[go: up one dir, main page]

NL9001611A - Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. - Google Patents

Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. Download PDF

Info

Publication number
NL9001611A
NL9001611A NL9001611A NL9001611A NL9001611A NL 9001611 A NL9001611 A NL 9001611A NL 9001611 A NL9001611 A NL 9001611A NL 9001611 A NL9001611 A NL 9001611A NL 9001611 A NL9001611 A NL 9001611A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
alignment
mask
alignment mark
substrate
mark
Prior art date
Application number
NL9001611A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Asm Lithography Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asm Lithography Bv filed Critical Asm Lithography Bv
Priority to NL9001611A priority Critical patent/NL9001611A/nl
Priority to EP91201742A priority patent/EP0467445B1/de
Priority to DE69130783T priority patent/DE69130783T2/de
Priority to KR1019910011966A priority patent/KR100306471B1/ko
Priority to JP19992191A priority patent/JP3081289B2/ja
Publication of NL9001611A publication Critical patent/NL9001611A/nl
Priority to US08/057,437 priority patent/US5481362A/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
    • H10P72/50—

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
NL9001611A 1990-07-16 1990-07-16 Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. NL9001611A (nl)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL9001611A NL9001611A (nl) 1990-07-16 1990-07-16 Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
EP91201742A EP0467445B1 (de) 1990-07-16 1991-07-05 Vorrichtung zur Projecktion eines Maskenmusters auf ein Substrat
DE69130783T DE69130783T2 (de) 1990-07-16 1991-07-05 Vorrichtung zur Projecktion eines Maskenmusters auf ein Substrat
KR1019910011966A KR100306471B1 (ko) 1990-07-16 1991-07-13 마스크패턴투영장치
JP19992191A JP3081289B2 (ja) 1990-07-16 1991-07-16 基板上にマスクパターンを投影する装置
US08/057,437 US5481362A (en) 1990-07-16 1993-05-06 Apparatus for projecting a mask pattern on a substrate

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL9001611A NL9001611A (nl) 1990-07-16 1990-07-16 Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
NL9001611 1990-07-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL9001611A true NL9001611A (nl) 1992-02-17

Family

ID=19857418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL9001611A NL9001611A (nl) 1990-07-16 1990-07-16 Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5481362A (de)
EP (1) EP0467445B1 (de)
JP (1) JP3081289B2 (de)
KR (1) KR100306471B1 (de)
DE (1) DE69130783T2 (de)
NL (1) NL9001611A (de)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL9001611A (nl) 1990-07-16 1992-02-17 Asm Lithography Bv Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
JPH06310400A (ja) * 1993-04-12 1994-11-04 Svg Lithography Syst Inc 軸上マスクとウェーハ直線配列システム
BE1007907A3 (nl) * 1993-12-24 1995-11-14 Asm Lithography Bv Lenzenstelsel met in gasgevulde houder aangebrachte lenselementen en fotolithografisch apparaat voorzien van een dergelijk stelsel.
JPH08264427A (ja) * 1995-03-23 1996-10-11 Nikon Corp アライメント方法及びその装置
JPH11504770A (ja) * 1996-03-04 1999-04-27 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ マスクパターンをステップ及びスキャン結像するリソグラフィ装置
JP4023695B2 (ja) * 1996-03-15 2007-12-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー． ブイ． アラインメント装置及びこの装置が設けられているリソグラフィ装置
US5760483A (en) * 1996-12-23 1998-06-02 International, Business Machines Corporation Method for improving visibility of alignment targets in semiconductor processing
WO1998039689A1 (en) * 1997-03-07 1998-09-11 Asm Lithography B.V. Lithographic projection apparatus with off-axis alignment unit
TW367407B (en) * 1997-12-22 1999-08-21 Asml Netherlands Bv Interferometer system with two wavelengths, and lithographic apparatus provided with such a system
US6160622A (en) * 1997-12-29 2000-12-12 Asm Lithography, B.V. Alignment device and lithographic apparatus comprising such a device
US6136517A (en) * 1998-03-06 2000-10-24 Raytheon Company Method for photo composition of large area integrated circuits
WO1999056174A1 (en) * 1998-04-30 1999-11-04 Nikon Corporation Alignment simulation
US6061606A (en) 1998-08-25 2000-05-09 International Business Machines Corporation Geometric phase analysis for mask alignment
US7116401B2 (en) 1999-03-08 2006-10-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus using catoptrics in an optical sensor system, optical arrangement, method of measuring, and device manufacturing method
TW490596B (en) 1999-03-08 2002-06-11 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus
US6924884B2 (en) 1999-03-08 2005-08-02 Asml Netherlands B.V. Off-axis leveling in lithographic projection apparatus
TWI231405B (en) * 1999-12-22 2005-04-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus, position detection device, and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus
US7541201B2 (en) 2000-08-30 2009-06-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry
US7068833B1 (en) * 2000-08-30 2006-06-27 Kla-Tencor Corporation Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements
US6489627B1 (en) * 2000-09-29 2002-12-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method for inspecting a reticle and apparatus for use therein
TW556296B (en) * 2000-12-27 2003-10-01 Koninkl Philips Electronics Nv Method of measuring alignment of a substrate with respect to a reference alignment mark
US6904201B1 (en) * 2001-05-09 2005-06-07 Intel Corporation Phase-controlled fiber Bragg gratings and manufacturing methods
US7804994B2 (en) * 2002-02-15 2010-09-28 Kla-Tencor Technologies Corporation Overlay metrology and control method
TW594431B (en) * 2002-03-01 2004-06-21 Asml Netherlands Bv Calibration methods, calibration substrates, lithographic apparatus and device manufacturing methods
EP1341046A3 (de) * 2002-03-01 2004-12-15 ASML Netherlands B.V. Kalibrationsverfahren, Kalibrationssubstrate, lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung von Artikeln
EP1394616A1 (de) * 2002-08-29 2004-03-03 ASML Netherlands BV Ausrichtgerät, lithographischer Apparat, Ausrichtungsverfahren und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
JP4222927B2 (ja) 2002-09-20 2009-02-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 少なくとも２波長を使用するリソグラフィ装置用アライメント・システム
US7075639B2 (en) 2003-04-25 2006-07-11 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and mark for metrology of phase errors on phase shift masks
US7346878B1 (en) 2003-07-02 2008-03-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for providing in-chip microtargets for metrology or inspection
US7608468B1 (en) * 2003-07-02 2009-10-27 Kla-Tencor Technologies, Corp. Apparatus and methods for determining overlay and uses of same
US7450217B2 (en) 2005-01-12 2008-11-11 Asml Netherlands B.V. Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7557921B1 (en) 2005-01-14 2009-07-07 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for optically monitoring the fidelity of patterns produced by photolitographic tools
JP5268239B2 (ja) * 2005-10-18 2013-08-21 キヤノン株式会社 パターン形成装置、パターン形成方法
EP2128832A1 (de) * 2008-05-30 2009-12-02 Robert Bosch GmbH Abdecküberwachungssystem und -verfahren für Bewegungsdetektoren
NL2003363A (en) 2008-09-10 2010-03-15 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, method of manufacturing an article for a lithographic apparatus and device manufacturing method.
US20100105156A1 (en) * 2008-10-27 2010-04-29 Po-Shen Chen Method of manufacturing light-emitting diode package
KR101650370B1 (ko) * 2009-03-26 2016-08-23 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판 및 반사형 마스크블랭크 그리고 그것들의 제조방법
NL2005414A (en) * 2009-10-28 2011-05-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and patterning device.
US9927718B2 (en) 2010-08-03 2018-03-27 Kla-Tencor Corporation Multi-layer overlay metrology target and complimentary overlay metrology measurement systems
KR101215094B1 (ko) * 2010-10-25 2012-12-24 삼성전자주식회사 피측정체 정렬장치
CN102486621B (zh) * 2010-12-02 2014-02-19 上海微电子装备有限公司 一种对准调整装置及对准调整方法
US10890436B2 (en) 2011-07-19 2021-01-12 Kla Corporation Overlay targets with orthogonal underlayer dummyfill
US8604417B2 (en) 2011-08-26 2013-12-10 Baker Hughes Incorporated Targetless pulsed neutron generator using beam-beam interaction
TWI448659B (zh) * 2012-12-27 2014-08-11 Metal Ind Res & Dev Ct Optical image capture module, alignment method and observation method
US9304403B2 (en) * 2013-01-02 2016-04-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for lithography alignment
CN106796406B (zh) 2014-08-25 2019-08-30 Asml控股股份有限公司 测量方法、测量设备、光刻设备和器件制造方法
US10451412B2 (en) 2016-04-22 2019-10-22 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
JP7038562B2 (ja) * 2018-02-13 2022-03-18 キヤノン株式会社 検出装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
CN111061064B (zh) * 2019-12-30 2020-12-15 浙江大学 一种双光束光阱光束辅助对准装置和方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3721587A (en) * 1970-12-02 1973-03-20 Wood Steel Co Alan Low carbon,niobium and aluminum containing steel sheets and plates and process
NL7100212A (de) * 1971-01-08 1972-07-11
NL7606548A (nl) * 1976-06-17 1977-12-20 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het uitrichten van een i.c.-patroon ten opzichte van een halfgelei- dend substraat.
NL186353C (nl) * 1979-06-12 1990-11-01 Philips Nv Inrichting voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat voorzien van een opto-elektronisch detektiestelsel voor het bepalen van een afwijking tussen het beeldvlak van een projektielenzenstelsel en het substraatvlak.
DD144690A1 (de) * 1979-07-02 1980-10-29 Rainer Dastis Einrichtung zur kompensation der chromatischen laengsabweichung eines projektionsobjektives
US4871257A (en) * 1982-12-01 1989-10-03 Canon Kabushiki Kaisha Optical apparatus for observing patterned article
NL8401710A (nl) * 1984-05-29 1985-12-16 Philips Nv Inrichting voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
US4614433A (en) * 1984-07-09 1986-09-30 At&T Bell Laboratories Mask-to-wafer alignment utilizing zone plates
JPS6139021A (ja) * 1984-07-31 1986-02-25 Canon Inc 光学装置
US4771180A (en) * 1985-10-11 1988-09-13 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Exposure apparatus including an optical system for aligning a reticle and a wafer
NL8600639A (nl) * 1986-03-12 1987-10-01 Asm Lithography Bv Werkwijze voor het ten opzichte van elkaar uitrichten van een masker en een substraat en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
NL8601095A (nl) * 1986-04-29 1987-11-16 Philips Nv Positioneerinrichting.
NL8601547A (nl) * 1986-06-16 1988-01-18 Philips Nv Optisch litografische inrichting met verplaatsbaar lenzenstelsel en werkwijze voor het regelen van de afbeeldingseigenschappen van een lenzenstelsel in een dergelijke inrichting.
JPH0642448B2 (ja) * 1987-09-30 1994-06-01 株式会社東芝 位置合わせ方法
EP0323242A3 (de) * 1987-12-28 1989-10-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten von zwei Objekten, und Verfahren und Vorrichtung zum Einstellen eines gewünschten Spaltes zwischen zwei Objekten
NL8900991A (nl) * 1989-04-20 1990-11-16 Asm Lithography Bv Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
NL9001611A (nl) 1990-07-16 1992-02-17 Asm Lithography Bv Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.

Also Published As

Publication number Publication date
EP0467445B1 (de) 1999-01-20
KR100306471B1 (ko) 2001-11-30
DE69130783T2 (de) 1999-10-21
KR920003456A (ko) 1992-02-29
JP3081289B2 (ja) 2000-08-28
JPH04233218A (ja) 1992-08-21
DE69130783D1 (de) 1999-03-04
US5481362A (en) 1996-01-02
EP0467445A1 (de) 1992-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL9001611A (nl) Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
US5100237A (en) Apparatus for projecting a mask pattern on a substrate
US5917604A (en) Alignment device and lithographic apparatus provided with such a device
EP0906590B1 (de) Lithographisches belichtungsgerät mit einer ausserhalb der belichtungsachse liegenden ausrichtungsvorrichtung
EP0823977B1 (de) Lithographisches gerät zur step-und-scan übertragung eines maskenmusters
JP3996212B2 (ja) 整列装置およびそのような装置を含むリソグラフィー装置
US5674650A (en) Method of repetitively imaging a mask pattern on a substrate, and apparatus for performing the method
JP3774476B2 (ja) ２種類の波長を使う干渉計システム、およびそのようなシステムを備えるリソグラフィー装置
US5144363A (en) Apparatus for and method of projecting a mask pattern on a substrate
NL8600639A (nl) Werkwijze voor het ten opzichte van elkaar uitrichten van een masker en een substraat en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
US4772119A (en) Device for detecting a magnification error in an optical imaging system
EP1347336A1 (de) Interferometersystem und lithographisches Gerät mit einem solchen System
US20090153825A1 (en) Lithographic apparatus and method
US5910847A (en) Method of determining the radiation dose in a lithographic apparatus
NL8600638A (nl) Inrichting voor het ten opzichte van elkaar uitrichten van een masker en een substraat.
JPH02251707A (ja) 位置検出装置

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed