NL8902371A - Halfgeleidend foto-element en werkwijze voor vervaardiging daarvan. - Google Patents
Halfgeleidend foto-element en werkwijze voor vervaardiging daarvan. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8902371A NL8902371A NL8902371A NL8902371A NL8902371A NL 8902371 A NL8902371 A NL 8902371A NL 8902371 A NL8902371 A NL 8902371A NL 8902371 A NL8902371 A NL 8902371A NL 8902371 A NL8902371 A NL 8902371A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- substrate
- converting layer
- layer
- semiconductor element
- element according
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/42—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H10F77/48—Back surface reflectors [BSR]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
- H10F77/703—Surface textures, e.g. pyramid structures of the semiconductor bodies, e.g. textured active layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
Halfgeleidend foto-element en werkwijze voor vervaardiging daarvan
Voor het behalen van hoge rendementen van zonnecellen dienen omzetlagen uit die fotocellen dun te zijn, terwijl invallende straling aan de van de straling afgekeerde zijde gereflecteerd dient te worden en in die laag dient te worden opgesloten.
De onderhavige uitvinding verschaft een element volgens conclusie 1.
Door de reflecterende structuur tussen substraat en omzetlaag ontstaat een goed reflectievlak, vanwege een groot verschil in brekingsindex, tussen het substraat en de omzetlaag.
Minderheidsladingsdragers worden in de omzetlaag opgesloten met behulp van een electrisch veld tussen substraat en omzetlaag, bij voorkeur door middel van een p+/P-junktie daartussen.
Voorts verschaft de onderhavige uitvinding een werkwijze volgens conclusie 5 waarmee het op eenvoudige wijze mogelijk wordt een reflecterende structuur tussen omzetlaag en substraat te vormen.
Verdere voordelen, kenmerken en details van de onderhavige uitvinding zullen duidelijk worden aan de hand van een beschrijving van een voorkeursuitvoeringsvorm daarvan, met referentie aan een tekening, waarin tonen: fig. 1 een schematisch dwarsdoorsnede-aanzicht van een voorkeursuitvoeringsvorm van het halfgeleidend foto-element volgens de onderhavige uitvinding; en fig. 2A, 2B resp. schema's ter verduidelijking van de voorkeursuitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de onderhavige uitvinding.
Een p+substraat 2 is voorzien van een geleidend contact 1 en voorzien van caviteiten of holten 3, 3' ter vorming van een reflecterende structuur tussen het substraat 2 en een daarop aan te brengen omzetlaag 4 waarin schematisch met R invallende straling dient te worden omgezet in (minderheids-) ladingsdragers.
De structuur 5 wordt gecompleteerd door een passiva-tiesatielaag 6 bij voorkeur voorzien van texturisatie voor gemakkelijk laten inkoppelen van het licht, electrische contacten 7, 7' alsmede een anti-reflectieve laag 8, als algemeen bekend uit de stand van de techniek. De P'-laag heeft bijv. een resistiviteit van ongeveer 0,03 Ωαη, de P-omzetlaag bijv. 2 Dcm. De oppervlaktelaag-weerstand bedraagt bijv. 40-200 Ω/·.
Bij het vervaardigen van de getoonde voorkeursuitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding (Fig. 2A) wordt het deel 4 uit fig. 1 direkt op het deel 2 uit fig. 1 gebon-deerd, waarbij oxidatie van beide delen dient te worden voorkomen. Hierbij worden caviteiten 3, 3' met luchtinsluit-sels hierin gevormd waardoor althans gedeeltelijk een groot brekingsindexverschil ontstaat tussen de omzetlaag 4 en het substraat 2.
Vervolgens wordt de omzetlaag 4 dunner gemaakt tot de gewenste dikte voor de omzetlaag 4, bijv. 50 μιη en worden op bekende wijze de contacten 7, 7', de passivatielaag 6 en de anti-reflectieve laag 8 daarop aangebracht.
De verwachting is dat met de getoonde voorkeursuitvoeringsvorm een aanzienlijke rendementsverbetering, bijv. tot 20%, van dergelijke zonnecellen, bij voorkeur uit silicium kan worden bereikt.
Modificaties ten opzichte van het getoonde beschreven uitvoeringsvoorbeeld moge duidelijk zijn; zo zal de getoonde techniek ook op GaAs-zonnecellen van toepassing zijn.
Claims (6)
1. Element uit halfgeleidend materiaal, omvattende - een substraat uit gedoteerd halfgeleidend materiaal ; en - een omzetlaag voor het in ladingsdragers omzetten van invallend licht, waarbij het grensvlak tussen substraat en omzetlaag van een licht reflecterende structuur is voorzien.
2. Halfgeleiderelement volgens conclusie 1, waarbij het substraat is voorzien van holten voor het vormen van de structuur.
3. Halfgeleiderelement volgens conclusie 1 of 2, waarbij de omzetlaag een dikte van 50 μιη of minder heeft.
4. Halfgeleiderelement volgens conclusie 1, waarbij het substraat een in meerdere mate gedoteerd eerste sub-straatdeel en een in mindere mate gedoteerd tweede sub-traatdeel omvat, en de omzetlaag.
5. Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderelement volgens één van de voorgaande conclusies, waarbij het substraat enerzijds en de omzetlaag anderzijds direct op elkaar worden gebondeerd, waarbij de reflecterende structuur wordt gevormd.
6. Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderelement volgens conclusie 4, waarbij het tweede sub-straatdeel epitaxiaal op het eerste substraatdeel wordt gegroeid.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8902371A NL8902371A (nl) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | Halfgeleidend foto-element en werkwijze voor vervaardiging daarvan. |
| ES199090202501T ES2046679T3 (es) | 1989-09-21 | 1990-09-20 | Un foto-elemento semiconductor y un metodo de fabricarlo. |
| AT90202501T ATE91570T1 (de) | 1989-09-21 | 1990-09-20 | Halbleiter-photobauelement und herstellungsverfahren. |
| DE90202501T DE69002212T2 (de) | 1989-09-21 | 1990-09-20 | Halbleiter-Photobauelement und Herstellungsverfahren. |
| EP90202501A EP0418984B1 (en) | 1989-09-21 | 1990-09-20 | A semiconducting photo element and a method of manufacturing same |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8902371 | 1989-09-21 | ||
| NL8902371A NL8902371A (nl) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | Halfgeleidend foto-element en werkwijze voor vervaardiging daarvan. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8902371A true NL8902371A (nl) | 1991-04-16 |
Family
ID=19855346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8902371A NL8902371A (nl) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | Halfgeleidend foto-element en werkwijze voor vervaardiging daarvan. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0418984B1 (nl) |
| AT (1) | ATE91570T1 (nl) |
| DE (1) | DE69002212T2 (nl) |
| ES (1) | ES2046679T3 (nl) |
| NL (1) | NL8902371A (nl) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4337128A1 (de) * | 1993-11-01 | 1995-05-04 | Deutsche Aerospace | Photovoltaischer Solargenerator |
| DE102012214254A1 (de) * | 2012-08-10 | 2014-05-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Laserbasiertes Verfahren und Bearbeitungstisch zur lokalen Kontaktierung eines Halbleiterbauelements |
| DE102012214253A1 (de) * | 2012-08-10 | 2014-06-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Laserbasiertes Verfahren und Bearbeitungstisch zur Metallisierung der Rückseite eines Halbleiterbauelements |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4398056A (en) * | 1981-07-23 | 1983-08-09 | Exxon Research And Engineering Co. | Solar cell with reflecting grating substrate |
| US4608451A (en) * | 1984-06-11 | 1986-08-26 | Spire Corporation | Cross-grooved solar cell |
-
1989
- 1989-09-21 NL NL8902371A patent/NL8902371A/nl not_active Application Discontinuation
-
1990
- 1990-09-20 ES ES199090202501T patent/ES2046679T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-20 DE DE90202501T patent/DE69002212T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-20 AT AT90202501T patent/ATE91570T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-09-20 EP EP90202501A patent/EP0418984B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE91570T1 (de) | 1993-07-15 |
| EP0418984A1 (en) | 1991-03-27 |
| DE69002212D1 (de) | 1993-08-19 |
| DE69002212T2 (de) | 1993-11-25 |
| EP0418984B1 (en) | 1993-07-14 |
| ES2046679T3 (es) | 1994-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101636750B1 (ko) | 프린팅기반 어셈블리에 의해 제조되는 광학 시스템 | |
| US5034068A (en) | Photovoltaic cell having structurally supporting open conductive back electrode structure, and method of fabricating the cell | |
| US4461922A (en) | Solar cell module | |
| US5994641A (en) | Solar module having reflector between cells | |
| EP2264787B1 (en) | High efficiency multi-junction solar cells | |
| US5118361A (en) | Terrestrial concentrator solar cell module | |
| JPH03173481A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| US4773945A (en) | Solar cell with low infra-red absorption and method of manufacture | |
| US6750072B2 (en) | Method for micro-fabricating a pixelless infrared imaging device | |
| US4745451A (en) | Photodetector array and a method of making same | |
| CN102593223A (zh) | 互联带,光伏太阳能电池板,制造互联带的方法和机器 | |
| WO1988007769A1 (fr) | Capteur de couleurs | |
| NL8902371A (nl) | Halfgeleidend foto-element en werkwijze voor vervaardiging daarvan. | |
| US4956685A (en) | Thin film solar cell having a concave n-i-p structure | |
| JP2004071828A (ja) | 太陽電池 | |
| JP3122536B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP3487745B2 (ja) | 光起電力素子用基板の製造方法並びにその基板を用いた光起電力素子の製造方法。 | |
| JPS6244532Y2 (nl) | ||
| CN117637879B (zh) | 一种高光吸收率低暗电流的锗基光电器件及制造方法 | |
| JPH06177414A (ja) | 半導体素子 | |
| JPH1032344A (ja) | 太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
| JPS6244533Y2 (nl) | ||
| JP2778956B2 (ja) | カプラ | |
| JPH07302890A (ja) | 受光素子並びに当該受光素子を用いた光結合器及び光絶縁型固体リレー | |
| JPH03132080A (ja) | 光起電力装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |