[go: up one dir, main page]

NL8900050A - Inrichting voor het meten van een ruststroom van een geintegreerde monolitische digitale schakeling, geintegreerde monolitische digitale schakeling voorzien van een dergelijke inrichting en testapparaat voorzien van een dergelijke inrichting. - Google Patents

Inrichting voor het meten van een ruststroom van een geintegreerde monolitische digitale schakeling, geintegreerde monolitische digitale schakeling voorzien van een dergelijke inrichting en testapparaat voorzien van een dergelijke inrichting. Download PDF

Info

Publication number
NL8900050A
NL8900050A NL8900050A NL8900050A NL8900050A NL 8900050 A NL8900050 A NL 8900050A NL 8900050 A NL8900050 A NL 8900050A NL 8900050 A NL8900050 A NL 8900050A NL 8900050 A NL8900050 A NL 8900050A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
current
transistor
circuit
terminal
quiescent
Prior art date
Application number
NL8900050A
Other languages
English (en)
Inventor
Sebastiaan Constant Verhelst
Evert Seevinck
Keith Baker
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8900050A priority Critical patent/NL8900050A/nl
Priority to EP90200016A priority patent/EP0386804B1/en
Priority to DE69004830T priority patent/DE69004830T2/de
Priority to US07/462,663 priority patent/US5057774A/en
Priority to KR1019900000212A priority patent/KR0142080B1/ko
Priority to JP02003275A priority patent/JP3088727B2/ja
Publication of NL8900050A publication Critical patent/NL8900050A/nl

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/30Marginal testing, e.g. by varying supply voltage
    • G01R31/3004Current or voltage test
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/145Indicating the presence of current or voltage
    • G01R19/15Indicating the presence of current

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)

Description

N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
Inrichting voor het meten van een ruststroom van een geïntegreerde monolitische digitale schakeling, geïntegreerde monolitische digitale schakeling voorzien van een dergelijke inrichting en testapparaat voorzien van een dergelijke inrichting.
De uitvinding heeft betrekking op een inrichting voor het meten van een ruststroom van een geïntegreerde monolitische digitale schakeling, welke inrichting een stroomsensor bevat voor het meten van de ruststroom, die is voorzien van een eerste aansluitklem ter koppeling aan een voedingsklem van de geïntegreerde monolitische schakeling en van een tweede aansluitklem ter koppeling aan een voeding.
De uitvinding heeft verder betrekking op een geïntegreerde monolitische digitale schakeling voorzien van een dergelijke inrichting.
De uitvinding heeft voorts betrekking op een testapparaat voorzien van een dergelijke inrichting.
Een dergelijke inrichting voor het meten van een ruststroom van een geïntegreerde monolitische digitale schakeling is bekend uit het artikel “Built-In Current Testing - Feasibility Study", W. Maly and P. Nigh, Proceedings ICCAD 1988, blz. 340-343, IEEE. Daarin wordt het testen van digitale VLSI schakelingen beschreven door middel van een in de geïntegreerde monolitische schakeling ingebouwde stroomsensor. Als stroomsensor wordt een sensor met een niet-lineaire karakteristiek beschreven, in het bijzonder een bipolaire transistor als stroomsensor welke een exponentiële I-ü karakteristiek heeft. De stroomsensor is tussen de monolitische schakeling en de voeding van de monolitische schakeling opgenomen en dient ervoor om abnormale ruststromen te meten, die bijvoorbeeld het gevolg zijn van kortsluitingen en/of zwevende stuurelektroden van bijvoorbeeld MOS-FETs in de VLSI-schakeling. Er wordt dynamisch gemeten, dat wil zeggen aan ingangen van de VLSI-schakeling worden testvectoren aangeboden en in rustperioden tussen schakelen wordt de ruststroom gemeten. Als de VLSI-schakeling goed funktioneert dan zal ten opzichte van niet goed funktioneren de ruststroom orden van grootte kleiner kunnen zijn. Een ruststroommeting kan derhalve uitsluitsel geven over goed of niet goed funktioneren van de VLSI-schakeling. De spanning over de stroomsensor wordt met een referentiespanning vergeleken in ruststroomperiodes. Is de spanning groter dan een voorafbepaalde waarde dan is er een sterk vermoeden dat de VLSI-schakeling defekt is. Vanwege de exponentiële karakteristiek van de transistor is het mogelijk om te discrimineren tussen relatief grote stromen tijdens schakelen van transistoren in de VLSI-schakeling en de relatief kleine ruststromen. In de inrichting wordt een bipolaire stroomsensor gebruikt in een MOS-omgeving, wat problemen kan veroorzaken bij integratie in dezelfde geïntegreerde monolitische digitale schakeling. Verder zal een goed funktionerende VLSI-schakeling waarin een stroomsensor is opgenomen trager zijn dan een VLSI-schakeling zonder stroomsensor.
Het is onder meer het doel van de uitvinding te voorzien in een inrichting van een in de aanhef vermelde soort waarmee een snelle ruststroommeting kan worden uitgevoerd met een hoge resolutie.
Een inrichting voor het meten van een ruststroom van een geïntegreerde monolitische digitale schakeling volgens de uitvinding is erdoor gekenmerkt, dat de inrichting spanningsstabilisatiemiddelen voor het stabiliseren van een spanning op de eerste aansluitklem en met de spanningsstabilisatiemiddelen gekoppelde signaalverwerkingsmiddelen ter signaalverwerking van de ruststroom bevat. Tengevolge van het feit dat ook bij grote stroomvariaties de spanning over de stroomsensor nagenoeg gelijk blijft zal enerzijds een hoge resolutie bij het meten van de ruststroom bereikt worden en zal anderzijds de werking van de geïntegreerde monolitische schakeling bij piekstromen tijdens schakelen niet gestoord worden.
Een uitvoeringsvorm van een inrichting volgens de uitvinding is erdoor gekenmerkt, dat de spanningsstabilisatiemiddelen een verschilversterker bevatten, waarvan een eerste ingang met de eerste aansluitklem, een tweede ingang met de tweede aansluitklem of met een aansluitklem voor aansluiting op een referentiespanningsbron, en een uitgang met een stuurelektrode van de transistor is gekoppeld. In het geval dat de tweede ingang met de tweede aansluitklem is gekoppeld zal bij een voorafbepaalde offsetspanning (bijv. 100 mV) van de verschilversterker bereikt worden dat de spanningsval over de transistor klein is en vanwege de terugkoppellus zal de spanningsval ook bij relatief grote stroomvariaties relatief weinig variëren. In het geval dat de tweede ingang met een aansluitklem voor aansluiting op een referentiespanningsbron is gekoppeld zullen voor geïntegreerde monolitische schakelingen waaraan een hogere externe voedingsspanning wordt toegevoerd dan een interne voedingsspanning als werkspanning ("voltage down conversion") funkties van stroommeting, spanningsstabilisatie en omlaag transformeren van de externe voedingsspanning gecombineerd worden. Als de voorafbepaalde offsetspanning nagenoeg nul volt bedraagt dan zal de spanning op de eerste aansluitklem en daarmee de werkspanning van de geïntegreerde monolitische schakeling nagenoeg gelijk zijn aan de spanning van de referentiespanningsbron.
Een uitvoeringsvorm van een inrichting volgens de uitvinding is erdoor gekenmerkt, dat de uitgang van de verschilversterker met de stuurelektrode is gekoppeld via een mod.ificatieschakeling ter modificatie van de werking van de stroomsensor buiten een ruststroommeetperiode of buiten een ruststroommeting van de geïntegreerde monolitische schakeling. Hierdoor kan in normaal bedrijf een werking bereikt worden die nagenoeg gelijk is aan een werking zonder stroomsensor, in het geval de inrichting met de geïntegreerde monolitische schakeling is geïntegreerd.
Een uitvoeringsvorm van een inrichting volgens de uitvinding is erdoor gekenmerkt, dat de signaalverwerkingsmiddelen een eerste transistor bevatten, die met de stroomsensor een stroomspiegelconfiguratie vormt, die ervoor is ingericht om via een uitgangselektrode van de eerste transistor een stroom te leveren die een spiegeling is van de ruststroom. Hierdoor wordt een gemeten ruststroom verkregen waarop verdere bewerkingen kunnen worden gedaan zonder dat er noemenswaardig verstoring optreedt van de werking van de geïntegreerde monolitische schakeling, wat bijvoorbeeld het geval zou kunnen zijn als aan de eerste aansluitklem een ohmse belasting gekoppeld zou worden ter verkrijging van een uit de ruststroom afgeleide meetspanning.
Een verdere uitvoeringsvorm van een inrichting volgens de uitvinding is erdoor gekenmerkt, dat de signaalverwerkingsmiddelen een verschilversterker bevatten, die met een eerste ingang met de eerste aansluitklem, met een tweede ingang met de uitgangselektrode van de eerste transistor en met een uitgang met een stuurelektrode van een tweede transistor is gekoppeld, welke tweede transistor met een eerste uitgangselektrode aan de uitgangselektrode van de eerste transistor is gekoppeld en waarvan een tweede uitgangselektrode dient ter levering van een verder verwerkte ruststroom. De verschilversterker van de spanningsstabilisatiemiddelen wordt zodanig ingesteld, dat de spanningsval over de stroomsensor zeer klein is. De voedingsspanning van de geïntegreerde monolitische schakeling is dan zeer stabiel en nagenoeg gelijk aan de externe voedingsspanning. De verschilversterker van de signaalverwerkingsmiddelen en de tweede transistor zorgen ervoor dat de eerste transistor evenals de stroomsensortransistor in het lineaire gebied werken (triodegebied). Hierdoor wordt bereikt dat door de eerste transistor een gelijke (bij gelijke geometrische afmetingen van de stroomsensortransistor en de eerste transistor) of een evenredige (bij verschillende geometrische afmetingen) stroom vloeit als door de stroomsensortransistor. De tweede transistor levert een gemeten stroom voor verdere verwerking.
Een uitvoeringsvorm van een inrichting volgens de uitvinding is erdoor gekenmerkt, dat de signaalverwerkingsmiddelen verdere transistoren bevatten, die met de stroomsensor een stroomspiegelconfiguratie vormen, waarbij ter verkrijging van verschillende verwerkte ruststromen de transistoren van de signaalverwerkingsmiddelen verschillende geometrische afmetingen hebben. Hierdoor worden verschillende met de ruststroom proportionele stromen verkregen voor verdere verwerking.
Een geïntegreerde monolitische digitale schakeling volgens de uitvinding, die ten minste één deelschakeling bevat is erdoor gekenmerkt, dat de geïntegreerde monolitische schakeling ten minste één inrichting of althans een deel ervan volgens één der conclusies 1 t/m 10 bevat voor het meten van de ruststroom van deelschakelingen, van combinaties van deelschakelingen, of van alle deelschakelingen. Bevat de geïntegreerde monolitische schakeling de stroomsensor, de spanningsstabilisatiemiddelen en de signaalverwerkingsmiddelen dan kan de gemeten ruststroom naar een aansluitpen van de geïntegreerde monolitische schakeling gevoerd worden ter verdere verwerking op printed-circuit-board niveau of met een testapparaat voor geïntegreerde monolitische digitale schakelingen.
Worden ook de vergelijkingsmiddelen geïntegreerd op de geïntegreerde monolitische schakeling (alles "on-chip") dan kan vóór een volgende schakelpiek de gedigitaliseerde waarde van de verwerkte ruststroom bijvoorbeeld in een flipflop worden ingevoerd. Voor een meerdere deelschakelingen bevattende geïntegreerde raonolitische schakeling kunnen de verkregen gedigitaliseerde waarden van de ruststromen verder worden verwerkt in "on-chip" of "off-chip" testinrichtingen die bijvoorbeeld gebruik maken van technieken als "scan-test", "self-test" en "boundary-scan". Met betrekking tot laatstgenoemde technieken wordt verwezen naar desbetreffende vakliteratuur.
De uitvinding zal verder worden toegelicht aan de hand van een tekening, waarin fig. 1A een schematische weergave is van een inrichting volgens de uitvinding, fig. 1B een stroom door een geïntegreerde monolitische digitale schakeling toont als funktie van de tijd, bij aanbieding van een bepaalde testvector op ingangen ervan, fig. 2 een uitvoeringsvorm van signaalverwerkingsm.iddelen en vergelijkingsmiddelen in een inrichting volgens de uitvinding laat zien, fig. 3 een uitvoering van verveelvoudiging van een gemeten ruststroom toont, fig. 4A stroommeting volgens de uitvinding toont om een metastabiele toestand in een digitale schakeling te meten, fig. 4B een stroom van een dergelijke schakeling toont, fig. 4C een spanning op een uitgangsklem van een dergelijke digitale schakeling toont, fig. 5 stroommeting volgens de uitvinding toont om informatie omtrent stabiliteit van uitgangen van combinatorische digitale deelschakelingen te verkrijgen, en fig. 6 een testapparaat toont, dat is voorzien van een inrichting volgens de uitvinding.
In fig. 1A is schematisch een inrichting 1 volgens de uitvinding weergegeven, gekoppeld aan een geïntegreerde monolitische digitale schakeling 2, waarvan een ruststroom Ipp wordt gemeten. De inrichting 1 bevat een transistor Ts als stroomsensor voor het meten van de ruststroom. De transistor Ts is in serie opgenomen met de geïntegreerde monolitische schakeling 2 tussen een eerste voedingslijn VDD en een tweede voedingslijn Vss> Volgens de uitvinding wordt met spanningsstabilisatiemiddelen, in het getoonde voorbeeld door middel van een teruggekoppelde verschilversterker A1, de spanning op een eerste aansluitklem kl1 gestabiliseerd. De stroomsensor Ts is met een tweede aansluitklem kl2 met de voedingslijn VDD verbonden. De stroomsensor Ts en de verschilversterker A1 vormen een stroommeetschakeling CMS volgens de uitvinding. De verschilversterker A1 is met een eerste ingang 11 (+) aangesloten op de eerste aansluitklem kl1, met een tweede ingang 12 (-) aangesloten op de voedingslijn VDD of via een referentiebron Vre£ op de voedingslijn Vss, en met een uitgang 01 rechtstreeks of via een modificatieschakeling M op een stuurelektrode gs van de stroomsensor Ts. De modificatieschakeling M kan een versterker of filter zijn en kan extra ingangen hebben om de transistor Ts buiten het meten van de ruststroom volledig aan te zetten. Als de ingang 12 is aangesloten op de voedingslijn VQD dan zal bij een offset van de verschilversterker A1 van bijvoorbeeld 100 mV de spanningsval over de sensor Ts ongeveer 100 mV zijn. Door middel van de teruggekoppelde verschilversterker A1 wordt de spanning op de klem kl1 gestabiliseerd. Als de ingang 12 via de referentiespanningsbron Vref is aangesloten op de voedingslijn Vss dan zal bij een offset van nagenoeg nul volt de spanning op de klem kl1 gestabiliseerd worden op nagenoeg Vref' De stroommeetschakeling CMS kan met. de geïntegreerde monolitische schakeling geïntegreerd zijn, kan op een printed-circuit-board worden aangebracht met de geïntegreerde monolitische schakeling, kan in een testapparaat voor geïntegreerde monolitische schakelingen zijn ingebouwd, of kan zich in een interfacemodule bevinden ten behoeve van een dergelijk testapparaat. In verband met snelheid en met andere testmethoden "on-chip", zoals bijvoorbeeld "scan-test" is het voordelig om de stroommeetschakeling met de geïntegreerde monolitische schakeling te integreren. De inrichting 1 bevat verder signaalverwerkingsmiddelen SPC voor verwerking van de ruststroom IDD. De signaalverwerkingsmiddelen SPC bevatten een eerste transistor Tl die met de transistor Ts een stroomspiegelconfiguratie vormt, via een uitgangselektrode d1 wordt een stroom geleverd die een spiegeling is van de ruststroom IDD. Verder bevat de inrichting 1 vergelijkingsmiddelen COM ter vergelijking van de verwerkte ruststroom Iq met een referentiestroom Iref. Op een uitgang 02 van de vergelijkingsmiddelen COM verschijnt een indicatie of de referentiestroom is overschreden door de stroom I0. De indicatie kan digitaal zijn, een logische "1" kan dan bijvoorbeeld overschrijden aangeven.
In fig, 1B wordt een stroom IDp door een geïntegreerde monolitische digitale schakeling 2 getoond als funktie van de tijd t, bij aanbieding van een bepaalde testvector op ingangen In ervan. Met t1, t.2, t3 en t4 worden enige tijdstippen aangegeven. Op de tijdstippen t1 en t3 vindt schakelen plaats in de geïntegreerde monolitische schakeling 2. Tussen t1 en t2, en tussen t3 en t4 resulteert het schakelen in stroompieken p1 en p2. Tussen t2 en t3 en na t4 is de geïntegreerde monolitische digitale schakeling 2 in rust.
Bij een CMOS schakeling heeft bijvoorbeeld een stroompiek een waarde in grootteorde van 10 mA en een ruststroom in een situatie dat de CMOS-schakeling geen defekt vertoont in grootteorde van pA/nA. Is er een defekt zoals bijvoorbeeld een kortsluiting dan kan de ruststroom oplopen tot bijvoorbeeld een grootteorde van nA/mA. De gemeten stroom in rusttoestand is Iq. Als lQ>Iref dan kan dit duiden op een defekt in de CMOS-schakeling. De drempelwaarde lref is instelbaar.
Het zij opgemerkt dat de stroommeetschakeling nog vereenvoudigd zou kunnen worden door het weglaten van de verschilversterker A1, en dan de stuurelektrode gs met de klem kl1 te verbinden, echter ten gevolge van lage lusversterking wordt dan geen goede stabilisatie van de spanning op de klem kl1 bereikt. Het zij verder opgemerkt dat bij verschillende geometrische afmetingen van de transitoren Ts en T1 stroomversterking kan worden bereikt.
Fig. 2 laat een uitvoeringsvorm van signaalverwerkingsmiddelen SPC en vergelijkingsmiddelen COM in een inrichting volgens de uitvinding zien. Met fig. 1A overeenkomstige symbolen zijn op gelijke wijze aangegeven. De signaalverwerkingsmiddelen bevatten verder een verschilversterker A2, die met een eerste ingang 13 (+) met de eerste aansluitklem kl1, met een tweede ingang 14 (-) met de uitgangselektrode d1 van de eerste transistor T1 en met een uitgang 03 met eeri stuurelektrode g2 van een tweede transistor T2 is verbonden. De transistor T2 is door middel van een eerste uitgangselektrode s2 met de uitgangselektrode d1 van de eerste transistor T1 verbonden. Een tweede uitgangselektrode d2 dient ter levering van een stroom IQ aan de vergelijkingsmiddelen COM. De vergelijkingsmiddelen COM bevatten een door transistoren T3 en T4 gevormde stroomspiegelconfiguratie met een eerste ingang T5 voor toevoer van de verwerkte ruststroom Iq, met een tweede ingang 16 voor toevoer van een referentiestroom Iref, en met een digitale uitgang 04. Als de stroom Iq kleiner is dan Iref dan neemt de uitgang 04 een eerste waarde (“0") aan en als Ig>Iref dan neemt de uitgang 04 en tweede waarde (T) aan.
In fig. 3 wordt een verveelvoudiging van een gemeten ruststroom getoond. De signaalverwerkingsmiddelen SPC bevatten n transistoren T1,...,T1n, en leveren n uitgangsstromen Iq^,...,Iq .
De transistoren Tl,...,T1n kunnen toenemende chip-oppervlakten hebben waardoor in waarde oplopende stromen kunnen worden verkregen ter verdere verwerking. De stromen lQ^,...,lQn kunnen aan analoge of digitale vergelijkingsmiddelen worden toegevoerd. Voor IQ1 is een analoge situatie geschetst, Iq^ wordt met een weerstand R in een spanning U omgezet die wordt toegevoerd aan een analoge spanningsvergelijker (niet getoond), zoals bijvoorbeeld opgenomen in een testapparaat voor het testen van een geïntegreerde monolitische digitale schakeling.
In fig. 4A wordt een stroommeting volgens de uitvinding getoond om een metastabiele toestand in een digitale schakeling te meten. Een metastabiele toestand, een ongedefinieerde uitgangswaarde tussen *0" en "1", kan bijvoorbeeld ten gevolge van timing-fouten optreden, en treedt bijvoorbeeld op bij flipflops. Getoond wordt een flipflop als geïntegreerde monolitische schakeling 1 en een inrichting 2 volgens de uitvinding. De flipflop 1 heeft een dataingang D, een klokingang C en een uitgang Q. De inrichting 1 heeft stuuringangen S en een uitgang 0. In een CMOS-flipflop kan een relatief hoge stroom (>1mA) gemeten worden die optreedt ten gevolge van een metastabiele toestand. Het uitgangsssignaal 0 kan gebruikt worden om met de flipflop aan te sturen circuits in werking te vertragen totdat de metastabiele toestand voorbij is.
In fig. 4B wordt IDD en in fig. 4C wordt Ug, de spanning op de uitgang Q, van de flipflop in metastabiele toestand getoond. Te zien is dat een relatief grote stroom IDD optreedt tijdens een metastabiele toestand m. Met "0* en ”1" zijn de gewone uitgangssituaties voor de flipflops aangegeven.
In fig. 5 wordt een stroommeting volgens de uitvinding getoond om informatie omtrent stabiliteit van uitgangen van combinatorische digitale deelschakelingen te verkrijgen. De inrichting 1 heeft extra in- en uitgangen in de vorm van "handshake"-signalen H. De geïntegreerde monolitische digitale schakeling 2 heeft ingangen 11,... ,Ιη en uitgangen 01,...,0n. Bij genoemde schakeling is het moeilijk te detekteren wanneer een stabiele toestand wordt bereikt. Met een inrichting volgens de uitvinding is een indicatie te krijgen of een operatie door de schakeling 2 is uitgevoerd. De ruststroominrichting 1 is dan geïntegreerd met een zogenaamd "handshake"-systeem, wat nodig is om een dergelijke schakeling 2 te koppelen met soortgelijke schakelingen. De inrichting 1 wordt bereid gezet als een "handshake"-signaal wordt ontvangen en wacht tot een piekstroom is afgenomen tot een ruststroom. Dan geeft de inrichting 1 een "handshake"-signaal af aan een soortgelijke schakeling om aan te geven dat data overgenomen kunnen worden. Delays zijn dan niet meer nodig tussen gecascadeerde schakelingen, waardoor in principe snellere schakelingen kunnen worden verkregen.
In fig. 6 wordt een testapparaat TD getoond voorzien van een inrichting 1 volgens de uitvinding. De inrichting 1 kan ook als interface voor het testapparaat TD zijn vervaardigd. Een voor testen van VLSI-schakelingen in de handel zijnd apparaat is bijvoorbeeld een "Sentry 50“ tester van Fairchild. De inrichting volgens de uitvinding kan hierin geheel of gedeeltelijk worden ingebouwd.
Het zij opgemerkt dat het aantal toepassingen niet is beperkt tot de beschreven toepassingen. Zo kan bij het opnemen van (gedeelten van) de inrichting (in veelvoud) op een printed-circuit-board de stroommeting worden gebruikt voor "connectivity checking", dat wil zeggen het detekteren van onderbroken printsporen of van kortsluitingen tussen printsporen. Ook kan de inrichting volgens de uitvinding worden opgenomen in een "boundary scan chain". Behalve in MOS-techniek kan de inrichting ook in een andere techniek worden uitgevoerd zoals bijvoorbeeld bipolaire techniek.

Claims (12)

1. Inrichting voor het meten van een ruststroom van een geïntegreerde monolitische digitale schakeling, welke inrichting een transistor als stroomsensor bevat voor het meten van de ruststroom, die is voorzien van een eerste aansluitklem ter koppeling aan een voedingsklem van de geïntegreerde monolitische schakeling en van een tweede aansluitklem ter koppeling aan een voeding, met het kenmerk, dat de inrichting spanningsstabilisatiemiddelen voor het stabiliseren van een spanning op de eerste aansluitklem en met de spanningsstabilisatiemiddelen gekoppelde signaalverwerkingsmiddelen ter signaalverwerking van de ruststroom bevat.
2. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de spanningsstabilisatiemiddelen een verschilversterker bevatten, waarvan een eerste ingang met de eerste aansluitklem, een tweede ingang met de tweede aansluitklem of met een aansluitklem voor aansluiting op een referentiespanningsbron, en een uitgang met een stuurelektrode van de transistor is gekoppeld.
3. Inrichting volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de uitgang van de verschilversterker met de stuurelektrode is gekoppeld via een modificatieschakeling ter modificatie van de werking van de stroomsensor buiten een ruststroommeetperiode of buiten een ruststroommeting van de geïntegreerde monolitische schakeling.
4. Inrichting volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat de modificatie een volledig aanzetten van de als transistor uitgevoerde stroomsensor inhoudt.
5. Inrichting volgens conclusie 1, 2, 3 of 4, met het kenmerk, dat de signaalverwerkingsmiddelen een eerste transistor bevatten, die met de stroomsensor die als transistor is uitgevoerd een strooraspiegelconfiguratie vormt, die ervoor is ingericht om via een uitgangselektrode van de eerste transistor een stroom te leveren die een spiegeling is van de ruststroom.
6. Inrichting volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat de signaalverwerkingsmiddelen een verschilversterker bevatten, die met een eerste ingang met de eerste aansluitklem, met een tweede ingang met de uitgangselektrode van de eerste transistor en roet een uitgang met een stuurelektrode van een tweede transistor is gekoppeld, welke tweede transistor met een eerste uitgangselektrode aan de uitgangselektrode van de eerste transistor is gekoppeld en waarvan een tweede uitgangselektrode dient ter levering van een verder verwerkte ruststroom.
7. Inrichting volgens conclusie 5 of 6, met het kenmerk, dat de signaalverwerkingsmiddelen verdere transistoren bevatten, die met de stroomsensor een stroomspiegelconfiguratie vormen, waarbij ter verkrijging van verschillende verwerkte ruststromen de transistoren van de signaalverwerkingsmiddelen verschillende geometrische afmetingen hebben.
8. Inrichting volgens één der voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat de inrichting met de signaalverwerkingsmiddelen gekoppelde vergelijkingsmiddelen ter vergelijking van de verwerkte ruststroom met ten minste één referentiestroom of -spanning bevat, waarbij de vergelijkingsmiddelen ervoor zijn ingericht om overschrijding van de referentiestroom of -spanning aan te geven.
9. Inrichting volgens conclusie 8, met het kenmerk, dat de vergelijkingsmiddelen ten minste één stroomspiegelconfiguratie bevatten met een eerste ingang voor toevoer van een verwerkte ruststroom, met een tweede ingang voor toevoer van een referentiestroom, en met een digitale uitgang, die in afhankelijkheid van de verwerkte ruststromen ten opzichte van de referentiestromen een eerste respectievelijk tweede waarde aanneemt.
10. Inrichting volgens conclusie 8, met het kenmerk, dat de vergelijkingsmiddelen gevormd worden door analoge spanningsvergelijkingsmiddelen.
11. Geïntegreerde monolitische digitale schakeling bevattende ten minste één deelschakeling, met het kenmerk, dat de geïntegreerde monolitische schakeling ten minste één inrichting of althans een deel ervan volgens één der voorafgaande conclusies bevat voor het meten van de ruststroom van deelschakelingen, van combinaties van deelschakelingen, of van alle deelschakelingen.
12. ‘ Testapparaat voor het meten van een ruststroom van een geïntegreerde monolitische digitale schakeling, met het kenmerk, dat het testapparaat althans een deel van de inrichting volgens één der conclusies 1 t/m 10 bevat.
NL8900050A 1989-01-10 1989-01-10 Inrichting voor het meten van een ruststroom van een geintegreerde monolitische digitale schakeling, geintegreerde monolitische digitale schakeling voorzien van een dergelijke inrichting en testapparaat voorzien van een dergelijke inrichting. NL8900050A (nl)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8900050A NL8900050A (nl) 1989-01-10 1989-01-10 Inrichting voor het meten van een ruststroom van een geintegreerde monolitische digitale schakeling, geintegreerde monolitische digitale schakeling voorzien van een dergelijke inrichting en testapparaat voorzien van een dergelijke inrichting.
EP90200016A EP0386804B1 (en) 1989-01-10 1990-01-04 Arrangement for measuring a quiescent current of an integrated monolithic digital circuit, integrated monolithic digital circuit provided with such an arrangement and testing apparatus provided with such an arrangement
DE69004830T DE69004830T2 (de) 1989-01-10 1990-01-04 Anordnung zum Ermitteln eines Ruhestroms einer integrierten monolithischen digitalen Schaltung, integrierte monolithische digitale Schaltung mit einer derartigen Anordnung und Prüfgerät mit einer derartigen Anordnung.
US07/462,663 US5057774A (en) 1989-01-10 1990-01-09 Apparatus for measuring the quiescent current of an integrated monolithic digital circuit
KR1019900000212A KR0142080B1 (ko) 1989-01-10 1990-01-10 집적 모놀리딕 디지탈 회로 및 그의 정지 전류 측정용 장치
JP02003275A JP3088727B2 (ja) 1989-01-10 1990-01-10 零入力電流測定装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8900050 1989-01-10
NL8900050A NL8900050A (nl) 1989-01-10 1989-01-10 Inrichting voor het meten van een ruststroom van een geintegreerde monolitische digitale schakeling, geintegreerde monolitische digitale schakeling voorzien van een dergelijke inrichting en testapparaat voorzien van een dergelijke inrichting.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8900050A true NL8900050A (nl) 1990-08-01

Family

ID=19853926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8900050A NL8900050A (nl) 1989-01-10 1989-01-10 Inrichting voor het meten van een ruststroom van een geintegreerde monolitische digitale schakeling, geintegreerde monolitische digitale schakeling voorzien van een dergelijke inrichting en testapparaat voorzien van een dergelijke inrichting.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5057774A (nl)
EP (1) EP0386804B1 (nl)
JP (1) JP3088727B2 (nl)
KR (1) KR0142080B1 (nl)
DE (1) DE69004830T2 (nl)
NL (1) NL8900050A (nl)

Families Citing this family (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5321354A (en) * 1990-07-23 1994-06-14 Seiko Epson Corporation Method for inspecting semiconductor devices
US5498972A (en) * 1990-08-15 1996-03-12 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson Device for monitoring the supply voltage on integrated circuits
US5254942A (en) * 1991-04-25 1993-10-19 Daniel D'Souza Single chip IC tester architecture
US5420522A (en) * 1991-12-04 1995-05-30 Texas Instruments Incorporated Method and system for fault testing integrated circuits using a light source
ES2046136B1 (es) * 1992-07-03 1996-12-16 Inelcom Ingenieria Electronica Circuito electronico detector de corrientes en multiples entradas.
US5325054A (en) * 1992-07-07 1994-06-28 Texas Instruments Incorporated Method and system for screening reliability of semiconductor circuits
DE4237122C2 (de) * 1992-11-03 1996-12-12 Texas Instruments Deutschland Schaltungsanordnung zur Überwachung des Drainstromes eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors
US5392293A (en) * 1993-02-26 1995-02-21 At&T Corp. Built-in current sensor for IDDQ testing
US5483170A (en) * 1993-08-24 1996-01-09 New Mexico State University Technology Transfer Corp. Integrated circuit fault testing implementing voltage supply rail pulsing and corresponding instantaneous current response analysis
JPH07159496A (ja) * 1993-10-12 1995-06-23 At & T Global Inf Solutions Internatl Inc 集積回路の検査のための装置及びその方法
JPH08507868A (ja) * 1993-12-16 1996-08-20 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェン ノートシャップ Icにおける信号経路およびバイアス経路の分離i▲下ddq▼試験
GB2285516B (en) * 1994-01-05 1997-07-30 Hewlett Packard Co Quiescent current testing of dynamic logic systems
EP0672911A1 (en) * 1994-02-25 1995-09-20 ALCATEL BELL Naamloze Vennootschap Quiescent supply current test device
US5731700A (en) * 1994-03-14 1998-03-24 Lsi Logic Corporation Quiescent power supply current test method and apparatus for integrated circuits
TW281726B (nl) * 1994-07-05 1996-07-21 Philips Electronics Nv
JP3157683B2 (ja) * 1994-08-30 2001-04-16 株式会社 沖マイクロデザイン 半導体集積回路の静止時電流測定法、半導体集積回路
US5519333A (en) * 1994-09-09 1996-05-21 Sandia Corporation Elevated voltage level IDDQ failure testing of integrated circuits
DE4434792C1 (de) * 1994-09-29 1996-05-23 Telefunken Microelectron Integrierte, in einem ersten und einem zweiten Betriebsmodus betreibbare Schaltungsanordnung
TW280869B (en) * 1995-07-17 1996-07-11 Philips Electronics Nv IDDQ-testing of bias generator circuit
JP3233559B2 (ja) * 1995-08-14 2001-11-26 シャープ株式会社 半導体集積回路のテスト方法および装置
US5670892A (en) * 1995-10-20 1997-09-23 Lsi Logic Corporation Apparatus and method for measuring quiescent current utilizing timeset switching
US5917331A (en) * 1995-10-23 1999-06-29 Megatest Corporation Integrated circuit test method and structure
US5652524A (en) * 1995-10-24 1997-07-29 Unisys Corporation Built-in load board design for performing high resolution quiescent current measurements of a device under test
US5721495A (en) * 1995-10-24 1998-02-24 Unisys Corporation Circuit for measuring quiescent current
KR970029758A (ko) * 1995-11-09 1997-06-26 리 패치 저전압 cmos 회로용 누설 전류 제어 시스템 및 그 방법
US6144214A (en) * 1995-11-15 2000-11-07 University Of South Florida Method and apparatus for use in IDDQ integrated circuit testing
US5990699A (en) * 1996-01-16 1999-11-23 Intel Corporation Method for detecting opens through time variant current measurement
US5760598A (en) * 1996-02-12 1998-06-02 International Business Machines Corporation Method and apparatus for testing quiescent current in integrated circuits
US8290721B2 (en) 1996-03-28 2012-10-16 Rosemount Inc. Flow measurement diagnostics
US7630861B2 (en) 1996-03-28 2009-12-08 Rosemount Inc. Dedicated process diagnostic device
US7949495B2 (en) 1996-03-28 2011-05-24 Rosemount, Inc. Process variable transmitter with diagnostics
US7623932B2 (en) 1996-03-28 2009-11-24 Fisher-Rosemount Systems, Inc. Rule set for root cause diagnostics
JPH09292438A (ja) * 1996-04-30 1997-11-11 Toshiba Corp Cmos集積回路装置、その検査方法及び検査装置
ATE300741T1 (de) * 1996-06-05 2005-08-15 Imec Inter Uni Micro Electr Hochauflösendes stromversorgungsprüfsystem
US5889408A (en) 1996-06-27 1999-03-30 Intel Corporation Delta IDDQ testing
US5808476A (en) * 1996-07-29 1998-09-15 National Science Council Built-in current sensor for IDDQ monitoring
US5869977A (en) * 1996-09-26 1999-02-09 Intel Corporation Defect insertion testability mode for IDDQ testing methods
US5742177A (en) * 1996-09-27 1998-04-21 Intel Corporation Method for testing a semiconductor device by measuring quiescent currents (IDDQ) at two different temperatures
US5757203A (en) * 1996-10-16 1998-05-26 Hewlett-Packard Company Multiple on-chip IDDQ monitors
US6141243A (en) * 1996-11-12 2000-10-31 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Sensor element
US6031403A (en) * 1996-11-13 2000-02-29 International Business Machines Corporation Pull-up and pull-down circuits
US6175244B1 (en) 1997-04-25 2001-01-16 Carnegie Mellon University Current signatures for IDDQ testing
JP3139553B2 (ja) * 1997-11-20 2001-03-05 株式会社アドバンテスト Ic試験装置
US6307406B1 (en) 1998-09-25 2001-10-23 Lucent Technologies, Inc. Current comparator for current mode circuits
US6239605B1 (en) * 1998-09-29 2001-05-29 Intel Corporation Method to perform IDDQ testing in the presence of high background leakage current
ATE240532T1 (de) * 1998-11-13 2003-05-15 Broadcom Corp Dynamisches register mit der fähigkeit zur prüfung der ruhestromaufnahme (iddq)
DE19918042C2 (de) * 1999-04-21 2001-05-31 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Unterstromerkennung an einem MOS-Leistungstransistor
US6859058B2 (en) 1999-05-11 2005-02-22 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec Uzw) Method and apparatus for testing electronic devices
US6496028B1 (en) 1999-05-11 2002-12-17 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Method and apparatus for testing electronic devices
US6531885B1 (en) 1999-05-11 2003-03-11 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum (Imec Vzw) Method and apparatus for testing supply connections
US7010459B2 (en) 1999-06-25 2006-03-07 Rosemount Inc. Process device diagnostics using process variable sensor signal
EP1107013B1 (en) * 1999-09-22 2006-06-07 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum A method and an apparatus for testing supply connections
EP1089082A1 (en) * 1999-09-30 2001-04-04 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw A method and apparatus for testing supply connections
DE10050561B4 (de) * 2000-10-12 2005-04-28 Dialog Semiconductor Gmbh Integrierte Schaltung mit Schaltungsteilen mit unterschiedlicher Versorgungsspannung
US6970003B2 (en) * 2001-03-05 2005-11-29 Rosemount Inc. Electronics board life prediction of microprocessor-based transmitters
US20030222672A1 (en) * 2002-05-31 2003-12-04 Paul Winer Testing optical displays
ATE314658T1 (de) 2002-07-03 2006-01-15 Star Test N V Q Vorrichtung zum messen des ruhestromes einer elektronischen vorrichtung
US20040156731A1 (en) * 2003-02-06 2004-08-12 Bond James R. Straight-cut motor shaft with pinned eccentric
US7079963B2 (en) * 2003-04-14 2006-07-18 Lsi Logic Corporation Modified binary search for optimizing efficiency of data collection time
US6954705B2 (en) * 2003-06-23 2005-10-11 Lsi Logic Corporation Method of screening defects using low voltage IDDQ measurement
WO2005010522A2 (en) 2003-07-18 2005-02-03 Rosemount Inc. Process diagnostics
US7018800B2 (en) * 2003-08-07 2006-03-28 Rosemount Inc. Process device with quiescent current diagnostics
US7627441B2 (en) 2003-09-30 2009-12-01 Rosemount Inc. Process device with vibration based diagnostics
DE602004011995T2 (de) * 2003-12-23 2009-04-09 Nxp B.V. Hochempfindlicher magnetischer eingebauter stromsensor
US7523667B2 (en) 2003-12-23 2009-04-28 Rosemount Inc. Diagnostics of impulse piping in an industrial process
US7046180B2 (en) * 2004-04-21 2006-05-16 Rosemount Inc. Analog-to-digital converter with range error detection
US8112565B2 (en) 2005-06-08 2012-02-07 Fisher-Rosemount Systems, Inc. Multi-protocol field device interface with automatic bus detection
US20070068225A1 (en) 2005-09-29 2007-03-29 Brown Gregory C Leak detector for process valve
US7274203B2 (en) * 2005-10-25 2007-09-25 Freescale Semiconductor, Inc. Design-for-test circuit for low pin count devices
US7953501B2 (en) 2006-09-25 2011-05-31 Fisher-Rosemount Systems, Inc. Industrial process control loop monitor
US8788070B2 (en) 2006-09-26 2014-07-22 Rosemount Inc. Automatic field device service adviser
US7750642B2 (en) 2006-09-29 2010-07-06 Rosemount Inc. Magnetic flowmeter with verification
US7321846B1 (en) 2006-10-05 2008-01-22 Rosemount Inc. Two-wire process control loop diagnostics
US8330483B2 (en) * 2006-11-29 2012-12-11 Nec Corporation Semiconductor device to detect abnormal leakage current caused by a defect
US8898036B2 (en) 2007-08-06 2014-11-25 Rosemount Inc. Process variable transmitter with acceleration sensor
US7590511B2 (en) 2007-09-25 2009-09-15 Rosemount Inc. Field device for digital process control loop diagnostics
US9121885B2 (en) * 2010-08-16 2015-09-01 Infineon Technologies Ag Sensor package and method of manufacturing thereof
US9207670B2 (en) 2011-03-21 2015-12-08 Rosemount Inc. Degrading sensor detection implemented within a transmitter
CN102759657B (zh) * 2011-04-28 2015-04-08 上海西门子线路保护系统有限公司 一种耦合电流检测系统和检测方法
US9052240B2 (en) 2012-06-29 2015-06-09 Rosemount Inc. Industrial process temperature transmitter with sensor stress diagnostics
US9602122B2 (en) 2012-09-28 2017-03-21 Rosemount Inc. Process variable measurement noise diagnostic
CN118671572B (zh) * 2024-08-20 2024-12-24 苏州萨沙迈半导体有限公司 芯片的静态电流测试电路、芯片以及电子设备

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4637020A (en) * 1983-08-01 1987-01-13 Fairchild Semiconductor Corporation Method and apparatus for monitoring automated testing of electronic circuits
JPS60247942A (ja) * 1984-05-23 1985-12-07 Advantest Corp 半導体メモリ試験装置
JPS6170777U (nl) * 1984-10-15 1986-05-14
NL8503394A (nl) * 1985-12-10 1987-07-01 Philips Nv Stroomaftastschakeling voor een vermogenshalfgeleiderinrichting, in het bijzonder geintegreerde intelligente vermogenshalfgeleiderschakelaar voor met name automobieltoepassingen.
IT1213415B (it) * 1986-12-17 1989-12-20 Sgs Microelettronica Spa Circuito per la misura lineare della corrente circolante su un carico.

Also Published As

Publication number Publication date
KR900012103A (ko) 1990-08-03
KR0142080B1 (ko) 1998-07-15
EP0386804A3 (en) 1990-10-24
EP0386804A2 (en) 1990-09-12
DE69004830D1 (de) 1994-01-13
JP3088727B2 (ja) 2000-09-18
EP0386804B1 (en) 1993-12-01
DE69004830T2 (de) 1994-05-19
US5057774A (en) 1991-10-15
JPH02227670A (ja) 1990-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8900050A (nl) Inrichting voor het meten van een ruststroom van een geintegreerde monolitische digitale schakeling, geintegreerde monolitische digitale schakeling voorzien van een dergelijke inrichting en testapparaat voorzien van een dergelijke inrichting.
US6255839B1 (en) Voltage applied type current measuring circuit in an IC testing apparatus
US20130124134A1 (en) Fast single-ended to differential converter
US7373574B2 (en) Semiconductor testing apparatus and method of testing semiconductor
US4743842A (en) Tri-state circuit tester
Saikiran et al. Robust Built-in Defect-Detection for Low Drop-Out Regulators using Digital Mismatch Injection
US5101152A (en) Integrated circuit transfer test device system utilizing lateral transistors
US6292342B1 (en) Voltage protection circuit for semiconductor test system
US7137061B2 (en) Method and device for signaling a transmission fault on a data line
US5760596A (en) Testing series passive components without contacting the driven node
US5077521A (en) Supply connection integrity monitor
US6759864B2 (en) System and method for testing integrated circuits by transient signal analysis
US6300804B1 (en) Differential comparator with dispersion reduction circuitry
KR100311955B1 (ko) 전자회로의기능테스트장치및방법
JPH10186000A (ja) 積分入力型入力回路およびそのテスト方法
US6194910B1 (en) Relayless voltage measurement in automatic test equipment
KR100308078B1 (ko) 집적회로
US7123025B2 (en) Differential comparator circuit, test head, and test apparatus
JP3353288B2 (ja) Lsi試験装置
US6498507B1 (en) Circuit for testing an integrated circuit
US7808291B2 (en) Jitter generating circuit
JP3385308B2 (ja) 熱式流量計および燃料制御装置
JP2000147071A (ja) アナログ回路の特性検査装置
JP2919312B2 (ja) 半導体装置の検査方法
JPH04236364A (ja) 接続検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed