[go: up one dir, main page]

NO802387L - Anordning til bredbaandet gjennomkobling. - Google Patents

Anordning til bredbaandet gjennomkobling.

Info

Publication number
NO802387L
NO802387L NO802387A NO802387A NO802387L NO 802387 L NO802387 L NO 802387L NO 802387 A NO802387 A NO 802387A NO 802387 A NO802387 A NO 802387A NO 802387 L NO802387 L NO 802387L
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
transistors
connection
switching
switching point
elkal
Prior art date
Application number
NO802387A
Other languages
English (en)
Inventor
Helmut Bauch
Hans Rehm
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of NO802387L publication Critical patent/NO802387L/no

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/62Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • H03K17/6221Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors combined with selecting means
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/603Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors with coupled emitters

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Details Of Connecting Devices For Male And Female Coupling (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Studio Circuits (AREA)

Description

Oppfinnelsen angår en anordning som tjener til valgvis gjennomkobling av signaler med stor båndbredde og særlig kan finne anvendelse ved fordelingen av videosignaler. . I en slik anordning til bredbåndet gjennomkobling kan koblingspuncft-kretsene, hvis funksjon er valgvis å forbinde inngangsledninger med utgangsledninger for gjennomkoblingsanordningen, med sikte på mest mulig kortvarige koblingsopera-sjoner, resp. med henblikk på de fortrinnsvis F-, PP- eller PC-modulerte signaler som skal gjehnomkoblés, og som har signalfrekvenser på f.eks. over 80 MHz, være dannet ved hjelp av sammenknytningsledd realisert i ECL-teknikk (jfr. Pfann-schmidt: "Arbeitsgeschwindigkeitsgrenzen von Koppelnetzwerken fur Breit-band-Digitalsignale", Diss. TuBswg. 1978; DE-AS 28 28 662). Slike sammenknytningsledd, som forekommer vanlig i handelen, forårsaker riktignok uansett sin respektive koblingstilstand effékttap, så større koblingsfelter får et relativt stort og for det meste nytteløst effektforbruk (jfr. også Hartmuth, Duck, Jenick: Aufbau und Ånwendung integrierter Halbleiterschal-tungen °, Regélungstechnik 16(1968)12, 541...588, und 17(1969)1, 12...18?avsnitt 4c).
For oppfinnelsen er der nå stilt den oppgave å unngå
et slikt unødig effektforbruk. Oppfinnelsen gjelder eri anordning til bredbåndet gjennomkobling med koblingspunkt-bryterkretser i ECL-teknikk. Gjennomkoblingsanordningen er ifølge oppfinnelsenkarakterisert vedat koblingspunktbryterne er oppbygget med transistorer som bare i gjennomkoblet tilstand
av den respektive koblingspunktbryter er ledende. Foruten fordelene av en anselig innsparing av effekt dg derved mindre driftsomkostninger samt mindre strenge krav til strømforsyningsinnretningene, medfører oppfinnelsen en rekke ytterligere fordeler. Således tillater den svake taps-varme en kompakt oppbygning, idet kjølesystemer kan bortfalle eller i det minste reduseres vesentlig. Ved en integrasjon kan eventuelt et tilsvarende stort antall koblingspunkt-bryterkretser sammenfattes på én kompent (chip). I en større gjennomkoblingsanordning hvor antallet av de til enhver tid gjennom-koblede koblingspunktbrytere er lavt i forhold til samlet antall koblingspunktbrytere, har koblingspunktbryterne en
tilsvarende kort midlere driftstid og dermed en motsvarende lang levetid resp. en tilsvarende redusert svikthyppighet. Siden de koblingspunkt-bryterkretser som til enhver tid befinner seg i sperretilstand, og som er strømløse, ikke bevirker noen signalforsterkning, blir der i. gjennomkoblingsanordningen tillike oppnådd ehsterkere krysståledempning, bg støyen blir mindre.
Det skal her bemerkes at det (f.eks. fra DE-OS 14 99 328) er kjent i en koblingsanordning til å frembringe et elektrisk utgangssignal proporsjonalt med produktet av to inngangssigna-lér/ å anordne en transistor i emittergrenen hos to emitterkoblede ytterligere transistorer. Problemer med en valgvis gjennomkobling av bredbåndede signaler ved hjelp av en gjennomkoblingsanordning og med effektforbruket i en slik gjennorakoblingsanord-ning, er imidlertid ikke berørt i den forbindelse.
Som videre utformning av oppfinnelsesgjenstanden kan
hver koblingspunktbryter være dannet av en differanseforsterker-kobling med to emitterkoblede HF-transistorer og en koblingstransistor som er innføyet i den felles eraitterstrømgren og bare er ledende ved påstyring av vedkommende koblingspunktbryter, samtidig som en av HP-transistorene med sin basis er tilsluttet en inngangsledning til gjennomkoblingsanordningen og der til kollekteren hos den ene av HF~transistorene er tilsluttet en utgangsledning fra gjennomkoblingsanordningen.
I den forbindelse kan den ene HF-transistor med sin basis
være tilsluttet den respektive inngangsledning og med sin kollektor være tilsluttet en referansepotensialkilde (gods),©ens den respektive utgangsledning er tilsluttet kollekteren hos den annen HF-transistor, hvis basis er forbundet med en driftsspenningsdelér. En slik gjennomkoblingsanordning, hvor en koblingspunkt-bryter (inklusive last) kan ha et effektforbruk på ca. 40-^50 mW i gjennomkoblet tilstand og praktisk talt nesten null i sperret tilstand, egner seg ved anvendelse av tilsvarende raske HF-transistorer til gjennomkobling av signaler med opp til over 600 Mbit/s.
Som en videre utformning kan for det første basiselektro-Qene hos dé nevnte respektive ene HF-transistorer i en hel linje av differanseforsterkerkoblinger, i innbyrdes multipel kobling være tilsluttet vedkommende inngangsledning for dermed å muliggjøre valgvis gjennomkobling av vedkommende inngangsledning til én blant flere utgangslédningerr og for det annet kan kollektorene hos de respektive andre HF-transistorer i en hel kolonne av differanseforsterkerkoblinger i innbyrdes . multipel kobling vesre tilsluttet vedkommende utgangsledning for dermed å muliggjøre valgvis gjennomkobling av én blant flere inngangsledninger til denne utgangsledning.
I en ytterligere utformning av oppfinnelsesgjenstanden kan den ene hovedelektrode hos koblingstransistorené i en kolonne av differanseforsterkerkoblinger hvor kollektorene bos de ene HF-transistorer i innbyrdes multipelkobling er tilsluttet vedkommende utgangsledning, i innbyrdes multipelkobling være tilsluttet en driftspotensialkilde. Koblingstran-sistorenes styreelektroder kan enn videre vere forbundet med de enkelte utganger fra en påstyringsdekoder tilordnet gjennomkoblingsanordningen.
Oppfinnelsen vil bli nærmere belyst under henvisning
til tegningen.:
Fig. 1 viser et utførelseseksempel på en koblingspunkt-bryter ifølge oppfinnelsen. Fig. 2 viser en koblingsmatrise oppbygget med koblingspunktbrytere i henhold til fig. 1.
På fig. 1 er der vist øn bredbåndet gjennomkoblingsanordning som oppviser en koblingspunktbryter i ECL-teknikk, i det Vesentlige bestående av en differanseforsterkerkobling med to emitterkoblede HF-transistorer Tl og T2 og en koblingstransistor T3 som sammen med en motstand, Sl er innføyet i den felles emitterstrøiakrets, og hvis hovedelektrode, som vender bort fra HF-transistorene, er tilsluttet en driftsspen-ningskilde U som har en driftsspenning på f.eks. -5V. Den ene HF- transistor Tl er med sin basis tilsluttet en inngangs-, ledning e til gjennosakoblingsanordningen og har sin kollektor tilsluttet en kilde for referansepotensial (gods). Til kollekteren hos den annen HF-transistor T2, hvis basis er tilsluttet en driftsspenningsdeler gods-£3-R2~U, er der koblet en utgangsledning a fra gjennomkoblingsanordningen, og på fig. 1 er det antydet at denne utgangsledning kan vere belastet med en lastmotstand R^. Roblingstransistoren T3 har sin basis forbundet med påstyringsledningen s for koblingspunktbryteren, så den bare ved-.''pås ty r ing av denne er ledende.
Ved en slik påstyring som skjer via ledningen s, og som kan skje med TTL-signalnivå, befinner koblingspunktbryteren på fig. 1 seg i gjennorakoblet tilstand og frembyr dermed mellom inngangsledningen e og utgangsledningen a en rask signalvei over hvilken der i det minste ved diskret oppbygning med tilsvarende raske HP-transistorer Tl og T2 kan gjennomkofoles signaler opp til over 600 Mbit/s. I den forbindelse er det gunstig at påstyringskretsen i sin tur slett ikke behøver å viere dimensjonert for så høyfrekvente resp. bredbåndede signaler, da den ikke behøver é følge slike signaler, men bare under oppsetningen av en forbindelse mellom inngangsledning e og utgangsledning a bevirker gjennomkobling av koblingspunktbryteren og ved utløsning av forbindelsen bevirker sper-ring av koblingspunktbryteren, mens påstyringskretsen under gjennomkoblingstiIstanden bare fører den praktisk talt konstante sumstrøm til de to HF-transistorer Tl, T2. Koblingspunktbryterens effektforbruk ligger i gjennomkoblet tilstand på ca. 40-50 saw.
SJår koblingspunktbryteren ikke påstyres, er koblingstran-sistoren T3 ikke ledende, og dermed - siden driftsspenningen U på f.eks. -5V ikke tilføres - heller ikke HF-transistorene Tl, T2. Koblingspunktbryteren befinner seg dermed i sperretilstand, og effektforbruket går praktisk talt mot 0 mW.
Fig. 2 viser skjematisk i et omfang som er tilstrekkelig til forståelse av oppfinnelsen, en bredbåndskoblingsmatrise som er oppbygget med koblingspunktbrytere i henhold til fig. 1, med en flerhet av inngangsledninger el...en og en flerhet av utgångsledninger al...an. I krysningspunktet mellom én og én inngangsledning og én og én utgangsledning ligger en koblingspunktbryter. I krysningspunktet mellom inngangsledningen el og utgangsledningen al ligger således koblingspunktbrytere eikl.
Denne koblingspunktbryter er i prinsippet oppbygget .
på den måte som fremgår av fig. 1, og inneholder altså igjen en differanseforsterkerkobling med to emitterkoblede HF-transis-
torer Tl, T2 og en koblingstransistor T3 som ligger i serie med den felles emittermotstand RI og bare ved påstyring av vedkommende koblingspunktbryter (elkal) er ledende, og hvis basis enn videre er tilsluttet påstyringsledningen s til koblingspunktbryteren elkal. Hver av koblingspunktbryterne i bredbånds-koblingsmatrisesi på fig. 2-har en slik egen påstyringsledning som den det er betegnet med s ved koblingspunktbryteren elkal. Disse påstyringsledninger og dermed styreelek-trodene hos de enkelte koblingstransistorer kan - uten at det er vist i detalj på fig. 2 - vssre forbundet med de enkelte utganger fra en påstyringsdekoder tilordnet koblingsmatrisen.
Til iringangsledningen el til koblingsanordningen på
fig. 2 er basiselektrodene hos de respektive ene HF-transistorer - som HF-transistoren fl i koblingspunktbryteren elkal
- tilsluttet en hel linje av differanseforsterkerkoblinger i innbyrdes multipelkobling. Tilsvarende gjelder også for de ytterligere inngangsledninger ...en til bredbånd-gjennorokob-lingsanordningen på fig. 2. Til utgangsledningen al er på
den annen side tilsluttet kollektorene hos de respektive andre HF-transistorer - som HF-transistorenT2 i koblingspunktbryteren elkal - i en hel kolonne av differanseforsterkerkoblinger, likeledes i innbyrdes multipelkobling. Det maksimale antall n av de koblingspunktbrytere hvis utganger man dermed ved "wired-orw~sammenknytning kan tilsluttes en felles utgangsledning a, avhenger av HF-transistorenes egenskaper såvel som av høyden av frekvensene av signalene som skal overføres. Således kan der ved anvendelse av diskrete HF-transistorer, f.eks. med HF-transistorer BFS20, over en bredbånds-gjennomkoblingsanordning i henhold til fig. 2 med ca. n = 20 inngangsledninger e gjennomkobles signaler med signalfrekvenser opp til størrelsesorden 100 MHz. X deri forbindelse skal det imidlertid serskilt påpekes at oppfinnelsen ikke er begrenset til en realisering av bredbånds-gjennomkoblingsanordningen med diskrete komponenter, men nettopp også tar sikte pé en monolitisk integrert løsning.
Blir en koblingspunktbryter., f .eks. koblingspunktbryteren elkal, påstyrt over sin egne særskilte påstyringsledning s, blir koblingspunktbryterens koblingstransistor T3 ledende, så driftspotensialet O på f.eks. -5V blir tilsluttet emittergrenen til de to HF-transistorer Tl, T2 hos koblingspunktbryteren elkal. Fig. 2 antyder til dette formål at eraitterne
hos koblingstransistorene (T3) i en kolonne av koblingpunktbry-tere (elkal) i innbyrdes multipelkobling er tilslu.ttet en
driftspotensial-kilde 13, hvorfra dessuten også styrepotensia-lene for den respektive annen EF-transistor T2 blir tatt ut via en spenningsdeler R2, R3. De to HF-transistorer Tl, T2 i vedkommende koblingspunktbryter elkal kan dermed komme i lededyktig tilstand, hvorved koblingspunktbryteren kommer i gjennomkoblet tilstand hvor den frembyr en rask signalvei mellom den tilhørende inngangsledning (el) og den tilhørende utgangsledning (al). Selve påstyringskretsen kan i den forbindelse igjen vesre dimensjonert for vesentlig langsommere signaler, da den i gjennomkoblet tilstand av koblingspunktbryteren elkal bare fører deh praktisk talt konstante sumstrøra til
de to HF-transistorer Tl, T2.
Påstyringen av en koblingspunktbryter, f.eks. av koblingspunktbryteren elkal, levner de ikke påstyrte koblingspunktbrytere bos bredbånds-gjennorakoblingsanordningen på fig. 2 upå-virket uansett om disse koblingspunktbrytere ligger til samme inngangsledning (el) eller utgangsledning (al) som den nettopp betraktede koblingspunktbryter elkal eller ikke. Fors&vidt slike koblingspunktbrytere ikke nettopp selv biir påstyrt over sin individuelle påstyringsledning, er deres transistorer Tl, T2, T3 strømløse, så koblingspunktbryteren praktisk talt er fri for -tapseffekt»

Claims (7)

1. Bredbånds-gjennomkoblingsanordning med koblingspunkt-bryterkretser i ECL-teknikk, karakterisert ved at koblingspunktbryterne (eKa) bare er oppbygget med transistorer (Tl, T2, T3) som bare i gjennomkoblet tilstand av den respektive koblingspunktbryter (elkal) er ledende.
2. Anordning som angitt i krav 1, karakterisert ved at hver av koblingspunktbryterne (elkal) dannes av en differanseforsterker-kobling med to eroitterkoblede HF-transistorer (Tl, T2) og en koblingstransistor som er innføyet i den felles emitterstrømgren og bare ved påstyring av vedkommende koblingspunktbryter (elkal) er ledende, samtidig som en av HF-1 rans i stor ene (Tl) med sin basis er tilsluttet en inngangsledning (e) til gjennomkoblingsanordningen og der til kollektoren hos én av HF-transistorene (Tl, T2) er tilsluttet en utgangsledning (a) fra gjennomkoblingsanordningen.
3. Anordning som angitt i krav 2, karakterisert ved at den ene HP-transistor (Tl) med sin basis eir tilsluttet den respektive inngangsledning (e) og med sin kollektor er tilsluttet en kilde for referansepotensial (gods), og at den respektive utgangsledning (a) er tilsluttet kollektoren hos den annen HF-transistor (T2), hvis basis er forbundet med en driftsspenningsdeler (gods-R3- R4-U)
4. Anordning som angitt i krav 2 eller 3, karakterisert ved at basiselektrodene hos de respektive ene HF-transistorer (Tl) i en hel linje av differanseforsterkerkoblinger, i innbyrdes multipelkobling er tilsluttet vedkommende inngangsledning (e) til gjennomkoblingsanordningen.
5. Anordning som angitt i krav 2, 3 eller 4, karakterisert ved at kollektorene hos de respektive andre HF-transistorer (T2) i en hel kolonne av differanseforsterkerkoblinger i innbyrdes multipelkobling er tilsluttet vedkommende utgangsledning (a) fra gjennomkoblingsanordningen.
6. Anordning som angitt i krav 5, karakterisert ved at de ene hovedelektroder (emittere) hos koblingstransistorene (T3) i én kolonne av differanseforsterkerkoblinger (elkal) i innbyrdes multipelkobling er tilsluttet en driftspotensialkilde (U).
7. Anordning sons angitt i et av kravene 2-6, karakterisert v e åi, J at koblingstransistoren.es (T3) styreelektroder er forbundet med dé enkelte utganger fra en påstyringsdekoder tilordnet gjennomkoblingsanordningen.
NO802387A 1979-08-10 1980-08-08 Anordning til bredbaandet gjennomkobling. NO802387L (no)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2932587A DE2932587C2 (de) 1979-08-10 1979-08-10 Breitbandkoppelanordnung mit einer Matrix von Koppelpunktschaltkreisen in ECL-Technik

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NO802387L true NO802387L (no) 1981-02-11

Family

ID=6078223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO802387A NO802387L (no) 1979-08-10 1980-08-08 Anordning til bredbaandet gjennomkobling.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4346381A (no)
EP (1) EP0024027A1 (no)
JP (1) JPS5628564A (no)
CA (1) CA1153075A (no)
DE (1) DE2932587C2 (no)
DK (1) DK342580A (no)
FI (1) FI802499A7 (no)
NO (1) NO802387L (no)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3101932A1 (de) * 1981-01-22 1982-09-02 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt "koppelfeld in matrixform fuer signalfrequenzen im megahertzbereich"
DE3215176A1 (de) * 1982-04-23 1983-10-27 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Monolithisch integrierter koppelbaustein
US4535360A (en) * 1983-09-27 1985-08-13 At&T Bell Laboratories Low power wideband switching array element
DE3484101D1 (de) 1984-01-05 1991-03-14 Ant Nachrichtentech Breitbandkoppelfeld in matrixform.
US4634426A (en) * 1984-12-11 1987-01-06 Baxter Travenol Laboratories Medical infusion controller and user interface
JPH0789674B2 (ja) * 1985-10-22 1995-09-27 シ−メンス、アクチエンゲゼルシヤフト 広帯域信号−結合装置
JPS62245718A (ja) * 1986-04-11 1987-10-27 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション 交点スイツチング回路網
NL8801066A (nl) * 1988-04-25 1989-11-16 At & T & Philips Telecomm Schakelmatrix voor telecommunicatiecentrales.
LU87431A1 (de) * 1988-06-08 1989-06-14 Siemens Ag Breitbandsignal-koppeleinrichtung
US5055836A (en) * 1988-12-07 1991-10-08 Siemens Aktiengesellschaft Wideband solid-state analog switch
LU87566A1 (de) * 1989-03-22 1990-01-08 Siemens Ag Breitbandsignal-koppeleinrichtung
FR2650452B1 (fr) * 1989-07-27 1991-11-15 Sgs Thomson Microelectronics Point de croisement pour matrice de commutation
DE10337416B3 (de) * 2003-08-14 2005-05-04 Siemens Ag Kreuzschienenverteiler

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3432650A (en) * 1964-11-10 1969-03-11 Northern Electric Co Signal multiplier providing an output signal substantially free of components proportional to the individual input signals
US3550087A (en) * 1968-03-26 1970-12-22 Central Dynamics Video switching circuit
DE2251444C2 (de) * 1972-10-20 1983-07-14 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Koppelfeld-Anordnung zur breitbandigen Signalübertragung in Fernmeldeanlagen
US3838296A (en) * 1973-10-29 1974-09-24 Nat Semiconductor Corp Emitter coupled logic transistor circuit
US3953746A (en) * 1974-07-29 1976-04-27 Honeywell Information Systems, Inc. Selector latch gate
US4125855A (en) * 1977-03-28 1978-11-14 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Integrated semiconductor crosspoint arrangement
DE2751881A1 (de) * 1977-11-21 1979-05-23 Siemens Ag Monolithische digitale halbleiterschaltung mit mehreren bipolartransistoren
US4237387A (en) * 1978-02-21 1980-12-02 Hughes Aircraft Company High speed latching comparator
DE2828662C2 (de) * 1978-06-29 1980-02-28 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Schaltungsanordnung zum wahlweisen Durchschalten oder Sperren von Signalen hoher Bandbreite

Also Published As

Publication number Publication date
DK342580A (da) 1981-02-11
DE2932587C2 (de) 1983-12-01
FI802499A7 (fi) 1981-01-01
US4346381A (en) 1982-08-24
JPS5628564A (en) 1981-03-20
CA1153075A (en) 1983-08-30
DE2932587A1 (de) 1981-02-12
EP0024027A1 (de) 1981-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO802387L (no) Anordning til bredbaandet gjennomkobling.
US4654610A (en) PIN diode switched RF signal attenuator
KR960027843A (ko) 데이타 교환장치
NO160435B (no) Fremgangsmaate for oksydehydrogenering av etan til etylen.
KR880004373A (ko) 대량 병렬 어레이 프로세싱 시스템
KR101477841B1 (ko) 실행 불가능한 네트워크 디바이스를 바이패스하기 위한 네트워크 인터페이스 장치
US5214311A (en) Power supply device
EP0334545B1 (en) Single-level multiplexer
US4088903A (en) Bistable circuits
US4129838A (en) Switching arrangements
US4742249A (en) RF switch with diode network and control latch sharing common element
EP0317472A3 (en) Logic redundancy circuit scheme
US5982051A (en) Electronic two-way switching circuit
US4319145A (en) Control interface circuit
US3872439A (en) Electronic switching circuit for bidirectional transfer
US2863049A (en) Electric circuit arrangements for repeating the output of a selection of a pluralityof source circuits
US3633165A (en) Analog data transmission system
US2693533A (en) Mixing circuit
KR960706226A (ko) 전기 스위칭 어셈블리(electrical switching assembly)
NO149945B (no) Anordning til bredbaandet gjennomkobling
US20210135668A1 (en) Semiconductor relay module and semiconductor relay circuit
US2466701A (en) Communication system
GB1358289A (en) Signal distributing systems
JPS6146619A (ja) サイリスタ駆動用回路装置
US3488523A (en) L-network switching circuit