NL8701718A - Werkwijze voor het aanbrengen van dunne lagen van oxidisch supergeleidend materiaal. - Google Patents
Werkwijze voor het aanbrengen van dunne lagen van oxidisch supergeleidend materiaal. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8701718A NL8701718A NL8701718A NL8701718A NL8701718A NL 8701718 A NL8701718 A NL 8701718A NL 8701718 A NL8701718 A NL 8701718A NL 8701718 A NL8701718 A NL 8701718A NL 8701718 A NL8701718 A NL 8701718A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- composition
- oxidic
- substrate
- superconductive
- layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 claims description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/73—Vacuum treating or coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/742—Annealing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Description
\ Ψ PHN 12.202 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven Werkwijze voor het aanbrengen van dunne lagen van oxidisch supergeleidend materiaal.
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het aanbrengen van dunne lagen van oxidisch supergeleidend materiaal op een substraat.
Een werkwijze voor het aanbrengen van dunne lagen 5 supergeleidend (La^_xSrx)2CuO^ (waarin x=0.03) op een substraat uit strontiumtitanaat door middel van magnetron sputteren is beschreven in een artikel van M.Suzuki en T.Murakami in het Japanese Journal of Applied Physics, vol.26 (4), paginas L524-L525 (1987).
Voor toepassing van supergeleidende materialen in dunne 10 lagen is het vaak gewenst om het supergeleidende materiaal in een nauwkeurig gedefinieerd patroon, met zo mogelijk fijne details, te kunnen aanbrengen, bij voorbeeld bij toepassingen in halfgeleiderinrichtingen en sensoren. Oxidische supergeleidende materialen van het hiervoor genoemde type of van de groep waarvan 15 YBa2Cu307_g (waarin 5=0.3) een representant is, hebben de voor dit doel nadelige eigenschap dat ze slecht bestand zijn tegen de inwerking van vocht. De gebruikelijke manier om patroonmatige dunne lagen te vervaardigen, waarbij eerst een dunne laag over het gehele oppervlak wordt aangebracht, waarna deze door middel van een masker en 20 door etsen in het gewenste patroon wordt gebracht, is daarom minder geschikt.
De uitvinding beoogt een werkwijze te verschaffen voor het patroonmatig aanbrengen van dunne lagen van oxidisch supergeleidend materiaal op een substraat, waarbij het supergeleidende materiaal na het 25 aanbrengen niet behoeft te worden blootgesteld aan mechanische of chemische behandelingen.
Aan deze opgave wordt volgens de uitvinding voldaan door een werkwijze waarbij het oxidische materiaal wordt aangebracht op een substraat dat volgens een gewenst patroon ten minste twee verschillende 30 materiaalsaraenstellingen vertoont aan het oppervlak, waarbij een eerste samenstelling zodanig is gekozen dat het daarop aangebracht oxidische materiaal supergeleidend is bij een gewenste gebruikstemperatuur en
870 1 7 U
f 4 PHN 12.202 2 waarbij een tweede samenstelling zodanig is gekozen dat hetzelfde daarop aangebrachte oxidische materiaal niet supergeleidend is bij de eerder genoemde gebruikstemperatuur.
Het aanbrengen van het oxidische materiaal kan volgens 5 verschillende geschikte werkwijzen worden uitgevoerd, bijvoorbeeld door middel van sputteren, magnetron sputteren, chemische depositie vanuit de dampfase, opdampen.
In een uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding worden de verschillende materiaalsamenstellingen aan het 10 oppervlak verkregen door op een substraat uit de eerste samenstelling patroonmatig een dunne laag uit de tweede samenstelling aan te brengen. In dat geval vormt het supergeleidende patroon het complement (negatief beeld) van de patroonmatig aangebrachte dunne laag.
In een andere uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de 15 uitvinding worden de verschillende materiaalsamenstellingen aan het oppervlak verkregen door op een substraat uit de tweede samenstelling patroonmatig een dunne laag uit de eerste samenstelling aan te brengen. In dit geval vormt het supergeleidende patroon een positief beeld van de patroonmatig aangebrachte dunne laag.
20 Geschikte materialen waarop de oxidische materialen in supergeleidende vorm kunnen worden aangebracht zijn strontiumtitanaat en edelmetalen, bij voorkeur zilver en goud.
Geschikte materialen waarop dezelfde oxidische materialen in niet supergeleidende vorm kunnen worden aangebracht zijn silicium en 25 aluminiumoxide. Een bijzonder voordeel van deze materiaalkeuze is dat daarmee bekende werkwijzen uit het gebied van het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen kunnen worden toegepast.
In het Amerikaanse octrooischrift US 4255474 is een werkwijze beschreven waarin een dunne laag transparant materiaal 30 patroonmatig wordt gemodificeerd door middel van diffusie van een eerder patroonmatig aangebracht materiaal. In de werkwijze volgens de uitvinding vindt niet noodzakelijkerwijs een diffusiestap plaats, maar wordt de structuur en/of samenstelling bij de depositie zodanig beïnvloed door het substraat dat afhankelijk van de plaatselijke 35 samenstelling van dat substraat al dan niet supergeleidend materiaal wordt gevormd.
In het Amerikaanse octrooischrift US 4290843 is een 6701718 i t PHN 12.202 3 werkwijze beschreven waarin een kristallijn substraat locaal wordt verstoord door middel van implantatie, waarna een epitaxiale monokristallijne laag wordt gegroeid op de niet verstoorde delen van het kristaloppervlak. Op het verstoorde oppervlak wordt tegelijkertijd een 5 polykristallijne laag gegroeid, welke later wordt verwijderd. De volgens de uitvinding vervaardigde lagen zijn niet monokristallijn, zodat bij het aanbrengen van de dunne laag een dergelijke grote afhankelijkheid van de samenstelling en structuur van het substraat niet voor de hand ligt.
10 De uitvinding wordt toegelicht aan de hand van uitvoeringsvoorbeelden én aan de hand van een tekening, waarin
Figuur 1 a - c schematisch een aantal stappen weergeeft van een uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding waarbij een negatief beeld wordt gevormd, en waarin 15 Figuur 2 a - c schematisch een aantal stappen weergeeft van een uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding waarbij een positief beeld wordt gevormd.
Uitvoerinqsvoorbeeld 1: 20 Figuur 1a toont een substraat 10 uit SrTi03 dat is bedekt met een laag 12 uit silicium. In plaats van silicium kan bijvoorbeeld ook een laag aluminiumoxide worden toegepast. In de laag silicium worden openingen 14 aangebracht, zodat plaatselijk het substraatmateriaal wordt vrijgemaakt, zie Figuur 1b. Dit kan op elke 25 geschikt manier worden bewerkstelligd, bijvoorbeeld door de siliciumlaag te bedekken met een fotolak, deze via een masker te belichten en ontwikkelen, en vervolgens de siliciumlaag plaatselijk te verwijderen in een etsproces.
Vervolgens wordt een laag oxidisch materiaal 16 met de 30 samenstelling YBa2Cu30g>7 aangebracht, bijvoorbeeld door middel van opdampen waarbij het substraat op een temperatuur van 850°C wordt gehouden. Ter plaatse van de openingen 14 is de aangebrachte laag supergeleidend bij een temperatuur van ongeveer 90 K, ter plaatse van de siliciumlaag 12 is de aangebrachte laag bij die temperatuur niet 35 supergeleidend.
De laag 16 kan desgewenst nog worden bedekt met een beschermlaag om omgevingsinvloeden tot een minimum te beperken.
6. ? 0 1 7 1 8 f 4 PHN 12.202 4
In het genoemde supergeleidende materiaal kunnen op zich bekende substituties worden gepleegd, zonder daarbij de doeltreffendheid van de werkwijze volgens de uitvinding aan te tasten. Zo kan Y bijvoorbeeld geheel of gedeeltelijk worden vervangen door zeldzame 5 aardmetaalionen, Ba kan worden vervangen door Sr of Ca, en 0 kan gedeeltelijk worden vervangen door F.
In plaats van door middel van opdampen kan de laag 16 bijvoorbeeld ook door middel van sputterdepositie worden aangebracht, onder toepassing van een geperste trefplaat met de gewenste 10 samenstelling. Het substraat kan op een hoge temperatuur worden gehouden, bijvoorbeeld van 800 tot 900°C, maar het is ook mogelijk de depositie te doen plaatsvinden bij een lagere temperatuur. In dat geval is het nodig om een nabehandeling te geven, door het substraat met de aangebrachte lagen op een temperatuur van 800 tot 900°C te brengen in 15 een oxiderende atmosfeer, om supergeleidende eigenschappen te verkrijgen.
Uitvoeringsvoorbeeld 2:
Figuur 2a toont een substraat 20 uit silicium, dat is bedekt met een laag 22 uit zilver. In plaats van zilver kan bijvoorbeeld 20 ook een laag goud of een laag strontiumtitanaat worden toegepast. In de zilverlaag worden openingen aangebracht, zodat een patroon van zilversporen achterblijft, zie Figuur 2b, bijvoorbeeld op de in het vorige uitvoeringsvoorbeeld aangegeven wijze.
Vervolgens wordt een laag oxidisch materiaal 26 25 aangebracht, bijvoorbeeld op de in het vorige uitvoeringsvoorbeeld aangegeven wijze en met de daar aangegeven samenstelling. Ter plaatse van de zilversporen 22 is het oxidische materiaal supergeleidend, op de plaatsen waar het oxidische materiaal direct op het siliciumsubstraat is aangebracht is dat niet het geval.
30
De uitvinding verschaft een eenvoudige werkwijze voor het patroonmatig aanbrengen van supergeleidende oxidische materialen, waarbij de definitie van het patroon plaatsvindt voordat het supergeleidende materiaal wordt aangebracht. Daarbij wordt gebruik 35 gemaakt van het verschijnsel dat een kleine verstoring van de samenstelling en/of structuur van het oxidische materiaal volstaat, om ervoor te zorgen dat het materiaal niet supergeleidend is bij de gewenste temperatuur.
Ë? 017 1 8
Claims (7)
1. Werkwijze voor het aanbrengen van dunne lagen van oxidisch supergeleidend materiaal op een substraat, met het kenmerk, dat het oxidisch materiaal wordt aangebracht op het substraat dat volgens een gewenst patroon ten minste twee verschillende 5 materiaalsamenstellingen vertoont aan het oppervlak, waarbij een eerste samenstelling zodanig is gekozen dat het daarop aangebrachte óxidische materiaal supergeleidend is bij een gewenste gebruikstemperatuur en waarbij een tweede samenstelling zodanig is gekozen dat hetzelfde daarop aangebrachte óxidische materiaal niet supergeleidend is bij de eerder 10 genoemde gebruikstemperatuur.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de verschillende materiaalsamenstellingen aan het oppervlak worden verkregen door op een substraat uit de eerste samenstelling patroonmatig een dunne laag uit de tweede samenstelling aan te brengen.
3. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de verschillende materiaalsamenstellingen aan het oppervlak worden verkregen door op een substraat uit de tweede samenstelling patroonmatig een dunne laag uit de eerste samenstelling aan te brengen.
4. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de 20 eerste samenstelling strontiumtitanaat is.
5. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de eerste samenstelling een edelmetaal is, bij voorkeur zilver of goud.
6. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de tweede samenstelling silicium is.
7. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de tweede samenstelling aluminiumoxide is. 8701716
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8701718A NL8701718A (nl) | 1987-07-21 | 1987-07-21 | Werkwijze voor het aanbrengen van dunne lagen van oxidisch supergeleidend materiaal. |
| DE3886115T DE3886115T2 (de) | 1987-07-21 | 1988-07-14 | Verfahren zum Anbringen dünner Schichten aus oxidischem supraleitendem Material. |
| EP88201513A EP0300567B1 (en) | 1987-07-21 | 1988-07-14 | Method of applying thin layers of oxidic superconductive material |
| AT88201513T ATE98401T1 (de) | 1987-07-21 | 1988-07-14 | Verfahren zum anbringen duenner schichten aus oxidischem supraleitendem material. |
| US07/219,519 US4900709A (en) | 1987-07-21 | 1988-07-15 | Method of patterning superconducting oxide thin films |
| SU884356188A SU1738104A3 (ru) | 1987-07-21 | 1988-07-18 | Способ изготовлени сверхпровод щего устройства планарного типа |
| KR1019880008925A KR970005156B1 (ko) | 1987-07-21 | 1988-07-18 | 산화 초전도 물질 코팅방법 |
| JP63180451A JPS6441282A (en) | 1987-07-21 | 1988-07-21 | Method of depositing superconducting oxide material thin layer |
| US07/292,676 US4957899A (en) | 1987-07-21 | 1989-01-03 | Method of patterning superconducting oxide thin films |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8701718 | 1987-07-21 | ||
| NL8701718A NL8701718A (nl) | 1987-07-21 | 1987-07-21 | Werkwijze voor het aanbrengen van dunne lagen van oxidisch supergeleidend materiaal. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8701718A true NL8701718A (nl) | 1989-02-16 |
Family
ID=19850351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8701718A NL8701718A (nl) | 1987-07-21 | 1987-07-21 | Werkwijze voor het aanbrengen van dunne lagen van oxidisch supergeleidend materiaal. |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4900709A (nl) |
| EP (1) | EP0300567B1 (nl) |
| JP (1) | JPS6441282A (nl) |
| KR (1) | KR970005156B1 (nl) |
| AT (1) | ATE98401T1 (nl) |
| DE (1) | DE3886115T2 (nl) |
| NL (1) | NL8701718A (nl) |
| SU (1) | SU1738104A3 (nl) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0301689B1 (en) * | 1987-07-27 | 1993-09-29 | Ovonic Synthetic Materials Company, Inc. | Method of stabilizing high tc superconducting material and the material so stabilized |
| JPS6457438A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | Recording medium |
| JPH01171247A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Mitsubishi Metal Corp | 超伝導体配線の構造 |
| GB2215548B (en) * | 1988-02-26 | 1991-10-23 | Gen Electric Co Plc | A method of fabricating superconducting electronic devices |
| JPH0244784A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-14 | Canon Inc | 超伝導パターンの形成方法 |
| US5246916A (en) * | 1989-03-22 | 1993-09-21 | Sri International | Method of forming shaped superconductor materials by electrophoretic deposition of superconductor particulate coated with fusible binder |
| US5229360A (en) * | 1989-07-24 | 1993-07-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method for forming a multilayer superconducting circuit |
| US5135908A (en) * | 1989-08-07 | 1992-08-04 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method of patterning superconducting films |
| EP0450394A3 (en) * | 1990-03-20 | 1991-10-23 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for forming superconductor layer |
| CA2054796C (en) * | 1990-11-01 | 1999-01-19 | Hiroshi Inada | Superconducting wiring lines and process for fabricating the same |
| JPH0697522A (ja) * | 1990-11-30 | 1994-04-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 超伝導材料の薄膜の製造方法 |
| US5252551A (en) * | 1991-12-27 | 1993-10-12 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Superconducting composite with multilayer patterns and multiple buffer layers |
| US5593918A (en) * | 1994-04-22 | 1997-01-14 | Lsi Logic Corporation | Techniques for forming superconductive lines |
| JP3076503B2 (ja) * | 1994-12-08 | 2000-08-14 | 株式会社日立製作所 | 超電導素子およびその製造方法 |
| DE102006030787B4 (de) * | 2006-06-30 | 2008-11-27 | Zenergy Power Gmbh | Negativstrukturierung von Dünnschicht Hochtemperatur-Supraleitern |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4316785A (en) * | 1979-11-05 | 1982-02-23 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | Oxide superconductor Josephson junction and fabrication method therefor |
| US4255474A (en) * | 1980-01-04 | 1981-03-10 | Rockwell International Corporation | Composite having transparent conductor pattern |
| US4290843A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-22 | Texas Instruments Incorporated | Epitaxial growth of magnetic memory film on implanted substrate |
| EP0282012A3 (en) * | 1987-03-09 | 1989-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Superconducting semiconductor device |
| US4960751A (en) * | 1987-04-01 | 1990-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electric circuit having superconducting multilayered structure and manufacturing method for same |
| JPS63291485A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Fujikura Ltd | 酸化物超電導回路の製造方法 |
| CN1017110B (zh) * | 1987-08-13 | 1992-06-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 一种超导器件 |
-
1987
- 1987-07-21 NL NL8701718A patent/NL8701718A/nl not_active Application Discontinuation
-
1988
- 1988-07-14 DE DE3886115T patent/DE3886115T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-07-14 EP EP88201513A patent/EP0300567B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-14 AT AT88201513T patent/ATE98401T1/de not_active IP Right Cessation
- 1988-07-15 US US07/219,519 patent/US4900709A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-07-18 KR KR1019880008925A patent/KR970005156B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1988-07-18 SU SU884356188A patent/SU1738104A3/ru active
- 1988-07-21 JP JP63180451A patent/JPS6441282A/ja active Pending
-
1989
- 1989-01-03 US US07/292,676 patent/US4957899A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890003053A (ko) | 1989-04-12 |
| EP0300567B1 (en) | 1993-12-08 |
| EP0300567A2 (en) | 1989-01-25 |
| US4900709A (en) | 1990-02-13 |
| JPS6441282A (en) | 1989-02-13 |
| KR970005156B1 (ko) | 1997-04-12 |
| EP0300567A3 (en) | 1989-05-10 |
| DE3886115D1 (de) | 1994-01-20 |
| US4957899A (en) | 1990-09-18 |
| DE3886115T2 (de) | 1994-06-09 |
| SU1738104A3 (ru) | 1992-05-30 |
| ATE98401T1 (de) | 1993-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL8701718A (nl) | Werkwijze voor het aanbrengen van dunne lagen van oxidisch supergeleidend materiaal. | |
| US4933318A (en) | Plasma etch of masked superconductor film | |
| EP0355888B1 (en) | Method of manufacturing a device comprising a film of an oxidic superconducting material | |
| US5041420A (en) | Method for making superconductor films from organometallic precursors | |
| CN1018115B (zh) | 超导陶瓷图案及其制造方法 | |
| US3791952A (en) | Method for neutralizing charge in semiconductor bodies and dielectric coatings induced by cathodic etching | |
| KR930004728B1 (ko) | 초전도체 배선의 형성방법 | |
| Lai et al. | Deposition of thallium-based superconducting thin films by a simple thermal evaporation method | |
| JP2821761B2 (ja) | 酸化物超伝導膜から成るブリッジ型粒界ジョセフソン素子のパターニング方法 | |
| JPH0494179A (ja) | 酸化物超伝導薄膜デバイスの作製方法 | |
| EP0298933B1 (en) | Method for the manufacture of copper oxide superconducting films | |
| JP3169654B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2853532B2 (ja) | 絶縁領域と超電導領域とを有する超電導薄膜の作製方法 | |
| JPH02248082A (ja) | ジョセフソン接合の製造方法 | |
| KR930001567B1 (ko) | 초전도체 배선의 구조 및 그 형성방법 | |
| KR950002181B1 (ko) | 플루오르화물 박막을 이용한 게이트용 또는 배선용 금속박막 형성방법 | |
| JPH01132008A (ja) | 超電導体およびその製造方法 | |
| JP2969068B2 (ja) | 超伝導素子の製造方法 | |
| JPH06338639A (ja) | ジョセフソン素子の製造方法 | |
| NL8000378A (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van josephson tunnel junctie. | |
| JPH02114678A (ja) | 超伝導素子およびその製造方法 | |
| JPH01224298A (ja) | 金属酸化物超伝導材料層の製造方法 | |
| JPH02253672A (ja) | 高温超電導薄膜回路の製造方法 | |
| JPH05259523A (ja) | 超電導回路の製造方法 | |
| JPH08241838A (ja) | 酸化物電子素子の作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |