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Speichervorrichtung
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In den Fig.2b,c,d,e sind von links nach rechts der Gesamtsteuerstrom des Kernes F1 bzw. F2 und die durch den Kern F, bzw. F2 im Ausgangsleiter 0 induzierte Spannung und die Gesamtausgangsspannung des
Elementes (F1,F2) dargestellt.
Das Speicherelement (F1'F2) wird dadurch in den Zustand 0 gebracht, dass gleichzeitig ein Impuls durch den Leiter H in Richtung des Pfeiles D0 und durch den Leiter V in Richtung des Pfeiles DW hin- durchgeschickt wird. Dies ist in Fig. 2d näher dargestellt.
Die Fig. 2c und e beziehen sich auf das Ablesen des Informationszustandes des Elementes (F, F) im
Zustand 1 bzw. 0.
Die Zustände 1 und 0 jedes der Kerne F und F fallen nicht mit den äussersten Remanenzzuständen zusammen. Dies ist eine Folge der Tatsache, dass die Kerne von den sehr kurzen Impulsen durch die Leiter H und V nur teilweise umgekippt werden. Durch die Verwendung kurzzeitiger Impulse kann die Zykluszeit des Speichers verringert werden, während bei einem Speicherelement dieser Art die Unterscheidung zwischen dem Zustand 0 und dem Zustand 1 dennoch gut ist.
Fig. 4 stellt einen Matrixspeicher mit zwei Zeilen und vier Spalten dar. Der waagrechte Leiter H1 koppelt sämtliche Speicherelemente der ersten Zeile mit dem waagrechten Schreibverstärker HSV, und der Ausgangsleiter 0 koppelt die Speicherelemente mit demLeseverstärker LV. Der senkrechte Leiter V ist mit sämtlichen ersten Kernen der Speicherelemente der ersten Spalten in einer Richtung und mit den zweiten Kernen in der andern Richtung gekoppelt. Auf ähnliche Weise sind die Verstärker HSV undLV mit den Speicherelementen der zweiten Reihe gekoppelt und sind die übrigen senkrechten Leiter mit den Speicherelementen der andern Spalten gekoppelt.
Die senkrechtenLeiter sind mit einer Selektions- und Steuerschaltung SS verbunden. Diese Schaltung liefert auf Befehl einen Schreibimpuls durch einen bestimmten senkrechten Leiter in Richtung des Pfeiles DW oder einen Leseimpuls in Richtung des Pfeiles DR (Fig. l).
Ein waagrechter Schreibverstärker liefert auf Befehl einen Impuls durch den waagrechten Leiter in Richtung des Pfeiles D für die binäre Information 1 und in Richtung des Pfeiles D@ für die binäre Information 0.
Ein Impuls auf einem waagrechten Leiter erzeugt Flussänderungen in sämtlichen mit diesem Leiter gekoppelten Kernen. Hiedurch wird im Ausgangsleiter eine Spannung induziert. Diese Spannung erscheint auch an den Eingangsklemmen des Leseverstärkers. Die Grösse der Spannung hängt von der Anzahl der Speicherelemente je Zeile ab, ist aber normalerweise viel grösser als die Ausgangsspannung eines Speicherelementes, das abgelesen wird. Hiedurch wird der Leseverstärker, der zum Verstärken der letzteren Spannung ausgebildet ist, durch den Impuls auf dem waagrechten Leiter gesperrt. Im Prinzip braucht dieser Impuls den Leseverstärker während des Ablesens des Informationszustandes eines Speicherelementes nicht zu beeinflussen, weil dieses Ablesen zu einem andern Zeitpunkt erfolgt.
Mit Rücksicht auf eine kurze Zykluszeit der Speichervorrichtung ist es jedoch wichtig, dass der Leseverstärker möglichst bald nach dem Einschreiben einer Information eine Ausgangsspannung liefern kann. Dieses Ergebnis lässt sich nicht erreichen, wenn es notwendig ist, dass das Lesen einer Information verschoben wird, um dem Leseverstärker Gelegenheit zu geben, sich von der zeitweiligen Sperrung zu erholen.
Fig. 5 stellt der Einfachheit halber nur eine Zeile einer Speichervorrichtung dar. Zur Vermeidung der Sperrung des Leseverstärkers LV sind die Speicherelemente in zwei Gruppen A und B geteilt. Die Gruppe A ist mit einem Hilfsleiter HG1 und die Gruppe B mit einem Hilfsleiter HGz gekoppelt. Diese Leiter
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FJfliesst.
Der vorerwähnte Stromimpuls durch die Leiter HG1 und HG2 setzt die Spannung der Eckpunkte X und Y herab. Der zweite Impuls erhöht die Spannung dieser Punkte.
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Die Impulse durch die Leiter HG 1 und HG 2 führen Flussänderungen in den mit ihnen gekoppelten Spei- cherelementen herbei. Die Zustände 0 und 1 der zwei Kerne eines Speicherelementes sind in bezug auf die äussersten Remanenzzustände N und P verschoben (Fig. 2). Infolgedessen bewirkt ein Erregungsstrom in einer bestimmten Richtung eine Flussänderung, die praktisch für den Zustand 0 und für den Zustand 1 gleich gross ist. Die Spannungen der Punkte X und Y werden somit in gleichem Masse erhöht oder herabgesetzt, unabhängig vom Informationsinhalt der Gruppen A und B.
Mit den Punkten X und Y ist ein Leseverstärker LV verbunden, der als ein Differenzspannungsverstärker ausgebildet ist. Dieser besteht auszwei identischenstufen mit den Transistoren T,Tbzw.T,T.
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lektor des Transistors Ts ist über den Widerstand R7 mit der Minusklemme einer Speisebatterie VB und über den Kondensator C2 mit der nächsten Stufe verbunden. Der Kollektor des Transistors T4 ist über den Widerstand R mit der Minusklemme einer Speisebatterie VB und über den Kondensator C mit der nächsten Stufe verbunden. Eine gleiche Spannungsänderung der Punkte X und Y führt keine Spannungsänderung am Kondensator C herbei, well sich der Strom durch die Transistoren auf gleiche Weise ändert. Die
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Verstärkung gering ist.
Hiedurch kann der Leseverstärker nicht in aer einen oder andern Richtung übersteuert werden.
Aus den Fig. 1 und 5 folgt, dass ein Impuls durch den Hilfsleiter HG1 in Richtung vom Punkt X zum Punkt T einem Strom in Richtung des Pfeiles D0 und ein Impuls durch den Hilfsleiter HG. in Richtung vom Punkt Y zum Punkt T einem Strom in Richtung des Pfeiles Dl entspricht. Deshalb ist ein Schalter SL vorgesehen, der den Impulsgenerator G zum Einschreiben der Information 0 in die Gruppe A und der Information 1 in die Gruppe B mit der Klemme t1 verbindet. In der andern Stellung verbindet der Schalter SL den Impulsgenerator G mit der Klemme t2 zum Zuführen der Information 1 an die Gruppe A und der In- - formation 0 an die Gruppe B.
Der Schalter SL wird von einem logischen Schalter LS gesteuert, der an den
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und an den Klemmen es und e die Angabe empfängt, ob die Information in Gruppe A oder in Gruppe B eingeschrieben werden muss.
Das Ablesen der Information eines Speicherelementes erfolgt in der bereits beschriebenen Weise. Es sei bemerkt, dass die Elemente mit dem gleichen Informationszustand in den verschiedenen Gruppen entgegengesetzte Ausgangsspannungen liefern. Diese Spannungen werden vom Leseverstärker LV verstärkt und der Tastschaltung mit den Transistoren T und T zugeführt. Die Spannung über den Kondensator Cl ändert sich hiebei, wodurch die Gegenkopplung der Transistoren zeitweilig herabgesetzt wird.
Gleichzeitig mit dem Lesen eines Informationszustandes eines Speicherelementes werden der Klemme e7 Tastimpulse (strobe pulses) zugeführt. Diese Impulse halten bei der Information 0 den Transistor T7 und bei der Information 1 den Transistor Ta leitend. Das Ausgangssignal wird den Klemmen es und e6 entnommen.
Fig. 6 stellt schematisch ein anderes Ausführungsbeispiel dar. Hiebei finden ein Ausgangsleiter 01 und
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gengesetzte Fall zu der Ausführungsform nach Fig. 6.
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