CN104404474A - 一种连续式真空离子镀膜机 - Google Patents
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- 238000007733 ion plating Methods 0.000 title abstract 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 50
- 210000002469 basement membrane Anatomy 0.000 claims description 17
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 13
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 13
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 12
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 10
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 210000004379 membrane Anatomy 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 108090000862 Ion Channels Proteins 0.000 description 1
- 102000004310 Ion Channels Human genes 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种连续式真空离子镀膜机,具有箱式真空镀膜室,箱式真空镀膜室内的左、右两侧分别设有基膜放卷机构和基膜收卷纠偏机构,箱式真空镀膜室内由左至右间隔设有多排平面磁控溅射靶,其中左、右两排为单面溅射平面磁控溅射靶、左右两排之间的为双面溅射平面磁控溅射靶,相邻排平面磁控溅射靶之间形成有镀膜通道,所述多排平面磁控溅射靶的前、后两侧分别设有水冷托板,水冷托板的外侧设有传动辊,传动辊位于相邻两排平面磁控溅射靶之间的位置;所述基膜放卷机构装设的基膜绕经传动辊后从镀膜通道通过并由基膜收卷纠偏机构进行纠偏后收卷。本发明实现了基膜的放卷、镀膜及收卷均在同一个箱式真空镀膜室内完成,设备结构简单、体积小,大幅度降低了制作成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种连续式真空离子镀膜机。
背景技术
传统的真空离子镀膜设备主要由放料室、多个镀膜室、多个过渡室和收料室组成,整套镀膜设备体积庞大,设备长度一般达到18米以上,设备安装时占地空间大,另外上述真空离子镀膜设备在运行时需要多套的扩散泵机组、分子泵机组、机械泵、罗茨泵与之配套进行抽真空作业,不仅耗电量巨大,而且整套设备生产制造成本很高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种结构简单、占地空间小、设备制造成本低且耗能少的连续式真空离子镀膜机。
为解决上述技术问题,本发明一种连续式真空离子镀膜机,具有箱式真空镀膜室,箱式真空镀膜室内的左、右两侧分别设有基膜放卷机构和基膜收卷纠偏机构,箱式真空镀膜室内由左至右间隔设有多排平面磁控溅射靶,其中左、右两排为单面溅射平面磁控溅射靶、左右两排之间的为双面溅射平面磁控溅射靶,相邻排平面磁控溅射靶之间形成有镀膜通道,所述多排平面磁控溅射靶的前、后两侧分别设有水冷托板,水冷托板的外侧设有传动辊,传动辊位于相邻两排平面磁控溅射靶之间的位置;所述基膜放卷机构装设的基膜绕经所述传动辊后从所述的镀膜通道通过并由所述基膜收卷纠偏机构进行纠偏后收卷。
采用上述结构的连续式真空离子镀膜机,由于箱式真空镀膜室内由左至右间隔设有多排平面磁控溅射靶,其中左、右两排为单面溅射平面磁控溅射靶、左右两排之间的为双面溅射平面磁控溅射靶,相邻排平面磁控溅射靶之间形成有镀膜通道,因此基膜由放卷机构放卷后绕经设置在水冷托板外侧的传动辊并穿过多个所述镀膜通道时,会在多个镀膜通道内连续被镀膜通道两侧的平面磁控溅射靶进行磁控溅射镀膜,这样即可以保证基膜表面镀膜的厚度要求,同时也可保证基膜表面镀膜的质量要求。由于本发明的连续式真空离子镀膜机仅有一个箱式真空镀膜室,基膜的放卷、镀膜及纠偏收卷均在同一个箱式真空镀膜室内完成,因此本发明的镀膜机与传统的真空离子镀膜机相比较不仅设备结构简单、体积明显变小,同时与本发明相配套的抽真空设备数量也明显减少,一方面节省了设备安装的占地空间、降低了设备的制造成本,另外在节省抽真空设备采购成本的同时,使本发明在镀膜作业时也节省了大量电能。
作为本发明的改进,所述单面溅射平面磁控溅射靶包括平面磁控溅射靶本体和装于平面磁控溅射靶本体外侧的屏蔽罩,平面磁控溅射靶本体具有靶体,靶体上装有磁靴,在磁靴的一侧均布装有多排第一永久磁体、多排第一永久磁体的外侧与所述屏蔽罩之间依序装有第一靶材隔水板和第一靶材,所述双面溅射平面磁控溅射靶包括所述的平面磁控溅射靶本体和装于该平面磁控溅射靶本体外侧的屏蔽罩,在所述磁靴相对的另一侧均布装有多排第二永久磁体,多排第二永久磁体的外侧与所述屏蔽罩之间依序装有第二靶材隔水板和第二靶材。
本发明连续式真空离子镀膜机中的双面溅射平面磁控溅射靶是以现有技术中普通的单面溅射平面磁控溅射靶为基础,通过在所述磁靴相对的另一侧均布装有多排第二永久磁体,多排第二永久磁体的外侧与所述屏蔽罩之间依序装有第二靶材隔水板和第二靶材,来达到能够实现两侧同时溅射镀膜的目的,本发明中的一个双面溅射平面磁控溅射靶可起到两个普通单面溅射平面磁控溅射靶的作用,可以进一步地降低本发明镀膜机的制造成本,使本发明的镀膜机体积可以做得更小,节省安装时的占地空间。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步地详细说明。
图1是本发明一种连续式真空离子镀膜机的俯视结构示意图。
图2是本发明一种连续式真空离子镀膜机中的单面溅射平面磁控溅射靶的俯剖视结构示意图。
图3是本发明一种连续式真空离子镀膜机中的双面溅射平面磁控溅射靶的俯剖视结构示意图。
具体实施方式
参见图1-图3,首先参见图1,本发明一种连续式真空离子镀膜机,具有箱式真空镀膜室1,箱式真空镀膜室内的左、右两侧分别设有基膜放卷机构2和基膜收卷纠偏机构3,箱式真空镀膜室内由左至右间隔设有多排平面磁控溅射靶4,其中左、右两排为单面溅射平面磁控溅射靶41、左右两排之间的为双面溅射平面磁控溅射靶42,相邻排平面磁控溅射靶4之间形成有镀膜通道5,所述多排平面磁控溅射靶4的前、后两侧分别设有水冷托板6,水冷托板6的外侧设有传动辊7,传动辊7位于相邻两排平面磁控溅射靶之间的位置;所述基膜放卷机构2装设的基膜10绕经所述传动辊7后从所述的镀膜通道5通过并由所述基膜收卷纠偏机构3进行纠偏后收卷。参见图2、图3,所述单面溅射平面磁控溅射靶41包括平面磁控溅射靶本体410和装于平面磁控溅射靶本体外侧的屏蔽罩411,平面磁控溅射靶本体410具有靶体412,靶体上装有磁靴413,在磁靴413的一侧均布装有多排第一永久磁体414、多排第一永久磁体的外侧与所述屏蔽罩411之间依序装有第一靶材隔水板415和第一靶材416,所述双面溅射平面磁控溅射靶42包括所述的平面磁控溅射靶本体410和装于该平面磁控溅射靶本体外侧的屏蔽罩411,在所述磁靴413相对的另一侧均布装有多排第二永久磁体424,多排第二永久磁体的外侧与所述屏蔽罩411之间依序装有第二靶材隔水板425和第二靶材426。
Claims (2)
1.一种连续式真空离子镀膜机,其特征在于:具有箱式真空镀膜室(1),箱式真空镀膜室内的左、右两侧分别设有基膜放卷机构(2)和基膜收卷纠偏机构(3),箱式真空镀膜室内由左至右间隔设有多排平面磁控溅射靶(4),其中左、右两排为单面溅射平面磁控溅射靶(41)、左右两排之间的为双面溅射平面磁控溅射靶(42),相邻排平面磁控溅射靶(4)之间形成有镀膜通道(5),所述多排平面磁控溅射靶(4)的前、后两侧分别设有水冷托板(6),水冷托板(6)的外侧设有传动辊(7),传动辊(7)位于相邻两排平面磁控溅射靶之间的位置;所述基膜放卷机构(2)装设的基膜绕经所述传动辊(7)后从所述的镀膜通道(5)通过并由所述基膜收卷纠偏机构(3)进行纠偏后收卷。
2.如权利要求1所述的连续式真空离子镀膜机,其特征在于:所述单面溅射平面磁控溅射靶(41)包括平面磁控溅射靶本体(410)和装于平面磁控溅射靶本体外侧的屏蔽罩(411),平面磁控溅射靶本体(410)具有靶体(412),靶体上装有磁靴(413),在磁靴(413)的一侧均布装有多排第一永久磁体(414)、多排第一永久磁体的外侧与所述屏蔽罩(411)之间依序装有第一靶材隔水板(415)和第一靶材(416),所述双面溅射平面磁控溅射靶(42)包括所述的平面磁控溅射靶本体(410)和装于该平面磁控溅射靶本体外侧的屏蔽罩(411),在所述磁靴(413)相对的另一侧均布装有多排第二永久磁体(424),多排第二永久磁体的外侧与所述屏蔽罩(411)之间依序装有第二靶材隔水板(425)和第二靶材(426)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410823619.2A CN104404474A (zh) | 2014-12-26 | 2014-12-26 | 一种连续式真空离子镀膜机 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410823619.2A CN104404474A (zh) | 2014-12-26 | 2014-12-26 | 一种连续式真空离子镀膜机 |
Publications (1)
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|---|---|
| CN104404474A true CN104404474A (zh) | 2015-03-11 |
Family
ID=52642136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410823619.2A Pending CN104404474A (zh) | 2014-12-26 | 2014-12-26 | 一种连续式真空离子镀膜机 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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