[go: up one dir, main page]

NL8701463A - Laagdikte meter. - Google Patents

Laagdikte meter. Download PDF

Info

Publication number
NL8701463A
NL8701463A NL8701463A NL8701463A NL8701463A NL 8701463 A NL8701463 A NL 8701463A NL 8701463 A NL8701463 A NL 8701463A NL 8701463 A NL8701463 A NL 8701463A NL 8701463 A NL8701463 A NL 8701463A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
light
coating thickness
thickness gauge
sleeve
length
Prior art date
Application number
NL8701463A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8701463A priority Critical patent/NL8701463A/nl
Priority to DE8888201260T priority patent/DE3868993D1/de
Priority to EP88201260A priority patent/EP0296680B1/en
Priority to AT88201260T priority patent/ATE73540T1/de
Priority to JP63152444A priority patent/JPS6423103A/ja
Publication of NL8701463A publication Critical patent/NL8701463A/nl
Priority to US07/548,422 priority patent/US5046849A/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0675Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating using interferometry

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

# ‘1 PHN 12160 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
Laagdikte meter.
De uitvinding heeft betrekking op een laagdiktemeter voor het continue meten van de dikte van lagen die bij lage druk op een substraat worden afgezet, omvattende een lichtbron, twee lichtgeleiders waarbij de ene lichtgeleider het licht van de lichtbron naar de 5 opgroeiende laag geleidt en de andere lichtgeleider het op het grensvlak tussen substraat en opgroeiende laag gereflecteerde licht en het op het grensvlak tusen de opgroeiende laag en de omringende atmosfeer gereflecteerde licht naar een tevens tot de laagdikte meter behorende, detector geleidt die variaties in de intensiteit van het licht 10 tengevolge van een in afhankelijkheid van de optische weglengte in de opgroeiende laag optredende variërende interferentie tussen de twee gereflecteerde lichtstralen weergeeft.
In Philips Technical Revieuw 43 pag 58-60 Jan 1987 wordt een methode beschreven voor het meten van de dikte van een 15 infraroodreflecterende laag tijdens het aanbrengen op de binnenzijde van de buitenste glazen omhulling van lage druk natrium lampen. Deze laag bestaat uit L^OgtSn. Het aanbrengen van deze laag vindt plaats bij een temperatuuur von ongeveer 500 °C.
Het bekende meetinstrument bestaat uit twee 20 lichtgeleiders met een buitendiameter van 2,5 mm en een kerndiameter van 1,9 mm. Beide geleiders zijn (aan het koude uiteinde) voorzien van een koppeling waarop glasvezelbundels kunen worden aangesloten; deze vormen respectievelijk de verbinding met een lichtbron en een detector. Het licht van een lichtbron wordt door de ene geleider naar de meetplaats 25 geleid. De uit het warme uiteinde uittredende bundel wordt, na reflectie aan de te meten laag, door de ander geleider opgevangen en naar de detector geleid. Om de optische assen van de beide (parallelle) geleiders op hetzelfde meetpunt te richten, worden de eindvlakken van de geleiders onder een zekere hoek met de lengte-as afgeslepen.
30 Het principe van de meting berust op interfentie. Doordat de lichtbundel aan de beide zijden van de zich vormende infrarood reflectielaag reflecteert, ontstaan er twee gereflecteerde bundels, die 8701463 * ί PHN 12160 2 door een verschil in optische weglengte met elkaar interfereren.
Wanneer de dikte van de laag toeneemt, zal de detector variaties in de intensiteit van het erop vallende licht waarnemen. Hieruit kan de dikte van de laag op elk moment worden herkend door, een met de detector 5 gekoppelde verwerkingsapparatuur. De meetmethode kan worden gebruikt om het aanbrengproces automatisch te sturen.
Het beschreven meetinstrument is niet zonder meer geschikt voor het meten van de laagdikte van lagen die bij lage druk reactief op de buitenzijde van een voorwerp worden afgezet bijvoorbeeld 10 door middel van een lage druk CVD proces. De toepassing van dit type processen neemt in de techniek steeds meer toe omdat hiermede een groot aantal voorwerpen tegelijkertijd en reproduceerbaar met een laag kunnen worden bedekt, zonder dat ingewikkelde bewegingen door de voorwerpen behoeven te worden 15 uitgevoerd zoals bij opdampprocessen.
De uitvinding beoogt nu een laagdiktemeter die kan worden toegepast voor het continue meten van de dikte van lagen die in een lage druk CVD proces worden afgezet.
Aan deze opgave wordt voldaan met een laagdiktemeter die 20 het kenmerk draagt dat de beide lichtgeleiders zich bevinden in een aan een einde door een optische venster afgesloten pijp uit een materiaal dat bestand is tegen de omstandigheden in de ruimte waarin het CVD proces wordt uitgevoerd en aan dit einde is voorzien van een verwisselbare huls die aan een einde is voorzien van een optisch venster 25 en die passend op de pijp kan worden geschoven, waarin zich de lichtgeleiders bevinden.
Een laagdiktemeter volgens de uitvinding kan met het einde, waarop zich de verwisselbare huls met optisch venster bevindt door een geschikte op het meetinstrument afdichtbare opening in een 30 lage druk CVD reactor worden gestoken, waarin zich een groot aantal op de buitenzijde van een laag te voorziene voorwerpen bevinden. Het is aan deze lagedrukprocessen eigen, dat de depositiesnelheid plaats onafhankelijk is. Hierdoor wordt het enerzijds mogelijk grote aantallen voorwerpen tegelijk van een laag te voorzien en anderzijds kan op een 35 technisch geschikte plaats een voor het bedekkingsproces representatieve meting plaatsvinden. Men kan zich hierbij bijvoorbeeld een groot aantal halogeenlampen voorstellen waarvan de ballon met een geel licht 870 1 463
V
PHN 12160 3 doorlatende interferentielaag uit een aantal 1/4 λ - lagen van afwisselend hoge en lage brekingsindex moeten worden voorzien. Voordat met een depositie wordt begonnen wordt de laagdiktemeter van een huls met een schoon optisch venster voorzien.
5 Aan de hand van de bijgaande tekening waarvan figuur 1 schematisch en gedeeltelijk in doorsnede een meetinstrument volgens de uitvinding toont en figuur 2 meer in detail de stralengang zal de uitvinding nu nader worden toegelicht aan de hand van een practische uitvoeringsvorm. Het meetinstrument bestaat in principe uit twee 10 lichtgeleiders 1 en 2 omvattende een kern en een mantel waarbij de brekingsindex van de kern hoger is dan van de mantel. De kern kan over de diameter een constante brekingsindex of een parabolische index verdeling bezitten. In een praktische uitvoeringsvormn heeft de kern een diameter van 1.9 mm en de lichtgeleider een diameter van 2.5 mm. De 15 lengte van de lichtgeleiders past zich aan de technische omstandigheden zoals bijvoorbeeld aan de lengte van de reactor. De aankoppeling van een gewone optische vezel aan de staaf moet op een plaats van relatief lage temperatuur plaatsvinden, omdat deze vezel een kunststofomhulling heeft. De lengte kan bijvoorbeeld 1.5 mtr. bedragen. Beide 20 lichtgeleiders bevinden zich in een buis 3 met kwarts bijvoorbeeld met een wanddikte van - mm. Deze buis kan ook uit hardglas bestaan. Aan het einde dat in de reactor zal worden gestoken is de buis afgesloten met een optisch venster 4 bij voorkeur uit kwarts. De lichtgeleiders 1 en 2 liggen nauwkeurig gepositioneerd in buis 3 met behulp van 25 afstandstukken, waarvan er twee zijn aangegeven: 4A, 4B.
Aan de uit de buis 3 stekende omgebogen einden zijn de lichtgeleiders 1 en 2 voorzien van koppelingen 5 en 6, waarop glasvezelbundels 7 en 8 zijn aangesloten, die respektievelijk een verbinding vormen met een lichtbron 9 en de verwerkingsapparatuur 30 inclusief detector 10. Buis 3 is afgesloten met venster 4 en is tijdens de meting voorzien van een huls uit een buis bijvoorbeeld met kwartsglas 11 aan een zijde afgesloten met een optisch venster 12. Buis 11 en buis 3 moeten nauwkeurig passen, in de praktijk kan de binnendiameter van buis 11 bijvoorbeeld 0,5 mm groter zijn dan de buitendiameter van buis 35 3. De huls kan een lengte bezitten tussen 20 en 30 cm. In figuur 2 is de situatie tijdens de meting meer in detail aangegeven, het getoonde einde bevindt zich tijdens de meting in de reactor.
870 H63 4* PHN 12160 4
Licht van de lichtbron 9 wordt via de glasvezel bundel 7, de koppeling 5 en de lichtgeleider 1 naar de meetplaats geleid (optisch venster 12) de lichtbundel reflecteert tegen beide zijden van de op het venster 12 groeiende laag 13. Er ontstaan twee gereflecteerde bundels, 5 die in afhankelijkheid van het verschil in optische weglengte meer of minder met elkaar interfereren. In afhankelijkheid van de dikte in de laag zal de verwerkingsapparatuur variaties in de intensiteit van het licht waarnemen en signaleren en eventueel omzetten in een signaal om het afzettingsproces te sturen.
10 In principe zou huls 11 eenzelfde lengte moeten bezitten als buis 3 om te voorkomen dat de depositiereactie ook op het de buis afsluitende venster 4 plaatsvindt. In de praktijk is echter verrassenderwijs gebleken dat dit niet noodzakelijk is. Bij de beschreven uitvoeringsvorm waarbij de huls zich geheel binnen de reactor 15 bevindt en een lengte bezit tussen 20 en 30 cm en een spleet openlaat van 0,5 mm blijkt hij een druk van 0,3 tot 0,9 mBar in de reactor op het optisch venster aan de binnenzijde van de huls minder dan 1% van het materiaal dat op de buitenzijde werd afgezet, te worden afgezet gedurende een afzettingsduur van 60 minuten.
20 Een geschikte lengte in de praktijk is 25 cm. De temperatuur in de reactor bedroeg bij de proef 800°C, waarbij afwisselend lagen uit S13N4 en S1O2 reactief werden neergeslagen.
Door middel van het meetinstrument kan het afzettingsproces waarbij tegelijkertijd op 700 gïoeilampballonnen 1/4 Λ -lagen van afwisselend 25 hoge en lage brekingsindex werden afgezet, worden gestuurd.
Het is dus voldoende dat de lengte van de spleet groter is dan de indringdiepte van de gassen in de spleet tijdens het druk CVD-proces.
8701463

Claims (5)

1. Laagdiktemeter voor het continue meten van de dikte van lagen die bij lage druk op een substraat worden afgezet, omvattende een lichtbron, twee lichtgeleiders waarbij de ene lichtgeleider het licht naar de opgroeiende laag geleid en de andere lichtgeleider het op 5 het grensvlak tussen substraat en opgroeiende laag gereflecteerde licht en het op het grensvlak tussen de opgroeiende laag en de omringende atmosfeer gereflecteerde licht naar een tevens tot de laagdiktemeter behorende detector geleidt, die variaties in de intensiteit van het licht tengevolge van een in afhankelijkheid van de optische weglengte in 10 de opgroeiende laag optredende variërende interferentie tussen de twee gereflecteerde lichtstralen, weergeeft, met het kenmerk, dat de beide lichtgeleiders zich bevinden in een aan een einde door een optisch venster afgesloten pijp uit een materiaal dat bestand is tegen de omstandigheden in de ruimte waarin het CVD proces wordt uitgevoerd en 15 aan dit einde is voorzien van een verwisselbare huls die aan een einde is voorzien van een optisch venster en die passend op de pijp kan worden geschoven, waarin zich de lichtgeleiders bevinden.
2. Laagdiktemeter volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de pijp waarin zich lichtgeleiders bevinden en de verwisselbare huls 20 uit kwarts of hardglas met een verwekingstemperatuur hoger dan de temperatuur, waaraan het wordt blootgesteld tijdens het lage druk CVD proces, bestaan.
3. Laagdiktemeter volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de lengte van de huls en de passing een spleet definiëren van een 25 lengte die groter is dan de indringdiepte van de gassen in de spleet tijdens het lage druk CVD proces.
4. Laagdiktemeter volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de huls een lengte bezit van 20 tot 30 cm.
5. Laagdiktemeter volgens conclusie 1, met het kenmerk, 30 dat de huls een lengte bezit van 30 cm. 8701463
NL8701463A 1987-06-23 1987-06-23 Laagdikte meter. NL8701463A (nl)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8701463A NL8701463A (nl) 1987-06-23 1987-06-23 Laagdikte meter.
DE8888201260T DE3868993D1 (de) 1987-06-23 1988-06-17 Schichtdickenmessgeraet.
EP88201260A EP0296680B1 (en) 1987-06-23 1988-06-17 Device for measuring layer thicknesses
AT88201260T ATE73540T1 (de) 1987-06-23 1988-06-17 Schichtdickenmessgeraet.
JP63152444A JPS6423103A (en) 1987-06-23 1988-06-22 Layer thickness measuring apparatus
US07/548,422 US5046849A (en) 1987-06-23 1990-06-28 Device having an exchangeable substrate sleeve for measuring layer thickness

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8701463 1987-06-23
NL8701463A NL8701463A (nl) 1987-06-23 1987-06-23 Laagdikte meter.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8701463A true NL8701463A (nl) 1989-01-16

Family

ID=19850186

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8701463A NL8701463A (nl) 1987-06-23 1987-06-23 Laagdikte meter.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5046849A (nl)
EP (1) EP0296680B1 (nl)
JP (1) JPS6423103A (nl)
AT (1) ATE73540T1 (nl)
DE (1) DE3868993D1 (nl)
NL (1) NL8701463A (nl)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4013211A1 (de) * 1990-04-25 1991-10-31 Fraunhofer Ges Forschung Ellipsometer
US5499733A (en) * 1992-09-17 1996-03-19 Luxtron Corporation Optical techniques of measuring endpoint during the processing of material layers in an optically hostile environment
US7037403B1 (en) * 1992-12-28 2006-05-02 Applied Materials Inc. In-situ real-time monitoring technique and apparatus for detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization
US6614529B1 (en) * 1992-12-28 2003-09-02 Applied Materials, Inc. In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization
US5891352A (en) 1993-09-16 1999-04-06 Luxtron Corporation Optical techniques of measuring endpoint during the processing of material layers in an optically hostile environment
WO1995018353A1 (en) * 1993-12-28 1995-07-06 Tang Wallace T Y Method and apparatus for monitoring thin films
JPH08316279A (ja) * 1995-02-14 1996-11-29 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 半導体基体の厚さ測定方法及びその測定装置
KR100555169B1 (ko) * 1996-06-28 2006-05-26 어플라이드 머티어리얼즈 인코포레이티드 박막검사방법
US6285451B1 (en) * 1999-04-30 2001-09-04 John M. Herron Noncontacting optical method for determining thickness and related apparatus
DE10042123B9 (de) * 2000-08-28 2007-07-19 Nanophotonics Ag Vorrichtung zur Durchführung von optischen Messungen an einer Probe in einer Vakuumkammer
KR100458700B1 (ko) * 2000-12-29 2004-12-03 어플라이드 머티어리얼즈 인코포레이티드 박막 검사 방법
DE20213343U1 (de) * 2002-08-28 2002-11-14 Analytik Jena AG, 07745 Jena Anordnung zur Bestimmung von Schichtdickenänderungen
US20220375800A1 (en) * 2021-05-20 2022-11-24 Applied Materials, Inc. In situ film growth sensor assembly, apparatus, and methods

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH488027A (de) * 1968-09-04 1970-03-31 Balzers Patent Beteilig Ag Testglaswechsler
DE3175632D1 (en) * 1980-08-21 1987-01-08 Oriel Scient Ltd Analytical optical instruments
US4582431A (en) * 1983-10-11 1986-04-15 Honeywell Inc. Optical monitor for direct thickness control of transparent films

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6423103A (en) 1989-01-25
EP0296680B1 (en) 1992-03-11
ATE73540T1 (de) 1992-03-15
DE3868993D1 (de) 1992-04-16
EP0296680A1 (en) 1988-12-28
US5046849A (en) 1991-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8701463A (nl) Laagdikte meter.
US2668478A (en) Heat protection filter
US5125742A (en) Long path gas absorption cell
US5418369A (en) System for continuously monitoring curing energy levels within a curing unit
EP0361321B1 (en) Process for fusion-splicing hermetically coated optical fibers
JPH07500186A (ja) 分光検査用光ファイバ
US5756165A (en) High speed method for coating and curing optical fiber
WO1994006043A1 (en) Light coupling device for optical fibres
EP0210869A1 (en) Optical probe
IE50257B1 (en) An improved method of jointing optical fibres
GB2117512A (en) Method of inspecting transparent rods
NL8000905A (nl) Optische vezel.
US4178066A (en) Ray-path equalizer for signal-transmission system using multimode light guides
JPH11510603A (ja) 試料媒質に使用する導波管式検出素子及び電磁放射の発射方法
Hornung et al. Single-mode optical fibre microbending loss in a loose tube coating
Severin In-situ film thickness monitoring in CVD and other thin film deposition processes
JPH0651113A (ja) 光バンドパスフィルタモジュール
GB924774A (en) Improvements in or relating to optical devices
Katagiri et al. Direct core observation method using thermal radiation of silica fibers with dopants
US20240310193A1 (en) Off-axis fiber optic sensor
Tugendhaft et al. Reflection intensity optical fiber sensors for the mid-infrared
Pleshanov et al. Modeling the Optical Scheme of a Position-Sensitive Luminescent Spark Sensor with a Spectral Radiation Converter
JPS5823161A (ja) 白熱電球
Rizescu et al. Methods for Testing the Strength of Layers for Different Optical Coatings
RU2026567C1 (ru) Светорассеивающее кварцевое волокно

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed