CN1040891C - 具有高强度和高导电性的铜合金 - Google Patents
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- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 52
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 146
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 146
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 67
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 41
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 42
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 38
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 claims description 26
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 13
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 10
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 7
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical group [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 claims description 5
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 5
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 5
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003483 aging Methods 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 claims description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 6
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 230000002180 anti-stress Effects 0.000 description 10
- 238000004881 precipitation hardening Methods 0.000 description 9
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 7
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 6
- USVMJSALORZVDV-SDBHATRESA-N N(6)-(Delta(2)-isopentenyl)adenosine Chemical compound C1=NC=2C(NCC=C(C)C)=NC=NC=2N1[C@@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H]1O USVMJSALORZVDV-SDBHATRESA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 5
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XTYUEDCPRIMJNG-UHFFFAOYSA-N copper zirconium Chemical compound [Cu].[Zr] XTYUEDCPRIMJNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940123973 Oxygen scavenger Drugs 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- QZLJNVMRJXHARQ-UHFFFAOYSA-N [Zr].[Cr].[Cu] Chemical compound [Zr].[Cr].[Cu] QZLJNVMRJXHARQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000675108 Citrus tangerina Species 0.000 description 1
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017526 Cu-Cr-Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017810 Cu—Cr—Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005438 FeTi Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000004859 Gamochaeta purpurea Species 0.000 description 1
- 229910001122 Mischmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GXDVEXJTVGRLNW-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Cu] Chemical compound [Cr].[Cu] GXDVEXJTVGRLNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDXDHLDNCJPIJZ-UHFFFAOYSA-N [Zr].[Zr] Chemical compound [Zr].[Zr] SDXDHLDNCJPIJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMXTYBQNQCQHEU-UHFFFAOYSA-N ac1lawpn Chemical compound [Cr]#[Cr] RMXTYBQNQCQHEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- NMJKIRUDPFBRHW-UHFFFAOYSA-N titanium Chemical compound [Ti].[Ti] NMJKIRUDPFBRHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMTRSEDNJGMXLN-UHFFFAOYSA-N titanium zirconium Chemical compound [Ti].[Zr] PMTRSEDNJGMXLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
- C21D8/06—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of rods or wires
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/06—Alloys based on copper with nickel or cobalt as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
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Abstract
本文公开了一种含有铬,锆,钴和/或铁,以及钛等特定添加剂的铜基合金以及生产该铜合金的方法。一种工艺方法生产出具有高强度和高导电率的铜合金。另一种工艺方法生产出具有更高强度但导电率有少量降低的铜合金。
Description
本发明涉及具有高强度和高导电性的铜合金。具体地说,是涉及通过添加钴(和/或铁)及钛将铜-锆-铬基合金变成另一种适合于电气和电子应用的铜合金。
诸如连接器之类的电气元件和引线框之类的电子元件都是用铜合金制造的,以利用铜的强导电性。纯铜,例如C10200(无氧铜,铜含量最少占总重的99.95%),具有约358MPa.的以弹簧韧度(springtemper)表示的屈服强度。该强度对于要承受涉及插接和移除等强力用途中的元件来说过于脆弱。为了提高铜的强度,在铜中加入了一系列广泛的合金元素。大多数情况下,在通过合金添加剂而获得屈服强度的提高与由此引起导电率降低的结果之间要进行权衡。
在本申请全文中,合金名称例如C10200使用了“统一编号系统”中的名称。成份百分比是重量百分比,除非另有说明。
对于电气和电子应用,经常在铜中添加锆及锆和铬的混合物。例如,铜合金C15100(公称成分,0.05%-0.15%的锆,其余为铜)导电率为95%IACS(IACS代表国际韧性铜标准,其中非合金铜定义为具有导电率100%IACS)、C15100的弹簧韧度屈服强度不大于455MPa。随着为提高合金强度而进行的热处理(沉淀硬化),铜-锆金属间相从铜基上体作为分散的第二相沉淀下来。但是,C15100的屈服强度对于当前趋向小型化应用中更高强度的连接器和引线框来说仍然还是太低了。
通过在铜中添加铬和锆的混合物可以获得较高的强度。C18100(公称成份,0.4%-1.0%的铬,0.08%-0.2%的锆,0.03%-0.06%的镁,其余为铜)的导电率为80%IACS,屈服强度为462-496MPa。C18100的导电率是可以接受的,但是其屈服强度略低于所需要的强度。同样,铬含量超过铬在铜中的最大固态溶解度,对铜/铬二元合金来说约为0.65%,则会导致大量第二相扩散,从而导致低劣的表面质量和不均匀的化学蚀刻特性。
由于引线框需要高散热性以延长半导体设备寿命,而且大电流载荷的电气连接器上会产生有害的电阻发热,所以需要导电率高于70%IACS及屈服强度高于约552MPa。
在室温和升高(高达200℃)的工作温度下,合金应该具有很好的抗应力松驰性能。当外应力施加到一个金属带上时,金属产生一大小相等方向相反的内应力。如果金属保持在一已变形的位置,其内应力将以时间和温度的函数而降低。这种称之为应力松驰现象的产生,是由于通过微塑性流使金属中的弹性应变被塑性或永久应变代替的结果。铜基电气连接器经常是做成弹性接触部件形式,该部件必须在很长时间内在一配合件上保持大于一极限值的接触力。应力松驰使接触力降低到低于极限值将引起断路。因此,在电气和电子应用中的铜合金在室温和高环境温度下都应具有很高的抗应力松驰能力。
最小弯曲半径(MBR)确定了在沿弯曲外半径没有“桔皮剥落”或断裂产生的情况下,金属带可以形成弯曲的程度。MBR是引线框的一个重要性能,其外引线要弯成90°角以插入到印刷电路板上。同样,连接器也制成具有各种弯曲角度的形式。弯曲加工成形性MBR/t(其中t是金属带的厚度)是绕着它金属带可以弯曲而不产生断裂的心轴的最小曲率半径与金属厚度的比值。
在“好状况”下弯曲,即弯曲轴线垂直于金属带卷动方向进行弯曲,低于约2.5的MBR/t是理想的。“坏状况”下弯曲,即弯曲轴线平行于金属带卷动方向弯曲,低于约2.5的MBR/t是理想的。
总的来说,在电气和电子应用中理想的铜合金应该具有以下全部特性:
·导电率大于70%IACS。
·屈服强度大于522MPa
·在高达150℃温度下,抗应力松驰。
·在“好状况”和“坏状况”下,MBR/t小于2.5。
铜合金应该抗氧化而且蚀刻均匀。均匀蚀刻在被蚀刻的引线框上提供了边缘清晰和平滑的垂直引线壁面。在预净化阶段,通过电解或无电方式均匀化学蚀刻可同样提高镀层质量。
授予Akutsu等人的美国专利No.4,872,048,揭示了用于引线框的铜合金。此专利公开的铜合金含有0.05-1%的铬,0.005-0.3%的锆和或是0.001-0.05%的锂或是5-60PPm的碳。还可含有最高到约2%的各种其它添加剂。公开的两个例子为合金21(0.98%的铬,0.049%的锆,0.026%的锂,0.41%的镍,0.48%的锡,0.63%的钛,0.03%的硅,0.13%的磷,其余为铜),其拉伸强度为786MPa)、导电率为69%IACS,和合金75(0.75%的铬,0.019%的锆,30PPm的碳,0.19%的钴,0.22%的锡,0.69%的钛,0.13%的铌,其余为铜),其拉伸强度为717MPa、导电率为63%IACS。
授予Gosudarstvenny Metallov的英国专利说明书No.1,353,430,揭示了含有锡和钛的铜-铬-锆合金。合金1含有0.5%的铬,0.13%的钛,0.25%的锡,0.12%的锆,其余为铜,其拉伸强度为607-655MPa、导电率为72%IACS。
授予OLin Corporation的英国专利说明书No.1,549,107,揭示了含有铌的铜-铬-锆合金。根据工艺方法,含0.55%的铬,0.15%的锆,0.25%的铌,其余为铜的合金的屈服应力为503-634MPa、导电率为71-83%的IACS。
很明显,为满足上述要求的铜合金在已有技术领域中仍然存在一些要求。因此,本发明的目的是提供一种能满足这些要求的合金。本发明的特征在于该铜合金是一种含有特定浓度的钴和钛;铁和钛;或钴、铁和钛的铜-铬-锆合金。本发明的另一个特征在于控制钴对钛,铁对钛,或钴加铁对钛的原子百分比以提供高导电率,同时保持合金强度不变。
本发明的一个优点是要求保护的铜合金其屈服强度高于约545MPa,随着在处理中多次时效退火,屈服强度提高到约大于614MPa。本发明的另一个优点是要求保护的合金其导电率大于73%IACS,而且在一些实施方案中超过了77%IACS。本发明的第三个优点是铜合金表现极好的抗应力松驰性,置于150℃下3000小时后,依然保留95%以上的应力。本发明的第四个优点是,按照某些工艺实施方案,对于要求保护的铜合金而言,合金的MBR/t在“好状况”下约为1.8,在“坏状况”下约为2.3。
从而,提供了一种铜合金,它基本上由以下元素组成:从约0.1量至0.5wt%的铬,从约0.05至约0.25wt%的锆,从约0.1至约1wt%的M(M选自于钴,铁和其混合物),从约0.05%至约0.5wt%的钛,其余为铜。
从以下说明和附图中可更清楚地了解本发明的上述诸目的、特征和优点。
图1是含有铬,锆和钛及作为过渡金属添加剂镍的铜基合金的显微照片。
图2是含有铬,锆和钛及作为过渡金属添加剂钴的铜基合金的显微照片。
图3图解说明钴/钛重量百分比对导电率的影响。
图4以方块图示出按照本发明的含有铬,锆,钴和/或铁,以及钛的铜合金的初始工艺方法。
图5以方块图示出为获得高强度和高导电率而进一步处理铜合金的第一实施方案。
图6以方块图示出为获得极高的强度和最少的导电率损失而进一步处理铜合金的第二实施方案。
本发明的铜合金基本上由铬,锆,钴和/或铁以及钛组成。铬的含量是从通过沉淀硬化有效提高强度的量至约0.8%。锆的含量为约0.05%至约0.40%。钴的含量为约0.1%至约1%。钴的一部分或者全部可以被同重量百分比的铁或其它过渡元素所代替。钛的含量为约0.05%至约0.7%。合金的剩余部分为铜。
铬-铬在合金中的含量是从通过沉淀硬化(时效)有效提高合金强度的量至约1.0%。铬的最大含量最好为约0.5%。如果接近铬在铜合金中最大固溶度极限,则会产生粗粒的第二相沉淀。该粗粒沉淀有害于铜合金的表面质量和蚀刻及镀层特性却丝毫不会提高合金的强度。
钴,铁和钛在合金中结合形成各种各样的沉淀,该沉淀包括钴-×或铁-×,其中×主要为钛但也有一些铬和锆。如后面所述,Ti晶格结点的一部分经常被锆或铬占据。如果过量的铁,铬或钛保持未反应状态,存在于铜基的固溶体中,导电率则降低。铬可结合多余的钛以减小导电率的降低。铬的优选含量为约0.1%至约0.4%而最好铬含量为约0.25%至约0.35%。
锆-锆含量为约0.05%至约0.40%。优选的最大锆含量为0.25%。如果铬含量太低,则合金的抗应力松驰性低劣。如果锆含量过高,则形成粗颗粒,它损害合金的表面质量和蚀刻特性而不会提高强度。优选的锆含量为约0.1%至约0.2%。
铪适宜于以相同重量百分比部分或全部取代锆。与铪相关联的额外费用使得它的使用不尽人意。
过渡元素(“M”)-选自于钴,铁和其混合物的过渡元素(“M”)含量为约0.1%至约1%。尽管钴和铁通常是可相互替换的,但铁可引起强度上的略微提高(提高约27.6-34.5MPa却伴随有导电率的略微降低(降低约5-6%IACS)。如果钴和/或铁含量过高,铸造时会形成粗的第二相颗粒。粗粒沉淀损害合金的表面质量和蚀刻特性。如果钛或铬的含量不足而使得“M”保留在铜基的固溶体中,则合金的导电率降低。如果钴与/或铁的含量太低,则合金不能通过时效进行沉淀硬化而且合金的强度也就不会相应地提高。优选的钴和/或铁含量为约0.25%至约0.6%。最好是约0.3%至约0.5%。
申请人相信,部分或全部的钴和/或铁可以用镍代替。但是,尽管建议使用镍是因为镍对铜的导电率的影响,但镍仍不受青睐。如表1所示,当在纯铜的固溶体中时,镍对铜的导电率的影响比钴或铁要小。导电率从102.6%IACS的下降数值代表了导电率从目前在高纯铜中所获得的最高值的下降。
意想不到的是,当过渡金属从固溶体中沉淀下来时,如表2所示,镍比钴或铁对导电率有更坏的影响。表2中的合金是在测量标秤导电率前按照固溶退火,冷轧,在500℃下时效2小时等步骤处理的。在测量最大导电率之前,合金通过加热到500℃时效处理48小时。
表 1元素添加量 导电率 从102.6%IACS下降的(原子百分比) %IACS 导电率0.64钴 28.8 -73.80.64铁 22.3 -80.30.64镍 71.8 -30.80.64锰 48.3 -54.3
表 2
合金成份 标称 最大
(重量百分比) 导电率% IACS0.29Cr/0.19Zr/0.19Ti/0.53Co/余下Cu 75.2 850.29Cr/0.20Zr/0.23Ti/0.43Fe/余下Cu 72.0 780.31Cr/0.18zR/0.24tI/0.60nI/余下Cu 60.4 72
图1是表2所示含镍合金放大1000倍的显微照片,图2是表2所示含钴合金放大1000倍的显微照片。含镍合金中粗粒第二相沉淀增加。含钴合金中基本上没有粗粒第二相沉淀,而含有均匀分散的细小颗粒4。粗粒沉淀2是轧制或其它加工时潜在裂缝的初始位置,应该尽量避免。所以,本发明优选合金含有低于约0.25%的镍,较好是低于0.15%,最好是低于0.10%。
其它过渡元素,如铌,钒和锰也可以使用。活性不大的过渡金属(如锰)很少采用。在固溶体中残余的锰和钛会将导电率降低到不可接受的程度。铌和钒不与钛反应但可以提供能提高强度的元素弥散体。
钛-钛的含量约0.05%至约0.7%。优选的最大钛含量为0.5%。钛与“M”结合形成具有六方晶体结构的第二相沉淀。第二相主要是CoTi或FeTi形式。Ti晶格结点的一部分被锆或铬原子占据。优选的钴和/或铁对钛的比值(重量百分比)为约1.2∶1至约7.0∶1。更好的比值为约1.4∶1至约5.0∶1,最佳范围为约1.5∶1至约3∶1。如果钴,铁和钛的含量不同于优选比值,则多余量保留在铜基的固溶体中,会降低合金的导电率。图3将CoTi比值与导电率进行比较图解说明了这一影响。在比值约1.2∶1时导电率急剧下降,所以其比值应该保持高于该值。添加剂
本发明的合金通过添加少量其它元素可以使它具备适合于特殊应用的性能。添加剂数量应能有效地提高所需性能同时又不显著地降低其它所希望的性能,例如导电性或弯曲成形性。这些其它元素的总含量应低于约5%最好是低于1%。
可以添加镁以提高可焊性和焊料粘合力。镁的优选含量是约0.05%至约0.2%。镁也能提高合金的抗应力松驰特性。
通过添加硫,硒,碲,铅或铋能提高可机加工性,而不显著降低其导电性。这些提高可机加工性的添加剂在合金中形成一分离相,并不降低导电性。它们的优选含量为约0.05%至约0.5%。
去氧剂可以按优选量约0.001%至约0.1%来添加。适宜的去氧剂包括硼,锂,铍,钙和可以是单独地或作为稀土金属混合物形式的稀土金属。形成了硼化物的硼非常有益,因为它还能提高合金强度。
提高强度同时降低导电率的添加剂包括铝和锡,其添加量最高为1%。
为了降低合金成本,高达20%的铜可以用锌来替换。锌稀释剂降低成本而且使合金呈黄色。优选的锌含量为约5%至约15%。
本发明的合金可按任何适宜的工艺方法来制造。图4-6说明了了两个优选方法。图4用方块图说明了对于两个优选方法都通用的工艺步骤。图5说明了生产高强度高导电率合金的后续工艺步骤。图6用方块图说明了生产更高强度但却在导电率方面有少量牺牲的合金的另一些工艺步骤。
参考图4,通过任何适当的工艺方法来生产合金都要进行铸造(10)步骤。在一示范工艺方法中,在碳层保护下,阴极铜在硅石坩锅内熔化。然后加入所需量的钴和/或铁。紧接着向熔液中加钛,随后加铬和锆。然后将熔液倾入钢模具中铸成铸锭。
然后在轧制(12)之前,将铸锭通常加热到温度为约850℃至1050℃之间约30分钟至24小时,这至少也部分地将合金均质化。更好的是,加热到约900℃-950℃约2-3小时。
另一种方法,铸锭直接铸成薄板锭,技术上称为“板坯铸造”。该板锭的厚度为约2.5mm至约25mm(0.1-1英寸)。然后或者将铸造板坯进行冷轧,或者先进行后铸造再结晶/均质化退火处理后再进行冷轧。
在均质化(12)完成后,铸锭进行热轧(14)使减面率超过50%,优选的是减面率大约为75%至95%。在本申请中,轧制减面率是指横截面面积的减少,除非另有说明。热轧压下(14)可以按单道次轧制或要求的多道次轧制进行。紧接着最后的热轧压下(14)以后,铸锭迅速冷却到低于时效温度,典型的是在水中淬火(16)到室温以将合金元素保持在固溶体中。申请人的各工艺方法中所述的每一个淬火步骤都是优选的,但是,每个淬火步骤也可任选地用其它本技术领域熟悉的迅速冷却方法来替代。
淬火(16)完成后,两个不同程序的工艺步骤将导致合金具有略微不同的特性。图5说明了第一个工艺过程(称为“流程1”)。合金获得高强度和高导电率。第二个工艺过程(称为“流程2”)获得更高强度但同时导电率略有降低。
图5说明了流程1。合金被冷轧(18)到减面率超过25%,更好的是减面率为约60%至90%。冷轧(18)可以是单道次轧制或者是有或没有中间再结晶退火的多道次轧制。接着冷轧(18)以后,通过加热到温度为约750℃至约1050℃约30秒至约2小时使合金固溶处理(20)。优选的是,在温度约900℃至约925℃下约30秒至2分钟进行固溶处理(20)。
接下来使合金进行淬火(22),然后是冷轧(24)到最终规格尺寸。冷轧(24)减面率要超过约25%,优选范围为约60%至约90%。冷轧(24)可以是单道次轧制或者是有或没有中间再结晶退火的多道次轧制。
通过冷轧(24)合金被压下到最终规格尺寸后,通过沉淀时效(26)来提高合金强度。在加热到温度为约350℃至约600℃下使合金时效约15分钟至约16小时。优选的是,将合金加热到温度为约425℃至约525℃约1至8小时。当需要强度、导电性和可成形性为最佳组合时,使用流程1。
如果在略微降低导电率下要求更高强度,则使用如图6所示的流程2。淬火(16)(图4)以后,将合金冷轧(28)到固溶处理规格尺寸。冷轧减面率要超过约25%而优选范围为约60至90%。冷轧步骤(28)可以是单道次轧制或者是有或没有中间再结晶退火的多道次轧制。
冷轧(28)以后,加热到温度为约750℃至约1050℃使合金固溶处理(30)约15秒至约2小时。更好的是,固溶处理温度为约900℃至约925℃,时间为约30秒至约2分钟。固溶处理(30)以后,例如通过淬火(32)(通常在水中)将合金迅速冷却到低于时效温度。
然后合金进行冷轧(34)到减面率为约25%至约50%。压下可以是单道次轧制或是有中间固溶再结晶退火的多道次轧制。冷轧(34)后,在足以避免再结晶的温度条件下,合金进行时效硬化(36)。优选地温度为350℃至约600℃下进行时效(36)约15分钟至约8小时。更好的是,在温度为约450℃至约500℃下进行非再结晶沉淀硬化约2至3小时。
非再结晶时效(36)以后,合金进行冷轧(38)到减面率为约30%至约60%。冷轧步骤(38)以后,在温度范围为约350℃至约600℃约30分钟至约5小时内,可任选地进行第二次非再结晶沉淀硬化退火(40)。优选的是,在温度约450℃至约500℃下约2至4小时内进行上述任选的第二次非再结晶沉淀硬化退火(40)。任选的第二次非再结晶沉淀硬化步骤(40)的精确时间和温度是根据获得最大的合金导电率而选择的。
然后以单道次轧制或者有或没有中间再结晶退火的多道次轧制将合金冷轧(42)到最终规格尺寸,减面率为约35%至约65%。冷轧(42)以后,在温度为约300℃至约600℃下连续退火对合金进行稳定化消除应力退火(44)约10秒至约10分钟。对于罩式炉退火,在温度高达400℃下进行稳定化消除应力退火(44)约15分钟至约8小时。罩式炉退火更优选的是在约250℃至约400℃下进行约1至2小时。稳定化退火(44)以后,如果是连续退火,则合金进行淬火(46)。在罩式炉退火后一般进行淬火。流程2生产具有更高强度同时导电性损失最小的合金。
在另外一个工艺实施方案中,流程1或流程2中包括了一均质化退火过程(参看图4或代码48)。均质化退火(48)加在热轧步骤(14)和固溶处理步骤(图5中的20或图6中的30)中间,先于或后于冷轧步骤(图5中的18或图6中的28)。均质化退火(48)在温度约350℃至约750℃下进行约15分钟至约8小时。优选的是,均质化退火(48)在温度约550℃至约650℃下进行约6至8小时。
通常,用流程1制得的合金是在要求高强度高导电性和可成形性的地方使用,例如在连接器和引线框应用中。流程2则是在要求更高强度和极好的抗应力松驰性但导电率有一些可以忍受的微小损失的情况下使用的,例如用于汽车上要承受高温的电气连接器以及需要高强度的引线框。
由以下各实施例可清楚地了解本发明合金的各种优点。这些实施例只是用来示范而不是限制本发明的范围。实施例
将本发明合金的电气和机械性能与传统用于引线框和连接器的铜合金进行了比较。表3列出了合金组成。前边带星号的H,I和P是本发明的合金,而其它则为传统合金,或者是改变了优选成分以说明铬的贡献或“M”与钛的比值所起的作用而例举的合金如合金G,K和L。
表3
合金组成
| 合金 Zr Cr Co Fe Ti Mg 其它 |
| A 0.13 0.80 - - - 0.08B 0.20 0.32 - - - 0.06C 0.25 - - - - -D 0.25 0.27 0.23 - - -E 0.21 0.25 - 0.32 - -F 0.21 0.32 - - 0.21 -G 0.21 - - 0.43 0.23 -*H 0.20 0.30 0.46 - 0.24 -*I 0.20 0.29 - 0.4 3 0.23 -J 0.20 0.26 0.25 0.27 0.22 -K 0.20 0.35 0.28 - 0.24 -L 0.20 0.37 - 0.24 - 0.24M 0.19 - 0.66 - 0.23 -N - - - 0.6 - 0.05 0.18PO - 0.3 - - 0.1 - 0.02Si*P 0.20 0.3 0.5 - 0.2 -Q 0.10 - - - - -R 0.25 0.27 0.23 - - - |
A至M的各合金和P合金是用上述方法生产的。通过以下步骤制取重5.2kg(10磅)的各种合金铸锭:在碳保护层下,在硅石坩锅内熔化阴极铜,添入所需的钴和/或铁添加剂,然后加铬和钛,随后根据特殊合金的需要再加入锆和镁。然后将每种熔液倾入钢模具中,通过固化生产出厚度为4.45cm(1.75英寸)长和宽均为10.16cm(4英寸)的铸锭。合金N和O是作为具有H08(弹簧)韧度的带材而得到的商用合金。合金Q是作为商业生产的带材[具有HR04(去硬性退火)韧度]而获得的合金C15100。
表4示出了通过流程1制造的A至M各合金和R合金的电气和机械特性。合金H,I和J比基线铜锆合金(合金C)以及基线铜铬锆合金(合金B)具有更高的强度。惊奇的是,含有0.3wt%铬的合金H,I和J其屈服强度和抗拉强度却与铬含量几乎高出它们三倍的合金A大致相等。
通过合金G与合金I的对比,说明了铬对于提高导电性的作用。各合金之间在成分上唯一的明显差别是合金I中含有0.29%的铬。合金I的导电率为72.0%IACS,显著高于合金G的65.1%IACS的导电率。
(钴和/或铁)∶钛的重量比的临界值为2∶1,该值通过比值为2∶1的合金H和I与比值为1∶1的合金K和L的对比而被证明。尽管合金H和I与合金K和L的强度差不多相同,但合金K和L的导电率比另两种低20%IACS。
表4
按照流程2生产的合金的性能
| 导电率 屈服强度 抗拉强度 延伸率MBR/t合金 %IACS (GW/BW)MPa 千磅/ 千磅/平方英寸 MPa 平方英寸 |
| A 79.0 558 81 579 84 9 1.7/1.7B 77.6 517 75 545 79 8 1.4/2.3C 91.3 434 63 422 67 8 1.4/1.8D 74.7 538 78 552 80 8 1.4/1.8E 62.7 517 75 538 78 9 2.3/3.1F 36.0 565 82 593 86 9 1.8/3.1G 65.1 565 82 600 87 10 1.8/2.3*H 77.5 565 82 593 86 8 1.8/2.3*I 72.0 572 83 600 87 9 1.8/2.3J 73.3 544 79 586 85 9 1.5/1.8K 52.4 579 84 600 87 9 2.3/2.3L 56.6 614 89 634 92 10 2.3/2.3M 70.7 483 70 503 73 8 1.8/2.3R 82.0 503 73 524 76 9 1.4/1.8 |
合金D和R说明了对于某些应用,钛可以省略。铜-铬-锆-钴合金的强度与含有相当高铬的合金的强度相等。而且有更好的可成形性,蚀刻和镀敷特性。导电率比含钛合金高但强度却降低了。确信铬,锆和钴的范围与本发明的其它合金相同。
表5说明了用流程2生产时A至E,G至J各合金和R合金的诸特性。唯一不同之处是在合金C处理过程中只用单一的时效退火过程。合金C是将900℃下固溶处理30秒然后用水淬火的热轧板材冷轧到2.54cm(0.1英寸)规格尺寸。然后,合金被冷轧至50%减面率,在450℃下时效7小时后以50%减面率冷轧至最终规格尺寸0.64mm(0.025英寸)。然后,合金C在350℃下消除应力退火5分钟。
本发明的合金,H,I和J都比传统合金[(包括铬含量几乎为本发明合金三倍的商用合金C181(合金A)]具有更高的强度。另外,强度的显著提高(屈服强度提高55-83MPa)几乎没有带来导电率降低。
流程2使得本发明合金的屈服强度比二元铜锆合金(例如合金C)提高了约207MPa。通过合金G(0%的Cr)与合金I(0.29%的Cr)的导电率比较,就能明显地看到铬添加剂的益处。合金G的导电率为59.3%IACS,合金I的导电率为约75.5%IACS。
表5
按照流程2生产的合金的性能
| 导电率 屈服强度 抗拉强度延伸率 (GW/BW)合 金%IACS MPa 千磅/ 千磅/ MBR/t平方英寸 MPa 平方英寸 |
| A 81.0 558 81 565 82 7 2.2/2.4B 82.8 496 72 510 74 4 2.1/2.9C 94.4 427 62 441 64 3 1.9/3.1D 80.5 538 78 552 80 4 2.4/3.8E 70.6 531 77 545 79 3 2.8/5.2G 59.3 614 89 634 92 3 2.4/5.0*H 77.1 641 93 676 98 3 2.8/5.2*I 75.5 634 92 648 94 5 3.0/5.2J 73.7 614 89 648 94 5 2.3/5.2R 80.5 538 78 552 80 4 2.4/3.8 |
表6
应力松驰-暴露于150℃
| 屈服强度 3000小时后残余合金 处理方法MPa 千磅/应力百分比平方英寸 |
| A AGED 558 81 92A 2-IPA 558 81 87C 1-IPA 427 62 62D AGED 538 78 92E AGED 517 75 96*H AGED 565 82 95*H 2-IPA 641 93 85*I AGED 572 83 96*I 2-IPA 572 83 96J 2-IPA 621 90 96Q HD/RA 386 56 80 |
表7
引线框合金的比较
| 屈服强度 MBR/t 105℃-10 125℃-3000GW/BW合金 导电率 MPa 千磅/ 年残余应力%小时残余应力%IACS 平方英寸 (%) |
| N 77 483 70 2.0/2.5 78 75O 75 483 70 1.5/2.5 82 84*P 75 565 82 1.8/2.3 95 92 |
表6示出本发明合金的抗应力松驰性比二元铜-锆合金(合金C和Q)或三元铜-锆-铬合金(合金A)要好。表6中的第二列,
“处理类型”:
·时效=按流程1进行处理
·2-IPA=按流程2进行处理,有两次工艺退火。
·1-IPA=按流程2进行处理,删除了第二次沉淀硬化退火(图3中的40),有一次工艺退火。
本发明合金特别适合的一个应用就是如表7所示的用于电子组件的引线框。合金N和O代表传统上用于电子组件的合金。合金N为铜合金C197,合金O为C18070,一种市售的引线框合金。本发明的合金(合金P)具有相当于传统引线框合金的导电率。合金P的屈服强度显著高于合金N和O。合金P的最小弯曲半径较小而它的抗应力松驰能力显著提高。
尽管本发明合金在电气和电子应用,例如电气连接器和引线框方面特别有利,但该合金也可用于任何需要高强度和/或高导电率的设备中。这些应用包括导电棒,电线和母线。其它应用包括那些需要高导电率和抗应力松驰能力的材料,例如电焊条。
很明显,这里已经给出了按照本发明的铜合金,其特点为高强度和高导电率,特别适合于电气和电子应用,这完全符合了前文所提出的目的,方法和优点。尽管是结合具体实施方案及实施例描述本发明,但是,显然按前文所述技术进行各种更换,修改和变化,对熟悉本领域的人来说是很清楚的。因此,包括上述全部更换,修改及变化都将落入所附权利要求的精神和概括的范围之内。
Claims (22)
1.一种铜合金,其特征在于它基本上由以下成分组成:
0.1至1.0(重量)%的铬;
0.05至0.40(重量)%的锆,铪或其混合物;
从0.1至1.0(重量)%的“M”,其中“M”选自钴,铁,镍和其混合物;和
0.05至0.7(重量)%的钛,其中“M”与钛的原子比M∶Ti为1.2∶1至7.0∶1,其余为铜和不可避免杂质。
2.根据权利要求1所述的铜合金,其特征在于该合金基本上由以下成分组成:
0.1至0.5(重量)%的铬;
0.05至0.25(重量)%的锆;
从0.1至1.0(重量)%的“M”,其中“M”选自钴,铁,镍和其混合物;和
0.05至0.5(重量)%的钛,其中“M”与钛的原子比M∶Ti为1.5∶1至3.0∶1,其余为铜和不可避免杂质。
3.一种铜合金,其特征在于它基本上由以下成分组成:
0.1至1.0(重量)%的铬;
0.05至0.40(重量)%的锆,铪或其混合物。
0.1至1.0(重量)%的“M”,其中“M”选自钴,铁,镍和其混合物,含镍总量低于约0.15(重量)%;和
0.05至0.7(重量)%的钛,其余为铜和不可避免杂质。
4.根据权利要求1或3所述的铜合金,其特征在于“M”选自钴,铁和其混合物。
5.一种铜合金,其特征在于它基本上由以下成分组成:
0.1至1.0(重量)%的铬;
0.05至0.40(重量)%的锆,铪或其混合物;和
0.1至约1.0(重量)%的“M”,其中“M”选自钴,铁,镍和其混合物,其中含镍总量低于0.15(重量)%,其余为铜和不可避免杂质。
6.根据权利要求1,3或5中任一项所述的铜合金,其中所述合金中还含有不超过5(重量)%的一种或多种添加剂,该添加剂选自铌,钒,锰,镁,硫,硒,碲,铅,铋,锂,铍,钙,硼,铝,锡和单一的或混合稀土形式的稀土金属。
7.根据权利要求6所述的铜合金,其特征在于其添加剂为0.05至0.2(重量)%的镁。
8.根据权利要求1,3或5中任一项所述的合金,该合金还含有最高为20(重量)%的锌。
9.权利要求1,3或5中任一项所述的合金用作引线框。
10.权利要求1,3或5中任一项所述的合金用作电气连接器。
11.权利要求1,3或5中任一项所述的合金用作电线。
12.制造铜合金的方法,其特征在于它包括以下步骤:
a)对铜合金进行铸造(10),该合金基本上由以下成分组成:0.1至1.0(重量)%的铬,0.05至0.40(重量)%的锆,0.1至约1.0(重量)%的“M”,其中“M”选自钴,铁,镍和其混合物,0.05至约0.7(重量)%的钛,以及其余为铜和不可避免杂质;
b)将所述铜合金加热(12)以使其至少部分均质化;
c)将所述铜合金热轧(14)到减面率超过50%;
d)将所述铜合金冷轧(18)到减面率超过25%;
e)将所述铜合金固溶处理(20);
f)将所述铜合金冷轧(24)到最终规格尺寸;和
g)对所述铜合金进行沉淀时效(26)。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于至少在步骤c(14)和e(20)其中的一个步骤之后,对所述铜合金进行淬火(16、22)。
14.根据权利要求12所述的方法,其特征在于重复进行步骤d(18)和(24),在每个重复步骤之后接着进行中间再固溶再结晶退火(20)。
15.制造铜合金的方法,其特征在于它包括以下步骤:
a)对基本上由以下成分组成的铜合金进行铸造(10):0.1~1(重量)%铬,0.05~0.40(重量)%锆,最高5(重量)%的添加剂;余量为铜和不可避免杂质;
b)将所述铜合金加热(12)以使其至少部分均质化;
c)将所述铜合金热轧(14)到减面率超过50%;
d)将所述铜合金冷轧(28)到减面率超过25%;
e)将所述铜合金固溶处理(30);
f)将所述铜合金冷轧(34)到减面率为25%至50%;
g)所述铜合金在基本上可避免再结晶的足够低的温度下进行时效硬化(36);
h)将所述铜合金冷轧(42)到最终规格尺寸;和
i)通过退火将所述铜合金稳定化(44)。
16.根据权利要求15所述的方法,其特征在于步骤f(34)和g(36)至少重复一次。
17.根据权利要求14所述的方法,其特征在于至少在c,e和i其中的一个步骤之后,对所述铜合金进行淬火(16、32、46)。
18.根据权利要求12或15所述的方法,其特征在于在350℃至650℃下均质化退火15分钟至8小时。
19.根据权利要求15所述的方法,其特征在于稳定化消除应力退火步骤i是一种在300℃至600℃温度下进行10秒至10分钟的连续退火。
20.根据权利要求19所述的方法,其特征在于稳定化消除应力退火步骤i(44)是一种在250℃至400℃温度下进行1至2小时的罩式炉退火。
21.根据权利要求12或15所述的方法,其特征在于步骤a(10)是板坯铸造而且省略了步骤c(14)。
22.根据权利要求21所述的方法,其特征在于省略了步骤b(12)。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/971,499 US5306465A (en) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | Copper alloy having high strength and high electrical conductivity |
| US971,499 | 1992-11-04 | ||
| US08/135,760 US5370840A (en) | 1992-11-04 | 1993-10-18 | Copper alloy having high strength and high electrical conductivity |
| US135,760 | 1993-10-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN1101081A CN1101081A (zh) | 1995-04-05 |
| CN1040891C true CN1040891C (zh) | 1998-11-25 |
Family
ID=26833632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN93114361A Expired - Lifetime CN1040891C (zh) | 1992-11-04 | 1993-11-04 | 具有高强度和高导电性的铜合金 |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5370840A (zh) |
| EP (1) | EP0666931B1 (zh) |
| JP (1) | JP3273613B2 (zh) |
| KR (1) | KR100220990B1 (zh) |
| CN (1) | CN1040891C (zh) |
| AU (1) | AU5408694A (zh) |
| CA (1) | CA2148467A1 (zh) |
| DE (1) | DE69327470T2 (zh) |
| MX (1) | MX9306833A (zh) |
| TW (1) | TW273576B (zh) |
| WO (1) | WO1994010349A1 (zh) |
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| KR100220990B1 (ko) | 1999-09-15 |
| AU5408694A (en) | 1994-05-24 |
| EP0666931A4 (zh) | 1995-09-27 |
| JPH08503022A (ja) | 1996-04-02 |
| DE69327470T2 (de) | 2000-08-03 |
| CA2148467A1 (en) | 1994-05-11 |
| US5370840A (en) | 1994-12-06 |
| EP0666931B1 (en) | 1999-12-29 |
| KR950704520A (ko) | 1995-11-20 |
| JP3273613B2 (ja) | 2002-04-08 |
| CN1101081A (zh) | 1995-04-05 |
| TW273576B (zh) | 1996-04-01 |
| DE69327470D1 (de) | 2000-02-03 |
| WO1994010349A1 (en) | 1994-05-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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