[go: up one dir, main page]

CN104409650A - 一种发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置 - Google Patents

一种发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104409650A
CN104409650A CN201410718023.6A CN201410718023A CN104409650A CN 104409650 A CN104409650 A CN 104409650A CN 201410718023 A CN201410718023 A CN 201410718023A CN 104409650 A CN104409650 A CN 104409650A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
emitting device
transport layer
layer
emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410718023.6A
Other languages
English (en)
Inventor
谷敬霞
舒适
吕志军
张锋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201410718023.6A priority Critical patent/CN104409650A/zh
Publication of CN104409650A publication Critical patent/CN104409650A/zh
Priority to PCT/CN2015/076723 priority patent/WO2016086567A1/zh
Priority to US15/320,916 priority patent/US20170133614A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • H10K85/146—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE poly N-vinylcarbazol; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K65/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element and at least one organic radiation-sensitive element, e.g. organic opto-couplers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/311—Phthalocyanine
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/774—Exhibiting three-dimensional carrier confinement, e.g. quantum dots
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/813—Of specified inorganic semiconductor composition, e.g. periodic table group IV-VI compositions
    • Y10S977/814—Group IV based elements and compounds, e.g. CxSiyGez, porous silicon
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/813—Of specified inorganic semiconductor composition, e.g. periodic table group IV-VI compositions
    • Y10S977/815—Group III-V based compounds, e.g. AlaGabIncNxPyAsz
    • Y10S977/818—III-P based compounds, e.g. AlxGayIn2P
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/813—Of specified inorganic semiconductor composition, e.g. periodic table group IV-VI compositions
    • Y10S977/815—Group III-V based compounds, e.g. AlaGabIncNxPyAsz
    • Y10S977/819—III-As based compounds, e.g. AlxGayInzAs
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/813—Of specified inorganic semiconductor composition, e.g. periodic table group IV-VI compositions
    • Y10S977/824—Group II-VI nonoxide compounds, e.g. CdxMnyTe
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/949—Radiation emitter using nanostructure
    • Y10S977/95—Electromagnetic energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供了一种发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置，涉及发光器件技术领域，能够提高发光器件的出光效率。其中发光器件包括：基板及依次层叠于基板上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阳极，空穴传输层和/或电子传输层的形成材料包括光导电高分子材料。由于光导电高分子材料在光照激发下能够产生载流子，促进载流子转移，提高器件的载流子传输性能，因此本发明所提供的发光器件具有更高的出光效率。

Description

一种发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置
技术领域
本发明涉及发光器件技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器件具备自发光、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于柔性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优点，是目前平面显示器技术的主流发展方向之一。
OLED显示器件主要包括一TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板及设置于其上的OLED发光器件，其中OLED发光器件的结构包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。当向OLED发光器件两端施加电压后，阳极中的空穴经过空穴注入层和空穴传输层、阴极中的电子经过电子传输层注入发光层中发生复合，激发发光层中的发光材料向外辐射光子，实现器件发光。
发明内容
基于上述现有技术的现状，本发明提供一种发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置，以提高发光器件的出光效率。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
本发明的第一方面提供了一种发光器件，包括：基板及依次层叠于所述基板上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述空穴传输层和/或所述电子传输层的形成材料包括光导电高分子材料。
优选的，当所述空穴传输层的形成材料包括光导电高分子材料时，所述空穴传输层所包括的光导电高分子材料为P型光导电高分子材料。
优选的，所述空穴传输层所包括的光导电高分子材料为聚乙烯咔唑及其衍生物、、酞菁及其聚合物或偶氮类高分子。
优选的，当所述电子传输层的形成材料包括光导电高分子材料时，所述电子传输层所包括的光导电高分子材料为N型光导电高分子材料。
优选的，所述电子传输层的形成材料包括无机纳米晶。
优选的，所述电子传输层的形成材料所包括的无机纳米晶为ZnO纳米晶。
优选的，所述发光层的形成材料包括量子点材料。
优选的，所述发光层的材料所包括的量子点材料为有包覆层包覆的半导体纳米晶。
优选的，所述发光层的材料所包括的量子点材料为有包覆层包覆的Si、C、InAs、InP、GaAs、CdSe、CdS、CdSe和CdTe中的至少一种。
本发明的第二方面提供了一种发光器件的制作方法，用于制作以上所述的发光器件，所述制作方法包括：采用光导电高分子材料形成空穴传输层和/或电子传输层。
优选的，所述发光器件还包括：采用量子点材料形成发光层。
本发明的第三方面提供了一种显示装置，包括权利要求以上所述的发光器件。
本发明的第四方面提供了一种光检测装置，包括以上所述的发光器件。
本发明所提供的发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置中，发光器件的空穴传输层和/或电子传输层的形成材料包括光导电高分子材料，由于光导电高分子材料在光照激发下能够产生载流子，促进载流子转移，提高器件的载流子传输性能，因此本发明所提供的发光器件具有更高的出光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例所提供的显示装置的平面结构图；
图2为图1中A-A面的截面图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范围。
本实施例提供了一种发光器件，如图2所示，包括：基板1及依次层叠于基板1上的阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6和阴极7，其中，空穴传输层4和/或电子传输层6的形成材料包括光导电高分子材料。
本实施例所提供的发光器件采用光导电高分子材料形成空穴传输层和/电子传输层，由于光导电高分子材料在光照激发下能够产生载流子，促进载流子转移，因此采用光导电高分子材料形成空穴传输层和/电子传输层，能够提高空穴传输层和/电子传输层的载流子传输效率，从而增大发光器件的出光效率。
具体的，若空穴传输层4的形成材料包括光导电高分子材料，则空穴传输层所包括的光导电高分子材料为P型光导电高分子材料，P型光导电高分子材料在光照时所产生的载流子为空穴，因此能够提高空穴的传输效率。
此时，空穴传输层4所包括的光导电高分子材料优选的可为聚乙烯咔唑(PVK)及其衍生物、酞菁及其聚合物、偶氮类高分子等，更优选为PVK及其衍生物，PVK是由N-乙烯基咔唑单体聚合得到，具有电致发光性能，光致发光峰的位置在412nm，由于咔唑侧基的存在，PVK具有很强的空穴传输能力，通过协同效应提高器件的发光效率，同时PVK还具有较强的耐热、耐稀酸和稀碱的性能，有利于提高器件的稳定性。
若电子传输层6的形成材料包括光导电高分子材料，则电子传输层6所包括的光导电高分子材料为N型光导电高分子材料，N型光导电高分子材料在光照激发下所产生的载流子为电子，因此能够提高电子的传输效率。
在本发明的其它实施例中，电子传输层6的形成材料优选的可包括无机纳米晶，更优选为ZnO纳米晶，以进一步提高器件的出光效率。
基于以上所述的技术方案，本实施例中的发光器件的发光层5的形成材料可选用用于发出不同颜色的光的荧光材料或者量子点材料，本实施例中优选为量子点材料。量子点材料的量子尺寸效应和介电限域效应使其具有独特的光致发光和电致发光性质，能够作为发光器件的发光层。相比传统的荧光材料的发光器件，本实施例所提供的发光器件采用量子点材料形成发光层，发光层的发光效率高，从而进一步提高了发光器件的出光效率。
另外，量子点发光器件还具有光化学稳定性高、不易光解、宽激发、窄发射、高色纯度等优点，并且，无需对应不同发光颜色的需求选择不同的荧光材料，仅通过控制量子点材料的尺寸或者材料组成，就能够调节发光器件的发光光谱(从近红外到紫外)，实现改变发光颜色的目的。
本实施例中，发光层5的材料所包括的量子点材料优选的可为有包覆层包覆的半导体纳米晶，例如可为：有包覆层包覆的由Si、C等Ⅳ族元素形成的材料，由InAs、InP、GaAs等Ⅲ族和Ⅴ族元素形成的材料，CdSe、CdS、CdSe、CdTe等Ⅱ族和Ⅵ族元素形成的材料中的至少一种。发光层5中量子点的直径优选的可为2nm～10nm，以进一步提高量子产量，增大器件的发光效率。
与本实施例所提供的发光器件相对应的，本实施例还提供了发光器件的制作方法，该制作方法包括采用光导电高分子材料形成空穴传输层和/或电子传输层的步骤，以利用光导电高分子材料在光照激发下能够产生载流子的性能，提高所制作的发光器件的出光效率。
进一步的，本实施所提供的制作方法还可以包括采用量子点材料形成发光层的步骤，以利用量子点材料发光效率高的特点进一步提高所制作的发光器件的出光效率。
以所要制作的发光器件为底出光型发光器件为例，本实施例所提供的发光器件的制备过程具体的可为：提供一基板1，该基板1可选用透明玻璃基板，若要制作的发光器件为柔性器件，则该基板1可选用柔性基材，如PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)等；在基板1上沉积ITO(IndiumTin Oxide，氧化铟锡)，形成阳极2；在阳极2上旋涂PEDOT:PSS溶液，形成空穴注入层3；采用旋涂、喷墨等工艺在空穴注入层3上覆盖PVK的氯仿溶液，经过后烘和冷却处理形成空穴传输层4；采用旋涂、喷墨、印刷等工艺在空穴注入层3上覆盖量子点溶液，溶剂可为甲苯、氯仿等，形成发光层5；在发光层5上旋涂ZnO纳米晶材料，形成电子传输层6；在电子传输层6上蒸镀Al，形成阴极。
需要说明的是，发光器件的各膜层的形成材料和制备工艺并不限定于上述发光器件的制备过程，在本发明的其它实施例中，发光器件的各膜层的形成材料和制备工艺可根据实际情况进行选择。
本实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括本实施所提供的发光器件，如图1和图2所示，其中图1为该显示装置的平面结构图，该显示装置包括基板1及呈矩阵式设置于基板1上的多个像素11，每个像素11包括一发光器件，图2为该显示装置沿A-A面的截面图，示出了显示装置每个像素中发光器件的截面结构。本实施例所提供的显示装置由于采用了本实施例所提供的发光器件，因此也具有出光效率高、显示亮度高的优点。
另外，由于高分子光导体具有成膜性好、容易加工成型、柔韧性好的特点，因此本实施例所提供的发光器件的膜层质量好、发光器件的性能更优、制作过程更简单，更适用于制作柔性显示装置。
需要说明的是，本实施例所提供的显示装置，其基板1优选的可为一薄膜晶体管阵列基板，包括与显示装置的像素一一对应设置的薄膜晶体管，每个像素中薄膜晶体管的漏极与发光器件的阳极相连，用于驱动对应的发光器件发光。
本实施例还提供了一种光检测装置，包括本实施例所提供的发光器件，如图2所示，该发光器件包括：基板1及依次层叠于基板1上的阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6和阴极7，其中，空穴传输层4和/或电子传输层6的形成材料包括光导电高分子材料。由于不同的光导电高分子材料对光照的敏感度不同，例如：作为光导电高分子材料的聚乙烯咔唑(PVK)及其衍生物、酞菁及其聚合物、偶氮类高分子等材料达到最大载流子传输速率所需要的光波段不同，因此可根据实际所要测量的光波段，选择相应的光导电高分子材料作为发光器件的传输层，依据发光器件最终的发光亮度，能够实现对不同光波段的检测，范围可扩展到整个可见光波段。
以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种发光器件，包括：基板及依次层叠于所述基板上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述空穴传输层和/或所述电子传输层的形成材料包括光导电高分子材料。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，当所述空穴传输层的形成材料包括光导电高分子材料时，所述空穴传输层所包括的光导电高分子材料为P型光导电高分子材料。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述空穴传输层所包括的光导电高分子材料为聚乙烯咔唑及其衍生物、酞菁及其聚合物或偶氮类高分子。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，当所述电子传输层的形成材料包括光导电高分子材料时，所述电子传输层所包括的光导电高分子材料为N型光导电高分子材料。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子传输层的形成材料包括无机纳米晶。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述电子传输层的形成材料所包括的无机纳米晶为ZnO纳米晶。
7.根据权利要求1～6任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的形成材料包括量子点材料。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料所包括的量子点材料为有包覆层包覆的半导体纳米晶。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料所包括的量子点材料为有包覆层包覆的Si、C、InAs、InP、GaAs、CdSe、CdS、CdSe和CdTe中的至少一种。
10.一种发光器件的制作方法，其特征在于，用于制作权利要求1～9任一项所述的发光器件，所述制作方法包括：采用光导电高分子材料形成空穴传输层和/或电子传输层。
11.根据权利要求10所述的发光器件的制作方法，其特征在于，还包括：采用量子点材料形成发光层。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～9任一项所述的发光器件。
13.一种光检测装置，其特征在于，包括权利要求1～9任一项所述的发光器件。
CN201410718023.6A 2014-12-01 2014-12-01 一种发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置 Pending CN104409650A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410718023.6A CN104409650A (zh) 2014-12-01 2014-12-01 一种发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置
PCT/CN2015/076723 WO2016086567A1 (zh) 2014-12-01 2015-04-16 发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置
US15/320,916 US20170133614A1 (en) 2014-12-01 2015-04-16 Light-Emiting Device and Manufacturing Method Therefor, Display Apparatus, and Optical Detection Apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410718023.6A CN104409650A (zh) 2014-12-01 2014-12-01 一种发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104409650A true CN104409650A (zh) 2015-03-11

Family

ID=52647262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410718023.6A Pending CN104409650A (zh) 2014-12-01 2014-12-01 一种发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20170133614A1 (zh)
CN (1) CN104409650A (zh)
WO (1) WO2016086567A1 (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105449110A (zh) * 2015-12-28 2016-03-30 Tcl集团股份有限公司 基于有机无机复合传输层的量子点发光二极管及制备方法
WO2016086567A1 (zh) * 2014-12-01 2016-06-09 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置
CN105779968A (zh) * 2016-03-16 2016-07-20 华中科技大学 一种量子点薄膜制备方法
CN108550607A (zh) * 2018-05-04 2018-09-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及其封装检测方法
CN109545991A (zh) * 2018-10-24 2019-03-29 东北石油大学 金纳米双锥在oled器件中的应用
CN109768178A (zh) * 2019-01-22 2019-05-17 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件、显示基板、显示装置
CN110246973A (zh) * 2018-03-09 2019-09-17 三星电子株式会社 量子点器件和电子设备
CN110707239A (zh) * 2019-09-04 2020-01-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN110911570A (zh) * 2018-09-18 2020-03-24 浙江大学 量子点发光器件及其制备方法
WO2021003844A1 (zh) * 2019-07-09 2021-01-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件及显示装置
CN112750964A (zh) * 2021-01-05 2021-05-04 深圳市雅迅达液晶显示设备有限公司 一种量子点显示面板及其制备方法
US11063098B2 (en) 2019-09-04 2021-07-13 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method for fabricating display panel having carbon quantum dot layer

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10943781B2 (en) * 2016-08-26 2021-03-09 Najing Technology Corporation Limited Manufacturing method for light emitting device, light emitting device, and hybrid light emitting device
CN106356463B (zh) * 2016-10-11 2017-12-29 深圳市华星光电技术有限公司 Qled显示装置的制作方法
US20180323398A1 (en) * 2017-05-02 2018-11-08 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Organic light emitting diode assembly, manufacturing method thereof, and display panel
KR102750348B1 (ko) * 2018-11-21 2025-01-03 삼성전자주식회사 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102630962B1 (ko) * 2018-12-12 2024-01-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 화합물, 이를 포함하는 발광다이오드 및 발광장치
DE112021001061T5 (de) * 2021-02-24 2022-12-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Lichtemittierende einrichtung, verfahren zu ihrer herstellung und anzeigevorrichtung
KR20220155218A (ko) * 2021-05-14 2022-11-22 삼성전자주식회사 발광 재료, 이의 제조 방법 및 상기 발광 재료를 포함하는 발광 소자
KR20230027337A (ko) * 2021-08-17 2023-02-28 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08259937A (ja) * 1995-03-24 1996-10-08 Toyo Ink Mfg Co Ltd 正孔輸送材料およびその用途
JPH11329736A (ja) * 1998-05-20 1999-11-30 Futaba Corp 光変調鏡
JP2000286055A (ja) * 1999-04-01 2000-10-13 Dainippon Printing Co Ltd Ｅｌ素子
CN1962621A (zh) * 2005-11-09 2007-05-16 北京大学 一种有机半导体化合物及其制备方法与应用
CN101241968A (zh) * 2007-02-07 2008-08-13 中国科学院半导体研究所 具有光伏效应和电致发光双重功能的器件
CN101679205A (zh) * 2007-06-01 2010-03-24 E.I.内穆尔杜邦公司 空穴传输材料
CN101834277A (zh) * 2009-02-23 2010-09-15 三星电子株式会社 具有量子点多层的量子点发光器件及其形成方法
CN102047098A (zh) * 2008-04-03 2011-05-04 Qd视光有限公司 包括量子点的发光器件
CN103456895A (zh) * 2012-05-30 2013-12-18 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104064690A (zh) * 2014-06-27 2014-09-24 北京科技大学 具有双层结构电子传输层的有机发光二极管及其制备方法
CN104105734A (zh) * 2012-02-15 2014-10-15 默克专利股份有限公司 共轭聚合物

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2368844B (en) * 2000-08-04 2004-07-07 Chisso Corp Organic electroluminescent device containing dithiafulvene derivative
CN100466332C (zh) * 2006-01-18 2009-03-04 中国科学院化学研究所 一种发光颜色可调控的有机发光二极管的制备方法
KR100754396B1 (ko) * 2006-02-16 2007-08-31 삼성전자주식회사 양자점 발광소자 및 그 제조방법
KR100835059B1 (ko) * 2007-07-06 2008-06-03 삼성전자주식회사 양자점 광소자
US8628862B2 (en) * 2007-09-20 2014-01-14 Basf Se Electroluminescent device
JP2013219278A (ja) * 2012-04-11 2013-10-24 Shin Etsu Polymer Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US9859517B2 (en) * 2012-09-07 2018-01-02 Nitto Denko Corporation White organic light-emitting diode
CN103952137A (zh) * 2014-04-29 2014-07-30 吉林大学 一种白光量子点材料及制备方法
CN104409650A (zh) * 2014-12-01 2015-03-11 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08259937A (ja) * 1995-03-24 1996-10-08 Toyo Ink Mfg Co Ltd 正孔輸送材料およびその用途
JPH11329736A (ja) * 1998-05-20 1999-11-30 Futaba Corp 光変調鏡
JP2000286055A (ja) * 1999-04-01 2000-10-13 Dainippon Printing Co Ltd Ｅｌ素子
CN1962621A (zh) * 2005-11-09 2007-05-16 北京大学 一种有机半导体化合物及其制备方法与应用
CN101241968A (zh) * 2007-02-07 2008-08-13 中国科学院半导体研究所 具有光伏效应和电致发光双重功能的器件
CN101679205A (zh) * 2007-06-01 2010-03-24 E.I.内穆尔杜邦公司 空穴传输材料
CN102047098A (zh) * 2008-04-03 2011-05-04 Qd视光有限公司 包括量子点的发光器件
CN101834277A (zh) * 2009-02-23 2010-09-15 三星电子株式会社 具有量子点多层的量子点发光器件及其形成方法
CN104105734A (zh) * 2012-02-15 2014-10-15 默克专利股份有限公司 共轭聚合物
CN103456895A (zh) * 2012-05-30 2013-12-18 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104064690A (zh) * 2014-06-27 2014-09-24 北京科技大学 具有双层结构电子传输层的有机发光二极管及其制备方法

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016086567A1 (zh) * 2014-12-01 2016-06-09 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置
CN105449110A (zh) * 2015-12-28 2016-03-30 Tcl集团股份有限公司 基于有机无机复合传输层的量子点发光二极管及制备方法
CN105449110B (zh) * 2015-12-28 2018-11-20 Tcl集团股份有限公司 基于有机无机复合传输层的量子点发光二极管及制备方法
CN105779968A (zh) * 2016-03-16 2016-07-20 华中科技大学 一种量子点薄膜制备方法
CN105779968B (zh) * 2016-03-16 2018-04-24 华中科技大学 一种量子点薄膜制备方法
CN110246973A (zh) * 2018-03-09 2019-09-17 三星电子株式会社 量子点器件和电子设备
CN110246973B (zh) * 2018-03-09 2024-09-10 三星电子株式会社 量子点器件和电子设备
CN108550607A (zh) * 2018-05-04 2018-09-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及其封装检测方法
CN108550607B (zh) * 2018-05-04 2020-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及其封装检测方法
CN110911570A (zh) * 2018-09-18 2020-03-24 浙江大学 量子点发光器件及其制备方法
CN110911570B (zh) * 2018-09-18 2021-11-19 浙江大学 量子点发光器件及其制备方法
CN109545991A (zh) * 2018-10-24 2019-03-29 东北石油大学 金纳米双锥在oled器件中的应用
CN109768178A (zh) * 2019-01-22 2019-05-17 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件、显示基板、显示装置
US11183656B2 (en) 2019-01-22 2021-11-23 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent device, display substrate and display apparatus
WO2021003844A1 (zh) * 2019-07-09 2021-01-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件及显示装置
CN110707239A (zh) * 2019-09-04 2020-01-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
US11063098B2 (en) 2019-09-04 2021-07-13 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method for fabricating display panel having carbon quantum dot layer
CN112750964A (zh) * 2021-01-05 2021-05-04 深圳市雅迅达液晶显示设备有限公司 一种量子点显示面板及其制备方法
CN112750964B (zh) * 2021-01-05 2025-02-11 深圳市雅迅达液晶显示设备有限公司 一种量子点显示面板及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20170133614A1 (en) 2017-05-11
WO2016086567A1 (zh) 2016-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104409650A (zh) 一种发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置
Manders et al. High efficiency and ultra‐wide color gamut quantum dot LEDs for next generation displays
US9379344B2 (en) Display panel and display device
US7321193B2 (en) Device structure for OLED light device having multi element light extraction and luminescence conversion layer
US11387284B2 (en) OLED display substrate having a quantum dot color film layer, manufacturing method of the same, and display apparatus
JP7553362B2 (ja) 発光構造、表示パネル及び表示装置
CN103500803B (zh) 一种复合发光层及其制作方法、白光有机电致发光器件
US10957877B2 (en) Organic light emitting diode display
US20160240590A1 (en) Oled pixel structure
US20160155970A1 (en) Vertical organic light-emitting transistor and organic led illumination apparatus having the same
CN103525406B (zh) 一种复合薄膜及其制作方法、光电元件和光电设备
CN106601922B (zh) 一种量子点显示面板及其制作方法
CN108878667B (zh) 发光器件及其制作方法、电子装置
CN107408572A (zh) 电子元件和显示器
WO2015109677A1 (zh) 发光器件及其制作方法和显示面板
US20180108871A1 (en) Manufacturing method for led display panel and led display panel
CN105261709A (zh) 一种掺杂量子点的有机发光器件及其制备方法
CN103824877A (zh) Qd-led像素显示器件、制作方法及显示面板
WO2021059452A1 (ja) 電界発光素子及び電界発光装置
CN106935727B (zh) 一种线偏振出光有机发光二极管
CN107994124B (zh) 发光二极管及其制备方法、阵列基板、电子装置
WO2022227684A1 (zh) 显示面板
CN209434227U (zh) 发光结构、显示面板和显示装置
CN109768178B (zh) 有机电致发光器件、显示基板、显示装置
CN108565349A (zh) 一种发光二极管、其制作方法及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150311