NL8702219A - Werkwijze voor het lokaal aanbrengen van metaal op een oppervlak van een substraat. - Google Patents
Werkwijze voor het lokaal aanbrengen van metaal op een oppervlak van een substraat. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8702219A NL8702219A NL8702219A NL8702219A NL8702219A NL 8702219 A NL8702219 A NL 8702219A NL 8702219 A NL8702219 A NL 8702219A NL 8702219 A NL8702219 A NL 8702219A NL 8702219 A NL8702219 A NL 8702219A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- solution
- oxygen
- metal
- substrate
- reduction
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title description 35
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 38
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 57
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 33
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 244000052616 bacterial pathogen Species 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- ZFIQGRISGKSVAG-UHFFFAOYSA-N 4-methylaminophenol Chemical compound CNC1=CC=C(O)C=C1 ZFIQGRISGKSVAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- 229910002666 PdCl2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBITVHZFHDIQGH-UHFFFAOYSA-N [Au].[K]C#N Chemical compound [Au].[K]C#N OBITVHZFHDIQGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001484 edetic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- -1 gold ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000012224 working solution Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
- C23C18/1612—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning through irradiation means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
- C23C18/1608—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
- C23C18/1651—Two or more layers only obtained by electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
- C23C18/1676—Heating of the solution
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
- C23C18/1682—Control of atmosphere
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/185—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/187—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating means therefor, e.g. baths, apparatus
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
ί r ΡΗΝ 12*268 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven
Werkwijze voor het lokaal aanbrengen van metaal op een oppervlak van een substraat.
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het lokaal aanbrengen van metaal op een oppervlak van een substraat, waarbij het substraat aan het oppervlak wordt voorzien van een elektrokatalytisch beeld dat in aanraking wordt gebracht met een 5 stroomloos werkende aetaliseringsoplossing en stroomloos wordt versterkt. Onder een elektrokatalytisch beeld wordt in dit verband een gedeelte van het substraatoppervlak verstaan, dat in staat is metaal uit de metalliseringsoplossing af te scheiden indien het oppervlak in aanraking met die oplossing wordt gebracht.
10 Het beeld kan op vele wijzen worden aangebracht.
Bijvoorbeeld is het mogelijk om lokaal een elektrokatalytische verbinding op het oppervlak aan te brengen, maar het is ook mogelijk om het substraat aan zijn oppervlak lokaal om te zetten zodanig dat het lokaal een elektrokatalytische werking verkrijgt. In het geval van een 15 substraat van silicium kan dit worden bereikt door lokale silicidatie met een geschikt metaal. Verder is het mogelijk om het beeld aan te brengen door een substraat dat over zijn gehele oppervlak elektrokatalytisch is, plaatselijk te bedekken met een maskeringslaag.
Bij de vervaardiging van micro-elektronische schakelingen 20 worden maskers gebruikt die veelal een transparant substraat omvatten waarop een ondoorzichtige, in een patroon gebrachte metaallaag is aangebracht. Bij de fabricage van dergelijke fotolithografische maskers kunnen evenwel defecten ontstaan in de metaallaag. Deze defecten zijn te onderscheiden in transparante en niet-transparante defecten, en zorgen 25 voor een hoog uitvalspercentage van vervaardigde maskers. Van een transparant defect spreekt men indien op een bepaalde plaats een gedeelte van de metaallaag ontbreekt. Van niet-transparante indien op een bepaalde plaats metaal op het substraat aanwezig is terwijl het daar niet behoort te zitten. De werkwijze van de in de aanhef genoemde soort 30 is in het bijzonder geschikt voor het herstellen van transparante defecten in photolithografisch maskers.
Verder leent de uitvinding zich bijvoorbeeld ook voor het 870221$ f
V
PHN 12.268 2 aanbrengen van metaalbedrading op een halfgeleiderinrichting en voor het opvullen met metaal van contactgaten vor de vorming van bijvoorbeeld onderlinge verbindingen in een meerlaags-metallisatie.
Een werkwijze van de in de aanhef genoemde soort is 5 bekend uit het Amerikaanse octrooischrift no. 4.426.442. Bij de hierin beschreven werkwijze wordt het oppervlak van het beeld voorzien door lokaal op het oppervlak van een substraat een elektrokatalytische verbinding aan te brengen. Hiertoe wordt het substraat aan zijn oppervlak voorzien van een lichtgevoelige verbinding b.v.
10 titaniumoxyde of zinkoxyde, die na belichting in staat is uit een oplossing van metaalionen dit metaal in de vorm van kiemen af te scheiden. Vervolgens wordt het oppervlak voorzien van het elektrokatalytische beeld door het onder te dompelen in een oplossing van metaalionen, zoals b.v. koper- en goudionen en het patroonmatig te 15 belichten met een gefocusseerde laserbundel. Hierdoor wordt de lichtgevoelige verbinding patroonmatig geaktiveerd en slaan de metaalionen in de vorm van metaalkiemen op het oppervlak neer. De metaalkiemen hebben in dit geval de elektrokatalytische werking. De metaalkiemen worden vervolgens stroomloos versterkt door het oppervlak 20 in aanraking te brengen met een stroomloos werkende metalliseringsoplossing. In een voorkomend geval kan de metalliseringsoplossing tevens gebruikt kan worden om de metaalkiemen uit af te scheiden. Bijvoorbeeld kan voor de gehele behandeling gebruik gemaakt worden van een oplossing die kaliumgoud(I)cyanide, kopersulfaat 25 tetra-Na-zout van ethyleendiamine-tetraazijnzuur, natriumhydroxyde en formaldehyde bevat.
Het is gebleken dat de bekende werkwijze ontoereikend is om metaalbeelden op een substraat af te zetten met een grootte die kleiner is dan 10 pm. Echter, bij de vervaardiging van 30 halfgeleiderschakelingen worden tegenwoordig maskers gebruikt waarin transparante defecten met een diameter van enkele micrometers al ontoelaatbaar zijn. Meer in het algemeen bestaat in de halfgeleidertechnologie de behoefte om sub-micron metaalbeelden aan te brengen. Het spreekt vanzelf dat met de steeds verdergaande 35 miniaturisering van halfgeleiderschakelelementen deze behoefte alleen maar toeneemt.
Met de uitvinding wordt ondermeer beoogd in een werkwijze 8702219 PHN 12.268 3 * te voorzien, waarmee het wel mogelijk is om op het substraatoppervlak metaalbeelden aan te brengen die kleiner zijn dat 10 pm.
Ten einde het beoogde doel te bereiken heeft de werkwijze van de in de aanhef genoemde soort volgens de uitvinding als kenmerk dat 5 het oppervlak in aanraking wordt gebracht met een stroomloos werkende metalliseringsoplossing waarin een reduktie van zuurstof althans relatief wordt tegengegaan.
Een stroomloos werkende metalliseringsoplossing is in het algemeen een oplossing van een metaalzout en een reduktiemiddel. Om het 10 reduktiemiddel te oxyderen moet een zekere aktiveringsenergie worden overbrugd. Het elektrokatalytisch oppervlak is hiertoe in staat. Wanneer deze aktiveringsenergie erg laag is spreekt men ook wel van physische ontwikkelaar in plaats van stroomloos werkende metalliseringsoplossing.
In het kader van de uitvinding wordt evenwel hierin geen onderscheid 15 gemaakt, zodat daarin onder een stroomloos werkende metalliserings oplossing mede een physische ontwikkelaar dient te worden verstaan.
Als het reductiemiddel wordt geoxydeerd komen elektronen vrij. Deze elektronen, op hun beurt, reduceren metaalionen uit de oplossing tot het metaal, dat vervolgens neerslaat. De oxydatie van het 20 reduktiemiddel treedt echter niet spontaan op. Hij verloopt alleen aan een voor het reductiemiddel elektrokatalytisch oppervlak. Wanneer het substraat wordt ondergedompeld in de metalliseringsoplossing, slaat derhalve alleen metaal op het substraatoppervlak neer waar dit is voorzien van het elektrokatalytische beeld. Aldus wordt dit beeld 25 versterkt met het metaal uit de metalliseringsoplossing.
Indien in de metalliseringsoplossing echter zuurstof aanwezig is, treedt een concurrerende reactie op. Het in de oplossing aanwezige zuurstof wordt namelijk veel gemakkelijker door de elektronen gereduceerd dan de metaalionen, zodat als beide aanwezig zijn alleen of 30 vrijwel alleen een reduktie van zuurstof optreedt.
Bij grotere beelden speelt deze concurrerende reductie van zuurstof niet zo'n grote rol omdat het katalytische oppervlak groot genoeg is, en daarmee het aantal gegenereerde elektronen, om het in de buurt van dat oppervlak aanwezige zuurstof uit te putten. Er zijn dan 35 nog genoeg elektronen over voor de reductie van de metaalionen.
Bij kleinere beelden daarentegen is de situatie anders.
In de eerste plaats wordt een navenant kleiner aantal elektronen 8702219 PHN 12.268 4 gegenereerd. Maar bovendien is de hiervoor genoemde concurrentie van zuurstof relatief veel groter.
Indien zuurstof wordt gereduceerd daalt daardoor de zuurstofconcentratie in de buurt van het beeld. Hierdoor zal diffusie 5 optreden van zuurstof uit verder gelegen delen van de oplossing naar het beeld. De diffusiestroomdichtheid van zuurstof naar het beeld is omgekeerd evenredig met het oppervlak van het beeld. Dit betekent dat bij kleine metaalbeelden een relatief grote hoeveelheid zuurstof aanwezig is. Het toch al kleine aantal gegenereerde elektronen is bij 10 kleine metaalbeelden dan ook ontoereikend om de grote hoeveelheid zuurstof volledig te reduceren. Alle gegenereerde elektronen worden geconsumeerd door het aanwezige zuursof en een reductie van metaalionen kan niet of nauwelijks optreden. Het is dan ook niet mogelijk om metaalbeelden met de bekende werkwijze aan te brengen indien de grootte 15 van de metaalbeelden onder een bepaalde waarde ligt. Uit proeven is gebleken dat deze waarde circa 10 pm bedraagt.
Als echter in de metalliseringsoplossing, volgens de uitvinding, de reduktie van zuurstof wordt tegengegaan kunnen vrijwel alle door het reduktiemiddel gegenereerde elektronen worden aangewend 20 voor de reduktie van de metaalionen. Ongeacht de grootte van het elektrokatalytische beeld, zijn er genoeg elektronen beschikbaar om metaalionen te reduceren tot het metaal, dat dan ter plaatse van het beeld neerslaat. In de praktijk zijn aldus elektrokatalytische beelden met een diameter van 1 pm en kleiner succesvol versterkt.
25 De reduktie van zuurstof kan worden tegengegaan door het zuurstof uit de metalliseringsoplossing te verdrijven. Volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding geschiedt dit door een inert gas door de oplossing te leiden. In de oplossing kan slechts een beperkte hoeveelheid gas opgelost zijn. Door het inerte gas door de oplosssing te 30 leiden, raakt de oplossing daarmee verzadigd zodat er geen plaats meer is voor zuurstof.
Volgens een andere uitvoerings vorm van de werkwijze wordt de reduktie van zuurstof althans relatief tegen gegaan door de stroomloze versterking van de kiemen bij verhoogde temperatuur uit te 35 voeren. Het effect van deze maatregel is tweezijdig: In de eerste plaats kan met toenemende temperatur minder gas in de oplossing worden opgelost. Door de temperatuur te verhogen wordt dus zuurstof uit de 870ZZ19 PHN 12.268 5 oplossing verdreven. Maar in de tweede plaats verloopt de oxydatie van het in de oplossing aanwezige reduktiemiddel veel sneller naarmate de temperatuur toeneemt. De oxydatiesnelheid stijgt exponentieel bij een verhoging van de temperatuur. Hierdoor worden bij verhoogde temperatuur 5 veel meer elektronen gegenereerd dan bij lagere temperatuur. Dit aantal is bij verhoogde temperatuur ruimschoots voldoende om het aanwezige zuurstof uit te putten, zodat ook metaalionen kunnen worden gereduceerd tot het metaal dat vervolgens neerslaat op de kiemen. De reduktie van zuurstof zal weliswaar ook sneller verlopen, maar omdat de 10 reductiesnelheid veel minder sterk van de temperatuur afhankelijk is en omdat er, zoals gezegd, bij verhoogde temperatuur minder zuurstof in de oplossing is opgelost, wordt de reduktie toch relatief tegengegaan door de temperatuur te verhogen.
Een bijzondere uitvoeringsvorm van de werkwijze heeft als 15 kenmerk dat de reduktie van zuurstof wordt tegengegaan door de metalliseringsoplossing zodanig samen te stellen dat de reduktie van zuurstof praktisch niet optreedt. Het is bijvoorbeeld gebleken dat de reduktie van zuursof in een nikkel-houdende metalliseringsoplossing sterk afhangt van de zuurgraad van de oplossing. De reductie blijkt 20 alleen goed op te treden in een alkalisch milieu. De reduktie wordt dan ook sterk tegengegaan door de metalliseringsoplossing aan te zuren. De oxydatie van het reduktiemiddel en de reduktie van de metaalionen ondervinden echter geen hinder van het zure milieu.
Een verdere uitvoeringsvorm van de werkwijze heeft 25 volgens de uitvinding als kenmerk dat de metalliseringsoplossing in de vorm van een dunne film op het oppervlak wordt aangebracht. Zoals gezegd wordt het afzetten van kleine metaalbeelden vooral bemoeilijkt door de relatief grote diffusiestroom van zuurstof naar dergelijke kleine metaalbeelden. Normaal gesproken bevindt rondom het metaalbeeld een 30 bolvormig diffusieveld waarbinnen diffusie naar het beeld optreedt. Bij een klein metaalbeeld is dit diffusieveld veel groter dan het beeld zelf. Door de oplossing in de vorm van een dunne film met het oppervlak in aanraking te brengen, wordt dit diffusieveld afgeplat.
Dit kan bijvoorbeeld geschieden door de oplossing in de vorm van een 35 druppel op het opervlak aan te brengen eh vervolgens met een dekglaasje folie of vlies te bedekken waardoor de druppel indeukt tot een dunne film. Hierdoor wordt het diffusieveld sterk verkleind waardoor de 8702213 4
V
PHN 12.268 6 diffusie van zuurstof sterk wordt geremd. De diffusie van het reduktiemiddel en de metaalionen wordt natuurlijk ook door deze maatregel geremd, maar omdat beide in een veel grotere concentratie in de oplossing aanwezig zijn dan zuurstof, ondervinden zij hier geen 5 hinder van.
De uitvinding zal nu worden toegelicht met enige uitvoeringsvoorbeelden. In al deze voorbeelden wordt uitgegaan van een kwartssubstraat dat aan zijn oppervlak is bedekt met een lichtgevoelige titaniumoxydelaag.
10 Uitvoerinasvoorbeeld I :
Het substraat wordt geaktiveerd door het gedurende een minuut te behandelen met een tinchlorideoplossing, die per liter circa 0,1 g SnCl2.2H20 en 0,1 ml cone. HC1 bevat. Vervolgens wordt het substraat ondergedompeld in een paladiumchlorideoplossing van ongeveer 15 5,6.10-3 M PdCl2, 1,2.10-1 M HC1 em 0,4 gew-% Tensagex DP-24.
Daarna wordt de lichtgevoelige titaniumoxydelaag belicht met een gefocusseerde laserbundel waardoor alleen ter plaatse van de laserspot op het oppervlak paladium in de vorm van kiemen neerslaat. Deze paladiumkiemen vormen het elektrokatalytische beeld dat volgens de 20 uitvinding stroomloos wordt versterkt, versterking. De grootte van het elektrokatalytische beeld wordt aldus bepaald door de diameter van de laserspot. Bijvoorbeeld resulteert een belichting gedurende 4 s. met een, tot een spot van 10 pm gefocusserde bundel van een Ar+ UV-laser met een vermogen van 5 mW, in een elektrokatalytisch paladiumkiembeeld 25 met een diameter van 8 pm. Op deze wijze worden op het substraat elektrokatalytische beelden aangebracht met een diameter die varieert van ongeveer 0,5 pm tot 40 pm.
Nadat het substraat goed met gedemineraliseerd water is afgespoeld, wordt het ondergedompeld in een stroomloos werkende 30 metalliseringsoplossing, die per liter circa 30 g NiCl2.6H20, 10 g NaH2P02-H20 en 30 g glycine bevat. De paladiumkiemen zijn elektrokatalytisch voor deze oplossing. Na circa 15 minuten wordt het substraat uit de oplossing genomen, met gedemineraliseerd water afgespoeld en onder een microscoop geanaliseerd. Het blijkt dat de 35 elektrokatalytische beelden met een diameter van 25 pm aanmerkelijk met nikkel waren versterkt maar dat de kleinere beelden in het geheel geen nikkelafzetting vertoonden.
8702219 PHN 12.268 7
Hitvoeringsvoorbeeld II .·
In dit voorbeeld wordt een substraat op gelijke wijze behandeld als in het vorige voorbeeld. Alleen wordt voordat het substraat in de metalliseringsoplossing wordt gedompeld, gedurende 5 enkele uren stikstofgas door de oplossing geleid om daaruit zuurstof te verdrijven. Om te voorkomen dat daarna zuurstof uit de lucht weer in de oplossing dringt, wordt de gehele behandeling in een gesloten systeem uitgevoerd. Na analyse van het substraat blijkt dat behalve op elektrokatalytische beelden met een diameter van 25 pm en groter ook op 10 beelden met een diameter tussen 1 pm en 25 pm nikkel was neergeslagen. üitvoeringsvoorbeeld III .·
Twee gelijke substraten worden op dezelfde wijze als in de voorgaande voorbeelden voorzien van elektrokatalytische paladiumkiembeelden. Vervolgens worden beide substraten afzonderlijk 15 ondergedompeld in een commercieel verkrijbare metalliseringsoplossing: Niposit 468 van de firma Shipley. Hierbij wordt een eerste substraat ondergedompeld in een oplossing die thermostatisch op de aangegeven temperatuur van 65 °C wordt gehouden, terwijl de oplossing van het andere substraat op een temperatuur van ongeveer 85 °C wordt 20 gehouden. Na ongeveer 15 minuten worden de substraten uit de oplossing gehaald en goed afgespoeld met gedemineraliseerd water. Onder de microscoop blijkt dat bij het eerste substraat alleen op beelden met een diameter van 20 pm en groter nikkel is afgezet, terwijl bij het andere substraat beelden van 4 pm en groter met nikkel zijn versterkt..
25 Üitvoeringsvoorbeeld IV :
Na op de in het eerste voorbeeld beschreven wijze te zijn voorzien van elektrokatalytische beelden, wordt een substraat ondergedompeld in een metalliseringsoplossing van 0,025 M N-methyl-p-aminophenol, 0,01 M AgNO^ en 0,1 M citroenzuur. Deze oplossing heeft 30 een zuurgraad die ongeveer pH = 2,1 bedraagt en is zodanig samengesteld dat een reduktie van zuurstof daarin niet of nauwelijks kan optreden. Na ongeveer 15 minuten wordt het substraat uit de oplossing verwijderd en goed afgespoeld met gedemineraliseerd water. Na analyse blijken alle paladiumkiembeelden met zilver te zijn versterkt.
35 Het zij hier opgemerkt dat de uitvinding niet beperkt is tot de hier beschreven voorbeelden, maar in talrijke andere uitvoeringen met voordeel kan worden toegepast. Zo kan in plaats van titaniumoxyde 8702218 4 i PHN 12.268 8 ook zinkoxyde worden toegepast voor de lichtgevoelige laag. Daarnaast kunnen in plaats van paladiumkiemen ook kiemen van de meeste andere metalen op analoge wijze op de lichtgevoelige laag worden afgezet om daarmee een elektrokatalytisch beeld te vormen.
5 Bovendien is het mogelijk om op geheel andere wijze een elektrokatalytisch beeld op een substraatoppervlak aan te brengen. In het voorgaande zijn hiervan enkele voorbeelden genoemd.
Verder bestaat er een uitgebreide keuze met betrekking tot de stroomloos werkende metalliseringsoplossing. In plaats van een 10 metalliseringsoplossing voor het stroomloos afzetten van nikkel of zilver kan bijvoorbeeld ook gebruik gemaakt worden van een oplossing voor het afzetten van koper of goud. In het eerste geval kan dan gebruik gemaakt worden van een oplossing die per liter 10 g CuSO^.S^O, 50 g Rochellezout, 10 g NaOH en 25 ml (37%)-formaldehyde bevat of van een 15 oplossing die per liter 10 g CuSO^.S^O, 32,6 g Na^EDTA^ï^O, 4,8 g NaOH en 7,5 ml (37%)-formaldehyde bevat. Voor het afzetten van goud kan een oplossing worden toegepast die per liter 1,44 g KAu(CN)2, 6,5 g KCN, 8 g NaOH en 10,8 g KBH4 bevat.
8702219
Claims (5)
- 2. Werkwijze volgens conclusie 1 met het kenmerk dat de reduktie van zuurstof wordt tegengegaan door zuurstof uit de 10 metalliseringsoplossing te verdrijven.
- 3. Werkwijze volgens conclusie 2 met het kenmerk dat zuurstof uit de oplossing wordt verdreven door een inert gas door de metalliseringsoplossing te leiden.
- 4. Werkwijze volgens conclusie 1 met het kenmerk dat de 15 reduktie van zuurstof althans relatief wordt tegengegaan door de stroomloze versterking van de kiemen bij verhoogde temperatuur uit te voeren.
- 5. Werkwijze volgens conclusie 1 met het kenmerk dat de reduktie van zuurstof wordt tegengegaan door de metalliseringsoplossing 20 zodanig samen te stellen dat de reduktie van zuurstof praktisch niet optreedt.
- 6. Werkwijze volgens conclusie 5 met het kenmerk dat de metalliseringsoplossing zodanig wordt samengesteld dat daarin een zuur milieu heerst. 25 7) Werkwijze volgens conclusie 1 met het kenmerk dat de metalliseringsoplossing in de vorm van een dunne film op het oppervlak wordt aangebracht. 8702219
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8702219A NL8702219A (nl) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | Werkwijze voor het lokaal aanbrengen van metaal op een oppervlak van een substraat. |
| US07/116,413 US4853320A (en) | 1987-09-16 | 1987-11-02 | Method of locally providing metal on a surface of a substrate |
| EP88201937A EP0308011B1 (en) | 1987-09-16 | 1988-09-07 | Method of locally providing metal on a surface of a substrate |
| DE3852681T DE3852681T2 (de) | 1987-09-16 | 1988-09-07 | Verfahren zum selektiven Metallplattieren auf der Oberfläche eines Substrats. |
| JP63227633A JP2572430B2 (ja) | 1987-09-16 | 1988-09-13 | 基体の表面に金属を局部的に設ける方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8702219 | 1987-09-16 | ||
| NL8702219A NL8702219A (nl) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | Werkwijze voor het lokaal aanbrengen van metaal op een oppervlak van een substraat. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8702219A true NL8702219A (nl) | 1989-04-17 |
Family
ID=19850622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8702219A NL8702219A (nl) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | Werkwijze voor het lokaal aanbrengen van metaal op een oppervlak van een substraat. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4853320A (nl) |
| EP (1) | EP0308011B1 (nl) |
| JP (1) | JP2572430B2 (nl) |
| DE (1) | DE3852681T2 (nl) |
| NL (1) | NL8702219A (nl) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9000502A (nl) * | 1990-03-05 | 1991-10-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het herstellen van een defect in een lithografisch masker. |
| JP2648729B2 (ja) * | 1990-09-04 | 1997-09-03 | 英夫 本間 | 無電解銅めっき液および無電解銅めっき方法 |
| FR2698872B1 (fr) * | 1992-12-07 | 1995-01-13 | Rhone Poulenc Nutrition Animal | Procédé de préparation de la vitamine A et composés intermédiaires utiles pour ce procédé. |
| US6232144B1 (en) * | 1997-06-30 | 2001-05-15 | Littelfuse, Inc. | Nickel barrier end termination and method |
| US7152291B2 (en) | 2002-04-15 | 2006-12-26 | Avx Corporation | Method for forming plated terminations |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2938805A (en) * | 1958-03-31 | 1960-05-31 | Gen Electric | Process of stabilizing autocatalytic copper plating solutions |
| US3300335A (en) * | 1963-11-20 | 1967-01-24 | Dow Chemical Co | Electroless metal plating with foam |
| DE1266099B (de) * | 1965-02-20 | 1968-04-11 | Schering Ag | Bad fuer die reduktive Kupferabscheidung |
| US3666527A (en) * | 1970-07-31 | 1972-05-30 | Rca Corp | Method of electroless deposition of metals with improved sensitizer |
| US3900599A (en) * | 1973-07-02 | 1975-08-19 | Rca Corp | Method of electroless plating |
| US4192764A (en) * | 1977-11-03 | 1980-03-11 | Western Electric Company, Inc. | Stabilizing composition for a metal deposition process |
| US4133908A (en) * | 1977-11-03 | 1979-01-09 | Western Electric Company, Inc. | Method for depositing a metal on a surface |
| US4152467A (en) * | 1978-03-10 | 1979-05-01 | International Business Machines Corporation | Electroless copper plating process with dissolved oxygen maintained in bath |
| US4579804A (en) * | 1980-12-23 | 1986-04-01 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Method and material for image formation |
| NL8105633A (nl) * | 1981-12-15 | 1983-07-01 | Philips Nv | Werkwijze voor de vervaardiging van metaalbeelden of patronen op en/of onder het oppervlak van een substraat met een halfgeleidende lichtgevoelige verbinding. |
| JPS58207364A (ja) * | 1982-05-25 | 1983-12-02 | Agency Of Ind Science & Technol | 化学めつき液 |
| US4639378A (en) * | 1984-01-17 | 1987-01-27 | Inoue Japax Research Incorporated | Auto-selective metal deposition on dielectric surfaces |
| US4550036A (en) * | 1984-10-18 | 1985-10-29 | Hughes Aircraft Company | Electroless silver plating process and system |
| US4684545A (en) * | 1986-02-10 | 1987-08-04 | International Business Machines Corporation | Electroless plating with bi-level control of dissolved oxygen |
-
1987
- 1987-09-16 NL NL8702219A patent/NL8702219A/nl not_active Application Discontinuation
- 1987-11-02 US US07/116,413 patent/US4853320A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-09-07 EP EP88201937A patent/EP0308011B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-07 DE DE3852681T patent/DE3852681T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-09-13 JP JP63227633A patent/JP2572430B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0308011A1 (en) | 1989-03-22 |
| JPH01108384A (ja) | 1989-04-25 |
| EP0308011B1 (en) | 1995-01-04 |
| US4853320A (en) | 1989-08-01 |
| DE3852681D1 (de) | 1995-02-16 |
| JP2572430B2 (ja) | 1997-01-16 |
| DE3852681T2 (de) | 1995-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5380560A (en) | Palladium sulfate solution for the selective seeding of the metal interconnections on polyimide dielectrics for electroless metal deposition | |
| US4701351A (en) | Seeding process for electroless metal deposition | |
| EP0098346B1 (en) | A method for depositing a metal layer on polyesters | |
| US4328298A (en) | Process for manufacturing lithography masks | |
| EP0357124B1 (en) | Method of selectively providing a metal from the liquid phase on a substrate by means of a laser | |
| CN1114821A (zh) | 基板的选择金属化方法 | |
| JPH04282639A (ja) | 基板の画定されたエッチング方法 | |
| KR100959751B1 (ko) | 금속패턴 형성 방법 및 이를 이용한 전자파 차폐 필터 | |
| NL8702219A (nl) | Werkwijze voor het lokaal aanbrengen van metaal op een oppervlak van een substraat. | |
| JP2004019003A (ja) | プリント回路基板及びそのメッキ方法 | |
| EP0456982A1 (en) | Novel metal accelerator | |
| Yen | Improved ABS plastic activating treatment for electroless copper plating | |
| CA2203171A1 (en) | Process for coating electrically non-conducting surfaces with connected metal structures | |
| JPS61265853A (ja) | 金属接点の形成方法 | |
| KR100292652B1 (ko) | 무전해도금용활성화촉매액및무전해도금방법 | |
| JPS58501064A (ja) | 基板のマスク部分 | |
| EP0163089B1 (en) | Process for activating a substrate for electroless deposition of a conductive metal | |
| US5746809A (en) | Activating catalytic solution for electroless plating | |
| GB2133046A (en) | Electroless direct deposition of gold in metallized ceramics | |
| KR20060006536A (ko) | 반도체 패키지용 인쇄회로기판의 도금층 형성방법 및이로부터 제조된 인쇄회로기판 | |
| KR102641509B1 (ko) | 구리도금방법 | |
| KR100996316B1 (ko) | 패키지를 허메틱 실링하기 위한 금속 패턴 형성방법 | |
| JP2500936B2 (ja) | 粉末のめつき方法 | |
| JPH0379100A (ja) | 光透過ペーストおよびそれを用いた金属銅析出方法 | |
| JPH01247577A (ja) | 化学銅めっき方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |