[go: up one dir, main page]

BG112091A - ELEVATOR-MAGNETICALLY CONDUCTOR - Google Patents

ELEVATOR-MAGNETICALLY CONDUCTOR Download PDF

Info

Publication number
BG112091A
BG112091A BG112091A BG11209115A BG112091A BG 112091 A BG112091 A BG 112091A BG 112091 A BG112091 A BG 112091A BG 11209115 A BG11209115 A BG 11209115A BG 112091 A BG112091 A BG 112091A
Authority
BG
Bulgaria
Prior art keywords
contacts
contact
hall
central
wafer
Prior art date
Application number
BG112091A
Other languages
Bulgarian (bg)
Other versions
BG66985B1 (en
Inventor
Сия ЛОЗАНОВА
Вълчева Лозанова Сия
Чавдар РУМЕНИН
Станоев Руменин Чавдар
Original Assignee
Институт По Системно Инженерство И Роботика - Бан
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт По Системно Инженерство И Роботика - Бан filed Critical Институт По Системно Инженерство И Роботика - Бан
Priority to BG112091A priority Critical patent/BG66985B1/en
Publication of BG112091A publication Critical patent/BG112091A/en
Publication of BG66985B1 publication Critical patent/BG66985B1/en

Links

Landscapes

  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

The surface-magnetically sensitive Hall effect transformer includes a power source (1) and semi-conductive rectangular wafers of n-type mixed conductivity, on top of the one side of which successively in a distance from one another, left to right are formed rectangular ohmic contacts- central ones and the rest symmetrical to them, the measured magnetic field (11) is parallel to both the surface of the wafers, as well as to the long sides of the contacts. The semi-conductor wafers are identical and there are two of them- first (2) and second (3), placed parallel to one another. On one side of each of the wafers (2 and 3) are formed respectively three identical contacts- first (4 and 5), second (6 and 7), and third (8 and 9), as the second contacts (6 and 7) are the central ones, and the first (4 and 5) and third (8 and 9) are placed symmetrically to them. The outlets of the power source (1) are joined with two central contacts (6 and 7). The first contact (4) from the wafer (2) is connected to the third contact (9) from the second wafer (3), and the third contact (8) from the first wafer (2)-with first contact (5) from the second wafer (3). The first (4) and third (8) contacts from the wafer (2) are the outlet (10) of the Hall-effect transformer.

Description

РАВНИННО-МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЕНPLAIN-MAGNETIC SENSITIVE

ПРЕОБРАЗУВАТЕЛ НА ХОЛLIVING ROOM CONVERTER

ОБЛАСТ НА ТЕХНИКАТАFIELD OF THE INVENTION

Изобретението се отнася до равнинно-магниточувствителен преобразувател на Хол, приложимо в областта на сензориката, роботиката и мехатрониката, роботизираните безпилотни летателни апарати, когнитивните интелигентни системи, енергетиката и енергийната ефективност, , микро- и нано-технологиите, безконтактното измерване на ъглови и линейни премествания, биомедицината, електромобилите и хибридните превозни средства, контролно-измервателната техника и слабополевата магнитометрия, военното дело и сигурността.The invention relates to a plane-magnetic Hall transducer applicable in the field of sensors, robotics and mechatronics, robotic unmanned aerial vehicles, cognitive intelligent systems, energy and energy efficiency, micro- and nano-technologies, non-contact measurement of angular and , biomedicine, electric vehicles and hybrid vehicles, control and measurement equipment and low-field magnetometry, military affairs and security.

ПРЕДШЕСТВАЩО СЪСТОЯНИЕ НА ТЕХНИКАТАBACKGROUND OF THE INVENTION

Известен е равнинно-магниточувствителен преобразувател на Хол, съдържащ токоизточник и правоъгълна полупроводникова подложка с птип примесна проводимост, върху едната страна на която последователно и на разстояния един от друг са формирани от ляво на дясно пет правоъгълни омични контакти - първи, втори, трети, четвърти и пети. Третият контакт е централен като първият и петият, и съответно вторият и четвъртият контакти са симетрични спрямо него. Единият извод на токоизточника е свързан с централния, а другият - едновременно с първия и петия контакти. Диференциалният изход на преобразувателя на Хол са вторият и четвъртият контакти като измерваното магнитно поле е успоредно както на равнината на подложката, така и на дългите страни на контактите, [1,2,3,4,5,6].A plane-magnetic Hall transducer is known, containing a current source and a rectangular semiconductor substrate with ptip impurity conductivity, on one side of which five rectangular ohmic contacts are formed sequentially and at distances from each other from left to right - first, second, third, fourth and fifth. The third contact is central as the first and fifth, and the second and fourth contacts are symmetrical to it, respectively. One terminal of the current source is connected to the central and the other to both the first and fifth contacts. The differential output of the Hall transducer are the second and fourth contacts as the measured magnetic field is parallel to both the plane of the substrate and the long sides of the contacts, [1,2,3,4,5,6].

Недостатък на този равнинно-магниточувствителен преобразувател на Хол е понижената му чувствителност, тъй като се използва само половината от захранващия ток през централния контакт за генериране на еднаквите по стойност и противоположни по знак потенциали на Хол върху втория и четвъртия контакти, формиращи диференциалния изход.The disadvantage of this plane-magnetic Hall transducer is its reduced sensitivity, as only half of the supply current through the central contact is used to generate equal and opposite Hall potentials on the second and fourth contacts forming the differential output.

Недостатък е също понижената метрологична точност от редуцираното отношение сигнал/офсет както поради намалената магниточувствителност, така и от непредсказуемото хаотично изменение стойността на паразитното изходно напрежение в отсъствие на магнитно поле (офсет) в резултат на електрическа асиметрия, породена от геометрична асиметрия в разположението на втория и четвъртия контакти спрямо централния, неминуеми технологични несъвършенства, механични и температурни напрежения (най-често от корпусирането на чипа) и др.Another disadvantage is the reduced metrological accuracy due to the reduced signal / offset ratio both due to the reduced magnetic sensitivity and the unpredictable chaotic change in the value of the parasitic output voltage in the absence of a magnetic field (offset) due to electrical asymmetry caused by geometric asymmetry. and the fourth contacts relative to the central, inevitable technological imperfections, mechanical and temperature stresses (most often from the chip housing), etc.

ТЕХНИЧЕСКА СЪЩНОСТTECHNICAL ESSENCE

Задача на изобретението е да се създаде равнинномагниточувствителен преобразувател на Хол с висока чувствителност и повишена метрологична точност.The objective of the invention is to provide a plane-magnetic Hall transducer with high sensitivity and increased metrological accuracy.

Тази задача се решава с равнинно-магниточувствителен преобразувател на Хол, съдържащ токоизточник и две идентични правоъгълни полупроводникови подложки с п-тип примесна проводимост - първа и втора, разположени успоредно една спрямо друга. Върху едната страна на всяка от подложките последователно и на разстояния един от друг са формирани от ляво на дясно по три еднакви правоъгълни омични контакти - първи, втори и трети. Вторите контакти са централни като първите и третите са симетрично разположени спрямо тях. Изводите на токоизточника са съединени с двата централни контакта. Първият контакт от първата подложка е свързан с третия контакт от втората, а третият контакт от първата - с първия контакт от втората подложка. Диференциалният изход на преобразувателя на Хол са първият и третият контакти от първата подложка като измерваното магнитно поле е успоредно както на равнините на подложките, така и на дългите страни на контактите.This problem is solved with a plane-magnetosensitive Hall transducer, containing a current source and two identical rectangular semiconductor pads with p-type impurity conductivity - first and second, located parallel to each other. On one side of each of the pads, three identical rectangular ohmic contacts - first, second and third - are formed sequentially and at distances from each other. The second contacts are central and the first and third are symmetrically located relative to them. The terminals of the power source are connected to the two central contacts. The first contact of the first pad is connected to the third contact of the second, and the third contact of the first to the first contact of the second pad. The differential output of the Hall transducer is the first and third contacts of the first substrate as the measured magnetic field is parallel to both the planes of the substrates and the long sides of the contacts.

Предимство на изобретението е високата магниточувствителност в резултат на генериране от целия захранващ ток през централните контакти на подложките на еднакви по стойност и знак напрежения на Хол.An advantage of the invention is the high magnetic sensitivity as a result of the generation from the entire supply current through the central contacts of the substrates of equal in value and sign Hall voltages.

Предимство е също повишената метрологична точност от високото ниво сигнал/офсет, поради съществената магниточувствителност и редуцирания паразитен офсет при непосредствено свързаните първи и трети контакти от подложките, като това окъсяване води до протичането на компенсационни изравняващи токове между двете идентични Холови С структури в отсъствие на магнитно поле.The advantage is also the increased metrological accuracy from the high signal / offset level, due to the significant magnetic sensitivity and reduced parasitic offset at the directly connected first and third contacts of the pads, as this shortening leads to compensatory equalizing currents between the two identical Hall C structures in the absence of magnetic field.

Предимство е още възможността за пълно компенсиране на магниточувствителностите на двете Холови структури на преобразувателя с цел минимизирането на паразитния офсет във всеки един момент, осъществявайки след това корекция на информационния изходен сигнал, независимо от наличието на външно магнитно поле.Another advantage is the possibility to fully compensate the magnetic sensitivities of the two Hall structures of the converter in order to minimize the parasitic offset at any time, then correcting the information output signal, regardless of the presence of an external magnetic field.

ОПИСАНИЕ НА ПРИЛОЖЕНИТЕ ФИГУРИDESCRIPTION OF THE ATTACHED FIGURES

По-подробно изобретението се пояснява с едно негово примерно изпълнение, дадено на приложената Фигура 1, представляваща напречното му сечение.The invention is illustrated in more detail by an exemplary embodiment thereof, given in the attached Figure 1, representing its cross section.

ПРИМЕРИ ЗА ИЗПЪЛНЕНИЕEXAMPLES OF IMPLEMENTATION

Равнинно-магниточувствителният преобразувател на Хол съдържа токоизточник 1 и две идентични правоъгълни полупроводникови подложки 2 и 3 с п-тип примесна проводимост - първа 2 и втора 3, разположени успоредно една спрямо друга. Върху едната страна на всяка от подложките 2 и 3 последователно и на разстояния един от друг са формирани от ляво на дясно по три еднакви правоъгълни омични контакти - първи 4 и 5, втори 6 и 7, и трети 8 и 9. Вторите контакти 6 и 7 са централни като първите 4 и 5 и третите 8 и 9 са симетрично разположени спрямо тях. Изводите на токоизточника 1 са съединени с двата централни контакта 6 и 7. Първият контакт 4 от първата подложка 2 е свързан с третия контакт 9 от втората 3, а третият контакт 8 от първата 3 - с първия контакт 5 от втората подложка 3. Диференциалният изход 10 на преобразувателя на Хол са първият 4 и третият 8 контакти от първата подложка 2 като измерваното магнитно поле 11 е успоредно както на «е» равнините на подложките 2 и 3, така и на дългите страни на контактите 4, 5, 6, 7, 8 и 9.The Hall magnetic transducer contains a current source 1 and two identical rectangular semiconductor pads 2 and 3 with p-type impurity conductivity - first 2 and second 3, located parallel to each other. On one side of each of the pads 2 and 3 in series and at distances from each other are formed from left to right three identical rectangular ohmic contacts - first 4 and 5, second 6 and 7, and third 8 and 9. The second contacts 6 and 7 are central as the first 4 and 5 and the third 8 and 9 are symmetrically arranged with respect to them. The terminals of the current source 1 are connected to the two central contacts 6 and 7. The first contact 4 of the first substrate 2 is connected to the third terminal 9 of the second 3, and the third contact 8 of the first 3 to the first terminal 5 of the second substrate 3. Differential output 10 of the Hall converter are the first 4 and the third 8 contacts of the first pad 2 as the measured magnetic field 11 is parallel both to the "e" planes of the pads 2 and 3 and to the long sides of the pins 4, 5, 6, 7, 8 and 9.

Действието на равнинно-магниточувствителния преобразувател на Хол, съгласно изобретението, е следното. При включване на двата централни контакти 6 и 7 към токоизточника 1, в обема на двете подложки 2 и 3 протичат две срещуположно насочени и еднакви по стойност токови компоненти 76 и - /7, Ц = | - Λ |, което представлява цялият захранващ ток в преобразувателя, подаден от токоизточника 1. Планарните централни контакти 6 и 7, както и омичните крайни контакти 4 и 5, и съответно 8 и 9 представляват еквипотенциапни равнини, към които в отсъствие на външно магнитно поле В 11, В = 0, токовете през тях са винаги перпендикулярно насочени към горната страна на подложките 2 и 3, прониквайки дълбоко в обемите им. Дълбочината на проникване при фиксирана концентрация на легиращите донорни примеси ND в подложките 2 и 3 зависи от съотношението между ширината на централните контакти 6 и 7 и разстоянието между тях и крайните електроди 4 и 5, и съответно 8 и 9. Максималната стойност на дълбочината при Nd ~ 1015 cm'3 съставлява около 40 pm. Между контактите 4 и 6, 6 и 8, 5 и 7, 7 и 9 токовите линии са в първо приближение успоредни на горната страна на подложките 2 и 3. Ето защо траекториите на токоносителите са криволинейни, [4, 5]. В общия случай, както при всички видове равнинномагниточувствителни микросензори на Хол, върху изхода 10, в отсъствие на магнитно поле В 10, В = 0, присъства паразитно изходно напрежение, несвързано с метрологията на преобразувателя. Произходът му най-често се дължи на неминуема електрическа асиметрия (в резултат на геометрични грешки на маските в процеса на технологичното производство) на контактите 4 и 8, и съответно 5 и 9 по отношение на централните 6 и 7, Vi0(0) = УдХО) ί 0, [4, 5, 6]. В предложеното решение, Фигура 1, минимизирането и/или отстраняването на офсет - паразитното напрежение на изхода Ую(0) ξ V4j8(0) ft 0 се постига чрез непосредствено свързаните първи и трети контакти 4 и 9, и съответно 5 и 8 от подложките 2 и 3. Това окъсяване води до протичането на компенсационни изравняващи токове между двете идентични Холови структури в отсъствие на магнитно поле, В 11, В = 0. Очевидно е, че като изход 10 на преобразувателя равнопоставено служат и контактите 5 и 9, Фигура 1.The operation of the plane-magnetic Hall transducer according to the invention is as follows. When the two central contacts 6 and 7 are connected to the current source 1, in the volume of the two pads 2 and 3 two oppositely directed and equal in value current components 7 6 and - / 7 , C = | - Λ |, which represents the total supply current in the converter supplied by the current source 1. The planar central contacts 6 and 7, as well as the ohmic terminal contacts 4 and 5, and 8 and 9 respectively, are equipotential planes to which in the absence of an external magnetic field At 11, B = 0, the currents through them are always perpendicular to the upper side of the pads 2 and 3, penetrating deep into their volumes. The penetration depth at a fixed concentration of doping donor impurities N D in the substrates 2 and 3 depends on the ratio between the width of the central contacts 6 and 7 and the distance between them and the end electrodes 4 and 5, and respectively 8 and 9. The maximum value of the depth at N d ~ 10 15 cm ' 3 is about 40 pm. Between contacts 4 and 6, 6 and 8, 5 and 7, 7 and 9 the current lines are in the first approximation parallel to the upper side of the pads 2 and 3. Therefore, the trajectories of the current carriers are curvilinear, [4, 5]. In the general case, as with all types of plane-magnetic Hall sensors, at the output 10, in the absence of a magnetic field B 10, B = 0, there is a parasitic output voltage unrelated to the metrology of the converter. Its origin is most often due to the inevitable electrical asymmetry (as a result of geometric errors of the masks in the process of technological production) of contacts 4 and 8, and respectively 5 and 9 with respect to the central 6 and 7, V i0 (0) = УдХО) ί 0, [4, 5, 6]. In the proposed solution, Figure 1, the minimization and / or removal of the offset-parasitic voltage at the output Uyu (0) ξ V 4j8 (0) ft 0 is achieved through the directly connected first and third contacts 4 and 9, and respectively 5 and 8 of pads 2 and 3. This shortening leads to the flow of compensating equalizing currents between two identical Hall structures in the absence of a magnetic field, B 11, B = 0. It is obvious that the output 10 of the converter equally serve as contacts 5 and 9, Figure 1.

Прилагането на измерваното магнитно поле В 11 успоредно на подложките 2 и 3, и на дългите страни на контакти 4, 5, 6, 7, 8 и 9, води до странично (латерално) отклонение на токовите линии по цялото протежение на нелинейната им траектория, но от ключово значение е въздействието върху компонентите 16 и - Ιη през централните контакти 6 и 7. Това се дължи на действието на силите на Лоренц FL;i, FL = iyVdr х В, където q е елементарният товар на електрона, а У* е векторът на средната дрейфова скорост на електроните в подложките 2 и 3, [4, 5]. На Фигура 1 магнитният вектор В 11 е перпендикулярен на напречните сечения на подложките 2 и 3. В резултат на Лоренцовото отклонение от силата FL, в зависимост от посоките на токовете 4 и - Е и на магнитното поле В 11, нелинейната траектория се “свива” и съответно “разширява”. По тази причина върху планарните контакти 4 и 9, и съответно 5 и 8 се генерират едновременно Холови потенциали ЦиЦ?) = ЦюЦЦ и - Vhs(#) = - Uhs(B). Фактически измерваното магнитно поле В 10 нарушава електрическата симетрия на токовите траектории спрямо централните контакти 6 и 7. Следователно върху диференциалния изход 10 на преобразувателя възниква напрежение на Хол 7ю(В) = Vn.4-s(fi), което е резултат от целия захранващ ток през контакти 6 и 7. Този сигнал е линейна и нечетна функция от силата на токовете /6 и ΙΊ, и на магнитното поле В 11. В известното решение захранващият ток / се разделя на две еднакви срещуположни компоненти. Те генерират върху съответните Холови контакти два пъти по-ниски по стойност потенциали, което редуцира чувствителността в сравнение с новия равнинно-магниточувствителен сензор от Фигура 1. Върху свързаните крайни контакти 4 и 9, и съответно 5 и 8 се генерират Холови потенциали с един и същ знак и стойност. Тъй като в общия случай напрежението на Хол е неотличимо от паразитнния офсет [4, 5, 6], решението от Фигура 1 позволява драстичното му редуциране. Ако се съединят контакти 4 и 5, и съответно 8 и 9, възниква компенсиране (нулиране) на информационните Холови потенциали:The application of the measured magnetic field B 11 parallel to the pads 2 and 3, and to the long sides of contacts 4, 5, 6, 7, 8 and 9, leads to a lateral (lateral) deviation of the current lines along their entire nonlinear trajectory, but the impact on the components 1 6 and - Ιη through the central contacts 6 and 7 is of key importance. This is due to the action of the Lorentz forces F L; i , F L = iyV dr х В, where q is the elementary load of the electron, and Y * is the vector of the average drift velocity of the electrons in the substrates 2 and 3, [4, 5]. In Figure 1, the magnetic vector B 11 is perpendicular to the cross sections of the pads 2 and 3. As a result of the Lorentz deviation from the force F L , depending on the directions of the currents 4 and - E and the magnetic field B 11, the nonlinear trajectory "shrinks" ”And“ expands ”accordingly. For this reason, on the planar contacts 4 and 9, and 5 and 8, respectively, Hall potentials CiC?) = CiUC and - Vhs (#) = - Uhs (B) are generated simultaneously. In fact, the measured magnetic field B 10 breaks the electrical symmetry of the current trajectories with respect to the central contacts 6 and 7. Therefore, a Hall voltage 7yu (B) = Vn.4-s (fi) occurs on the differential output 10 of the converter, which is the result of the entire supply current through contacts 6 and 7. This signal is a linear and odd function of the strength of the currents / 6 and Ι Ί , and of the magnetic field B 11. In the known solution the supply current / is divided into two identical opposite components. They generate on the respective Hall contacts potentials twice lower in value, which reduces the sensitivity compared to the new plane-magnetic sensor in Figure 1. On the connected end contacts 4 and 9, and 5 and 8, respectively, Hall potentials with one and same sign and value. Since, in the general case, the Hall voltage is indistinguishable from the parasitic offset [4, 5, 6], the solution of Figure 1 allows its drastic reduction. If contacts 4 and 5, and 8 and 9, respectively, are connected, compensation (reset) of the information Hall potentials occurs:

Гн.4 (В) = | - Vh,s(B) I и Ун, 8(В) = I - W) I ·Gn.4 (B) = | - Vh, s (B) I and Ун, 8 (В) = I - W) I ·

В резултат магниточувствителността отсъства, а остава единствено паразитният офсет. Целта е минимизирането му във всеки един момент и осъществявайки след това схемотехнически корекция на информационния изходен сигнал, независимо от наличието на външно магнитно поле. Такъв подход се прилага за първи път в сензориката на Хол елементите.As a result, the magnetic sensitivity is absent, leaving only the parasitic offset. The aim is to minimize it at any time and then perform circuit correction of the information output signal, regardless of the presence of an external magnetic field. Such an approach is applied for the first time in the sensors of Hall elements.

Неочакваният положителен ефект на новото техническо решение се заключава в иновативните схемотехника и конструкция, чрез които при един захранващ източник 1 токът /6.7 генерира и в двете подложки 2 и 3 двойно по-висока магниточувствителност. Освен това оригиналното свързване на крайните контакти 4, 5 и съответно 8, 9 минимизира неминуемият паразитен офсет чрез протичане на компенсационни изравнителни токове. За първи път в сензориката на Хол елементите чрез новия преобразувател може да се осъществи пълно потискане на магниточувствителността в присъствие на магнитно поле. Този резултат е следствие от идентичността на двете структури 2 и 3 заедно с разположените върху едната им страна омични контакти и общия захранващ ток. Чрез свързването на контакти 4 и 5, и съответно на 8 и 9, еднаквите по стойност, но с противоположен знак потенциали на Хол се напълно компенсират (нулират). Това позволява получаване във всеки момент на информация за стойността и знака на офсета с цел неговото екстрахиране от изходния сигнал 10 на сензора.The unexpected positive effect of the new technical solution lies in the innovative circuitry and construction, through which at one power supply 1 the current / 6 . 7 generates twice the magnetic sensitivity in both pads 2 and 3. In addition, the original connection of the end contacts 4, 5 and 8, 9, respectively, minimizes the inevitable parasitic offset by the flow of compensating equalizing currents. For the first time in the Hall sensors of the elements, the new transducer can completely suppress the magnetic sensitivity in the presence of a magnetic field. This result is a consequence of the identity of the two structures 2 and 3 together with the ohmic contacts located on one side and the common supply current. By connecting contacts 4 and 5, and 8 and 9, respectively, the Hall potentials equal in value but with opposite sign are completely compensated (reset). This allows obtaining at any time information about the value and sign of the offset in order to extract it from the output signal 10 of the sensor.

Равнинно-магниточувствителният преобразувател на Хол може да се реализира с CMOS, BiCMOS технология или микромашининг като преобразувателните зони 2 и 3 ще представляват дълбоки п-тип правоъгълни силициеви джобове. По-дълбоко проникване на тока Ц-ί в обема на подложките 2 и 3, респективно по-ефективно въздействие на силата на Лоренц FL върху токовите линии както и дефиниране дебелината на п-тип силициевите подложки 2 и 3 в посока на магнитното поле В 11 се постига чрез формиране около правоъгълните омични контакти 4, 5, 6, 7 и 8 и в близост до тях на дълбоки ограничителни р-тип рингове с правоъгълна форма. Действието на предложения преобразувател на Хол е осъществимо в широк температурен диапазон, включително и при криогенни температури. За още по-висока чувствителност за целите на слабополевата магнитометрия и навигацията, подложките 2 и 3 се разполагат между два еднакви продълговати концентратори на магнитното поле В 11 от ферит или μ-метал.The Hall-level magnetic transducer can be realized with CMOS, BiCMOS technology or micromachining and the conversion zones 2 and 3 will be deep p-type rectangular silicon pockets. Deeper penetration of the current C-ί in the volume of the substrates 2 and 3, respectively more effective influence of the Lorentz force F L on the current lines as well as defining the thickness of the p-type silicon substrates 2 and 3 in the direction of the magnetic field B 11 is achieved by forming around the rectangular ohmic contacts 4, 5, 6, 7 and 8 and near them deep restrictive p-type rings with a rectangular shape. The operation of the proposed Hall converter is feasible in a wide temperature range, including at cryogenic temperatures. For even higher sensitivity for low-field magnetometry and navigation, pads 2 and 3 are located between two identical elongated concentrators of the magnetic field B 11 of ferrite or μ-metal.

ПРИЛОЖЕНИЕ: една фигураAPPENDIX: one figure

ЛИТЕРАТУРАLITERATURE

[1] R. Popovic, “Integrated Hall element”, US Patent 4 782 375/01.11.1988.[1] R. Popovic, “Integrated Hall element”, U.S. Patent 4,782,375 / November 1, 1988.

[2] A.M.J. Huiser, H.P. Baltes, “Numerical modeling of vertical Hall-effect devices”, IEEE Electron Device Letters, 5(9) (1984) pp. 482-484.[2] A.M.J. Huiser, H.P. Baltes, “Numerical modeling of vertical Hall-effect devices”, IEEE Electron Device Letters, 5 (9) (1984) pp. 482-484.

[3] R.S. Popovic, “The vertical Hall-effect device”, IEEE Electron Device Lett., EDL-5 (1984), pp. 357-358.[3] RS Popovic, “The vertical Hall-effect device”, IEEE Electron Device Lett., EDL-5 (1984), pp. 357-358.

[4] Ch. Roumenin, “Solid State Magnetic Sensors”, Elsevier, Amsterdam, 1994, p. 450; ISBN: 0 444 89401.[4] Ch. Roumenin, “Solid State Magnetic Sensors”, Elsevier, Amsterdam, 1994, p. 450; ISBN: 0 444 89401.

[5] Ch. Roumenin, “Microsensors for magnetic field”, Ch. 9, in „MEMS - a practical guide to design, analysis and applications”, ed. by J. Korvink and O. Paul, William Andrew Publ., USA, 2006, pp. 453-523; ISBN: 0-8155-1497-2.[5] Ch. Roumenin, “Microsensors for magnetic field”, Ch. 9, in “MEMS - a practical guide to design, analysis and applications”, ed. by J. Korvink and O. Paul, William Andrew Publ., USA, 2006, pp. 453-523; ISBN: 0-8155-1497-2.

[6] T. Kaufmann, “On the offset and sensitivity of CMOS-based five-contact vertical Hall devices”, in “MEMS Technology and Engineering”, v. 21, Der Andere Verlag, 2013, p. 147.[6] T. Kaufmann, “On the offset and sensitivity of CMOS-based five-contact vertical Hall devices”, in “MEMS Technology and Engineering”, v. 21, Der Andere Verlag, 2013, p. 147.

Claims (1)

ПАТЕНТНИ ПРЕТЕНЦИИPATENT CLAIMS 4 ’Равнинно-магниточувствителен преобразувател на Хол, съдържащ токоизточник и полупроводникови правоъгълни подложки с п-тип примесна проводимост, върху едната страна на които последователно и на разстояния един от друг от ляво на дясно са формирани правоъгълни омични контакти - по един централен, а останалите са симетрични спрямо тях, измерваното магнитно поле е успоредно както на равнината на подложките, така и на дългите страни на контактите, ХАРАКТЕРИЗИРАЩ СЕ с това, че полупроводниковите подложки са идентични и са две първа (2) и втора (3), разположени успоредно една спрямо друга, върху едната страна на всяка от подложките (2) и (3) са формирани съответно по три еднакви контакти - първи (4) и (5), втори (6) и (7), и трети (8) и (9) като вторите контакти (6) и (7) са централните, а първите (4) и (5) и третите (8) и (9) са симетрично разположени спрямо тях, изводите на токоизточника (1) са съединени с двата централни контакта (6) и (7), първият контакт (4) от първата подложка 2 е свързан с третия контакт 9 от втората 3, а третият контакт (8) от първата (2) - с първия контакт (5) от втората подложка (3), а първият (4) и третият (8) контакти от първата подложка (2) са диференциалният изход (10) на преобразувателя на Хол.4 'Plane-magnetosensitive Hall transducer, containing current source and semiconductor rectangular pads with p-type impurity conductivity, on one side of which rectangular ohmic contacts are formed in series and at distances from left to right - one central and the other are symmetrical with respect to them, the measured magnetic field is parallel to both the plane of the substrates and the long sides of the contacts, CHARACTERIZED in that the semiconductor substrates are identical and are two first (2) and second (3), located parallel to one relative to the other, on one side of each of the pads (2) and (3) are formed respectively three identical contacts - first (4) and (5), second (6) and (7), and third (8) and ( 9) as the second contacts (6) and (7) are the central, and the first (4) and (5) and the third (8) and (9) are symmetrically located relative to them, the terminals of the current source (1) are connected to the two central contact (6) and (7), the first contact (4) of the first pad 2 is St. connected to the third contact 9 of the second 3, and the third contact (8) of the first (2) to the first contact (5) of the second pad (3), and the first (4) and the third (8) contacts of the first pad (2). ) are the differential output (10) of the Hall converter.
BG112091A 2015-09-02 2015-09-02 A surface-magnetically sensitive hall transformer BG66985B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG112091A BG66985B1 (en) 2015-09-02 2015-09-02 A surface-magnetically sensitive hall transformer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG112091A BG66985B1 (en) 2015-09-02 2015-09-02 A surface-magnetically sensitive hall transformer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
BG112091A true BG112091A (en) 2017-03-31
BG66985B1 BG66985B1 (en) 2019-11-15

Family

ID=59012191

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BG112091A BG66985B1 (en) 2015-09-02 2015-09-02 A surface-magnetically sensitive hall transformer

Country Status (1)

Country Link
BG (1) BG66985B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
BG66985B1 (en) 2019-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BG112091A (en) ELEVATOR-MAGNETICALLY CONDUCTOR
BG112007A (en) A plain magnetically sensitive hall’s effect sensor
BG67250B1 (en) Hall effect semiconductor device
BG67820B1 (en) Vertical element of hall
BG113014A (en) Integrated hall effect sensor with an in-plane sensitivity
BG113860A (en) Hall microsensor with resistor elements
BG113845A (en) Vertical hall microsensor
BG113272A (en) Planar magnetically sensitive sensor
BG113356A (en) Hall effect microsensor with more than one output
BG113018A (en) In-plane magnetosensitive hall effect device
BG113806A (en) The hall plane-sensitive microsensor
BG112436A (en) In-plane sensitive magnetic-field hall device
BG113056A (en) Integrated hall effect sensor
BG113750A (en) Vector 2-d magnetic field sensor
BG112878A (en) Hall effect sensor with an in-plane sensitivity
BG67551B1 (en) Biaxial magnetosensitive sensor containing hall elements
BG112771A (en) CONFIGURATION OF A LIVING ROOM WITH PLANE MAGNETIC SENSITIVITY
BG112827A (en) Integrated hall effect microsensor with an in-plane sensitivity
BG112115A (en) MICROSENSOR HALL WITH TANGENTIAL SENSITIVITY
BG66830B1 (en) In-plane magnetosensitive sensor device
BG112808A (en) Hall effect microsensor with an in-plane sensitivity
BG112426A (en) A plane magneto-sensitive microsystem of hall effect sensor
BG112991A (en) Electronic device with planar magnetic sensitivity
BG67380B1 (en) Two-dimensional magnetic field microsensor
BG66848B1 (en) Hall effect device with a in-plane sensitivity