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AR001255A1 - Dispositivo de celda de memoria estacionaria y procedimiento para su elaboración - Google Patents

Dispositivo de celda de memoria estacionaria y procedimiento para su elaboración

Info

Publication number
AR001255A1
AR001255A1 AR33577196A AR33577196A AR001255A1 AR 001255 A1 AR001255 A1 AR 001255A1 AR 33577196 A AR33577196 A AR 33577196A AR 33577196 A AR33577196 A AR 33577196A AR 001255 A1 AR001255 A1 AR 001255A1
Authority
AR
Argentina
Prior art keywords
memory cell
cell device
elaboration
procedure
stationary
Prior art date
Application number
AR33577196A
Other languages
English (en)
Inventor
Wolfgang Dr Krautschneider
Lothar Dr Risch
Franz Dr Hofmann
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of AR001255A1 publication Critical patent/AR001255A1/es

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices
    • H10B20/27—ROM only
    • H10B20/30—ROM only having the source region and the drain region on the same level, e.g. lateral transistors
    • H10B20/38—Doping programmed, e.g. mask ROM
    • H10B20/383—Channel doping programmed
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

Un dispositivo de celdas de memoria estacionaria comprende una cantidad de celdas de memorias individuales, que siempre incluyen un transitor MOS, y queestán dispuestas en hileras que corren paralelas. Las hileras contiguas corren en este caso siempre alternativamente en el piso de los surcos longitudinales(6) y entre surcos longitudinales (6) contiguos, y están aisladas entre sí. El dispositivo de celdas de memoria estacionaria se puede realizar con pasos deproceso autoajustables, con un requerimiento de superficie por celda de memoria de 2 F Exponente 2 (F: tamano estructural mínimo).
AR33577196A 1995-03-20 1996-03-15 Dispositivo de celda de memoria estacionaria y procedimiento para su elaboración AR001255A1 (es)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19510042A DE19510042C2 (de) 1995-03-20 1995-03-20 Festwert-Speicherzellenanordnung und Verfahren zu deren Herstellung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AR001255A1 true AR001255A1 (es) 1997-09-24

Family

ID=7757156

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AR33577196A AR001255A1 (es) 1995-03-20 1996-03-15 Dispositivo de celda de memoria estacionaria y procedimiento para su elaboración

Country Status (9)

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US (1) US5920099A (es)
EP (1) EP0815594B1 (es)
JP (1) JPH11502370A (es)
KR (1) KR19980703121A (es)
CN (1) CN1079994C (es)
AR (1) AR001255A1 (es)
DE (2) DE19510042C2 (es)
IN (1) IN187131B (es)
WO (1) WO1996029739A1 (es)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19545903C2 (de) * 1995-12-08 1997-09-18 Siemens Ag Festwertspeicherzellenanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE19630050B4 (de) * 1996-07-25 2005-03-10 Infineon Technologies Ag Herstellverfahren für eine Lackmaske auf einem Substrat mit einem Graben
DE19640235C2 (de) 1996-09-30 2001-10-25 Infineon Technologies Ag Halbleiter-Festwertspeicher mit in Grabenseitenwänden vertikal verlaufenden Transistoren und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19652547C2 (de) 1996-12-17 2002-04-25 Infineon Technologies Ag Speicherzellenanordnung mit Grabenstruktur und einem Gatedielektrikum, das ein Material mit Ladungsträger-Haftstellen enthält, und Verfahren zu deren Herstellung
KR19980084469A (ko) * 1997-05-23 1998-12-05 문정환 마스크 롬 및 그의 제조방법
DE19742397C2 (de) * 1997-09-25 2000-07-06 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit einer Mehrzahl von Gräben
TW406419B (en) * 1998-01-15 2000-09-21 Siemens Ag Memory-cells arrangement and its production method
DE19805712A1 (de) 1998-02-12 1999-08-26 Siemens Ag Speicherzellenanordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE19807776A1 (de) * 1998-02-24 1999-09-02 Siemens Ag Halbleitervorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE19807920A1 (de) 1998-02-25 1999-09-02 Siemens Ag Speicherzellenanordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren
KR100623144B1 (ko) 1998-03-24 2006-09-12 인피니언 테크놀로지스 아게 메모리 셀 장치 및 그 제조 방법
DE19843979C1 (de) * 1998-09-24 2000-03-02 Siemens Ag Speicherzellenanordnung mit ferroelektrischem oder dynamischen Speicherzellen und entsprechendes Herstellungsverfahren

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04226071A (ja) * 1990-05-16 1992-08-14 Ricoh Co Ltd 半導体メモリ装置
JPH04354159A (ja) * 1991-05-31 1992-12-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH05102436A (ja) * 1991-10-09 1993-04-23 Ricoh Co Ltd 半導体メモリ装置とその製造方法
JPH05110036A (ja) * 1991-10-18 1993-04-30 Ricoh Co Ltd 半導体メモリ装置とその製造方法

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IN187131B (es) 2002-02-09
EP0815594B1 (de) 1999-08-25
EP0815594A1 (de) 1998-01-07
US5920099A (en) 1999-07-06
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CN1179234A (zh) 1998-04-15
JPH11502370A (ja) 1999-02-23
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WO1996029739A1 (de) 1996-09-26

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