BRPI0511207A - processo de realização de uma estrutura multicamadas - Google Patents
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Abstract
PROCESSO DE REALIZAçãO DE UMA ESTRUTURA MULTICAMADAS Processo de realização de uma estrutura multicamadas que comporta, em profundidade, uma camada de separação, que consiste em realizar uma estrutura inicial multicamadas (1) que comporta um substrato de base (2), um substrato de superfície (5) e, entre o substrato de base e o substrato de superfície, uma camada absorvente (3) suscetível de absorver um fluxo de potência luminosa em pelo menos uma área e uma camada intermediária liquidificável (4) que comporta em pelo menos uma área impurezas que apresenta um coeficiente de segregação em relação ao material que constitui essa camada intermediária inferior a um; e em submeter, durante um tempo determinado e sob a forma de pelo menos um impulso, a referida estrutura inicial (1) ao referido fluxo de potência luminosa, fluxo de potência esse que está regulado de modo a produzir a liquefação de pelo menos uma parte da referida camada intermediária (4) sob o efeito da propagação da energia térmica; de modo que resulta, graças A presença inicial das referidas impurezas, uma modificação de pelo menos uma característica e/ou de pelo menos uma propriedade da referida camada intermediária (4) no final da solidificação pelo menos parcial da referida camada intermediária, tal que essa camada intermediária constitua pelo menos parcialmente uma camada de separação.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0405883A FR2870988B1 (fr) | 2004-06-01 | 2004-06-01 | Procede de realisation d'une structure multi-couches comportant, en profondeur, une couche de separation |
| PCT/FR2005/001262 WO2006000669A2 (fr) | 2004-06-01 | 2005-05-20 | Procédé de réalisation d'une structure multi-couches comportant, en profondeur, une couche de séparation. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BRPI0511207A true BRPI0511207A (pt) | 2007-11-27 |
Family
ID=34946629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BRPI0511207-9A BRPI0511207A (pt) | 2004-06-01 | 2005-05-20 | processo de realização de uma estrutura multicamadas |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7846816B2 (pt) |
| EP (1) | EP1774579B1 (pt) |
| JP (1) | JP5335237B2 (pt) |
| CN (1) | CN100444335C (pt) |
| AU (1) | AU2005256723B8 (pt) |
| BR (1) | BRPI0511207A (pt) |
| FR (1) | FR2870988B1 (pt) |
| WO (1) | WO2006000669A2 (pt) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8288684B2 (en) * | 2007-05-03 | 2012-10-16 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser micro-machining system with post-scan lens deflection |
| FR2961719B1 (fr) | 2010-06-24 | 2013-09-27 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de traitement d'une piece en un materiau compose |
| FR2965396B1 (fr) * | 2010-09-29 | 2013-02-22 | S O I Tec Silicon On Insulator Tech | Substrat démontable, procédés de fabrication et de démontage d'un tel substrat |
| RU2469433C1 (ru) * | 2011-07-13 | 2012-12-10 | Юрий Георгиевич Шретер | Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты) |
| FR2978600B1 (fr) | 2011-07-25 | 2014-02-07 | Soitec Silicon On Insulator | Procede et dispositif de fabrication de couche de materiau semi-conducteur |
| FR2980279B1 (fr) * | 2011-09-20 | 2013-10-11 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure composite a separer par exfoliation |
| CN104205293B (zh) * | 2012-03-30 | 2017-09-12 | 帝人株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| FR2991499A1 (fr) * | 2012-05-31 | 2013-12-06 | Commissariat Energie Atomique | Procede et systeme d'obtention d'une tranche semi-conductrice |
| CN106340439A (zh) * | 2015-07-06 | 2017-01-18 | 勤友光电股份有限公司 | 用于镭射剥离处理的晶圆结构 |
| DE102016000051A1 (de) * | 2016-01-05 | 2017-07-06 | Siltectra Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum planaren Erzeugen von Modifikationen in Festkörpern |
| CN108883502B (zh) * | 2016-03-22 | 2022-04-15 | 西尔特克特拉有限责任公司 | 待分裂固体的组合的激光处理 |
| EP3551373A1 (de) | 2016-12-12 | 2019-10-16 | Siltectra GmbH | Verfahren zum dünnen von mit bauteilen versehenen festkörperschichten |
| TWI631022B (zh) * | 2016-12-26 | 2018-08-01 | 謙華科技股份有限公司 | 熱印頭模組之製造方法 |
| FR3079657B1 (fr) * | 2018-03-29 | 2024-03-15 | Soitec Silicon On Insulator | Structure composite demontable par application d'un flux lumineux, et procede de separation d'une telle structure |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2506344B2 (fr) * | 1980-02-01 | 1986-07-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede de dopage de semi-conducteurs |
| US4415373A (en) * | 1981-11-17 | 1983-11-15 | Allied Corporation | Laser process for gettering defects in semiconductor devices |
| EP0858110B1 (en) * | 1996-08-27 | 2006-12-13 | Seiko Epson Corporation | Separating method, method for transferring thin film device, and liquid crystal display device manufactured by using the transferring method |
| JP2004140380A (ja) * | 1996-08-27 | 2004-05-13 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの転写方法、及びデバイスの製造方法 |
| JPH1126733A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器 |
| US6306729B1 (en) * | 1997-12-26 | 2001-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor article and method of manufacturing the same |
| JP3697106B2 (ja) * | 1998-05-15 | 2005-09-21 | キヤノン株式会社 | 半導体基板の作製方法及び半導体薄膜の作製方法 |
| JP3911929B2 (ja) * | 1999-10-25 | 2007-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| US6300208B1 (en) * | 2000-02-16 | 2001-10-09 | Ultratech Stepper, Inc. | Methods for annealing an integrated device using a radiant energy absorber layer |
| US7211214B2 (en) * | 2000-07-18 | 2007-05-01 | Princeton University | Laser assisted direct imprint lithography |
| JP2005510871A (ja) * | 2001-11-30 | 2005-04-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体装置の製造方法 |
| US6555439B1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-04-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Partial recrystallization of source/drain region before laser thermal annealing |
| US7105425B1 (en) * | 2002-05-16 | 2006-09-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Single electron devices formed by laser thermal annealing |
-
2004
- 2004-06-01 FR FR0405883A patent/FR2870988B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-05-20 CN CNB2005800218458A patent/CN100444335C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2005-05-20 EP EP05773255A patent/EP1774579B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2005-05-20 US US11/628,185 patent/US7846816B2/en active Active
- 2005-05-20 AU AU2005256723A patent/AU2005256723B8/en not_active Ceased
- 2005-05-20 BR BRPI0511207-9A patent/BRPI0511207A/pt not_active IP Right Cessation
- 2005-05-20 JP JP2007513998A patent/JP5335237B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2005-05-20 WO PCT/FR2005/001262 patent/WO2006000669A2/fr not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2006000669A3 (fr) | 2007-01-25 |
| WO2006000669A2 (fr) | 2006-01-05 |
| EP1774579B1 (fr) | 2012-05-16 |
| JP5335237B2 (ja) | 2013-11-06 |
| EP1774579A2 (fr) | 2007-04-18 |
| FR2870988A1 (fr) | 2005-12-02 |
| FR2870988B1 (fr) | 2006-08-11 |
| US7846816B2 (en) | 2010-12-07 |
| AU2005256723B2 (en) | 2011-02-10 |
| AU2005256723A1 (en) | 2006-01-05 |
| JP2008501228A (ja) | 2008-01-17 |
| CN1998071A (zh) | 2007-07-11 |
| US20090053877A1 (en) | 2009-02-26 |
| AU2005256723B8 (en) | 2011-07-28 |
| CN100444335C (zh) | 2008-12-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| B08F | Application dismissed because of non-payment of annual fees [chapter 8.6 patent gazette] |
Free format text: REFERENTE AS 6A E 7A ANUIDADES. |
|
| B08K | Patent lapsed as no evidence of payment of the annual fee has been furnished to inpi [chapter 8.11 patent gazette] |
Free format text: REFERENTE AO DESPACHO 8.6 PUBLICADO NA RPI 2158 DE 15/05/2012. |