转换温度介于测试头模块的操作温度与测试头的熔点之间。之后，加热以熔融热界面材料；提供模具至热界面材料；施加压力，以模铸(coining)热界面材料；冷却热界面材料；以及移除模具。

为让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，作详细说明如下：

附图说明

图1为本发明的一些实施例的测试头模块及芯片封装体的剖面示意图；

图2A-图2C为本发明的一些实施例的将测试头模块重新修整的各个制作工艺阶段的剖面示意图；

图3A-图3B为本发明的一些实施例的模具的剖面示意图；

图4为本发明的一些实施例的经过重新修整步骤的测试头模块的剖面示意图；

图5为本发明的一些实施例的测试头模块的剖面示意图；

图6A-图6C为本发明的一些实施例的测试头模块的剖面示意图。

符号说明

100～测试头模块

102～测试头

102S～工作面

104～温度调节器

106～扩散阻障层

108～压力调节器

110、110a、110b～热界面材料

110S～操作表面

120、120a、120b～凹口

120V～直角

120X～凸角

120Y～切角

120Z～圆角

122、124a、124b～凹陷部

140～模具

140S～模具表面

142a、142b～突出部

150～芯片封装体

152～基板

154～芯片

156～外部电连接部

158～底部填充材料

160～内部电连接部

200～第一方向

300～模铸步骤

T1、T2～厚度

具体实施方式

为使本发明的上述和其他目的、特征、优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合所附的图式，作详细说明如下。然而，任何所属技术领域中具有通常知识者将会了解本发明中各种特征结构仅用于说明，并未依照比例描绘。事实上，为了使说明更加清晰，可任意增减各种特征结构的相对尺寸比例。在说明书全文及所有图式中，相同的参考标号是指相同的特征结构。

以下公开许多不同的实施方法或是例子来实行本发明的不同特征，以下描述具体的元件及其排列的实施例以阐述本发明。当然这些实施例仅用以例示且不该以此限定本发明的范围。例如，在说明书中提到第一特征形成于第二特征之上，其包括第一特征与第二特征是直接接触的实施例，另外也包括于第一特征与第二特征之间另外有其他特征的实施例，亦即，第一特征与第二特征并非直接接触。

本发明提供一种测试头模块及其重新修整的方法，图1为绘示出依据本发明的一些实施例的测试头模块100及芯片封装体150的剖面示意图。

请参照图1，芯片封装体150包括基板152、芯片154、外部电连接部156、底部填充材料158及内部电连接部160。芯片154形成于基板152的上表面上并通过内部电连接部160与基板152电连接。外部电连接部156形成于基板152的下表面上，用以电连接基板152到外部电路(例如测试用的电路板)。底部填充材料158形成于基板152与芯片154之间，用以固定基板152与芯片154的相对位置。需注意的是，虽然在图式中，芯片封装体150包括两个芯片154。然而，在其他实施例中，芯片封装体150可包括一个芯片或三个以上的芯片。

仍请参照图1，测试头模块100包括具有凹口120的测试头102、温度调节器104、压力调节器108、热界面材料110埋设于凹口120中，而热界面材料110在面对芯片封装体150的方向具有操作表面110S。在本实施例中，还可包括选择性的(optional)扩散阻障层106设置于测试头102及热界面材料110之间。进行测试步骤之前，测试头模块100沿着第一方向200朝向芯片封装体150移动，如图1所示。当进行测试步骤时，其中测试头模块100的热界面材料110对准且直接接触芯片封装体150的芯片154。

当进行测试步骤时，压力调节器108施加一压力至测试头102，以确保热界面材料110与芯片154的接触密着性。压力调节器108可包括任何加压装置，在此不再详述。

当进行测试步骤时，温度调节器104可施加一热能至芯片154，用于在特定的操作温度下实施测试步骤。此操作温度随测试项目与芯片种类而有所不同，在一些实施例中，操作温度介于25-130℃之间。在另一些实施例中，操作温度可介于70-90℃之间。当测试步骤结束后，温度调节器104可自芯片154移除热能，用于冷却芯片154。温度调节器104可包括任何加热器及冷却器的组合，在此也不再详述。

测试头102在面对芯片封装体150的方向具有一工作面102S。如图1所示，用以容置热界面材料110的凹口120设置于测试头102的工作面102S。当进行测试步骤时，由于测试头102需承受来自压力调节器108的压力以及来自温度调节器104的热能，因此测试头102可选用高熔点的硬质金属。在一些实施例中，测试头102的材料可包括铜、钢、钨、其他合适的金属材料、或上述材料的合金或组合。在一些实施例中，测试头102的熔点介于1000-1600℃之间。

当进行测试步骤时，热界面材料110的操作表面110S直接接触芯片154的上表面。热界面材料110的主要功能在于通过接触传递热能，使热能导入芯片154或自芯片154导出。因此，热界面材料110通常具备优异的热传导性，且其操作表面110S与芯片154上表面之间最好具有良好的接触密合度。

在先前技术中，测试头的工作面为一平坦的表面，热界面材料物理性地固定(例如，热界面材料为铝箔且包覆测试头)于此工作面上。在一些实施例中，上述的物理性地固定也可以是将热界面材料以聚合物胶合于此工作面上，但此方式可能会降低热传导效能。在其他实施例中，也可将测试头直接接触待测物，而不配置热界面材料。现有的热界面材料可包括高分子散热材料(例如树脂类散热贴片或散热膏)、硬质金属材料(例如金属块材或片材)或软质金属材料(例如金属箔)。然而，上述这些热界面材料各自有其缺点。例如：高分子散热材料的热传导性较金属差，无法精准地控制操作温度，或是无法在短时间内达到指定的操作温度。再者，高分子散热材料质地较金属软，经过数次的使用周期后，其操作表面会因为压力而导致变形，造成热界面材料与芯片的接触密合度变差，因此必须经常陶汰以旧换新。此外，在测试步骤的操作温度下，高分子散热材料可能会因受热而熔融或分解，进而黏附于芯片表面造成污染。另一方面，因为位于芯片封装体上的多个芯片在制造过程中通常会产生高度误差，导致并非所有芯片的上表面都具有相同的水平高度。再者，基于设计的需求，位于同一芯片封装体上的芯片也可能具有不同的厚度。对于硬质金属材料而言，其表面硬度高且不具可挠性，因此其操作表面无法与每一个芯片产生良好的接触，将导致芯片封装体受热不均。再者，若为了使硬质金属材料与芯片接触良好而施加过大的压力，将导致芯片产生裂痕或破损。此外，硬质金属材料的表面一旦产生损伤或变形，即需整块(片)更换，如此将提高制作工艺成本。另外，虽然软质金属材料兼具热传导性与可挠性，但是由于其厚度很薄，经过数次的使用周期后，其操作表面会因为压力而导致变形、磨损或穿孔，必须经常陶汰以旧换新，对制作工艺成本也有不良影响。

为解决上述问题，本发明提出一种可重新塑形的热界面材料，其固相-液相转换温度介于测试头模块的操作温度与测试头的熔点之间。详细说明如下。

在本发明中，热界面材料110的固相-液相转换温度必须大于测试头模块的操作温度，如此可使热界面材料110在测试步骤的操作温度下维持在固相的状态，进而避免污染芯片154或是整个芯片封装体150。再者，热界面材料110的固相-液相转换温度必须小于测试头102的熔点，如此一来，即可在不影响测试头102形状的前提下，对热界面材料110进行塑形，特别是对热界面材料110的操作表面110S进行初次塑形或重新塑形时，可避免高温影响测试头102形状。

在一些实施例中，初次塑形步骤可包括将热界面材料110加热至液相或熔融状态之后填入凹口120中，再将热界面材料110冷却至固相的状态而使其定形。在其他实施例中，初次塑形步骤可包括将固相的热界面材料110填入凹口120中再加热至液相或熔融状态，接着再将热界面材料110冷却至固相的状态而使其定形。经过前述的塑形步骤后，热界面材料110顺应性地(conformally)埋设于凹口120中，如图1所示。值得注意的是，上述的初次塑形步骤是指将热界面材料110埋设于空的凹口120的步骤。

热界面材料110可包括(但不限于)金属、含导热性填充料的热塑性高分子、相变化材料或上述的组合。适合的金属例如铟(In)、铅(Pb)、锡(Sn)、银(Ag)、锂(Li)、镉(Cd)、锌(Zn)、铝(Al)、镁(Mg)、钋(Po)、铋(Bi)或上述的合金等。特别是，若上述的纯金属的固相-液相转换温度过高(例如：纯银、纯铝、纯镁)，可能会造成操作上的不便，此时可通过与其他金属熔合成合金的方式形成热界面材料110，以降低整体合金的固相-液相转换温度，而使热界面材料110的固相-液相转换温度介于测试头模块的操作温度与测试头102的熔点之间。另外，适合的热塑性高分子可包括，例如：聚酰亚胺(poly imide,PI)等。适合的导热性填充料可包括，例如：铟、铅、锡、银、锂、镉、锌、铝、镁、铜、金、铂或上述的合金等。在一些实施例中，热界面材料110为铟或铟合金。

需注意的是，热界面材料110的固相-液相转换温度可视实际应用的需要而选择，只要此固相-液相转换温度介于测试头模块的操作温度与测试头102的熔点之间即可。在一些实施例中，操作温度介于70-90℃之间，且测试头102的熔点为约1600℃，因此热界面材料110的固相-液相转换温度可介于约90-1600℃之间。在其他实施例中，操作温度介于25-130℃之间，且测试头102的熔点为约1100℃，因此热界面材料110的固相-液相转换温度可介于约130-1100℃之间。为节省塑形步骤所需的能量与时间，热界面材料110的固相-液相转换温度可介于约130-360℃之间。

在热界面材料110的塑形步骤期间，测试头102与热界面材料110之间容易发生原子交换或化学反应。如此一来，将产生金属间化合物(intermetalliccompound,IMC)，进而造成测试头102及热界面材料110的化学组成以及物理化学特性受到改变。

为了避免金属间化合物的产生，可视需要(optionally)将扩散阻障层106设置于测试头102及热界面材料110之间，如图1所示。扩散阻障层106的熔点可高于热界面材料110的固相-液相转换温度。如此一来，在热界面材料110的塑形步骤中，扩散阻障层106不会因受热而导致变形。再者，扩散阻障层106可以选用对于测试头102及热界面材料110不具有任何化学活性的材料。如此一来，可避免产生金属间化合物，进而保持测试头102及热界面材料110原有的化学组成以及物理化学特性。

可利用合适的制作工艺将合适的材料顺应性地沉积于凹口120的底部及侧壁上，以形成扩散阻障层106于凹口120中。合适的扩散阻障层106材料可包括钛、钽、氮化钛、氮化钽、钛锆合金、氮化钛锆、镍、镍钒合金或上述的组合。合适的制作工艺可包括物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、溅镀(sputter)或上述的组合。

此外，可对扩散阻障层106朝向热界面材料110的表面进行粗化(texturing)处理，以形成各种微结构(图中未绘示)，由此提升测试头102及热界面材料110之间的黏着性。举例而言，微结构可包括周期性排列的圆锥、三角锥、四角锥、圆顶钟型锥体、圆筒、半球体、立方体等凸起或凹陷的微结构，且每一个微结构的三维方向尺寸及相邻微结构之间的间距可以是微米级或毫米级。合适的粗化处理可包括湿式蚀刻或干式蚀刻，也可以是压印(embossing)或其他物理性的粗化方式。由于扩散阻障层106的表面具有微结构，因此可增加扩散阻障层106与热界面材料110的接触面积及黏合强度。

本发明还提供一种将测试头模块重新修整的方法，图2A-图2C为绘示出依据本发明的一些实施例的将测试头模块重新修整的各个制作工艺阶段的剖面示意图。为简化起见，其中相同于图1的部件，将使用相同的标号并不再赘述。

在经过多次的使用周期后，热界面材料110的操作表面110S会因为压力而导致变形。请参照图2A，在热界面材料110的操作表面110S上产生凹陷部122。凹陷部122可能会造成热界面材料110与芯片的接触密合度变差。如前所述，在先前技术中，不论使用哪一种热界面材料，一旦热界面材料的操作表面因变形而无法与芯片密合接触，就必须陶汰以旧换新而无法重复使用。

为了延长热界面材料110的使用寿命，且达到重复使用的目的，本发明也提供一种将测试头模块重新修整的方法。请参照图2B，在本实施例中，将测试头模块重新修整的方法包括下列步骤：

(a)加热以熔融热界面材料；

(b)提供模具至热界面材料；

(c)施加压力，以模铸(coining)热界面材料；

(d)冷却热界面材料；以及

(e)移除模具。

在步骤(a)中，将热界面材料110加热至一温度，而使热界面材料110呈现液相或熔融状态，以利进行后续的重新塑形步骤。在一些实施例中，上述温度大约为热界面材料110的固相-液相转换温度，而使热界面材料110呈现液相或熔融状态。如前所述，由于热界面材料110的固相-液相转换温度小于测试头102及扩散阻障层106的熔点，因此即使将热界面材料110加热至液相或熔融状态，也不会改变测试头102及扩散阻障层106的形状。再者，由于扩散阻障层106的化学钝性，因此不会产生金属间化合物，也不会改变测试头102及热界面材料110原有的化学组成以及物理化学特性。

在步骤(b)及(c)中，提供模具140接触热界面材料110的操作表面110S，并施加压力进行模铸(coining)步骤300，用于将热界面材料110重新塑形。如图2B所示，在进行模铸(coining)步骤300时，模具140朝向热界面材料110移动，用于使模具140的表面140S直接与热界面材料110的操作表面110S接触。应可了解的是，为了确保模具140在模铸(coining)步骤中不会变形，模具140的熔点也大于热界面材料110的固相-液相转换温度。

在步骤(d)及(e)中，冷却热界面材料110使其定形后，即可移除模具140。如图2C所示，经过重新修整的步骤之后，可将热界面材料110的操作表面110S重新塑形成为平坦且不具有任何凹陷部的表面。

如图2A-图2C所示，在本实施例的重新修整的步骤中，将测试头102取下，利用其他的加热装置及加压装置对热界面材料110加热及加压。需注意的是，在其他实施例中，也可不将测试头102取下，直接利用图1的温度调节器104进行加热及冷却，并直接利用图1的压力调节器108施加压力，以进行上述重新修整的步骤。

图3A为绘示出依据本发明的一些实施例的模具140的剖面示意图。请参照图3A，在本实施例中，模具140具有平坦的表面140S，因此可将具有凹陷部122的操作表面110S重新塑形成平坦的表面。

然而，在其他实施例中，热界面材料110的操作表面110S也可配合封装体上的芯片表面轮廓进行塑形，以达到充分贴合的目的(特别是封装体上有多个高度不同的芯片时)，因此，所使用的模具140也可具有不平坦的表面140S，用于将热界面材料110的操作表面110S塑形成芯片表面轮廓互补的形状(如图3B所示)。在图3B中，模具140具有凹凸表面140S，其中凹凸表面140S包括两个不同高度的突出部142a及142b。在本实施例中，利用具有凹凸表面140S的模具140进行上述重新修整的步骤，可将热界面材料110的操作表面110S重新塑形成与表面140S互补的形状。以下发明一实施例加以说明。

图4为绘示出依据本发明的一些实施例的经过重新修整步骤的测试头模块的剖面示意图。图4中的测试头模块利用如图3B所绘示的模具140进行重新修整步骤。此处为简化图示，在图4中仅绘示出测试头102。如图4所示，经过重新塑形的操作表面110S将具有两个不同深度的凹陷部124a及124b，其中这些凹陷部的深度相同于凹凸表面140S(如图3B所绘示)的突出部142a及142b的高度。此处为简化图式，仅绘示出两个不同高度的突出部形成于凹凸表面140S上。然而，本领域中具有通常知识者应可了解，可视需要在凹凸表面140S上形成任意数量且具有任意形状的突出部及/或凹陷部。换言之，热界面材料110的操作表面110S不限于平坦的表面，操作表面110S也可包括具有任何数量及形状的突出部的凹凸表面。

值得注意的是，对于具有不同高度的芯片的同一芯片封装体，或是高度不同的多个芯片封装体，现有技术仅能使用质地极软的热界面材料(例如，高分子散热材料)，否则无法在同一批次的测试步骤中进行测试。但是对于质地极软的高分子散热材料而言，其热传导性较金属等硬质散热材料差。然而，依据本发明的部分实施例，使用具有凹凸表面的模具，能够依据应用的需求，任意地调整热界面材料的操作表面的表面起伏(topology)。如此一来，即使是使用热传导性优选但质地较硬的金属作为热界面材料，对于具有不同高度的芯片的同一芯片封装体，或是高度不同的多个芯片封装体，也可在同一批次的测试步骤中进行测试。

图5绘示本发明的另一实施例的测试头模块的剖面示意图。如图5所示，测试头102的工作面102S上可设置两个凹口120a及120b。埋设于凹口120a中的热界面材料110a厚度为T1，埋设于凹口120b中的热界面材料110b厚度为T2，其中T2大于T1，热界面材料110a不同于热界面材料110b。在本实施例中，测试头102区分为两个独立操作的测试区域，并且利用热界面材料的材料及厚度差异，使这两个测试区域控制在不同的操作温度。因此，能够在同一批次的测试步骤中进行不同操作温度的测试步骤。此处为简化图式，仅绘示出两个凹口。然而，本领域中具有通常知识者应可了解，可视测试的需要在测试头102的工作面102S上形成任意数量且具有适当形状的凹口，以对应所预测试的芯片。

由上可知，依据本发明的部分实施例，能够依据应用的需求，将包括不同材料及/或厚度的热界面材料分别埋设于每一个凹口中，用于将同一个测试头区分为多个测试区域。如此一来，可增加测试步骤的灵活度(flexibility)，也可节省测试步骤的时间与成本。

值得注意的是，虽然图1-图5所绘示的凹口120于工作面102S的侧壁边缘(lip top)具有一直角120V(仅绘示于图5)，然而在其他实施例中，凹口120于工作面102S的侧壁边缘可包括其他形状(如图6A-图6C所示)。图6A-图6C绘示本发明的其他实施例的测试头模块的剖面示意图。此处为简化图示，仅绘示出测试头102。由图6A-图6C可知，凹口120于工作面102S的侧壁边缘可具有，例如：凸角(如图6A所示)、切角(如图6B所示)或圆角(如图6C所示)。更进一步说明，在图6A中，凹口120于工作面102S的侧壁边缘具有凸角120X。凸角120X有助于物理性固定热界面材料110，使热界面材料110不会自测试头102脱落。在图6B及图6C中，凹口120于工作面102S的侧壁边缘分别具有切角120Y及圆角120Z。切角120Y及圆角120Z使凹口120的外部口径大于内部口径，以利于模具140在模铸(coining)步骤中进入凹口120中。

本发明提出一种包括可重塑形的热界面材料的测试头模块，其中可重塑形的热界面材料的固相-液相转换温度介于测试头模块的操作温度与测试头的熔点之间。本发明还提出一种将测试头模块重新修整的方法，测试头模块包括上述可重新塑形的热界面材料，通过加热使热界面材料熔融，并使用模具而将已变形的操作表面重新塑形。

相较于现有技术，本发明所提供的包括可重塑形的热界面材料的测试头模块及将其重新修整的方法，至少具有下述优点：

(1)本发明所提供的热界面材料在变形或磨损后，可通过加热及模铸(coining)步骤重新塑形，不需要经常陶汰以旧换新，因此可大幅提高热界面材料的使用寿命并节省成本。

(2)本发明所提供的重新修整的步骤，可直接利用测试装置中的温度调节器及压力调节器对热界面材料加热、冷却及加压，与既有的测制设备相容性高，不须修改或添购额外设备。因此，不会产生额外的费用。

(3)在重新修整的步骤中，可视需要使用具有平坦表面或凹凸表面的模具。因此，能够依据应用的需求，任意地调整热界面材料的操作表面的表面起伏(topology)。对于具有不同高度的芯片的同一芯片封装体，或是高度不同的多个芯片封装体，也可在同一批次的测试步骤中进行测试。

(4)能够依据应用的需求，将同一个测试头区分为多个测试区域。因此，可增加测试步骤的灵活度，也可节省测试步骤的时间与成本。

(5)当热界面材料的成分或化学性质改变(例如，热界面材料氧化)时，仅需将其加热熔融，即可轻易自测试头中取出。另外，当测试头损坏或汰换时，若热界面材料仍可使用而未变质，也可将热界面材料加热熔融取出，重新安装置新的测试头上重复使用。对于成本昂贵的热界面材料而言，此回收步骤可减少购置热界面材料的费用支出。

综上所述，本发明所提供的包括可重塑形的热界面材料的测试头模块及将其重新修整的方法，可大幅提升热界面材料的使用寿命，并且可改善测试步骤的灵活度、效率，进而降低测试步骤所需的时间及费用。

虽然结合以上数个优选实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作任意的更动与润饰，因此本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。

Claims (11)

1.一种将测试头模块重新修整的方法，包括:

提供一测试头模块，该测试头模块，包括:

测试头，包括至少一凹口，设置于该测试头的一工作面；以及

热界面材料，埋设于该至少一凹口中，其中该热界面材料的固相-液相转换温度介于该测试头模块的一操作温度与该测试头的熔点之间；

加热以熔融该热界面材料；

提供一模具至该热界面材料；

施加一压力，以模铸(coining)该热界面材料；

冷却该热界面材料；以及

移除该模具。

2.如权利要求1所述的将测试头模块重新修整的方法，其中该模具具有一凹凸表面，且在冷却该热界面材料之后，该操作表面具有与该凹凸表面互补的表面起伏(topology)。

3.如权利要求1所述的将测试头模块重新修整的方法，其中该热界面材料包括金属。

4.如权利要求3所述的将测试头模块重新修整的方法，其中该金属包括铟、铅、锡、银、锂、镉、锌、铝、镁、钋、铋或上述的合金。

5.如权利要求1所述的将测试头模块重新修整的方法，其中该热界面材料包括含导热性填充料的热塑性高分子。

6.如权利要求5所述的将测试头模块重新修整的方法，其中该导热性填充料包括铟、铅、锡、银、锂、镉、锌、铝、镁、铜、金、铂或上述的合金。

7.如权利要求1所述的将测试头模块重新修整的方法，其中该热界面材料包括金属、含导热性填充料的热塑性高分子、相变化材料的组合。

8.如权利要求1所述的将测试头模块重新修整的方法，还包括扩散阻障层，设置于该测试头及该热界面材料之间，其中该扩散阻障层的熔点高于该热界面材料的固相-液相转换温度。

9.如权利要求8所述的将测试头模块重新修整的方法，其中该扩散阻障层包括钛、钽、氮化钛、氮化钽、钛锆合金、氮化钛锆、镍、镍钒合金或上述的组合。

10.如权利要求1所述的将测试头模块重新修整的方法，其中该至少一凹口于该工作面的侧壁边缘具有一切角、圆角或凸角。

11.如权利要求1所述的将测试头模块重新修整的方法，其中该热界面材料包括一操作表面，其中该操作表面包括具有凹陷部、突出部或上述的组合。