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BE618732A - Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs par dépôt monocristallin à partir de la phase gazeuse - Google Patents

Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs par dépôt monocristallin à partir de la phase gazeuse

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BE618732A
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Authority
BE
Belgium
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gas phase
semiconductor devices
manufacturing semiconductor
monocrystalline deposition
monocrystalline
Prior art date
Application number
BE618732A
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English (en)
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Siemens Ag
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Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
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    • H10P14/3411—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • H10P14/24—
    • H10P14/2905—
    • H10P14/3421—
    • H10P32/12—
    • H10P32/171—
    • H10P95/00—
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BE618732A 1961-06-09 1962-06-08 Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs par dépôt monocristallin à partir de la phase gazeuse BE618732A (fr)

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BE618732A BE618732A (fr) 1961-06-09 1962-06-08 Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs par dépôt monocristallin à partir de la phase gazeuse

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