BG66497B1 - A three-component magnetometer - Google Patents
A three-component magnetometer Download PDFInfo
- Publication number
- BG66497B1 BG66497B1 BG110879A BG11087911A BG66497B1 BG 66497 B1 BG66497 B1 BG 66497B1 BG 110879 A BG110879 A BG 110879A BG 11087911 A BG11087911 A BG 11087911A BG 66497 B1 BG66497 B1 BG 66497B1
- Authority
- BG
- Bulgaria
- Prior art keywords
- contacts
- type
- rectangular
- magnetic field
- component
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
Description
(54) ТРИКОМПОНЕНТЕН МАГНИТОМЕТЪР(54) THREE-COMPONENT MAGNETOMETER
Област на техникатаField of technology
Изобретението се отнася до трикомпонентен магнитометър, измерващ едновременно и независимо трите взаимноперпендикулярни компоненти на вектора на магнитното поле, приложимо в областта на системното инженерство - включително биоинженерство и биопроцеси, слабополевата магнитометрия, сензориката, роботиката, микро- и нанотехнологиите, електромобилите за определяне на енергийния им разход, пространственото позициониране на обекти включително сателити и подводници, безконтактното измерване на ъглови и линейни премествания, комугиране на тока в трифазните микромотори, автоматичното управление, мехатрониката, контролно-измервателната технология, включително вибрационни измервателни системи, биомедицинските изследвания, в това число Лоренцова спектроскопия, военното дело, сигурността, антитерористичната дейност и др.The invention relates to a three-component magnetometer measuring simultaneously and independently the three mutually perpendicular components of the magnetic field vector applicable in the field of systems engineering - including bioengineering and bioprocesses, low-field magnetometry, sensors, robotics, micro- and nanotechnology cost, spatial positioning of objects including satellites and submarines, non-contact measurement of angular and linear displacements, current switching in three-phase micromotors, automatic control, mechatronics, control and measurement technology, including vibration measuring systems, biomedical research, including Loco military affairs, security, anti-terrorist activity, etc.
Предшестващо състояние на техникатаBACKGROUND OF THE INVENTION
Известен е трикомпонентен магнитометър, съдържащ силициева (полупроводникова) под ложка с п-тип проводимост, върху едната страна на която е обособена квадратна област със същата проводимост чрез имплантиране на обграждащ я р-тип квадратен ринг. Върху тази квадратна п-тип силициева област са формирани осем омични контакти. Четири оттях сазахранващи и се намират по върховете на квадратната η-силициева област като двойките диагонално разположени контакти са свързани помежду си и всяка двойка е съединена съответно с двата извода на токоизточник. Останалите четири омични контакти са изходни, намират се между захранващите и са разположени по средите на всяка от четирите страни на квадратната п-тип област. Двойките срещуположни изходни контакти са диференциални изходи задаете взаимно перпендикулярни компоненти на магнитното поле, лежащи в равнината на пполупроводниковата подложка. Съответните двойки изходни контакти, разположени в съседство до четирите върха на квадратната п-област са свързани с входовете на операционен усилвател, който събира и разделя на две напреженията, генерирани върху тези контакти от ортогоналната на п-подложката компонента на вектора на магнитното поле. Изходът на операционния усилвател е изход за третата, оргогонална на пподложката компонента на магнитното поле, като посоката на измерваното магнитно поле е произволна спрямо трикомпонентния магнитометър [1, 2].A three-component magnetometer is known, containing a silicon (semiconductor) under a spoon with p-type conductivity, on one side of which there is a square area with the same conductivity by implanting a surrounding p-type square ring. Eight ohmic contacts are formed on this square n-type silicon region. Four of them are co-supplied and are located at the vertices of the square η-silicon region, as the pairs of diagonally arranged contacts are connected to each other and each pair is connected respectively to the two terminals of the current source. The other four ohmic contacts are output, located between the power supplies and located in the middle of each of the four sides of the square n-type area. The pairs of opposite output contacts are differential outputs set mutually perpendicular components of the magnetic field lying in the plane of the semiconductor substrate. The respective pairs of output contacts located adjacent to the four vertices of the square n-region are connected to the inputs of an operational amplifier, which collects and divides into two the voltages generated on these contacts by the orthogonal component of the magnetic field vector. The output of the operational amplifier is the output for the third, orgogonal to the substrate component of the magnetic field, as the direction of the measured magnetic field is arbitrary relative to the three-component magnetometer [1, 2].
Този трикомпонентен магнитометър има усложнена конструкция, изискваща осем на брой контакти както и операционен усилвател за екстракция на сигнала за ортогоналната към пполупроводниковата подложка магнитна компонента.This three-component magnetometer has a complex design requiring eight contacts as well as an operational amplifier for signal extraction for the magnetic component orthogonal to the semiconductor substrate.
Друг недостатък е паразитното междуканално влияние при измерване на отделните компоненти на магнитното поле, силно изразено при по-високи стойности на магнитната индукция, свързано основно с едновременното използване на едни и същи омични контакти в два изходни канала на магнитометъра.Another disadvantage is the parasitic interchannel influence when measuring the individual components of the magnetic field, strongly expressed at higher values of magnetic induction, associated mainly with the simultaneous use of the same ohmic contacts in two output channels of the magnetometer.
Техническа същност на изобретениетоTechnical essence of the invention
Задача на изобретението е да се създаде трикомпонентен магнитометър с опростена конструкция чрез намаляване броя на омичните контакти, изходите за трите магнитни компоненти да са директни, като отпадне необходимостта от допълнителна екстракция на сигналите чрез операционен усилвател и да е с редуцирано паразитно влияние между отделните изходни канали.The objective of the invention is to create a three-component magnetometer with a simplified design by reducing the number of ohmic contacts, the outputs for the three magnetic components are direct, eliminating the need for additional signal extraction through an operational amplifier and reduced parasitic influence between the individual output channels .
Тази задача се решава с трикомпонентен магнитометър, съдържащ полупроводникова подложка с п-тип проводимост, върху едната страна на която е обособена правоъгълна п-полупроводникова област чрез имплантиране на обграждащ я р-тип правоъгълен ринг. Върху правоъгълната птип област са формирани на разстояния шест правоъгълни омични контакти - първи, втори, трети, четвърти, пети и шести. В близост до двете къси страни на правоъгълната п-тип област са разположени два по два първият и вторият, и съответно третият и четвъртият омични контакти. Първият и вторият контакти са успоредни на едната къса страна, а третият и четвъртият са перпендикулярни на другата къса страна. В средната част на правоъгълната п-тип полупроводникова област, в близост и успоредно на дългите й страни саThis problem is solved with a three-component magnetometer containing a semiconductor substrate with p-type conductivity, on one side of which is a rectangular n-semiconductor region by implanting a surrounding p-type rectangular ring. Six rectangular ohmic contacts are formed at a distance on the rectangular ptip area - first, second, third, fourth, fifth and sixth. Near the two short sides of the rectangular n-type area are located two by two the first and second, and respectively the third and fourth ohmic contacts. The first and second contacts are parallel to one short side, and the third and fourth are perpendicular to the other short side. In the middle part of the rectangular p-type semiconductor region, near and parallel to its long sides are
66497 Bl разположени съответно петият и шестият омични контакти. Двойките първият и вторият; както третият и четвъртият контакт през четири еднакви по стойност товарни резистори са свързани съответно с двата извода на токоизточник. Измерваното външно магнитно поле е с произволна ориентация спрямо п-тип полупроводниковата подложка. Диференциалните изходи за двете взаимно перпендикулярни равнинни компоненти на магнитното поле са директни и се образуват от успоредните на тези векторни компоненти двойки омични контакти - първият и вторият, и съответно третият и четвъртият, а петият и шестият контакт са директният диференциален изход за ортогоналната към п-тип подложка компонента на магнитното поле.66497 Bl located the fifth and sixth ohmic contacts, respectively. The pairs first and second; both the third and fourth contacts through four identical load resistors are connected to the two terminals of the current source, respectively. The measured external magnetic field has an arbitrary orientation relative to the n-type semiconductor substrate. The differential outputs for the two mutually perpendicular plane components of the magnetic field are direct and are formed by pairs of ohmic contacts parallel to these vector components - the first and second, and respectively the third and fourth, and the fifth and sixth contacts are the direct differential output for the orthogonal p. pad type component of the magnetic field.
Предимство на изобретението е опростената му конструкция поради намаления брой омични контакти и отпадане необходимостта от специална екстракция чрез операционен усилвател на сигнала за ортогоналната към п-тип подложка магнитна компонента.An advantage of the invention is its simplified construction due to the reduced number of ohmic contacts and eliminating the need for special extraction by means of an operational signal amplifier for the orthogonal to the p-type substrate magnetic component.
Друго предимство е редуцираното паразитно междуканално влияние при измерване на отделните магнитни компоненти, поради регламентираната от конструкцията функция на всяка двойка омични контакти да регистрира само една от трите взаимноперпевдикулярни компоненти на вектора на магнитното поле.Another advantage is the reduced parasitic interchannel influence when measuring the individual magnetic components, due to the design function of each pair of ohmic contacts regulated by the design to register only one of the three mutually perpendicular components of the magnetic field vector.
Пояснение на приложената фигураExplanation of the attached figure
По-подробно изобретението се пояснява с едно негово примерно изпълнение, дадено на приложената фигура 1.The invention is illustrated in more detail by one of its embodiments given in the attached figure 1.
Примери за изпълнение на изобретениетоExamples of the invention
Трикомпонентният магнитометър съдържа полупроводникова подложка 1 с п-тип проводимост, върху едната страна на която е обособена правоъгълна η-полупроводникова област 2 чрез имплантиране на обграждащ я р-тип правоъгълен ринг 3. Върху правоъгълната п-тип област 2 са формирани на разстояния шест правоъгълни омични контакти - първи 4, втори 5, трети 6, четвърти 7, пети 8 и шести 9. В близост до двете къси страни на правоъгълната п-тип област 2 са разположени два по два първият 4 и вторият 5, и съответно третият 6 и четвъртият 7 омични контакти. Първият 4 и вторият 5 контакти са успоредни на едната къса страна, а третият 6 и четвъртият 7 са перпендикулярни на другата къса страна. В средната част на правоъгълната п-тип полупроводникова област 2 в близост и успоредно 5 на дългите й страни са разположени съответно петият 8 и шестият 9 омични контакти. Двойките, съставени от първия 4 и втория 5, както от третия 6 и четвъртия 7 контакт през четири еднакви по стойност товарни резистора 10, 11, 12 и 13 са 10 свързани съответно с двата извода на токоизточникThe three-component magnetometer comprises a semiconductor substrate 1 with p-type conductivity, on one side of which is a rectangular η-semiconductor region 2 by implanting a surrounding p-type rectangular ring 3. On the rectangular p-type region 2 are formed at distances six rectangular ohmic contacts - first 4, second 5, third 6, fourth 7, fifth 8 and sixth 9. Near the two short sides of the rectangular n-type area 2 are located two by two the first 4 and the second 5, and respectively the third 6 and the fourth 7 ohmic contacts. The first 4 and second 5 contacts are parallel to one short side, and the third 6 and fourth 7 are perpendicular to the other short side. In the middle part of the rectangular n-type semiconductor region 2 near and parallel 5 on its long sides are located respectively the fifth 8 and the sixth 9 ohmic contacts. The pairs consisting of the first 4 and the second 5, as well as the third 6 and the fourth 7 contact through four equal in value load resistors 10, 11, 12 and 13 are 10 connected respectively to the two terminals of the current source
14. Измерваното външно магнитно поле 15 е с произволна ориентация спрямо п-тип полупроводниковата подложка 1. Диференциални изходи 16 и 17 задаете взаимно перпендикулярни равнинни 15 компоненти на магнитното поле 15 са директни и се образуват от успоредните на тези векторни компоненти двойки омични контакти - първия 4 и втория 5, и съответно третия 6 и четвъртия 7, а петият 8 и шестият 9 контакт са директният диференциален 20 изход 18 за ортогоналната към п-тип подложка 1 компонента на магнитното поле 15.14. The measured external magnetic field 15 has an arbitrary orientation to the n-type semiconductor substrate 1. Differential outputs 16 and 17 set mutually perpendicular plane 15 components of the magnetic field 15 are direct and are formed by parallel to these vector components pairs of ohmic contacts - the first 4 and the second 5, and respectively the third 6 and the fourth 7, and the fifth 8 and the sixth 9 contact are the direct differential output 20 18 for the orthogonal to the p-type substrate 1 component of the magnetic field 15.
Действието на трикомпонентния магнитометър съгласно изобретението е следното.The operation of the three-component magnetometer according to the invention is as follows.
При включване на двойките омични контакти 25 4 и 5, и 6 и 7 през еднаквите по стойност товарни резистори R, 10, R2 11, R, 12 и R413 (R, = R2 - R, = R4) към токоизточника 14, в правоъгълната п-тип област 2, вследствие структурната и електрическата й симетрия, протичат четири еднакви по стойност 30 компоненти 14,15, ζ и 17 на захранващия ток 7 , като I, + 1. + I, + I = I В зоните в обема под контактите 4,5,6 и 7, в отсъствие на магнитно поле В 15, В = 0, тези токове са перпендикулярни на горната повърхност на правоъгълната п-област 2.When the pairs of ohmic contacts 25 4 and 5, and 6 and 7 are connected through the same value load resistors R, 10, R 2 11, R, 12 and R 4 13 (R, = R 2 - R, = R 4 ) to current source 14, in the rectangular n-type area 2, due to its structural and electrical symmetry, four identical in value 30 components 1 4 , 1 5 , ζ and 1 7 of the supply current 7, such as I, + 1. + I, + I = I In the zones in the volume below contacts 4,5,6 and 7, in the absence of magnetic field B 15, B = 0, these currents are perpendicular to the upper surface of the rectangular n-region 2.
В останалата част от обема на областта 2 захранващият ток 1 е успореден на горната й повърхност. По причина на симетрията на този тримерен векторен сензор и в отсъствие на при полето В 15 на двата сензорни изхода Vx(Bx) 16 иIn the rest of the volume of the area 2, the supply current 1 is parallel to its upper surface. Due to the symmetry of this three-dimensional vector sensor and in the absence of at field B 15 of the two sensor outputs V x (B x ) 16 and
Vy(By) 17 отсъстват влошаващите метрологията офсети. В случай на офсет/офсети чрез подбор на един или два от товарните резистори R, 10, R211, Rj 12 и R413 или чрез тримиране се постига пълно компенсиране на нежеланите паразитни напрежения на изходите 16 и 17 при поле В - 0. В резултат на симетрично разположените по отношение на надлъжната осова линия на правоъгълната п-област 2 контакти 8 и 9, протичането на тока I ( в отсъствие на магнитно поле В 15, В = 0, не следва 50 да генерира на изхода 18 паразитно напрежениеV y (B y ) 17 there are no metrology-deteriorating offsets. In the case of offset / offsets, by selecting one or two of the load resistors R, 10, R 2 11, Rj 12 and R 4 13 or by trimming, complete compensation of the unwanted parasitic voltages at the outputs 16 and 17 is achieved at field B - 0. As a result of the contacts 8 and 9 symmetrically arranged with respect to the longitudinal axis of the rectangular n-region 2, the current I ( in the absence of magnetic field B 15, B = 0, should not 50 generate a spurious voltage at output 18
66497 Bl (офсет). Възникналите офсети на трите сензорни изхода 16,17 и 18 могат също да се компенсират и при последващата електронна обработка на сигналите.66497 Bl (offset). The resulting offsets of the three sensor outputs 16, 17 and 18 can also be compensated by the subsequent electronic signal processing.
Когато се измерва външното магнитно поле В 15 с произволна ориентация спрямо полупроводниковата подложка 1, двете му равнинни взаимноперпендикупярни компоненти Вх и Ву чрез съответните сили на Лоренц FLx=qVdrBx и FLy = qVd Ву отклоняват странично движещите се със скорост Vdr електрони, където q е елементарният електрически товар, a Vdr е дрейфовата скорост на токоносителите [3]. Магнитният вектор Вх отклонява електроните в равнината у-z, а вакторът Ву - в равнината x-z. Тези латерални отклонения са към повърхностните зони, където са разположени двойките контакти 4 и 5, и съответно 6 и 7. Именно там се генерира ефект на Хол, т.е. формират се електрически товари с противоположен знак, и възниква поле на Хол Ен, което се стреми да компенсира силата на Лоренц FL. В нашия случай, обаче напрежението на Хол VH е възможно да се регистрира само при наличие на товарните резистори R1 10, R2 И, R3 12 и R413. Ако резисторите отсъстват, ефектът на Хол ще бъде във формат ток на Хол 1н, а не напрежение на Хол VH, [3]. Стойността на тези резистори трябва да бъде най-малко на порядък по-голяма от съпротивлението между омичните контакти 4 и 5,6 и 7. В резултат върху изходните контакти 4 и 5, и съответно 6 и 7 се развиват линейните и нечетни напрежения на Хол V (В) 16 и V„(B) 17. Тези два Холови сигнала формират двата директни диференциални изхода Vx(Bx) 16 и Vy(By) 17 на магнитометъра. Успоредността на контактите 4 и 5, и съответно 6 и 7 спрямо взаимноперпендикулярните равнинни магнитни компоненти В и В обезпечава х у максимално по стойност регистриране на Ходовите напрежения Vx(Bx) 16 и Vy(By) 17.When measuring the external magnetic field B 15 with an arbitrary orientation relative to the semiconductor substrate 1, its two planar mutually perpendicular components B x and B y by the respective Lorentz forces F Lx = qVdrBx and F Ly = qV d B y y deflect the laterally moving velocities V dr electrons, where q is the elementary electric load, and V dr is the drift velocity of the current carriers [3]. The magnetic vector B x deflects the electrons in the plane y-z, and the vector B y - in the plane xz. These lateral deviations are to the surface areas, where the pairs of contacts 4 and 5, and 6 and 7, respectively, are located. It is there that a Hall effect is generated, i. electric loads with opposite sign are formed, and a Hall E n field arises, which seeks to compensate for the Lorentz force F L. In our case, however, the Hall voltage V H can be registered only in the presence of load resistors R 1 10, R 2 I, R 3 12 and R 4 13. If the resistors are absent, the Hall effect will be in the current format of Hall 1 n , not Hall voltage V H , [3]. The value of these resistors must be at least an order of magnitude greater than the resistance between ohmic contacts 4 and 5,6 and 7. As a result, linear and odd Hall voltages develop on the output contacts 4 and 5, and 6 and 7, respectively. V (B) 16 and V „(B) 17. These two Hall signals form the two direct differential outputs V x (B x ) 16 and V y (B y ) 17 of the magnetometer. The parallelism of contacts 4 and 5, and respectively 6 and 7 with respect to the mutually perpendicular planar magnetic components B and B provides x y maximum value registration of the Running voltages V x (B x ) 16 and V y (B y ) 17.
Ортогоналната на п-тип подложка 1 магнитна компонента В на полето В 15, в зависимост от посоката си, чрез силата на Лоренц FLz=q VdrBz отклонява странично токоносителите в равнината х-у на п-тип областта 2, т.е. между контактите 8 и 9 се генерират товари с противоположен знак и на изхода 18 възниква напрежение на Хол V№(Bz) от компонента В2. Следователно, този изход 18 е директен за измерване на компонентата В.The magnetic component B of the field B 15, orthogonal to the p-type substrate 1, depending on its direction, by the Lorentz force F Lz = q V dr B z deflects laterally the current carriers in the x-y plane of the p-type region 2, p. is. between contacts 8 and 9 loads with opposite sign are generated and at the output 18 a Hall voltage V № (B z ) arises from the component B 2 . Therefore, this output 18 is direct for measuring component B.
ZZ
Неочакваният положителен ефект на предложеното техническо решение се заключава в необичайната приборна конструкция на магнитометъра. Без да се търсят специални 5 геометрични форми или пълно ограничаване чрез CMOS технология на активната η-сензорна област 2, само с помощта на оригинално разположените омични контакти 4, 5, 6, 7, 8 и 9 се постига едновременно и независимо измерване на всичките 10 три компоненти Βχ, Ву и Βζ на магнитния вектор В 15. Структурата е опростена - контактите са намалени с два спрямо известното решение и отпада необходимостта от операционен усилвател за компонентата Βζ. Директните диференциални изходи 15 16, 17 и 18 намаляват значително паразитното междуканално влияние, което подобрява метрологичното качество на сигналите и като цяло точността на сензора. Трикомпонентният магнитометър има намален брой контакти и 20 минимизирано паразитно междуканално влияние. Новото решение запазва също обемната, т.е. възможно най-високата стойност на подвижността на електроните в полупроводниците - ключовият фактор за максимална магниточувствителност [3]. 25 Това предимство е в резултат от факта, че долната страна на ефективната п-тип сензорна област 2 не е ограничена с р-ринга 3, а по естествен начин е част от обема на п-подложката 1. Абсолютната стойност на вектора на магнитното поле В 15 се дава с израза: 30 |В| = (Вх 2 + Ву2 + Βζ2)ι/2. Стойностите на компоненти В , В и В в мерни единици [Т (Тесла)] се получават чрез разделяне на съответните изходни напрежения Vx(Bx) 16, Vy(By) 17 и Vz(Bz) 18 в единици [V (Волт)] на абсолютната волтова магниточувствителност за 35 дадения канал Sx, Sy и Sz в единици [V/T (Волт/ Тесла)].The unexpected positive effect of the proposed technical solution lies in the unusual instrument design of the magnetometer. Without looking for special 5 geometric shapes or complete limitation by CMOS technology of the active η-sensor area 2, only with the help of the originally located ohmic contacts 4, 5, 6, 7, 8 and 9 is achieved simultaneous and independent measurement of all 10 three components Β χ , B y and Β ζ of the magnetic vector B 15. The structure is simplified - the contacts are reduced by two compared to the known solution and there is no need for an operational amplifier for the component Β ζ . The direct differential outputs 15 16, 17 and 18 significantly reduce the parasitic interchannel influence, which improves the metrological quality of the signals and the overall accuracy of the sensor. The three-component magnetometer has a reduced number of contacts and 20 minimized parasitic interchannel influence. The new solution also retains the volume, ie. the highest possible value of electron mobility in semiconductors - the key factor for maximum magnetic sensitivity [3]. 25 This advantage is due to the fact that the underside of the effective n-type sensor area 2 is not limited by the p-ring 3, but is naturally part of the volume of the n-substrate 1. The absolute value of the magnetic field vector B 15 is given with the expression: 30 | B | = (X 2 + 2 Vu + Βζ 2) ι / 2. The values of components B, B and B in units [T (Tesla)] are obtained by dividing the respective output voltages V x (B x ) 16, V y (B y ) 17 and V z (B z ) 18 in units [V (Volt)] of the absolute volt magnetic sensitivity for 35 given channel S x , S y and S z in units [V / T (Volt / Tesla)].
Реализацията натрикомпонентния магнитометър е най-лесно осъществима със силициева планарна технология на основата на n-Si пластини 40 със специфично съпротивление р = 7.5 Ω .cm като формирането на самата микроелекгронна структура, подобно на описаната в [2], изисква четири маски. Първата обуславя омичността (ниското съпротивление) на п+ контактите 4, 5, 6, 7, 8 и 9 с право45 ъгьлната п-област 2 чрез метода на йонна имплантация. Втората маска е предназначена за обособяване на ограждащия правоъгълната п-област 2 р-тип правоъгълен ринг 3 чрез съответна йонна имплантация, като се формират вертикалните страни 50 в обема на п-подложката 1 около активнатаThe implementation of the three-component magnetometer is most easily feasible with silicon planar technology based on n-Si plates 40 with a specific resistance p = 7.5 Ω .cm as the formation of the microelectronic structure itself, similar to that described in [2], requires four masks. The first determines the ohmicity (low resistance) of the n + contacts 4, 5, 6, 7, 8 and 9 with the right 45 angular n-region 2 by the method of ion implantation. The second mask is designed to separate the surrounding rectangular n-region 2 p-type rectangular ring 3 by appropriate ion implantation, forming the vertical sides 50 in the volume of the n-pad 1 around the active
66497 Bl преобразувателна зона 2 на магнитометъра. Третата маска структурира метализираните шини, свързващи п+ областите 4, 5, 6, 7, 8 и 9 с контактните площадки за бондиране върху чипа. Четвъртата маска дефинира контактните отвори в повърхностния окисен слой SiO2 за електрическото свързване чрез бондиране на контактните площадки с микропроводник. Готовите чипове, съдържащи триконтактния магнитометър се скрайбират и се фиксират в немагнитни шестизводни корпуси. Покриват се с непроводящо епоксидно лепило или пластмасов компаунд за елиминиране негативното влияние на външните фактори върху силициевия чип, в това число и на светлината. Чрез интегрална технология или в хибридно изпълнение може да се реализират електронните схеми и модулите за последваща обработка на сигналите от трите сензорни канала.66497 Bl conversion zone 2 of the magnetometer. The third mask structures the metallized busbars connecting the n + regions 4, 5, 6, 7, 8 and 9 with the contact pads on the chip. The fourth mask defines the contact holes in the surface oxide layer SiO 2 for the electrical connection by bonding the contact pads with a microconductor. The finished chips containing the three-contact magnetometer are scribed and fixed in non-magnetic six-pin housings. They are coated with non-conductive epoxy adhesive or plastic compound to eliminate the negative influence of external factors on the silicon chip, including light. The electronic circuits and the modules for further processing of the signals from the three sensor channels can be realized by integrated technology or in a hybrid implementation.
Проведените експерименти с образци на магнитометъра съгласно изобретението, потвърждават неговите предимства. Практическият ефект е апробиран при изследване влиянието на магнитната индукция за повишаване добива на биоетанол като автомобилно гориво от възобновяеми енергийни източници. В това акгуално приложение водещото е, че положението на трикомпонентния (3D) магнитометър по отношение на източника на въздействащото върху биоетанола поле В15 не е критично, както това е в случаите на 1D и 2D магниточувствителни сензори.The experiments performed with the magnetometer samples according to the invention confirm its advantages. The practical effect has been tested in the study of the influence of magnetic induction to increase the yield of bioethanol as a automotive fuel from renewable energy sources. In this current application, the leading factor is that the position of the three-component (3D) magnetometer with respect to the source of the bioethanol field B15 is not critical, as is the case with 1D and 2D magnetically sensitive sensors.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BG110879A BG66497B1 (en) | 2011-03-08 | 2011-03-08 | A three-component magnetometer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BG110879A BG66497B1 (en) | 2011-03-08 | 2011-03-08 | A three-component magnetometer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BG110879A BG110879A (en) | 2012-09-28 |
| BG66497B1 true BG66497B1 (en) | 2015-06-30 |
Family
ID=47326471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BG110879A BG66497B1 (en) | 2011-03-08 | 2011-03-08 | A three-component magnetometer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| BG (1) | BG66497B1 (en) |
-
2011
- 2011-03-08 BG BG110879A patent/BG66497B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BG110879A (en) | 2012-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9316705B2 (en) | Vertical hall effect-device | |
| BG66497B1 (en) | A three-component magnetometer | |
| BG66436B1 (en) | Integrated three-dimensional magnetic field sensor | |
| BG113750A (en) | Vector 2-d magnetic field sensor | |
| BG67551B1 (en) | Biaxial magnetosensitive sensor containing hall elements | |
| BG67380B1 (en) | Two-dimensional magnetic field microsensor | |
| BG113767A (en) | Two-dimensional magnetic field microsensor | |
| BG67820B1 (en) | Vertical element of hall | |
| BG67643B1 (en) | Planar magnetic-sensitive hall sensor | |
| BG66954B1 (en) | A 2d semiconductor magnetometer | |
| BG67784B1 (en) | Sensor configuration of hall | |
| BG67782B1 (en) | Dual hall microsensor | |
| BG66844B1 (en) | Micro-hall effect sensor with an in-plane sensitivity | |
| BG113807A (en) | Two-dimensional hall microsensor | |
| BG67039B1 (en) | Two-axis magnetic field microsensor | |
| BG113014A (en) | Integrated hall effect sensor with an in-plane sensitivity | |
| BG111199A (en) | Two-dimensional magnetometer | |
| BG113356A (en) | Hall effect microsensor with more than one output | |
| BG66640B1 (en) | Semiconductor three-component magnetometer | |
| BG112848A (en) | SEMICONDUCTOR DEVICE IN THE HALL | |
| BG65935B1 (en) | Hall-effect micro converter | |
| BG65079B1 (en) | Three-dimensional magnetosensitive microsystem | |
| BG111414A (en) | Integral hall sensor with parallel axis of magneto sensitivity | |
| BG112804A (en) | 2D LIVING SENSITIVITY MICROSENSOR WITH PLAN SENSITIVITY | |
| BG65970B1 (en) | Microsystem for measuring the three magnetic field components |