[go: up one dir, main page]

BG67782B1 - Сдвоен микросензор на хол - Google Patents

Сдвоен микросензор на хол

Info

Publication number
BG67782B1
BG67782B1 BG113793A BG11379323A BG67782B1 BG 67782 B1 BG67782 B1 BG 67782B1 BG 113793 A BG113793 A BG 113793A BG 11379323 A BG11379323 A BG 11379323A BG 67782 B1 BG67782 B1 BG 67782B1
Authority
BG
Bulgaria
Prior art keywords
contacts
substrate
microsensor
hall
hall microsensor
Prior art date
Application number
BG113793A
Other languages
English (en)
Other versions
BG113793A (bg
Inventor
Сия ЛОЗАНОВА
Вълчева Лозанова Сия
Август ИВАНОВ
Йорданов Иванов Август
Мартин Ралчев
Лъчезаров Ралчев Мартин
Чавдар РУМЕНИН
Станоев Руменин Чавдар
Original Assignee
Институт По Роботика - Бан
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт По Роботика - Бан filed Critical Институт По Роботика - Бан
Priority to BG113793A priority Critical patent/BG67782B1/bg
Publication of BG113793A publication Critical patent/BG113793A/bg
Publication of BG67782B1 publication Critical patent/BG67782B1/bg

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07Hall effect devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

Сдвоеният микросензор на Хол съдържа тънка n-тип полупроводникова подложка (1) с форма на паралелепипед. Върху дългите й страни са формирани на равни разстояния и симетрично един срещу друг по три омични контакти - първи (2) и втори (3), трети (4) и четвърти (5), пети (6) и шести (7), като четните им номера са върху едната страна, а нечетните - на срещуположната. Първият (2) и вторият (3), и съответно петият (6) и шестият (7) контакт са свързани, като първият (2) и петият (6) контакт са съединени с изводите на един източник (8) в режим на генератор на постоянен ток. Третият (4) и четвъртият (5) контакт са диференциалният изход (9) на микросензора на Хол, като външното магнитно поле (10) е перпендикулярно на равнината на подложката (1).

Description

Област на техниката
Изобретението се отнася до сдвоен микросензор на Хол, приложимо в областта на роботиката; системите за сигурност с изкуствен интелект; квантовата комуникация; роботизираната и минимално инвазивната хирургия; слабополевата и високоточната магнитометрия; автомобилната промишленост, включително хибридните превозни средства и електромобилите; навигацията; автоматизацията в това число безконтактната автоматика; в подводните, наземните и въздушните системи за наблюдение и превенция; контратероризма и др.
Предшестващо състояние на техниката
Известен е сдвоен микросензор на Хол, съдържащ тънка n-тип полупроводникова (силициева) подложка с форма на паралелепипед. Върху дългите й страни са формирани на разстояния и симетрично един срещу друг четири двойки омични контакти, съответно първи и втори, трети и четвърти, пети и шести, седми и осми, като контактите с четни номера са върху едната страна, а нечетните - на срещуположната. Двойките първи и пети, и съответно втори и шести контакти са свързани с по един токоизточник в режим генератор на напрежение. Двойките трети и седми, и съответно четвърти и осми контакт формират два диференциални изхода. Те са съединени с неинвертиращите входове на два операционни усилватели, изходите на които са свързани с входа на инструментален усилвател с функция на суматор, изходът на който е изход на микросензора на Хол. Външното магнитно поле е перпендикулярно на равнината на подложката, [1 - 5].
Недостатък на този сдвоен микросензор на Хол е редуцираната измервателна точност поради високите стойности на паразитните изходни напрежения на двата диференциални изхода в отсъствие на магнитно поле (офсети). Основните причини са, че двойките трети и седми, и съответно четвърти и осми контакти заемат структурно асиметрично положение спрямо траекториите на двата захранващи тока в подложката. Другата причина е технологична - несъвършенства в легирането, механични напрежения от метализацията и корпусирането на чипа, пиезосъпротивление, несъосност на маските при фотолитографията, температурни градиенти и флуктуации, стареене и др. Всичко това води до намалената метрологична точност чрез офсета.
Недостатък е също усложненият интерфейс, включващ освен два отделни токоизточника, но и операционни усилватели, изпълняващи ролята на повторители на изходните сигнали - по един за двата диференциални изхода на микросензора. Холовите напреженията от двата изхода са с противоположни знаци, докато офсетите са почти еднакви по стойност и с един и същ знак. Третият усилвател е с функция на изваждане (суматор) на напреженията на Хол от изходите на първите два, като този интерфейс минимизира офсета [3, 4].
Техническа същност на изобретението
Задача на изобретението е да се създаде сдвоен микросензор на Хол, който да е с висока измервателна точност чрез компенсиране на офсета и с опростен интерфейс.
Тази задача се решава със сдвоен микросензор на Хол, съдържащ тънка n -тип полупроводникова подложка с форма на паралелепипед. Върху двете дълги страни на подложката: са формирани на равни разстояния и симетрично един срещу друг по три омични контакти - първи и втори, трети и четвърти, пети и шести, като четните им номера са върху едната страна, а нечетните на срещуположната. Първият и вторият, и съответно петият и шестият контакт са електрически свързани, като първият и петият контакт са съединени е изводите на източник в режим на генератор на постоянен ток. Третият и четвъртият контакт са диференциалният изход на микросензора на Хол като външното магнитно поле е перпендикулярно на равнината на подложката.
Предимство на изобретението е повишената измервателна точност поради съществено минимизирания офсет на изхода от симетрично разположените двойки изходни контакти, спрямо токовите траектории между първите и третите електроди. При това третият и четвъртият терминал са разположени по средата между захранващите контакти и са структурно симетрични спрямо токовите линии.
Предимство е също опростената схема на захранване, съдържаща само един източник на постоянен ток и отпада необходимостта от интерфейса, съдържащ операционни усилватели, тъй като офсетите са компенсирани чрез структурната симетрия на сензора и разположението им спрямо токовите линии.
Предимство е още температурната стабилизация на изхода, запазваща стойността на магниточувствителността в определен температурен диапазон АТ, когато микросензорът на Хол функционира в режим на генератор на постоянен ток.
Предимство е и намаленият брой контакти - от осем на шест, подобряващ пространствената резолюция на конфигурацията.
Пояснение на приложената фигура
По-подробно изобретението се пояснява с едно негово примерно изпълнение, дадено на приложената фигура 1, представляваща схематичен план на сдвоения микросензор на Хол.
Примери за изпълнение на изобретението
Сдвоеният сензор на Хол, съдържа тънка n -тип полупроводникова подложка 1 с форма на паралелепипед. Върху двете дълги страни на подложката 1 са формирани на равни разстояния и симетрично един срещу друг по три омични контакти - първи 2 и втори 3, трети 4 и четвърти 5, пети 6 и шести 7, като четните им номера са върху едната страна, а нечетните - на срещуположната. Първият 2 и вторият 3, и съответно петият 6 и шестият 7 контакт са електрически свързани, като първият 2 и петият 6 контакт са съединени с изводите на източник 8 в режим на генератор на постоянен ток. Третият 4 и четвъртият 5 контакт са диференциалният изход 9 на микросензора на Хол, като външното магнитно поле 10 е перпендикулярно на равнината на подложката 1.
Действието на сдвоения микросензор на Хол, съгласно изобретението, е следното. При включване на контакти 2 - 3 и 6 - 7 към генератора на постоянен ток 8 и симетричното разположение на изходните контакти 4 и 5 спрямо захранващите 2 и 6, и съответно 3 и 7, в тънката n -тип подложка 1 протичат два еднакви и съпосочни токови компонента 12,6 = 13,7, фигура 1. Траекториите на токове 12,6 и 13,7 са криволинейни. Тази особеност е в резултат на еквипотенциалността на омичните електроди 2 и 6 и съответно 3 и 7 в отсъствие на магнитно поле В 10. Токовите линии 12,6 и 13,7 първоначално са насочени вертикално навътре в подложката 1, след което стават успоредни на дългите срещуположни страни. В резултат на равенството на разстоянията между електроди 2 - 4 - 6 и 3 - 5 - 7, и еднаквите по стойност компоненти 12,6 = 13,7, потенциалите върху захранващите контакти 2 и 5, и съответно 3 и 7 имат едни и същи стойности, V2 = V5, и V3 = V7. Същевременно изходните терминали на микросензора на Хол 4 и 5 са разположени по средите между електроди 2 - 6 и съответно 3 - 7. В конкретния случай двете конфигурации контакти 2 - 4 - 6 и 3 - 5 - 7 формират два триконтактни елемента на Хол с равнинна чувствителност [6]. Те са разположени в обща преобразувателна зона. Така физическите свойство на сензорния обем в подложката 1 са едни и същи и за двата елемента.
Следователно при равни токове 12,6 = 13,7 и електрическото свързване на първия 2 с втория 3 и съответно на петия 6 с шестия 7 контакт, води до максимално усредняване и компенсиране на потенциалите между двата извода 4 и 5 на изхода 9 на конфигурацията за нулево поле В = 0, 10. Ето защо офсетът чрез това иновативно свързване е съществено компенсиран. По тези причини измервателната точност е повишена за целите на слабополевата и високоточната магнитометрия. Същевременно използването на един токоизточник вместо два опростява захранването на сдвоения микросензор, фигура 1.
Наличието на външно магнитно поле В # 0, 10 води до възникване на странично отклонение от силите на Лоренц, Fщ = qVdr х В в равнината на подложката 1 на движещите се носители от компоненти 12,6 и 13,7, където q е елементарният товар на електрона, a Vdr е векторът на средната дрейфова скорост на електроните. В резултат на специфичната сензорна конструкция и посоките на полето В 10 и токовете 12,6 и 13,7, Лоренцовото отклонение FL на успоредните токови линии на дългите странични повърхности за едната компонента, напрмер 12,6, е в режим на „свиване”, а за другата 13,7 - в режим на „разширяване”. Това води до генериране на допълнителни потенциали с противоположен знак в областите, където са разположени изходните контакти 4 и 5. Така възникналото напрежение на Хол VH9(B) на изхода 9 е метрологичният индикатор за индукцията В и посоката на магнитното поле В 10. Съгласно Фигура 1, захранването на микросензора е само с един токоизточник вместо с два, както е при известното решение. Също отсъства обработващ изходното напрежение Vh9(B) 9 интерфейс. Тази опростена схемотехника разширява практическата приложимост на сдвоения сензор на Хол.
При захранване с токоизточник 8 в режим генератор на постоянен ток 18 = const се осъществява съществено редуциране на температурното изменение на съпротивлението R(T), на подложката 1, респективно дрейфът на офсета. Температурната стабилизация на магниточувствителността S на двата обединени триконтактни сензорни елемента е в резултат на захранващия режим генератори на постоянен ток 12,6 = const и 13,7 = const. Този режим запазва постоянство на концентрацията n 0 на електроните в транспортния процес, както и минимизиране на температурното изменение на подвижността μn(Т) им. Така се постига непроменена в първо приближение чувствителност в широк температурен обхват ΔТ без каквито и да са допълнителни електронни схеми и компоненти. Повишената точност увеличава метрологичната резолюция за детектиране на минималната стойност на магнитната индукция В min. Анализът показва, че сдвоеният микросензор на Хол в действието си демонстрира дуализъм. От една страна активизирането е с ортогонално на подложката 1 магнитно поле В 10, но от друга - функционирането е като равнинно-чувствителния (вертикален) триконтактен елемент на Хол, [1 - 6]. Практическата целесъобразност на това комбинирано свойство е, че дебелината на корпуса заедно с микросензора в посока на магнитното поле е минимална, в сравнение с равнинно-чувствителните Холови модификации. Този дуализъм разширява конструктивните решения в автоматизацията на процесите.
Неочакваният положителен ефект на новото техническо решение е в опростените електрически връзки, обединяващи и компенсиращи различаващи се потенциали на двойката изходни контакти 4 и 5, редуциращи офсетът. При това захранването е опростено. Режимът генератор на ток запазва магниточувствителността в широки температурни граници.
Сензорната конфигурация на Хол може да се осъществи с различните модификации на интегралната силициева технология - CMOS, BiCMOS, SOS, а при необходимост може да се използват микромашининг процеси. Тънката правоъгълна n -тип силициева пластина 1 може да се ограничи чрез вграждане плътно около нея на p -тип правоъгълен ринг. Така ще се минимизира разтичането по повърхността на структурата 1 на захранващите токове.
Новата конфигурация от фигура 1 е работоспособна и в областта на ниските температури, например, температурата на кипене на течния азот Т = 77 К. Това разширява сферата на приложимост за целите на криотрониката, особено в слабополевата магнитометрия и контратероризма. За още по-висока чувствителност в геофизиката на земния магнетизъм, чипът 1 с конфигурацията на Хол може да се разположи между два еднакви продълговати концентратори на магнитното поле В 12 от ферит или μ-метал.

Claims (1)

  1. Патентни претенции
    1. Сдвоен микросензор на Хол, съдържащ тънка n-тип полупроводникова подложка с форма на паралелепипед и токоизточник, върху двете дълги страни на подложката са реализирани на разстояния и симетрично един срещу друг двойки омични контакти, като четните им номера са върху едната страна, а нечетните на срещуположната, като външното магнитно поле е перпендикулярно на равнината на подложката, характеризиращ се с това, че двойките омични контакти са три - първи (2) и втори (3), трети (4) и четвърти (5), пети (6) и шести (7) като са формирани на равни разстояния, първият (2) и вторият (3), и съответно петият (6) и шестият (7) контакт са електрически свързани, като първият (2) и петият (6) са съединени с изводите на тоизточник (8), който е един и е в режим генератор на постоянен ток, а третият (4) и четвъртият (5) контакт са диференциалният изход (9) на микросензора на Хол.
BG113793A 2023-10-11 2023-10-11 Сдвоен микросензор на хол BG67782B1 (bg)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG113793A BG67782B1 (bg) 2023-10-11 2023-10-11 Сдвоен микросензор на хол

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG113793A BG67782B1 (bg) 2023-10-11 2023-10-11 Сдвоен микросензор на хол

Publications (2)

Publication Number Publication Date
BG113793A BG113793A (bg) 2025-04-30
BG67782B1 true BG67782B1 (bg) 2025-08-29

Family

ID=96300764

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BG113793A BG67782B1 (bg) 2023-10-11 2023-10-11 Сдвоен микросензор на хол

Country Status (1)

Country Link
BG (1) BG67782B1 (bg)

Also Published As

Publication number Publication date
BG113793A (bg) 2025-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BG67782B1 (bg) Сдвоен микросензор на хол
BG67509B1 (bg) Магниточувствително устройство
BG67784B1 (bg) Сензорна конфигурация на хол
BG67558B1 (bg) Микросензор на хол с повече от един изход
BG67737B1 (bg) Конфигурация на хол с повече от един изход
BG67820B1 (bg) Вертикален елемент на хол
BG67732B1 (bg) Елемент на хол
BG67551B1 (bg) Двуосен магниточувствителен сензор, съдържащ елементи на хол
BG67775B1 (bg) Двумерен микросензор за магнитно поле
BG67723B1 (bg) Интегрален сензор на хол с равнинна чувствителност
BG67793B1 (bg) 2-d векторен магнитометър
BG67769B1 (bg) Векторен 2-d сензор за магнитно поле
BG113845A (bg) Вертикален микросензор на хол
BG67208B1 (bg) Сензор за магнитно поле
BG67384B1 (bg) Микросензор на хол с равнинна чувствителност
BG67298B1 (bg) Сензор на хол с равнинна чувствителност
BG67643B1 (bg) Равнинно-магниточувствителен сензор на хол
BG67383B1 (bg) Равнинно-магниточувствително устройство на хол
BG112848A (bg) Полупроводниково устройство на хол
BG67386B1 (bg) Интегрален сензор на хол с равнинна чувствителност
BG67381B1 (bg) Електронно устройство с равнинна магниточувствителност
BG67507B1 (bg) Магниточувствителен микросензор
BG67425B1 (bg) Интегрален сензор на хол
BG113275A (bg) Равнинно-магниточувствителен елемент
BG67188B1 (bg) Магниточувствителен елемент