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CH396228A - Verfahren zum Erzeugen einer hochdotierten p-leitenden Zone in einem Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium - Google Patents

Verfahren zum Erzeugen einer hochdotierten p-leitenden Zone in einem Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium

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Publication number
CH396228A
CH396228A CH136163A CH136163A CH396228A CH 396228 A CH396228 A CH 396228A CH 136163 A CH136163 A CH 136163A CH 136163 A CH136163 A CH 136163A CH 396228 A CH396228 A CH 396228A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
silicon
producing
semiconductor body
highly doped
particular made
Prior art date
Application number
CH136163A
Other languages
English (en)
Inventor
Emeis Reimer Dr Dipl-Phys
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH396228A publication Critical patent/CH396228A/de

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    • H10P32/16—
    • H10P95/00—
    • H10P95/50—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/033—Diffusion of aluminum
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y10T428/12583—Component contains compound of adjacent metal
CH136163A 1962-05-29 1963-02-04 Verfahren zum Erzeugen einer hochdotierten p-leitenden Zone in einem Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium CH396228A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0079661 1962-05-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH396228A true CH396228A (de) 1965-07-31

Family

ID=7508354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH136163A CH396228A (de) 1962-05-29 1963-02-04 Verfahren zum Erzeugen einer hochdotierten p-leitenden Zone in einem Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium

Country Status (3)

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CH (1) CH396228A (de)
GB (1) GB1037187A (de)

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GB1037187A (en) 1966-07-27
US3208889A (en) 1965-09-28

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