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CN104078570A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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CN104078570A
CN104078570A CN201310109255.7A CN201310109255A CN104078570A CN 104078570 A CN104078570 A CN 104078570A CN 201310109255 A CN201310109255 A CN 201310109255A CN 104078570 A CN104078570 A CN 104078570A
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CN
China
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layer
evaporation
oxide
organic electroluminescence
electroluminescence device
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Application number
CN201310109255.7A
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周明杰
王平
黄辉
陈吉星
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Original Assignee
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Publication date
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Abstract

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层和阴极，所述电荷产生层包括n型层及p型层，所述n型层材料包括镧系氧化物及掺杂在镧系氧化物中的铯盐，所述p型材料包括金属氧化物及掺杂在所述金属氧化物中的有机硅分子，上述有机电致发光器件的发光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。然而，目前有机电致发光器件的发光效率较低。
发明内容
基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层和阴极，所述电荷产生层包括n型层及p型层，所述n型层材料包括镧系氧化物及掺杂在镧系氧化物中的铯盐；其中，镧系氧化物选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中至少一种，铯盐选自叠氮铯、碳酸铯、氧化铯及氟化铯中至少一种，所述铯盐与镧系氧化物的质量比为1:5～3:5，所述p型材料包括金属氧化物及掺杂在所述金属氧化物中的有机硅分子，所述金属氧化物选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种，所述有机硅分子选自双(2-甲基苯基)二苯基硅、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、1,3-双(三苯基硅)苯或p-双（三苯基硅）苯，所述有机硅分子与金属氧化物的质量比为1:100～2:5。
所述n型层的厚度为10nm～30nm，所述p型层的厚度为20nm～60nm。
所述第一发光层及所述第二发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。
所述第一空穴传输层及所述第二空穴传输层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种。
所述第一电子传输层及所述第二电子传输层的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
在阳极表面依次蒸镀制备空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层及第一电子传输层；
在所述第一电子传输层表面蒸镀制备电荷产生层，所述电荷产生层包括n型层及p型层，所述n型层材料包括镧系氧化物及掺杂在镧系氧化物中的铯盐；其中，镧系氧化物选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中至少一种，铯盐选自叠氮铯、碳酸铯、氧化铯及氟化铯中至少一种，所述铯盐与镧系氧化物的质量比为1:5～3:5，所述p型材料包括金属氧化物及掺杂在所述金属氧化物中的有机硅分子，所述金属氧化物选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种，所述有机硅分子选自双(2-甲基苯基)二苯基硅、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、1,3-双(三苯基硅)苯或p-双（三苯基硅）苯，所述有机硅分子与金属氧化物的质量比为1:100～2:5，蒸镀在真空压力为2×10-3～5×10-5Pa下进行，所述镧系氧化物和所述铯盐分别在两个蒸发舟中进行蒸发，所述镧系氧化物蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s，所述铯盐的蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s，所述金属氧化物和所述有机硅分子分别在两个蒸发舟中进行蒸发，所述金属氧化物的蒸发速率为1nm/s～10nm/s，所述有机硅分子的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s；及
在所述电荷产生层表面依次蒸镀形成第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层及阴极。
所述第一发光层及所述第二发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。
所述第一空穴传输层及所述第二空穴传输层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种。
所述n型层的厚度为10nm～30nm，所述p型层的厚度为20nm～60nm。
在所述阳极表面形成空穴注入层之前先对阳极进行前处理，前处理包括：将阳极进行光刻处理，裁成所需要的大小，采用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙酮各超声波清洗15min，以去除阳极表面的有机污染物。
上述有机电致发光器件及其制备方法，电荷产生层由n型层及p型层形成，其中，n型层材料包括镧系氧化物及掺杂在镧系氧化物中的铯盐，p型材料包括金属氧化物及掺杂在所述金属氧化物中的有机硅分子，n型层可阻挡电荷产生层中产生的空穴穿越到n型电子层中与电子复合损失，起到阻挡的作用，而铯盐是金属离子，所以也可以提高电子的浓度，从而提高电子再生能力，p型材料金属氧化物成膜性能好，有机硅小分子易结晶，结晶后对可见光进行散射，提高出光效率，这种电荷产生层可有效提高有机电致发光器件的发光效率。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；
图3为实施例1制备的有机电致发光器件的电流密度与流明效率关系图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的阳极10、空穴注入层20、第一空穴传输层32、第一发光层34、第一电子传输层36、电荷产生层40、第二空穴传输层52、第二发光层54、第二电子传输层56、电子注入层60和阴极70，电荷产生层40包括n型层401及p型层402。
阳极10为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）或铟锌氧化物玻璃（IZO），优选为ITO。
空穴注入层20形成于阳极10表面。空穴注入层20的材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）及五氧化二钒（V2O5）中的至少一种，优选为WO3。空穴注入层20的厚度为20nm～80nm，优选为40nm。
第一空穴传输层32形成于空穴注入层20的表面。第一空穴传输层32的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为TAPC。第一空穴传输层32的厚度为20nm～60nm，优选为30nm。
第一发光层34形成于第一空穴传输层32的表面。第一发光层34的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）及八羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，优选为BCzVBi。发光层40的厚度为5nm～40nm，优选为30nm。
第一电子传输层36形成于第一发光层32的表面。第一电子传输层36的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，优选为Bphen。第一电子传输层36的厚度为40nm～200nm，优选为60nm。
电荷产生层40形成于第一电子传输层36的表面。电荷产生层40，电荷产生层40包括n型层401及p型层402，n型层401的材料包括镧系氧化物及掺杂在镧系氧化物中的铯盐。其中，镧系氧化物选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中至少一种，铯盐选自叠氮铯、碳酸铯、氧化铯及氟化铯中至少一种，所述铯盐与镧系氧化物的质量比为1:5～3:5。所述p型材料包括金属氧化物及掺杂在所述金属氧化物中的有机硅分子，所述金属氧化物选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种，所述有机硅分子选自双(2-甲基苯基)二苯基硅、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、1,3-双(三苯基硅)苯或p-双（三苯基硅）苯，所述有机硅分子与金属氧化物的质量比为1:100～2:5。所述n型层的厚度为10nm～30nm，所述p型层的厚度为20nm～60nm。
第二空穴传输层52形成于掺杂层402的表面。第二空穴传输层52的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为TCTA。第二空穴传输层52的厚度为20nm～60nm，优选为25nm。
第二发光层54形成于第二空穴传输层52的表面。第二发光层54的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）及八羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，优选为BCzVBi。发光层40的厚度为5nm～40nm，优选为30nm。
第二电子传输层56形成于第二发光层52的表面。第二电子传输层56的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，优选为Bphen。第二电子传输层56的厚度为40nm～200nm，优选为60nm。
电子注入层60形成于第二电子传输层56表面。电子注入层60的材料选自碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）及氟化锂（LiF）中的至少一种，优选为LiF。电子注入层60的厚度为0.5nm～10nm，优选为1nm。
阴极70形成于电子注入层60表面。阴极70的材料选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中的至少一种，优选为Ag。阴极70的厚度为60nm～300nm，优选为150nm。
上述有机电致发光器件100，电荷产生层40由n型层及p型层形成，其中，n型层材料包括镧系氧化物及掺杂在镧系氧化物中的铯盐，p型材料包括金属氧化物及掺杂在所述金属氧化物中的有机硅分子，n型层可阻挡电荷产生层中产生的空穴穿越到n型电子层中与电子复合损失，起到阻挡的作用，而铯盐是金属离子，所以也可以提高电子的浓度，从而提高电子再生能力，p型材料金属氧化物成膜性能好，有机硅小分子易结晶，结晶后对可见光进行散射，提高出光效率，这种电荷产生层可有效提高有机电致发光器件100的发光效率；同时有机电致发光器件100有两个发光单元，从而具有成倍的亮度和发光效率。
可以理解，该有机电致发光器件100中也可以根据需要设置其他功能层。
请同时参阅图2，一实施例的有机电致发光器件100的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S110、在阳极表面依次蒸镀制备空穴注入层20、第一空穴传输层32、第一发光层34及第一电子传输层36。
阳极10为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）或铟锌氧化物玻璃（IZO），优选为ITO。
本实施方式中，在阳极10表面形成空穴注入层20之前先对阳极10进行前处理，前处理包括：将阳极10进行光刻处理，裁成所需要的大小，采用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙酮各超声波清洗15min，以去除阳极10表面的有机污染物。
空穴注入层20形成于阳极10的表面。空穴注入层20由蒸镀制备。空穴注入层20的材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）及五氧化二钒（V2O5）中的至少一种，优选为WO3。空穴注入层20的厚度为20nm～80nm，优选为40nm。蒸镀在真空压力为5×10-3～2×10-4Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
第一空穴传输层32形成于空穴注入层20的表面。第一空穴传输层32由蒸镀制备。第一空穴传输层32的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为TAPC。第一空穴传输层32的厚度为20nm～60nm，优选为30nm。蒸镀在真空压力为5×10-3～2×10-4Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
第一发光层34形成于第一空穴传输层32的表面。第一发光层34由蒸镀制备。第一发光层34的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）及八羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，优选为BCzVBi。发光层40的厚度为5nm～40nm，优选为30nm。蒸镀在真空压力为5×10-3～2×10-4Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
第一电子传输层36形成于第一发光层32的表面。第一电子传输层36由蒸镀制备。第一电子传输层36的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，优选为Bphen。第一电子传输层36的厚度为40nm～200nm，优选为60nm。蒸镀在真空压力为5×10-3～2×10-4Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
步骤S120、在第一电子传输层36表面蒸镀制备电荷产生层40。
电荷产生层40形成于第一电子传输层36的表面，电荷产生层40包括n型层401及p型层402，n型层401的材料包括镧系氧化物及掺杂在镧系氧化物中的铯盐。其中，镧系氧化物选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中至少一种，铯盐选自叠氮铯、碳酸铯、氧化铯及氟化铯中至少一种，所述铯盐与镧系氧化物的质量比为1:5～3:5。所述p型材料包括金属氧化物及掺杂在所述金属氧化物中的有机硅分子，所述金属氧化物选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种，所述有机硅分子选自双(2-甲基苯基)二苯基硅、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、1,3-双(三苯基硅)苯或p-双（三苯基硅）苯，所述有机硅分子与金属氧化物的质量比为1:100～2:5。所述n型层的厚度为10nm～30nm，所述p型层的厚度为20nm～60nm。蒸镀在真空压力为2×10-3～5×10-5Pa下进行，所述镧系氧化物和所述铯盐分别在两个蒸发舟中进行蒸发，所述镧系氧化物蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s，所述铯盐的蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s，所述金属氧化物和所述有机硅分子分别在两个蒸发舟中进行蒸发，所述金属氧化物的蒸发速率为1nm/s～10nm/s，所述有机硅分子的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。
步骤S130、在电荷产生层表面依次蒸镀制备第二空穴传输层52、第二发光层54、第二电子传输层56、电子注入层60和阴极70。
第二空穴传输层52形成于掺杂层402的表面。第二空穴传输层52的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为TCTA。第二空穴传输层52的厚度为20nm～60nm，优选为30nm。蒸镀在真空压力为5×10-3～2×10-4Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
第二发光层54形成于第二空穴传输层52的表面。第二发光层54的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）及八羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，优选为BCzVBi。发光层40的厚度为5nm～40nm，优选为30nm。蒸镀在真空压力为5×10-3～2×10-4Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
第二电子传输层56形成于第二发光层52的表面。第二电子传输层56的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，优选为Bphen。第二电子传输层56的厚度为40nm～200nm，优选为150nm。蒸镀在真空压力为5×10-3～2×10-4Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
电子注入层60形成于第二电子传输层56表面。电子注入层60的材料选自碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）及氟化锂（LiF）中的至少一种，优选为LiF。电子注入层60的厚度为0.5nm～10nm，优选为1nm。蒸镀在真空压力为5×10-3～2×10-4Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
阴极70形成于电子注入层60表面。阴极70的材料选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中的至少一种，优选为Ag。阴极70的厚度为60nm～300nm，优选为150nm。蒸镀在真空压力为5×10-3～2×10-4Pa下进行，蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。
上述有机电致发光器件制备方法，工艺简单，制备的有机电致发光器件的发光效率较高。
以下结合具体实施例对本发明提供的有机电致发光器件的制备方法进行详细说明。
本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为：高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
实施例1
本实施例制备的结构为ITO/WO3/TAPC/BCzVBi/TPBi/CsN3:PrO2/UGH2:MoO3/TCTA/BCzVBi/Bphen/LiF/Ag的有机电致发光器件。
先将ITO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀空穴注入层，材料为WO3，厚度为40nm；蒸镀第一空穴传输层，材料为TAPC，厚度为25nm；蒸镀第一发光层，材料为BCzVBi，厚度为30nm；蒸镀第一电子传输层，材料为TPBi，厚度为60nm；蒸镀电荷产生层，n型层为CsN3:PrO2，其中，CsN3与PrO2的质量比为7:20，厚度为15nm，p型层为UGH2:MoO3，UGH2与MoO3的质量比为3:20，厚度为35nm；蒸镀第二空穴传输层，材料为TCTA，厚度为30nm；蒸镀第二发光层，材料为BCzVBi，厚度为25nm；蒸镀第二电子传输层，材料为Bphen，厚度为150nm；蒸镀电子注入层，材料为LiF，厚度为1nm；蒸镀阴极，材料为Ag，厚度为150nm。最后得到所需要的电致发光器件。蒸镀在真空压力为8×10-5Pa下进行，金属氧化物蒸镀速率为8nm/s，有机硅分子的蒸镀速率为2nm/s，镧系氧化物的蒸镀速率为0.6nm/s，铯盐的蒸镀速率为0.2nm/s。
请参阅图3，所示为实施例1中制备的结构为ITO/WO3/TAPC/BCzVBi/TPBi/CsN3:PrO2/UGH2:MoO3/TCTA/BCzVBi/Bphen/LiF/Ag的有机电致发光器件（曲线1）与对比例制备的结构为ITO玻璃/WO3/TAPC/BCzVBi/TPBi/LiF/Ag（曲线2）的电流密度与流明效率的关系。对比例制备的有机电致发光器件中各层厚度与实施例1制备的有机电致发光器件中各层厚度相同。
从图上可以看到，在不同的电流密度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，实施例1制备的有机电致发光器件的最大流明效率为5.3lm/W，而对比例制备的有机电致发光器件的流明效率仅为4.4lm/W，而且对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降，这说明，电荷产生层由n型层及p型层形成形成，其中，n型层材料包括镧系氧化物及掺杂在镧系氧化物中的铯盐，p型材料包括金属氧化物及掺杂在所述金属氧化物中的有机硅分子，n型层可阻挡电荷产生层中产生的空穴穿越到n型电子层中与电子复合损失，起到阻挡的作用，而铯盐是金属离子，所以也可以提高电子的浓度，从而提高电子再生能力，p型材料金属氧化物成膜性能好，有机硅小分子易结晶，结晶后对可见光进行散射，提高出光效率，这种电荷产生层可有效提高有机电致发光器件的发光效率。
以下各个实施例制备的有机电致发光器件的流明效率都与实施例1相类似，各有机电致发光器件也具有类似的流明效率，在下面不再赘述。
实施例2
本实施例制备的结构为AZO/V2O5/TCTA/ADN/TPBi/Cs2CO3:Pr2O3/UGH1:WO3/NPB/ADN/Bphen/CsN3/Pt的有机电致发光器件。
先将AZO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀制备空穴注入层，材料为V2O5，厚度为80nm；蒸镀制备第一空穴传输层，材料为TCTA，厚度为60nm；蒸镀制备第一发光层，材料为ADN，厚度为5nm；蒸镀制备第一电子传输层，材料为TPBi，厚度为200nm；蒸镀电荷产生层，n型层为Cs2CO3:Pr2O3，其中，Cs2CO3与Pr2O3的质量比为3:5，,厚度为30nm，p型层为UGH1:WO3，UGH1与WO3的质量比为2:5，厚度为20nm；蒸镀制备第二空穴传输层，材料为NPB，厚度为20nm，第二发光层，材料为ADN，厚度为7nm；蒸镀制备第二电子传输层，材料为Bphen，厚度为40nm；蒸镀制备电子注入层，材料为CsN3，厚度为0.5nm；蒸镀制备阴极，材料为Pt，厚度为60nm，最后得到所需要的电致发光器件。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa下进行，金属氧化物蒸镀速率为1nm/s，有机硅分子的蒸镀速率为10nm/s，镧系氧化物的蒸镀速率为1nm/s，铯盐的蒸镀速率为1nm/s。
实施例3
本实施例制备的结构为IZO/MoO3/TAPC/Alq3/TPBi/Cs2O:Yb2O3/UGH3:V2O5/NPB/Alq3/Bphen/CsF/Al的有机电致发光器件。
先将IZO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀制备空穴注入层，材料为MoO3，厚度为20nm；蒸镀制备第一空穴传输层，材料为TAPC，厚度为30nm；蒸镀制备第一发光层，材料为Alq3，厚度为40nm；蒸镀制备第一电子传输层，材料为TPBi，厚度为200nm；蒸镀制备电荷产生层，n型层为Cs2O:Yb2O3，Cs2O与Yb2O3的质量比为1:5,厚度为10nm，p型层为UGH3:V2O5,UGH3与V2O5的质量比为1:10，厚度为60nm；蒸镀制备第二空穴传输层，材料为NPB，厚度为60nm；蒸镀制备第二发光层，材料为Alq3，厚度为30nm；蒸镀制备第二电子传输层，材料为Bphen，厚度为40nm；蒸镀制备电子注入层，材料为CsF，厚度为10nm；蒸镀制备阴极，材料为Al，厚度为300nm，最后得到所需要的电致发光器件。蒸镀在真空压力为2×10-4Pa下进行，金属氧化物蒸镀速率为10nm/s，有机硅分子的蒸镀速率为1nm/s，镧系氧化物的蒸镀速率为0.1nm/s，铯盐的蒸镀速率为0.1nm/s。
实施例4
本实施例制备的结构为IZO/V2O5/NPB/DCJTB/TAZ/CsF:Sm2O3/UGH4:MoO3/NPB/DCJTB/TAZ/Cs2CO3/Au的有机电致发光器件。
先将IZO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀制备空穴注入层，材料为V2O5，厚度为30nm；蒸镀制备第一空穴传输层，材料为NPB，厚度为50nm；蒸镀制备第一发光层，材料为DCJTB，厚度为5nm；蒸镀制备第一电子传输层，材料为TAZ，厚度为40nm；蒸镀制备电荷产生层，n型层为CsF:Sm2O3，CsF与Sm2O3的质量比为9:20，厚度为25nm，p型层为UGH4:MoO3，UGH4与MoO3的质量比为1:5，,厚度为30nm；蒸镀制备第二空穴传输层，材料为NPB，厚度为50nm，第二发光层，材料为DCJTB，厚度为5nm；蒸镀制备第二电子传输层，材料为TAZ，厚度为100nm；蒸镀制备电子注入层，材料为Cs2CO3，厚度为2nm；蒸镀制备阴极，材料为Au，厚度为180nm，最后得到所需要的电致发光器件。蒸镀在真空压力为5×10-4Pa下进行，金属氧化物蒸镀速率为6nm/s，有机硅分子的蒸镀速率为2nm/s，镧系氧化物的蒸镀速率为0.5nm/s，铯盐的蒸镀速率为0.2nm/s。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层和阴极，所述电荷产生层包括n型层及p型层，所述n型层材料包括镧系氧化物及掺杂在镧系氧化物中的铯盐；其中，镧系氧化物选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中至少一种，铯盐选自叠氮铯、碳酸铯、氧化铯及氟化铯中至少一种，所述铯盐与镧系氧化物的质量比为1:5～3:5，所述p型材料包括金属氧化物及掺杂在所述金属氧化物中的有机硅分子，所述金属氧化物选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种，所述有机硅分子选自双(2-甲基苯基)二苯基硅、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、1,3-双(三苯基硅)苯或p-双（三苯基硅）苯，所述有机硅分子与金属氧化物的质量比为1:100～2:5。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述n型层的厚度为10nm～30nm，所述p型层的厚度为20nm～60nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一发光层及所述第二发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输层及所述第二空穴传输层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一电子传输层及所述第二电子传输层的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在阳极表面依次蒸镀制备空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层及第一电子传输层；
在所述第一电子传输层表面蒸镀制备电荷产生层，所述电荷产生层包括n型层及p型层，所述n型层材料包括镧系氧化物及掺杂在镧系氧化物中的铯盐；其中，镧系氧化物选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中至少一种，铯盐选自叠氮铯、碳酸铯、氧化铯及氟化铯中至少一种，所述铯盐与镧系氧化物的质量比为1:5～3:5，所述p型材料包括金属氧化物及掺杂在所述金属氧化物中的有机硅分子，所述金属氧化物选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种，所述有机硅分子选自双(2-甲基苯基)二苯基硅、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、1,3-双(三苯基硅)苯或p-双（三苯基硅）苯，所述有机硅分子与金属氧化物的质量比为1:100～2:5，蒸镀在真空压力为2×10-3～5×10-5Pa下进行，所述镧系氧化物和所述铯盐分别在两个蒸发舟中进行蒸发，所述镧系氧化物蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s，所述铯盐的蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s，所述金属氧化物和所述有机硅分子分别在两个蒸发舟中进行蒸发，所述金属氧化物的蒸发速率为1nm/s～10nm/s，所述有机硅分子的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s；及
在所述电荷产生层表面依次蒸镀形成第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层及阴极。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一发光层及所述第二发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一空穴传输层及所述第二空穴传输层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述n型层的厚度为10nm～30nm，所述p型层的厚度为20nm～60nm。
10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在所述阳极表面形成空穴注入层之前先对阳极进行前处理，前处理包括：将阳极进行光刻处理，裁成所需要的大小，采用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙酮各超声波清洗15min，以去除阳极表面的有机污染物。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101006594A (zh) * 2004-08-20 2007-07-25 伊斯曼柯达公司 具有多层白色电致发光元件的白色有机发光二极管
US20070205411A1 (en) * 2006-03-06 2007-09-06 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence device
US20090200918A1 (en) * 2008-02-13 2009-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, and Electronic Device
CN102108080A (zh) * 2009-12-23 2011-06-29 株式会社半导体能源研究所 杂环化合物,发光元件,发光器件,电子器件和照明器件
US20120025178A1 (en) * 2010-07-28 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic Complex, Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device
US20120104369A1 (en) * 2010-10-29 2012-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Phenanthrene Compound, Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101006594A (zh) * 2004-08-20 2007-07-25 伊斯曼柯达公司 具有多层白色电致发光元件的白色有机发光二极管
US20070205411A1 (en) * 2006-03-06 2007-09-06 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence device
US20090200918A1 (en) * 2008-02-13 2009-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, and Electronic Device
CN101510586A (zh) * 2008-02-13 2009-08-19 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置及电子设备
CN102108080A (zh) * 2009-12-23 2011-06-29 株式会社半导体能源研究所 杂环化合物,发光元件,发光器件,电子器件和照明器件
US20120025178A1 (en) * 2010-07-28 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic Complex, Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device
US20120104369A1 (en) * 2010-10-29 2012-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Phenanthrene Compound, Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device

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