[go: up one dir, main page]

CN104094438A - 用于制造光电子器件的方法和光电子器件 - Google Patents

用于制造光电子器件的方法和光电子器件 Download PDF

Info

Publication number
CN104094438A
CN104094438A CN201380007742.0A CN201380007742A CN104094438A CN 104094438 A CN104094438 A CN 104094438A CN 201380007742 A CN201380007742 A CN 201380007742A CN 104094438 A CN104094438 A CN 104094438A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
medium
electrode
radiation
optoelectronic device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201380007742.0A
Other languages
English (en)
Inventor
托马斯·多贝廷
本亚明·克鲁马赫尔
蒂洛·罗伊施
西蒙·希克坦茨
斯蒂芬·赛德尔
丹尼尔·斯特芬·塞茨
托马斯·韦卢斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of CN104094438A publication Critical patent/CN104094438A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种用于制造光电子器件(200)的方法，所述方法能够具有：将平坦化介质(104)施加到衬底(102)的表面上，其中平坦化介质(104)具有材料(106)，所述材料吸收波长最大为600nm的电磁辐射；在材料(106)上或上方施加第一电极(112)；在第一电极(112)上或上方形成有机功能层结构(114)；并且在有机功能层结构(114)上或上方形成第二电极(116)。

Description

用于制造光电子器件的方法和光电子器件
技术领域
本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法以及一种光电子器件。
背景技术
光电子器件的、例如有机发光二极管的材料在紫外线(UV)辐照过强的情况下损坏，这对功率数据产生不利影响。这例如是提高的工作电压或者是电流效率或量子收益减小直至发光失效。这能够涉及整个有效面或也局部地出现。此外，有机材料能够在一定程度上受到损坏，使得局部地不再发生发光或转换进而光电子器件的有效发光面减小。
通常使用的碱石灰平面玻璃(所谓的Soda Lime Floatglas，碱石灰浮法玻璃)的UV吸收不足以防止有机发光二极管(OLED)损坏。碱石灰浮法玻璃虽然在300nm之下具有足够的吸收，但是刚好在300nm至400nm的范围中(这基本上相应于UV-A辐射的波长范围)是部分可穿透的。
通常，可能的是，将附加的吸收UV的薄膜/层施加在OLED的衬底的外侧上。然而，这具有下述缺点，不能够得到通常使用的高品质的玻璃表面并且OLED附加地更易受刮痕影响。
此外，替选地，可能的是，例如通过改变玻璃配方将吸收UV的特性集成到衬底玻璃中。当然该解决方案与相对高的耗费相关联并且通常改变OLED的玻璃的大量其他特性。尤其地，这种玻璃比通常使用的碱石灰浮法玻璃贵。
DE696 32 227T2描述一种电致变色的设备，其中至少一个透明的导电板设有吸收UV的层，其中吸收UV的层设置在透明的衬底和透明的电极之间。吸收UV的层包含有机UV吸收体并且基本上能够单独地由UV吸收体构成或者由有机UV吸收体和基本层构成。吸收UV的层的厚度为10nm至100μm。
通常，为了将UV吸收体施加到衬底上而将衬底平坦化并且随后将嵌入到基体材料中的UV吸收体施加到平坦化的衬底上。
然而，该平坦化步骤是耗费并且昂贵的。
发明内容
本发明基于下述问题，提供一种用于制造光电子器件的方法以及一种光电子器件，所述方法或所述光电子器件能够更低成本地执行或制造。
所述问题通过具有根据独立权利要求所述的特征的一种用于制造光电子器件的方法以及一种光电子器件来解决。
本发明的改进形式在从属权利要求中得出。
在不同的实施例中提供对光电子器件、例如对有源光电子器件、例如对发光器件、例如对OLED的UV保护，同时获得光电子器件的优秀的衬底表面、例如玻璃表面，例如衬底表面的、例如玻璃表面的外侧。
用于制造光电子器件的方法能够具有：将平坦化介质施加到衬底的表面上，例如施加到衬底的内侧上(例如施加到光电子器件的衬底表面的、例如玻璃表面的内侧上，其中平坦化介质具有如下材料(在下文中也称作为吸收辐射的材料)，所述材料吸收波长最大为600nm的电磁辐射；在材料上或上方施加第一电极；在第一电极上或上方形成有机功能层结构；并且在有机功能层结构上或上方形成第二电极。
根据该方法能够弃用将衬底表面平坦化的附加的步骤，因为吸收辐射的材料(换言之作为平坦化介质的一部分)随平坦化介质一起施加到衬底的表面上。因此该方法能够更低成本地执行。同样地，通过该方法得到应用对表面质量要求更低的更适宜的衬底(例如平面玻璃或窗玻璃)的可能性。
在一个设计方案中，材料能够设计成，使得吸收波长最大为575nm、例如最大为550nm、例如最大为525nm、例如最大为500nm、例如最大为475nm、例如最大为450nm、例如最大为425nm、例如最大为400nm的辐射。因此材料能够设计成，使得吸收波长在紫外(UV)辐射范围中的辐射或者还有波长在蓝光范围中的辐射，借此可能的是，有效地保护光电子器件免受这种相应的辐射。在又一个设计方案中，材料能够设计成，使得吸收波长在大约300nm至大约400nm的范围中的辐射(这基本上相应于UV-A辐射的波长范围)。
在又一个设计方案中，能够施加一定厚度的平坦化介质，使得吸收一定百分比的电磁辐射，所述百分比在大约85％至大约99％的范围中、例如在大约87％至大约98％的范围中、例如在大约89％至大约97％的范围中、例如在大约91％至大约96％的范围中。在一个设计方案中，能够施加一定厚度的平坦化介质，使得吸收一定百分比的电磁辐射，所述百分比至少为85％、例如至少为87％、例如至少为89％、例如至少为91％、例如至少为93％、例如至少为95％、例如至少为97％、例如至少为99％。在又一个设计方案中，能够设计材料并且能够施加一定厚度的平坦化介质，使得在上述波长范围中吸收上述百分比的电磁辐射。
在又一个设计方案中，吸收波长最大为600nm的辐射的材料能够混入载体材料，使得形成平坦化介质；并且在混入材料之后，能够将平坦化介质施加到衬底的表面上。该设计方案能够实现简单地进而低成本地随载体材料、例如基体材料一起施加吸收辐射的材料，吸收辐射的材料被嵌入到所述基体材料中。
在又一个设计方案中，能够将平坦化介质借助于下述方法中的一种施加到衬底的表面上：离心涂镀、刮涂、压印、喷射、刷涂、辊涂、抽涂、擦涂、浸涂、流涂、裂纹浇注。在又一个设计方案中，平坦化介质能够借助于无接触的方法来施加。将平坦化介质进而将吸收辐射的材料施加到衬底的表面上的许多不同的可能性引起灵活的并且多样的可应用的工艺。
在又一个设计方案中，平坦化介质能够是液体，并且能够在施加平坦化介质之后将平坦化介质硬化。当平坦化介质为液相时，能够非常简单并且低成本地加工所述平坦化介质或将其施加到衬底的表面上。
在又一个设计方案中，硬化能够具有下述方法中的至少一个：包含在平坦化介质中的溶剂扩散开(所述溶剂是与吸收辐射的材料不同的材料)；用电磁辐射、例如用一个或多个电子束来辐照平坦化介质；和/或加热平坦化介质；和/或通过空气湿气聚合；和/或消散平坦化介质的两个组成部分，例如在二组分漆的情况下。
在又一个设计方案中，平坦化介质能够具有聚合物，在所述聚合物上作为分子残基结合有吸收波长最大为600nm的辐射的材料。
在又一个设计方案中，光电子器件能够具有或者是发光器件和/或太阳能电池。
在又一个设计方案中，平坦化介质能够具有最大为0.25μm、例如最大为0.24μm、例如最大为0.23μm、例如最大为0.22μm、例如最大为0.21μm、例如最大为0.20μm、例如最大为0.19μm、例如最大为0.19μm、例如最大为0.18μm、例如最大为0.17μm、例如最大为0.16μm、例如最大为0.15μm、例如最大为0.13μm、例如最大为0.11μm、例如最大为0.10μm、例如最大为0.05μm的粗糙度。
在不同的实施例中提供光电子器件，具有：衬底；施加在衬底的表面上的平坦化介质，其中平坦化介质具有下述材料，所述材料吸收波长最大为600nm的辐射；在材料上或上方的第一电极；在第一电极上或上方的有机功能层结构；和在有机功能层结构上或上方的第二电极。
在一个设计方案中平坦化介质和/或材料能够具有一定厚度，使得吸收一定百分比的电磁辐射，所述百分比在大约85％至大约99％的范围中、例如在大约87％至大约98％的范围中、例如在大约89％至大约97％的范围中、例如在大约91％至大约96％的范围中。在一个设计方案中，能够施加一定厚度的平坦化介质，使得吸收一定百分比的电磁辐射，所述百分比至少为85％、例如至少为87％、例如至少为89％、例如至少为91％、例如至少为93％、例如至少为95％、例如至少为97％、例如至少为99％。在又一个设计方案中，能够设计材料并且能够施加一定厚度的平坦化介质，使得在上述波长范围中吸收上述百分比的电磁辐射。
在又一个设计方案中，平坦化介质能够具有聚合物，在所述聚合物上结合有作为分子残基的吸收波长最大为600nm的辐射的材料。
在又一个设计方案中，材料能够设计成，使得吸收波长最大为575nm、例如最大为550nm、例如最大为525nm、例如最大为500nm、例如最大为475nm、例如最大为450nm、例如最大为425nm、例如最大为400nm的辐射。因此材料能够设计成，使得吸收波长在紫外(UV)辐射范围中的辐射或者还有波长在蓝光范围中的辐射，借此可能的是，有效地保护光电子器件免受这种辐射。
在又一个设计方案中，光电子器件能够具有或者是发光器件和/或太阳能电池。
在又一个设计方案中，平坦化介质能够具有最大为0.25μm、例如最大为0.24μm、例如最大为0.23μm、例如最大为0.22μm、例如最大为0.21μm、例如最大为0.20μm、例如最大为0.19μm、例如最大为0.19μm、例如最大为0.18μm、例如最大为0.17μm、例如最大为0.16μm、例如最大为0.15μm、例如最大为0.13μm、例如最大为0.11μm、例如最大为0.10μm、例如最大为0.05μm的粗糙度。
附图说明
在附图中并且在下文中详细阐述本发明的实施例。
附图示出：
图1示出根据不同实施例的光电子器件在其制造的第一时间点的横截面视图；
图2示出根据不同实施例的光电子器件在其制造的第二时间点的横截面视图；
图3示出根据不同实施例的光电子器件的横截面视图；并且
图4示出根据不同实施例的光电子器件的横截面视图。
具体实施方式
在下面详细的描述中参考所附的附图，所述附图形成所述描述的一部分，并且在所述附图中为了图解说明示出能够实施本发明的具体的实施方式。在此方面，关于所描述的附图的定向而应用方向术语例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因为实施方式的组成部分能够以多个不同的取向来定位，所以方向术语用于图解说明并且不以任何方式受到限制。要理解的是，能够使用其他的实施方式并且能够进行结构上的或逻辑上的改变，而不偏离本发明的保护范围。要理解的是，除非另作特别说明，在此描述的不同的示例的实施方式的特征能够互相组合。因此，下面详细的描述不应解释为是受限制的，并且本发明的保护范围通过所附的权利要求来限定。
在本说明书的范围内，术语“连接”、“联接”以及“耦联”用于描述直接的和间接的连接、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦联。在附图中，只要是适宜的，相同的或类似的元件就设有相同的附图标记。
在不同的实施例中，描述用于改进UV耐抗性的集成的工艺，同时获得光电子器件的高品质的关断状态的外观。
图1示出根据不同实施例的光电子器件100在其制造的第一时间点的第一横截面视图。
尽管在下文中描述以有机发光二极管(英语为organic light emittingdiode，OLED)的形式实施的发光器件的不同的实施例，还需指出的是，所述实施例也能够以相应的方式用于其他的光电子器件，例如用于太阳能电池。此外，发光器件能够在不同的实施例中构成为有机发光晶体管。在不同的实施例中，发光器件能够是集成电路的一部分。此外，能够设有多个发光器件，例如安置在共同的壳体中。
有机发光二极管100形式的发光器件100能够具有衬底102。衬底102例如能够用作为用于电子元件或层的、例如用于发光元件的载体元件。衬底102例如能够具有玻璃、石英和/或半导体材料或任何其他合适材料或由其形成。此外，衬底102能够具有塑料薄膜或带有一个或多个塑料薄膜的叠层或由其形成。塑料能够具有一种或多种聚烯烃(例如具有高密度或低密度的聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP))或者由其形成。此外，塑料能够具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者由其形成。衬底102能够具有一种或多种上述材料。衬底102能够构成为是半透明的或甚至是透明的。
术语“半透明”或“半透明层”在不同的实施例中能够理解为：层对于光是可穿透的，例如对于由发光器件所产生的例如一个或多个波长范围的光是可穿透的，例如对于可见光的波长范围中的光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波长范围的子范围中)。术语“半透明层”在不同的实施例中例如能够理解为：全部的耦合输入到结构(例如层)中的光量基本上也从所述结构(例如层)中耦合输出，其中光的一部分在此能够被散射。
术语“透明”或“透明层”在不同的实施例中能够理解为：层对于光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波长范围的子范围中)，其中耦合输入到结构(例如层)中的光基本上在没有散射或光转换的情况下也从所述结构(例如层)中耦合输出。因此，“透明”在不同的实施例中能够视作为“半透明”的特殊情况。
对于例如应当提供单色发光的或发射光谱受限的电子器件的情况而言足够的是：光学半透明的层结构至少在期望的单色光的波长范围的子范围中或者对于受限的发射光谱是半透明的。
在不同的实施例中，有机发光二极管100(或还有根据在上文中或还要在下文中描述的实施例的发光器件)能够设计成所谓的顶部和底部发射器。顶部和底部发射器也能够称作为光学透明器件，例如透明有机发光二级管。
在不同的实施例中，能够可选地在衬底102上或上方设置有阻挡层(没有示出)。阻挡层能够具有下述材料中的一种或多种或者由其制成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铟锡、氧化铟锌、铝掺杂的氧化锌、以及它们的混合物和合金。此外，阻挡层在不同的实施例中能够具有在大约0.1nm(原子层)至大约5000nm的范围中的层厚度，例如在大约10nm至大约200nm的范围中的层厚度，例如为大约40nm的层厚度。
此外，在不同的实施例中，能够在衬底102的上表面上或必要时在阻挡层的露出的表面上施加平坦化介质104。
平坦化介质104能够具有材料106，所述材料吸收波长最大为600nm的辐射。材料106能够设计成，使得所述材料吸收波长最大为575nm、例如最大为550nm、例如最大为525nm、例如最大为500nm、例如最大为475nm、例如最大为450nm、例如最大为425nm、例如最大为400nm的辐射。因此，材料106能够直观地设计成，使得所述材料吸收波长在紫外(UV)辐射范围中的辐射或者还有波长在蓝光范围中的辐射。
材料106例如能够是有机的UV吸收材料。在不同的实施例中，UV吸收材料能够具有苯并三唑结构或二苯甲酮结构。具有苯并三唑结构的有机的UV吸收材料例如能够具有2-(2’-羟基-3’,5’-甲苯基)苯并三唑、2-(2’-羟基-3’,5’-二(α,α-二甲苯甲基)苯基)苯并三唑、2-(2’-羟基-3’,5’-二叔丁基苯基)苯并三唑、2-(2’-羟基-3’-叔丁基-5’-甲苯基)-5-氯苯并三唑和3-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)-5-(1,1-二聚吲哚-二乙基)-4-羟基-苯甲酸辛酯。具有二苯甲酮结构的有机的UV吸收材料能够具有2,4-二羟基二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮-5-磺酸、2-羟基-4-n-辛氧基二苯甲酮、2,2’-二羟基-4,4’-二甲氧基二苯甲酮、2,2’,4,4’-四羟基二苯甲酮和2-羟基-4-甲氧基-2’-羧基二苯甲酮。该UV吸收材料能够单独地或作为混合物使用。在替选的实施例中能够使用其他合适的UV吸收材料。
材料106能够嵌在载体材料108中、例如嵌在基体材料108中或者混入载体材料108。在不同的实施例中，基体材料能够具有下述材料中的一种或多种：环氧树脂、玻璃焊料、丙烯酸酯(例如聚甲基苯烯酸甲酯)、所有可能的聚合物(例如聚碳酸酯、聚乙烯萘、聚对苯二甲酸二乙酯、聚尿烷)、氧化钛、氮化硅、氧化铝。
直观地，在不同的实施例中，基体材料108和嵌入其中的吸收材料106形成平坦化介质104。
在不同的实施例中，平坦化介质104能够以液相或气相存在并且以液相或气相施加到衬底102的表面上。如果平坦化介质104以液相存在，那么所述平坦化介质(例如在吸收材料106混入载体材料108之后)能够借助于下述方法中的一个施加到衬底的表面上：离心涂镀、刮涂、压印、喷射、刷涂、辊涂、抽涂、擦涂、浸涂、流涂、裂纹浇注。在又一个设计方案中，平坦化介质能够借助于无接触的方法来施加。将平坦化介质进而将吸收辐射的材料施加到衬底的表面上的许多不同的可能性引起灵活的并且多样的可应用的工艺。
随后，能够将平坦化介质104硬化，例如借助于扩散包含在平坦化介质中的溶剂来硬化。在不同的实施例中，能够使用下述溶剂中的一种或多种：丙酮、乙腈、苯胺、苯甲醚、苯(粗苯)、苄腈、溴苯、1-丁醇、叔丁基甲醚(TBME)、γ-丁内酯、喹啉、氯苯、氯仿、环己烷、二甘醇、乙醚、二甲基乙醚胺、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、1,4-二氧杂环乙烷、冰醋酸、醋酸酐、醋酸乙酯、乙醇、二氯乙烯、乙二醇、乙二醇二甲醚、甲酰胺、正己烷、正庚烷、2-丙醇(异丙醇)、甲醇、3-甲基-1-丁醇(异戊醇)、2-甲基-2-丙醇(三丁醇)、二氯甲烷、甲乙酮(丁酮)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、N-甲基甲酰胺、硝基苯、硝基甲烷、正戊烷、石油醚/轻汽油、哌啶、丙醇、碳酸丙烯酯(4-甲基-1,3-二呋喃-2-酮)、吡啶、二硫化碳、环砜烷、四氯乙烯、四氯化碳、四氢呋喃、甲苯、1,1,1-三氯乙烷、三氯乙烯、三乙胺、三甘醇、三甘醇二甲醚(Triglyme)、例如水、乙醇、丁醇、正丙醇、异丙醇、乙醇、均三甲基苯、苯乙醚、苯甲醚、甲苯、丙二醇二丙烯酸酯(PGDA)、通常为乙二醇醚、甲乙酮、氯苯、乙醚、醋酸乙酯。替选地，仍为液态的平坦化介质104还能够由光辐照从而光学硬化。还替选地，仍为液态的平坦化介质104能够借助于温度激活来硬化。
替选地，材料106能够具有聚合物，在所述聚合物上结合有作为分子残基的吸收波长最大为600nm的波长的材料。在该情况下，能够直接将聚合物以简单的并且低成本的方式施加到衬底102的表面上。
在不同的实施例中，可以施加一定厚度的平坦化介质104，使得吸收一定百分比的光，所述百分比在大约85％至大约99％的范围中。此外，平坦化介质104能够具有最大为0.25μm的粗糙度。
在不同的实施例中，例如在将平坦化介质104以湿法化学的方式沉积到衬底102上的情况下，在平坦化介质104中还能够附加地引入或嵌有散射光的颗粒，所述散射光的颗粒能够引起进一步改进色角畸变和耦合输出效率。散射光在此通过平坦化介质和一个或多个颗粒之间的折射率差引起。在不同的实施例中，作为散射光的颗粒例如能够设有介电的散射颗粒，例如金属氧化物，例如氧化硅(SiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化锆(ZrO2)、铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)、氧化镓(Ga2Oa，例如其中a＝1或3)、氧化铝、或氧化钛。其他颗粒也能够是适合的，例如气泡、丙烯酸酯或玻璃空心球。此外，例如能够将金属纳米颗粒、金属如金、银、铁纳米颗粒等设为散射光的颗粒。
要说明的是，平坦化介质104的厚度取决于衬底102的要平坦化的表面106的粗糙度和平坦化介质104的或材料106的露出的表面的所期望的粗糙度。
直观地，因此，通过应用平坦化介质104和材料106实现衬底102的表面的平坦化以及同时在例如从衬底侧起由UV辐射进行辐照时实现对光电子器件的辐射保护。
图2示出根据不同实施例的光电子器件200在其制造的第二时间点的第二横截面视图。
在平坦化介质104上或上方(或者例如当在硬化之后仅还有材料106保留时，例如在材料106上或上方)能够设置发光器件200的电有源区域110。电有源区域110能够理解成发光器件200的下述区域，用于运行发光器件200的电流在所述区域中流动。在不同的实施例中，电有源区域110能够具有第一电极112、第二电极116和有机功能层结构114，如其在下文中更详细阐述的那样。
因此，在不同的实施例中，在平坦化介质104上或上方能够施加第一电极112(例如以第一电极层112的形式)。第一电极112(在下文中也称作为下部电极112)能够由能导电的材料构成或者是能导电的材料，例如由金属或透明导电氧化物(transparent conductive oxide,TCO)形成或由相同金属的或不同金属的和/或相同TCO的或不同TCO的多个层的层堆来形成。透明导电氧化物是透明的、导电的材料，例如金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物(ITO)。除了二元的金属氧化物化合物、例如ZnO、SnO2或In2O3以外，三元的金属氧化物化合物、例如AlZnO、Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、Mgln2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族并且能够在不同的实施例中使用。此外，TCO不强制符合化学计量的组分并且还能够是p型掺杂的或n型掺杂的。
在不同的实施例中，第一电极112能够具有金属；例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ag、Au、Mg、Ca、Sm或Li、以及这些材料的化合物、组合或合金。
在不同的实施例中，能够由在TCO层上的金属层的组合的层堆形成第一电极112，或者反之。一个示例是施加在铟锡氧化物层(ITO)上的银层(ITO上的Ag)或ITO-Ag-ITO复层。
在不同的实施例中，替选于或附加于上述材料，第一电极112能够设有下述材料中的一种或多种：由例如由Ag制成的金属的纳米线和纳米微粒构成的网络；由碳纳米管构成的网络；石墨微粒和石墨层；由半导体纳米线构成的网络。
此外，第一电极112能够具有导电聚合物或过渡金属氧化物或导电透明氧化物。
在不同的实施例中，第一电极112和衬底102能够构成为是半透明的或透明的。在第一电极112由金属形成的情况下，第一电极112例如能够具有小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约18nm的层厚度。此外，第一电极112例如能够具有大于或等于大约10nm的层厚度、例如大于或等于大约15nm的层厚度。在不同的实施例中，第一电极112能够具有在大约10nm至大约25nm的范围内的层厚度、例如在大约10nm至大约18nm的范围内的层厚度、例如在大约15nm至大约18nm的范围内的层厚度。
此外，对于第一电极112由透明导电氧化物(TCO)形成的情况而言，第一电极112例如具有在大约50nm至大约500nm的范围内的层厚度、例如在大约75nm至大约250nm的范围内的层厚度、例如在大约100nm至大约150nm的范围内的层厚度。
此外，对于第一电极112由例如由如Ag构成的能够与导电聚合物组合的金属的纳米线构成的网络形成、由能够与导电聚合物组合的碳纳米管构成的网络或者由石墨层和复合材料形成的情况而言，第一电极112例如能够具有在大约1nm至大约500nm的范围内的层厚度、例如在大约10nm至大约400nm的范围内的层厚度、例如在大约40nm至大约250nm的范围内的层厚度。
第一电极112能够构成为阳极、即构成为注入空穴的电极，或者构成为阴极、即构成为注入电子的电极。
第一电极112能够具有第一电端子，第一电势(由能量源(未示出)、例如电流源或电压源提供)能够施加到所述第一电端子上。替选地，第一电势能够施加到或已施加到衬底102上并且然后能够经由此间接地输送给或已输送给第一电极112。第一电势例如能够是接地电势或者不同地预设的参考电势。
此外，发光器件200的电有源区域110能够具有有机电致发光层结构114，所述有机电致发光层结构施加在或已施加在第一电极112上或上方。
有机电致发光层结构114能够包含一个或多个发射体层118、例如具有发荧光的和/或发磷光的发射体的发射体层，以及一个或多个空穴传导层120(也称作空穴传输层120)。在不同的实施例中，替选地或附加地，能够设有一个或多个电子传导层122(也称作电子传输层122)。
能够在根据不同实施例的发光器件200中用于发射体层118的发射体材料的实例包括：有机的或有机金属的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亚苯基的衍生物(例如2-或2,5-取代的聚-对-亚苯基乙烯撑)；以及金属络合物，例如铱络合物，如发蓝色磷光的FIrPic(双(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)-铱III)、发绿色磷光的Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱III)、发红色磷光的Ru(dtb-bpy)3*2(PF6))(三[4,4’-二-叔-丁基-(2,2’)-联吡啶]钌(III)络合物)、以及发蓝色荧光的DPAVBi(4,4-双[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯)、发绿色荧光的TTPA(9,10-双[N,N-二-(对-甲苯基)-氨基]蒽)和发红色荧光的DCM2(4-二氰基亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作为非聚合物发射体。这种非聚合物发射体例如能够借助于热蒸镀沉积。此外，能够使用聚合物发射体，所述聚合物发射体尤其能够借助于湿法化学法、例如旋涂法(也称作Spin Coating)来沉积。
发射体材料能够以适合的方式嵌在基体材料中。
需要指出的是，在其他的实施例中同样设有其他适合的发射体材料。
发光器件200的发射体层118的发射体材料例如能够选择为，使得发光器件200发射白光。一个或多个发射体层118能够具有多种发射不同颜色(例如蓝色和黄色或者蓝色、绿色和红色)的发射体材料，替选地，发射体层118也能够由多个子层构成，如发蓝色荧光的发射体层118或发蓝色磷光的发射体层118、发绿色磷光的发射体层118和发红色磷光的发射体层118。通过不同颜色的混合，能够得到具有白色的色彩印象的光的发射。替选地，也能够提出，在通过这些层产生的初级发射的光路中设置有转换材料，所述转换材料至少部分地吸收初级辐射并且发射其他波长的次级辐射，使得从(还不是白色的)初级辐射通过将初级辐射和次级辐射组合得到白色的色彩印象。
有机电致发光层结构114通常能够具有一个或多个电致发光层。一个或多个电致发光层能够具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的小的、非聚合物的分子(“小分子(small molecules)”)或这些材料的组合。有机电致发光层结构114例如能够具有构成为空穴传输层120的一个或多个电致发光层，使得例如在OLED的情况下实现将空穴有效地注入到进行电致发光的层或进行电致发光的区域中。替选地，在不同的实施例中，有机电致发光层结构114能够具有构成为电子传输层122的一个或多个功能层，使得例如在OLED中实现将电子有效地注入到进行电致发光的层或进行电致发光的区域中。例如能够使用叔胺、咔唑衍生物、导电的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作为用于空穴传输层120的材料。在不同的实施例中，一个或多个电致发光层能够构成为进行电致发光的层。
在不同的实施例中，空穴传输层120能够施加、例如沉积在第一电极112上或上方，并且发射体层118能够施加、例如沉积在空穴传输层120上或上方。在不同的实施例中，电子传输层122能够施加、例如沉积在发射体层118上或上方。
在不同的实施例中，有机电致发光层结构114(即例如空穴传输层120和发射体层118和电子传输层122的厚度的总和)具有最大为大约1.5μm的层厚度、例如最大为大约1.2μm的层厚度、例如最大为大约1μm的层厚度、例如最大为大约800nm的层厚度、例如最大为大约500nm的层厚度、例如最大为大约400nm的层厚度、例如最大为大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机电致发光层结构114例如能够具有多个直接彼此相叠设置的有机发光二极管(OLED)的堆，其中每个OLED例如能够具有最大为大约1.5μm的层厚度、例如最大为大约1.2μm的层厚度、例如最大为大约1μm的层厚度、例如最大为大约800nm的层厚度、例如最大为大约500nm的层厚度、例如最大为大约400nm的层厚度、例如最大为大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机电致发光层结构114例如能够具有两个、三个或四个直接彼此相叠设置的OLED的堆，在此情况下，有机电致发光层结构114例如能够具有最大为大约3μm的层厚度。
发光器件200可选地通常能够具有另外的有机功能层，所述另外的有机功能层例如设置在一个或多个发射体层118上或其上方或设置在一个或多个电子传输层122上或其上方，用于进一步改进发光器件200的功能性进而改进效率。
在有机电致发光层结构114上或上方或者必要时在一个或多个另外的有机功能层上或上方能够施加第二电极116(例如以第二电极层116的形式)。
在不同的实施例中，第二电极116能够具有与第一电极112相同的材料或者由其形成，其中在不同的实施例中金属是尤其适合的。
在不同的实施例中，第二电极116(例如对于金属的第二电极116的情况而言)例如能够具有小于或等于大约50nm的层厚度、例如小于或等于大约45nm的层厚度、例如小于或等于大约40nm的层厚度、例如小于或等于大约35nm的层厚度、例如小于或等于大约30nm的层厚度、例如小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约15nm的层厚度、例如小于或等于大约10nm的层厚度。
第二电极116通常能够以与第一电极112类似的或不同的方式构成或已构成。第二电极116在不同的实施例中能够由一种或多种材料并且以相应的层厚度构成或已构成，如这在上文中结合第一电极112所描述的那样。在不同的实施例中，第一电极112和第二电极116这两者都透明地或半透明地构成。因此，在图1中示出的发光器件200能够设计成顶部和底部发射器(换言之作为透明的发光器件200)。
第二电极116能够构成为阳极、即构成为空穴注入的电极，或者构成为阴极、即构成为电子注入的电极。
第二电极116能够具有第二电端子，由能量源提供的第二电势(所述第二电势与第一电势不同)能够施加到所述第二电端子上。第二电势例如能够具有一定数值，使得与第一电势的差具有在大约1.5V至大约20V范围内的数值、例如在大约2.5V至大约15V的范围内的数值、例如在大约3V至大约12V的范围内的数值。
在第二电极116上或上方进而在电有源区域110上或上方可选地还能够形成或已形成封装件124，例如阻挡薄层/薄层封装件124的形式的封装件。
“阻挡薄层”或“阻挡薄膜”124在本申请的范围中例如能够理解为下述层或层结构，所述层或层结构适合于形成相对于化学杂质或大气物质、尤其相对于水(湿气)和氧气的阻挡。换言之，阻挡薄层124构成为，使得其不能够或至多极其少部分由损坏OLED的物质例如水、氧气或溶剂穿过。
根据一个设计方案，阻挡薄层124能够构成单独的层(换言之，构成为单层)。根据一个替选的设计方案，阻挡薄层124能够具有多个彼此叠加构成的子层。换言之，根据一个设计方案，阻挡薄层124能够构成为层堆(Stack)。阻挡薄层124或阻挡薄层124的一个或多个子层例如能够借助于适合的沉积方法来形成，例如根据一个设计方案借助于原子层沉积方法(Atomic Layer Deposition(ALD))、例如等离子增强的原子层沉积方法(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition(PEALD))或无等离子的原子层沉积方法(Plasma-less Atomic LayerDeposition(PLALD))来形成，或根据另一个设计方案借助于化学气相沉积方法(Chemical Vapor Deposition(CVD))、例如等离子增强的化学气相沉积方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD))或无等离子的化学气相沉积方法(Plasma-less ChemicalVapor Deposition(PLCVD))来形成，或借助于分子层沉积(MolecularLayer Deposition(MLD)，或者替选地借助于另外适合的沉积方法来形成。
通过应用原子层沉积(ALD)能够沉积极其薄的层。特别地，能够沉积层厚度位于原子层范围内的层。
根据一个设计方案，在具有多个子层的阻挡薄层124中，能够借助于原子层沉积方法形成全部子层。仅具有ALD层的层序列也能够称作“纳米叠层(Nanolaminat)”。
根据一个替选的设计方案，在具有多个子层的阻挡薄层124中，能够借助于不同于原子层沉积方法的沉积方法来沉积阻挡薄层124的一个或多个子层，例如借助于气相沉积方法来沉积。
阻挡薄层124根据一个设计方案能够具有大约0.1nm(一个原子层)至大约1000nm的层厚度，例如根据一个设计方案为大约10nm至大约100nm的层厚度、例如根据一个设计方案为大约40nm的层厚度。
根据其中阻挡薄层124具有多个子层的设计方案，全部子层能够具有相同的层厚度。根据另一个设计方案，阻挡薄层124的各个子层能够具有不同的层厚度。换言之，至少一个子层能够具有不同于一个或多个其他子层的层厚度。
根据一个设计方案，阻挡薄层124或阻挡薄层124的各个子层能够构成为是半透明的或透明的层。换言之，阻挡薄层124(或阻挡薄层124的各个子层)能够由半透明的或透明的材料(或半透明的或透明的材料组合)制成。
根据一个设计方案，阻挡薄层124或(在具有多个子层的层堆的情况下)阻挡薄层124的一个或多个子层具有下述材料中的一种或由下述材料中的一种制成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝掺杂的氧化锌、以及它们的混合物和合金。在不同的实施例中，阻挡薄层124或(在具有多个子层的层堆的情况下)阻挡薄层124的一个或多个子层能够具有一种或多种高折射率的材料，换言之具有一种或多种具有高折射率的材料，例如具有至少为2的折射率的材料。
在不同的实施例中，能够在封装件124上或上方设有粘接剂和/或保护漆126，借助于所述粘接剂和/或保护漆例如将覆盖件128(例如玻璃覆盖件128)固定、例如粘贴在封装件124上。在不同的实施例中，由粘接剂和/或保护漆126构成的光学半透明层能够具有大于1μm的层厚度，例如几μm的层厚度。在不同的实施例中，粘接剂能够具有层压粘接剂或是层压粘接剂。要指出的是，例如当设有保护漆126时，不一定需要覆盖件128。
在不同的实施例中，还能够将散射光的颗粒嵌入到粘接剂的层(也称作粘接层)中，所述散射光的颗粒能够引起进一步改进色角畸变和耦合输出效率。在不同的实施例中，例如能够将介电的散射颗粒设为散射光的颗粒，例如金属氧化物，如氧化硅(SiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化锆(ZrO2)、铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)、氧化镓(Ga2Oa)、氧化铝或氧化钛。其他颗粒也是适合的，只要其具有与半透明的层结构的基体的有效折射率不同的折射率，例如为气泡、丙烯酸盐或玻璃空心球。此外，例如能够将金属的纳米颗粒，金属、如金、银，铁纳米颗粒等设为散射光的颗粒。
在不同的实施例中，在第二电极116和由粘接剂和/或保护漆126构成的层之间还施加有或能够施加有电绝缘层(未示出)，例如为SiN，例如具有在大约300nm至大约1.5μm的范围中的层厚度，例如具有在大约500nm至大约1μm的范围中的层厚度，以便例如在湿法化学工艺期间保护电学不稳定的材料。
在不同的实施例中，粘接剂能够设计成，使得其本身具有比覆盖件128的折射率小的折射率。这种粘接剂例如能够是低折射率的粘接剂，例如如丙烯酸盐，丙烯酸盐具有大约1.3的折射率。此外，能够设有形成粘接剂层序列的多种不同的粘接剂。
还需要指出的是，在不同的实施例中也能够完全地弃用粘接剂126，例如在将由玻璃制成的覆盖件128借助于等离子喷射来施加到封装件124上的实施例中放弃。
此外，在不同的实施例中，能够在发光器件200中附加地设有一个或多个抗反射层(例如与封装件124、如薄层封装件124组合)。
要指出的是，针对在上文中描述的其中吸收辐射的材料106仅在衬底102和电有源区域110之间、更确切地说例如在衬底102和第一电极112之间设置的实施例，第二电极116能够设计成是反射性的。
图3示出根据不同实施例的同样示例性实施成有机发光二极管300的发光器件300的横截面视图。
根据图3的有机发光二极管300在多方面与根据图2的有机发光二极管200相同，因此在下文中仅详细阐述根据图3的有机发光二极管300与根据图2的有机发光二极管200的不同之处；关于根据图3的有机发光二极管300的其余元件，参照根据图2的有机发光二极管200的上述实施方案。
不同于根据图2的有机发光二极管200，在多个实施例中，如在图3中示出的那样，设有附加的吸收辐射的材料302，例如设置在封装件124和粘接剂和/或保护漆126之间。附加的吸收辐射的材料302能够如在上文中已经描述的那样设计成与材料106相同，并且能够以相同的方式制造和施加。吸收辐射的材料302能够设计成吸收波长最大为600nm的辐射，例如所述吸收辐射的材料能够设计成吸收UV辐射和/或蓝光。在不同的实施例中，能够将吸收辐射的材料302嵌入到载体材料的基体中。因此，直观地，附加的吸收辐射的材料302例如能够以材料层形式施加在或已施加在封装件124上或上方，并且粘接剂/保护漆126能够施加在或已施加在材料层上或上方、通常在附加的吸收辐射的材料302上方。
然而，要指出的是，在不同的实施例中，吸收辐射的材料106、302在OLED的不同区域中也能够是不同的，然而，所述吸收辐射的材料始终具有期望的吸收辐射的特性。
图4示出根据不同实施例的同样示例性实施成有机发光二极管400的发光器件400的横截面视图。
根据图4的有机发光二极管400在多方面与根据图2的有机发光二极管200相同，因此在下文中仅详细阐述根据图4的有机发光二极管400与根据图2的有机发光二极管200的不同之处；关于根据图4的有机发光二极管400的其余元件，参照根据图2的有机发光二极管200的上述实施方案。
不同于根据图2的有机发光二极管200，在不同的实施例中，如在图4中示出的那样，将附加的吸收辐射的材料402混入、例如掺入粘接剂和/或保护漆126。附加的吸收辐射的材料402能够与如在上文中描述的材料106相同地设计。
然而，要指出的是，在不同的实施例中，吸收辐射的材料106、402在OLED的不同的区域中也能够是不同的，然而，所述吸收辐射的材料始终具有所期望的吸收辐射的特性。
在不同的实施例中能够提出，根据图3和图4的有机发光二极管300、400构造成透明的有机发光二极管。
此外，能够提出，吸收辐射的材料设计并且设置成，使得所述吸收辐射的材料总是在其所设置的区域中提供滤波功能，其中倾斜边缘具有透射光谱的大约为85％吸收的上边界和大约为2％吸收的下边界。在不同的实施例中，边缘陡度能够位于大约为20nm的范围中。
因此，在不同的实施例中提出，在有机发光二极管之内的不同部位上引入特殊的吸收辐射的材料，例如以特殊的吸收辐射的层、例如为特殊的阻挡UV的层的形式。例如在衬底侧发射的有机发光二极管的情况下，这种材料例如能够以中间层的形式设置在或已设置在衬底(例如玻璃衬底)和第一(例如透明的)电极之间。
在透明的有机发光二极管的情况下，能够在不同的实施例中提出，除了设置在衬底和第一电极之间的吸收辐射的材料之外，也在电有源区域的另一侧上进而例如在封装件上或上方(例如在封装件和覆盖件之间)设有这种吸收辐射的材料。以该方式，能够从两侧保护有机发光二极管、例如有机功能层堆免受预设波长的辐射、例如免受UV辐射的影响。
例如以材料层的形式引入的材料在不同的实施例中不仅能够以湿法化学的方式、而且能够借助于沉积方法、例如借助于真空沉积法来施加。
在湿法化学的工艺中，吸收UV的颜料、换言之吸收UV的材料(例如，无机的：TiO2或氧化锌颜料，有机的：樟脑、水杨酸、肉桂酸)能够嵌入到或已嵌入到透明的基体中并且作为薄层(小于几微米的层厚度)施加到衬底或薄膜封装件上。在该透明的基体中也能够附加地引入如在上文中描述的散射光的颗粒(例如TiO2、Al2O3、孔、SiO)，以便散射可见光。由此，除了UV保护之外，也改进了有机发光二极管的光耦合输出。对于阻挡UV的层也有助于改进光耦合输出的情况而言，需要注意该层的折射率。所述折射率应至少等于或大于衬底的、例如玻璃衬底的折射率(n～1.5)。为了能够耦合输出更多的光，该折射率应大于或等于有机层的折射率(通常n～1.8)。引入的散射颗粒应具有与基体的折射率差，以获得有效的光散射。
借助于真空沉积(例如PECVD或ALD)例如可能的是，将薄的阻挡UV的层(层厚度小于1μm)施加到衬底或封装件上。在此，尤其有利的是，所述层位于OLED的内部区域中从而受到保护免受物理破坏，因为所述层否则能够非常容易被刮去(例如通过清洁OLED而被刮去)。在此，在不同的实施例中，例如能够将TiO2、ZnO2或SiN设为材料。这些材料吸收例如在UV范围中的光。同样可能经由多层薄层来建立用于UV光的镜。
在不同的实施例中，根据图3的有机发光二极管300和根据图4的有机发光二极管也能够设为彼此组合。

Claims (14)

1.一种用于制造光电子器件(200)的方法，其中所述方法具有：
·将平坦化介质(104)施加到衬底(102)的表面上，其中所述平坦化介质(104)具有材料(106)，所述材料吸收波长最大为600nm的电磁辐射；
·在所述材料(106)上或上方施加第一电极(112)；
·在所述第一电极(112)上或上方形成有机功能层结构(114)；并且
·在所述有机功能层结构(114)上或上方形成第二电极(116)。
2.根据权利要求1所述的方法，
其中以一定厚度施加所述平坦化介质(104)，使得吸收一定百分比的光，所述百分比在从大约85％至大约99％的范围中。
3.根据权利要求1或2所述的方法，
·其中将吸收波长最大为600nm的辐射的所述材料(106)混入载体材料(108)，使得形成所述平坦化介质(104)，并且
·其中在混入所述材料(106)之后，将所述平坦化介质(104)施加到所述衬底(102)的表面上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，
其中将所述平坦化介质(104)借助于下述方法中的一种施加到所述衬底(102)的表面上：离心涂镀、刮涂、压印、喷射、刷涂、辊涂、抽涂、擦涂、浸涂、流涂、裂纹浇注。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，
·其中所述平坦化介质(104)是液体，并且
·其中在施加所述平坦化介质(104)之后，将所述平坦化介质(104)硬化。
6.根据权利要求5所述的方法，
其中所述硬化具有下述方法中的至少一个：
·将包含在所述平坦化介质(104)中的溶剂扩散开；
·用电磁辐射、优选用一个或多个电子束来辐照所述平坦化介质(104)和/或；
·加热所述平坦化介质(104)；和/或
·通过空气湿气聚合；和/或
·消散平坦化介质的两个组成部分。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，
其中将所述材料(106)设计成，使得所述材料吸收波长最大为400nm的辐射。
8.一种光电子器件(200)，具有：
·衬底(102)；
·在所述衬底(102)的表面上施加的平坦化介质(104)，其中所述平坦化介质(104)具有材料(106)，所述材料吸收波长最大为600nm的辐射；和
·在所述材料(106)上或上方的第一电极(112)；
·在所述第一电极(112)上或上方的有机功能层结构(114)；和
·在所述有机功能层结构(114)上或上方的第二电极(116)。
9.根据权利要求8所述的光电子器件(200)，
其中所述平坦化介质(104)和/或所述材料(106)具有一定厚度，使得吸收一定百分比的光，所述百分比在大约85％至大约99％的范围中。
10.根据权利要求8或9所述的光电子器件(200)，
其中吸收波长最大为600nm的辐射的所述材料(106)嵌入基体材料(108)中。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的光电子器件(200)，
其中所述平坦化介质(104)具有聚合物，在所述聚合物上结合有作为分子残基的所述材料(106)，所述材料吸收波长最大为600nm的辐射。
12.根据权利要求8至11中任一项所述的光电子器件(200)，
其中所述材料(106)设计成，使得所述材料吸收波长最大为400nm的辐射。
13.根据权利要求8至12中任一项所述的光电子器件(200)，
其中所述光电子器件(200)具有发光器件和/或太阳能电池。
14.根据权利要求8至13中任一项所述的光电子器件(200)，
其中所述平坦化介质(104)具有最大为0.25μm的粗糙度。
CN201380007742.0A 2012-02-01 2013-01-31 用于制造光电子器件的方法和光电子器件 Pending CN104094438A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012201457A DE102012201457A1 (de) 2012-02-01 2012-02-01 Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
DE102012201457.8 2012-02-01
PCT/EP2013/051839 WO2013113779A1 (de) 2012-02-01 2013-01-31 Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104094438A true CN104094438A (zh) 2014-10-08

Family

ID=47666133

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380007742.0A Pending CN104094438A (zh) 2012-02-01 2013-01-31 用于制造光电子器件的方法和光电子器件

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20140374729A1 (zh)
KR (1) KR20140123559A (zh)
CN (1) CN104094438A (zh)
DE (1) DE102012201457A1 (zh)
WO (1) WO2013113779A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107275509A (zh) * 2016-04-07 2017-10-20 三星显示有限公司 有机发光二极管
CN113346030A (zh) * 2020-03-03 2021-09-03 三星电子株式会社 发光器件和包括该发光器件的显示装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013112200B4 (de) * 2013-11-06 2017-01-05 Technische Universität Dresden Verfahren zum Herstellen eines elektrooptischen organischen Bauelementes
KR20160065553A (ko) * 2014-12-01 2016-06-09 삼성전자주식회사 유기 광전 소자 및 이미지 센서
KR20160084162A (ko) * 2015-01-05 2016-07-13 삼성전자주식회사 유기 광전 소자 및 이미지 센서
DE102015103805A1 (de) * 2015-03-16 2016-09-22 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
US9632346B2 (en) * 2015-08-27 2017-04-25 Cheeshin Technology Co., Ltd. Polymer-dispersed liquid crystal light-regulation structure
DE102016108681B4 (de) 2016-05-11 2025-10-30 Pictiva Displays International Limited Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
KR102322016B1 (ko) * 2016-06-01 2021-11-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2333897A (en) * 1998-02-02 1999-08-04 Fuji Electric Co Ltd Polychromatic organic electroluminescent device
JP2000106280A (ja) * 1998-09-28 2000-04-11 Sharp Corp 有機発光素子
JP2002324664A (ja) * 2001-04-27 2002-11-08 Ricoh Co Ltd 有機ｅｌ素子
CN1450837A (zh) * 2002-03-29 2003-10-22 三洋电机株式会社 电致发光显示装置
CN1897298A (zh) * 2005-07-01 2007-01-17 三星电子株式会社 显示装置及其制造方法
CN101766055A (zh) * 2007-07-31 2010-06-30 住友化学株式会社 有机电致发光装置及其制造方法
US20110062481A1 (en) * 2008-05-21 2011-03-17 Pioneer Corporation Organic light-emitting device
JP2012006154A (ja) * 2010-06-22 2012-01-12 Konica Minolta Holdings Inc ガスバリア性フィルム、及びそれを用いた有機素子デバイス

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3752010B2 (ja) 1995-07-04 2006-03-08 新日本石油株式会社 調光素子
EP1996342A4 (en) * 2006-02-13 2010-12-29 Solexant Corp PHOTOVOLTAIC DEVICE WITH NANOSTRUCTURED LAYERS
GB0807037D0 (en) * 2008-04-17 2008-05-21 Dupont Teijin Films Us Ltd Coated polymeric films
WO2009142763A1 (en) * 2008-05-23 2009-11-26 Swaminathan Ramesh Hybrid photovoltaic cell module
AU2010254629B2 (en) * 2009-06-02 2015-01-22 Agency For Science, Technology And Research Multilayer barrier film
US8525405B2 (en) * 2011-08-19 2013-09-03 Apple Inc. Electronic devices with flexible glass polarizers

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2333897A (en) * 1998-02-02 1999-08-04 Fuji Electric Co Ltd Polychromatic organic electroluminescent device
JP2000106280A (ja) * 1998-09-28 2000-04-11 Sharp Corp 有機発光素子
JP2002324664A (ja) * 2001-04-27 2002-11-08 Ricoh Co Ltd 有機ｅｌ素子
CN1450837A (zh) * 2002-03-29 2003-10-22 三洋电机株式会社 电致发光显示装置
CN1897298A (zh) * 2005-07-01 2007-01-17 三星电子株式会社 显示装置及其制造方法
CN101766055A (zh) * 2007-07-31 2010-06-30 住友化学株式会社 有机电致发光装置及其制造方法
US20110062481A1 (en) * 2008-05-21 2011-03-17 Pioneer Corporation Organic light-emitting device
JP2012006154A (ja) * 2010-06-22 2012-01-12 Konica Minolta Holdings Inc ガスバリア性フィルム、及びそれを用いた有機素子デバイス

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107275509A (zh) * 2016-04-07 2017-10-20 三星显示有限公司 有机发光二极管
US11145843B2 (en) 2016-04-07 2021-10-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode
CN107275509B (zh) * 2016-04-07 2021-10-26 三星显示有限公司 有机发光二极管
US11569484B2 (en) 2016-04-07 2023-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode
CN113346030A (zh) * 2020-03-03 2021-09-03 三星电子株式会社 发光器件和包括该发光器件的显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013113779A1 (de) 2013-08-08
US20140374729A1 (en) 2014-12-25
KR20140123559A (ko) 2014-10-22
DE102012201457A1 (de) 2013-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104094438A (zh) 用于制造光电子器件的方法和光电子器件
CN103875091B (zh) 发光器件和用于制造发光器件的方法
CN104685655B (zh) 光电子器件和用于制造光电子器件的方法
US9224985B2 (en) Optoelectronic component
US9960381B2 (en) Lighting device, method for producing a lighting device
US9882160B2 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
US20150027541A1 (en) Electronic component with moisture barrier layer
CN105378965A (zh) 电极和光电子器件以及用于制造光电子器件的方法
CN103650196A (zh) 有机发光器件和用于制造有机发光器件的方法
CN104521021A (zh) 具有有机层的封装器件及其制造方法
KR101650029B1 (ko) 발광 컴포넌트들과 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법
CN103563116A (zh) 光电子器件和用于制造光电子器件的方法
KR101726731B1 (ko) 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법 및 유기 광전자 컴포넌트를 패터닝하기 위한 방법
CN105409030A (zh) 用于加工电子器件的方法和电子器件装置
CN104737291B (zh) 用于制造光电子组件的方法和光电子组件
KR102080630B1 (ko) 발광 컴포넌트 및 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법
US9923173B2 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
US10236445B2 (en) Organic optoelectronic component and method for producing an organic optoelectronic component
US20170005290A1 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
US9257492B2 (en) Method for producing a passive electronic component, method for producing an optoelectronic assembly and passive electronic component
US20160268550A1 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20141008