CH492354A - Relais magnétostatique - Google Patents

Description

  Brevet     additionnel    subordonné au brevet     principal    No 452 005    Relais     magnétostatique       Le brevet     principal    no 452     005    de     ia    titulaire  a pour objet un     relais        magnétostatique    comprenant  un     amplificateur    magnétique comportant un noyau       magnétique    saturable qui supporte un     enroulement     de travail et au moins un enroulement de com  mande, combiné à un transistor,

   caractérisé en ce que  l'émetteur du transistor est connecté directement à une  première polarité et la sortie de l'enroulement de tra  vail de l'amplificateur magnétique est reliée à travers  un redresseur traversé seulement par l'alternance posi  tive directement à la base du transistor. à laquelle est  appliquée la deuxième polarité.  



  Le temps de fonctionnement d'un tel relais,     c'est-à-          dire    l'intervalle de temps qui s'écoule entre l'instant  où l'on applique le courant de commande aux enroule  ments de commande, et l'instant où apparaît le cou  rant de sortie sur le collecteur du transistor, est infé  rieur au dixième de     milliseconde,    ce qu'on peut consi  dérer comme relativement rapide.  



  Il peut arriver, dans l'élaboration des schémas.  qu'on ait besoin d'un relais qui s'enclenche plus lente  ment que le relais selon le brevet principal (par  exemple, dont le temps d'enclenchement soit de plu  sieurs     millisecondes).    Le but de l'invention est de       fournir    un tel relais retardé à l'enclenchement.

      Le dispositif objet de l'invention est un relais       mag=nétostatique    selon la revendication du brevet prin  cipal, ce relais étant caractérisé en ce qu'il comporte  un     deuxième    transistor dont une électrode est  connectée au collecteur du premier transistor, le pre  mier transistor pouvant prendre un état conducteur et  un état bloqué, et le deuxième transistor comportant  un dispositif à retard comprenant résistances et  condensateur, de façon que, lorsque le premier tran  sistor devient conducteur, la décharge du condensateur  empêche le deuxième transistor de devenir immédiate  ment conducteur, réalisant un retard à l'enclenchement  du relais.    Le dessin annexé représente à titre d'exemple, une  forme de réalisation du relais selon l'invention.

   Dans  ces figures:  - la     fig.    1 représente le schéma d'un relais     magné-          tostatique    retardé à     l'enclechement    et,  - la     fig.    2 représente la courbe de l'élément tempo  risateur du relais, selon fie. 1.  



  Le relais     magnétostatique    retardé à l'enclenche  ment représenté sur la     fig.    1 est constitué par l'associa  tion d'un     relais        magnétostatique    normal S (cadre en       tireté),    et d'un dispositif temporisateur spécialement  conçu pour s'adapter aux caractéristiques du relais  magnétostatique.  



  Le dispositif temporisateur est connecté à la sortie  Q du relais     magnétostatique    S et est     constitué    par     un     
EMI0001.0032     
  
    transistor <SEP> T, <SEP> associé <SEP> à <SEP> un <SEP> circuit <SEP> à <SEP> retard <SEP> constitué <SEP> par
<tb>  un <SEP> condensateur <SEP> C, <SEP> placé <SEP> entre <SEP> émetteur <SEP> et <SEP> base <SEP> du
<tb>  transistor <SEP> T,, <SEP> et <SEP> par <SEP> des <SEP> résistances <SEP> R,.

   <SEP> R_, <SEP> R, <SEP> connec  tées <SEP> à <SEP> des <SEP> polarités <SEP> différentes.
<tb>  On <SEP> sait <SEP> que <SEP> le <SEP> relais <SEP> magnétostatique <SEP> S <SEP> (voir <SEP> brevet
<tb>  principal- <SEP> comprend <SEP> un <SEP> amplificateur <SEP> magnétique <SEP> dont
<tb>  la <SEP> sortie <SEP> attaque <SEP> un <SEP> montage <SEP> à <SEP> transistor <SEP> T;

   <SEP> l'amplifica  teur <SEP> magnétique <SEP> est <SEP> alimenté <SEP> à <SEP> ses <SEP> bornes <SEP> d'entrée <SEP> AB
<tb>  par <SEP> un <SEP> courant <SEP> alternatif <SEP> qui <SEP> parcourt <SEP> un <SEP> enroulement
<tb>  de <SEP> travail <SEP> n, <SEP> bobiné <SEP> sur <SEP> un <SEP> circuit <SEP> magnétique <SEP> satu  rable. <SEP> sur <SEP> lequel <SEP> sont <SEP> également <SEP> placés <SEP> plusieurs <SEP> enrou  lements <SEP> de <SEP> commande, <SEP> tels <SEP> que <SEP> n, <SEP> c,, <SEP> n_ <SEP> c_ <SEP> etc, <SEP> par  courus <SEP> par <SEP> des <SEP> courants <SEP> continus <SEP> et <SEP> un <SEP> enroulement <SEP> de
<tb>  réaction <SEP> n., <SEP> c3 <SEP> qui <SEP> peut <SEP> être <SEP> inséré <SEP> entre <SEP> les <SEP> points <SEP> P <SEP> et
<tb>  Q.

   <SEP> La <SEP> somme <SEP> algébrique <SEP> des <SEP> ampères-tours <SEP> dus <SEP> aux
<tb>  enroulements <SEP> de <SEP> commande. <SEP> détermine <SEP> un <SEP> courant <SEP> de            sortie    de     l'amplificateur        magnétique,    tel que, lorsque  ce courant de sortie dépasse une certaine valeur de  référence  
EMI0001.0036     
      le transistor est bloqué, et qu'au contraire, lorsque ce  courant de sortie est inférieur à la valeur de référence,  le transistor est passant. Le collecteur du transistor T  est polarisé négativement par un potentiel -U, à tra  vers la résistance R, du dispositif temporisateur.

   Le  collecteur du transistor T est relié à l'émetteur du tran  sistor     T,    dont le collecteur est relié à la sortie S, du  dispositif. La base du transistor T, est reliée à un point  H commun à deux résistances. l'une R., reliée à un  potentiel négatif -U. l'autre.     R.,    reliée à la terre. Le  condensateur C, a l'une de ses armatures reliée au  point F, commun à une extrémité de la résistance R, et  du collecteur du transistor T: l'autre armature G de C,  est reliée, d'une part au point H, et d'autre part. à une  extrémité de la résistance R_.

   Le dispositif temporisa  teur est ainsi placé en série avec la sortie du relais       magnétostatique    S.     Lorsque    le     relais    S est au     repos,     (donc. lorsque le transistor T est bloqué), l'émetteur du  transistor T, est donc aussi polarisé négativement au  potentiel -U, à travers R,; la base du transistor T,  (point H) est à un potentiel négatif -U,, compris entre  0 et -U, déterminé par les valeurs données aux résis  tances R_ et     R,    mais l'émetteur de T, étant plus       négatif    que la base, le transistor T, est donc     également     bloqué.

   Si l'on suppose un changement dans la somme  des ampères-tours de commande du relais S, tel que ce  dernier devienne passant. le point E prendra un poten  tiel proche de la terre. Le condensateur C, dont une  armature (F) était au potentiel -U et l'autre (G) au  potentiel -U, avec    U     >iU,       était donc chargé sous la différence de potentiel         U-U,       L'armature F qui était au potentiel -U va prendre le  potentiel terre. A l'instant du changement d'état de F,  le potentiel de G qui était plus grand que celui de F,  prend donc une valeur positive.     U-U,    par rapport à la  terre. La base du transistor prend ainsi le potentiel du  condensateur C, et devient positive par rapport à  l'émetteur qui a passé au potentiel terre.

   Le     transsistor     T, est donc toujours à l'état bloqué. Cet état se pro  longe     nuss:    !on temps que le potentiel base reste  positif: or, le condensateur C, se décharge peu à peu  dans le couple de résistance R_ et     R3,    et à mesure qu'il  se décharge, le potentiel du     point    H baisse jusqu'à  prendre une valeur     négative    proche de 0. A     l'instant       où le point H devient négatif, le transistor T, devient  passant, mais on comprend ainsi que le transistor     T,     est devenu passant après le transistor T: il y a donc eu  un retard dans l'apparition de la terre au point S" par  rapport à l'apparition au point Q.

   C'est ce que montre  le graphique de la     fig.    2. où l'on a. en abscisses, l'axe  des temps (en     millisecondes).    et en ordonnées, le  potentiel V,, de la base du transistor T, avec zéro  comme potentiel terre.  



  A     l'instant    où le     relais    S débite, le     potentiel    de la  base est positif est égal à     U-U,:    le condensateur se       déchar-2e,    et à l'instant où ce potentiel prend la valeur  nulle, il s'est écoulé un temps     t,.,    qui est le retard à  l'enclenchement du dispositif: en effet, après un temps  t," le potentiel base     devient    négatif. et     '.:    transistor T,  devient passant.  



  Le relais décrit à titre d'exemple comprend des  transistors du type     PNP;    il est cependant évident qu'il  pourrait être réalisé avec des     transis;ors    de type     NPN,     en observant les polarités convenables et en orientant  convenablement les diodes.

Claims (1)

1. REVENDICATION Relais magnétostatique selon la revendication du brevet principal. caractérisé en ce qu'il comporte un deuxième transistor dont une électrode est connectée au collecteur du premier transistor, le premier tran sistor pouvant prendre un état conducteur et un état bloqué, et le deuxième transistor comportant un dispo sitif à retard comprenant résistances et condensateur, de façon que. lorsque le premier transistor devient conducteur, la décharge du condensateur empêche le deuxième transistor de devenir immédiatement conduc teur. réalisant un retard à l'enclenchement du relais. SOUS-REVENDICATIONS 1.

   Relais selon la revendication, caractérisé par le fait que l'émetteur du deuxième transistor est relié à la sortie du premier transistor. le collecteur du deuxième transistor étant relié au circuit d'utilisation, le circuit de base du deuxième transistor étant alimenté par deux résistances reliées à des polarités différentes, la cons tante de temps étant obtenue par le condensateur placé entre l'émetteur et la base du deuxième transistor. 2. Relais selon la revendication ou la sous-revendi- cation 1, caractérisé par le fait que l'émetteur du deuxième transistor relié, d'une part.

   < à la sortie du premier transistor. est relié d'autre part. à un point commun à une armature du condensateur et à un potentiel négatif à travers une résistance. la base du deuxième transistor étant reliée à l'autre armature du condensateur, et au point commun des deux résistances dont les extrémités sont l'une à un potentiel négatif, l'autre à la terre.