NL8002038A - Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting en halfgeleiderinrichting verkregen door toepassing van de werkwijze. - Google Patents

Description

*

Deze indiening is een afsplitsing van PHN 4972.

PHN 4972A 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.

"Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting en halfge-leiderinrichting verkregen door toepassing van de werkwijze".

Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam in de vorm van een siliciumlaag van het ene geleidingstype, die op een drager is aangebracht en door middel van plaatselijke oxydatie wordt voorzien van een laagvormig patroon van si-5 liciumoxyde dat zich over de gehele dikte van de siliciumlaag uitstrekt zodat in de siliciumlaag een eilandvormig deel gevormd wordt.

De uitvinding heeft bovendien betrekking op een halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze volgens de uitvinding.

10 Een dergelijke werkwijze waarbij de epitaxiale laag als een n-type laag op een p-type silicium substraat wordt aangebracht is beschreven in de Nederlandse octrooiaanvrage No. 7002384.

Gebleken is dat grenzend aan het oxidepatroon in de drager geleidende kanalen kunnen optreden die de door het patroon van elkaar 15 gescheiden delen van de epitaxiale laag met elkaar verbinden. Een mogelijke verklaring voor de vorming van deze geleidende kanalen is, dat tijdens het aanbrengen van het laagvormige patroon van siliciumoxide, de verontreiniging die het geleidingstype van de epitaxiale laag bepaalt, voor het oxide uit van de epitaxiale laag in de drager diffun-20 deert en daar onder het patroon een gebied vormt van hetzelfde geleidingstype als de epitaxiale laag.

Weliswaar is bij de genoemde eerder voorgestelde werkwijze reeds gezegd dat dergelijke kanalen vermeden kunnen worden door een sub-\ straat toe te passen, die hoger is gedoteerd dan de epitaxiale laag, de 25 uitvinding beoogt echter een verbetering van de genoemde werkwijze aan de te geven, waarbij de genoemde gescheiden delen verbindende kanalen worden vermeden en die ruimere mogelijkheden, zowel wat betreft de keuze aan verontreinigingen en hun concentratie als wat betreft de te verkrijgen structuur, biedt.

30 Daartoe is een werkwijze van de in de aanhef vermelde soort daardoor gekenmerkt, dat de siliciumlaag in de vorm van een epitaxiale laag op een uitgangshalfgeleiderlichaam van hetzelfde geleidingstype wordt aangebracht, waarbij aan het grensvlak tussen de epitaxiale sili- 80020 38 PHN 4972A 2 ciumlaag en het uitgangs halfgeleiderlichaam een begraven zone van het tegengestelde geleidingstype wordt aangebracht, en dat door de plaatselijke oxydatie van de siliciumlaag een siliciumoxyde patroon wordt gevormd dat aan de begraven zone grenst zodat een deel van de epitaxiale 5 laag van het ene geleidingstype wordt verkregen dat in de epitaxiale laag door het siliciumoxyde patroon wordt omgeven en van het uitgangs-halfgeleiderlichaam is gescheiden door de begraven zone die van een zo hoge doteringsconcentratie wordt voorzien dat vorming van geleidende kanalen onder het siliciumoxydepatroon wordt voorkomen, en waarbij een 10 schakelelement tenminste gedeeltelijk, in het eilandvormige deel van de epitaxiale siliciumlaag wordt aangebracht.

Door toepassing van de werkwijze volgens de uitvinding is het bijvoorbeeld mogelijk de dotering of de soortelijke weerstand van het substraat aan te passen aan de eisen die gesteld worden aan de te 15 vervaardigen halfgeleiderinrichting. Zo kan bijvoorbeeld, in het geval dat de capaciteit tussen de epitaxiale laag en het substraat laag moet zijn, de dotering van het substraat praktisch willekeurig laag gehouden worden. Voorwaarde is alleen dat de dotering van de aan het isolerende laagvormige patroon grenzende oppervlaktezone voldoende hoog is om eiland-20 verbindende kanaalvorming onder het oxide te voorkomen.

In een eenvoudige uitvoeringsvorm kan de oppervlaktezone zich over het gehele oppervlak uitstrekken. Een voorkeursuitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding is echter daardoor gekenmerkt dat het uitgangshalfgeleiderlichaam van het ene geleidingstupe wordt voor-25 zien van de oppervlaktezone van het tegengestelde ge leidingstype, die plaatselijk onderbrekingen vertoont, waardoor deze oppervlaktezone wordt verdeeld in een aantal van elkaar gescheiden deelzones en waarbij na het aanbrengen van het laagvormige patroon gezien in een richting loodrecht op de epitaxiale laag, het laagvormige patroon de 30 onderbrekingen geheel overlapt.

Doordat de oppervlaktezone door een aantal van elkaar geïsoleerde deelzones wordt gevormd, kan bijvoorbeeld de parasitaire, capa-citieve koppeling tussen de eilanden in de epitaxiale laag relatief laag gehouden worden.

35 De uitvinding zal nu nader worden uiteengezet aan de hand van een uitvoeringsvoorbeeld en de daarbij behorende schematische tekening, waarin

Fig. 1 een bovenaanzicht voorstelt van een deel van een half- 800 2 0 38 t $ PHN 4972A 3 geleiderinrichting waarbij van een halfgeleiderlichaam van gebruikelijk type wordt uitgegaan en waarvan fig. 2 een dwarsdoorsnede toont langs de lijn II—II in fig.l.

De figuren 3 tot en met 5 tonen doorsneden, corresponderend 5 met die volgens fig. 2 in drie stadia tijdens de vervaardiging van de halfgeleiderinrichting.

Fig. 6 toont een doorsnede van een deel van een halfgeleiderinrichting, voorzien van geïsoleerde delen, of eilanden, vervaardigd met behulp van een werkwijze volgens de uitvinding en waarvan 10 fig. 7 de doorsnede in een vervaardigingsstadium toont.

Eerst zal de werkwijze worden besproken ter vervaardiging van de halfgeleiderinrichting volgens de figuren 1 en 2, bevattende een halfgeleiderlichaam 1 van silicium met een halfgeleiderschakelelement, namelijk een transistor, met de emitterzone 2, de basiszone 3, en de 15 collectorzone 4. Ten behoeve van de transistor (2,3,4) wordt een aan het siliciumlichaam 1 grenzende siliciumoxydelaag aangebracht in de vorm van een laagvormig patroon 5 van siliciumoxyde, waarna het niet door het patroon bedekte deel van het oppervlak een in de halfgeleidertechniek gebruikelijke bewerkingen, zoals het aanbrengen van gediffundeerde zones en 20 contacten, wordt onderworpen, ter verkrijging van de transistor.

Het patroon 5 wordt met behulp van een oxidatiebehandeling aan een oppervlak van het siliciumlichaam aangebracht, waarbij het patroon 5 van siliciumoxide praktisch over zijn gehele dikte in het siliciumlichaam 1 wordt verzonken door tijdens de oxidatiebehandeling het opper-25 vlak 6 van het siliciumlichaam 1 plaatselijk tegen de oxidatie te maskeren met een maskeringslaag 7 (zie fig. 4 en 3).

Hierbij wordt een halfgeleiderlichaam 1 toegepast in de vorm van een epitaxiale laag 1 van het ene geleidingstype, die is aangebracht op een substraat 8 van het tegengestelde geleidingstype.

30 Tijdens het aanbrengen van het patroon 5 van siliciumoxyde wordt de oxidatiebehandeling zo lang voortgezet tot het isolerende laagvormige patroon 5 zich over de gehele dikte van de siliciumlaag 1 uitstrekt en de siliciumlaag 1 in een aantal delen (9 tot en met 17) is verdeeld, die van elkaar gescheiden zijn door het patroon 5.

35 Uitgegaan wordt van een substraat 8 (Fig. 3), dat geheel van het tegengestelde geleidingstype is, en dat wordt voorzien van een opper-vlaktezone 52 van het tegengestelde geleidingstype. Deze oppervlaktezone 52 van het tegengestelde geleidingstype grenst aan het aan te brengen 800 2 0 38 PHN 4972A 4 laagvormige patroon 5 en heeft een zo hoge dotering dat vorming van de eilanden (9 tot en met 17) verbindende kanalen , die grenzen aan het patroon 5, u/ordt voorkomen. De oppervlaktezone 52 heeft een hogere detering dan het substraat 8, en is van hetzelfde geleidingstype.

5 In een specifieke uitvoeringsvorm wordt een p-type silicium- substraat 8 toegepast, met een soortelijke weerstand van ongeveer 2 tot 5 ohm.cm. en een dikte van ongeveer 250^um.

De overige afmetingen worden groot genoeg gekozen om het gewenste aantal van elkaar geïsoleerde delen van de aan te brengen epita-10 ziale laag 1 te kunnen verkrijgen.

Opgemerkt wordt dat eenvoudigheidshalve in de figuren 1 en 2 slechts een deel van de halfgeleiderinrichting is getoond, welk deel slechts één geïsoleerd deel 9 van de epitaxiale laag 1 volledig bevat. Voorts is duidelijkheidshalve in fig. 1 de isolerende laag 20 volgens 15 fig. 2 weggelaten. Daarom zijn in fig. 1 de openingen in deze laag 20 met onderbroken lijnen getoond.

Op een in de halfgeleidertechniek gebruikelijke wijze wordt de hooggedoteerde oppervlaktezone 52, bijvoorbeeld door diffusie van boor aangebracht. De oppervlaktezone 52 die tot de drager behoort, wordt aan-20 gebracht voordat de epitaxiale laag wordt aangebracht, waardoor een nauwkeurige plaatsbepaling van de oppervlaktezone mogelijk is. De oppervlakte- 19 20 concentratie van de oppervlaktezone 52 bedraagt ongeveer 10 tot 10 booratomen per cïïP .

Na de boordiffusie wordt op de p-type drager 8 een n-type 25 epitaxiale laag 1 aangebracht met bijvoorbeeld een dikte van ongeveer 2yU en een soortelijke weerstand van ongeveer 0,2 Ohm cm.. De epitaxiale laag 1 kan op een in de halfgeleidertechniek gebruikelijke wijze worden verkregen door neerslaan van halfgeleidermateriaal op de drager 8. Hierna wordt het laagvormige patroon 5 aangebracht met behulp van een oxida-30 tiebehandeling, die zo lang wordt voortgezet tot de praktisch vlakke oxydelaag 5 zich over de gehele dikte van de epitaxiale laag en tot aan de oppervlaktezone 52 in het substraat uitstrekt.

De afmetingen en de plaats van de oppervlaktezone 52 zijn zodanig gekozen dat na het aanbrengen van het patroon 5, gezien in een 35 richting loodrecht op de epitaxiale laag 1, het laagvormige patroon 5 van siliciumoxide de oppervlaktezone 52 alzijdig overlapt. Hierdoor wordt vermeden dat delen van de oppervlaktezone 52 naast het laagvormige patroon 5 in de epitaxiale laag 1 diffunderen, bijvoorbeeld tijdens de oxy- 800 2 0 38 *- ·7 ΡΗΝ 4972A 5 datiebehandeling, hetgeen bijvoorbeeld vanuit het oogpunt van ruimtebesparing ongewenst kan zijn.

De epitaxiale laag 1 wordt voorzien van een maskeringslaag 7 (zie fig. 4 en 5)die tegen oxydatie maskeert. De maskeringslaag 7 bestaat 5 in het onderhavige uitvoeringsvoorbeeld uit siliciumnitride maar kan ook bijvoorbeeld uit een dubbellaag van siliciumoxide en siliciumnitride bestaan. De siliciumnitridelaag 7 wordt op een gebruikelijke wijze aangebracht, bijvoorbeeld door het lichaam (1,8) te verhitten op een temperatuur van ongeveer 1000°C in een gasmengsel van SiH^ en NH^, en heeft 10 een dikte van ongeveer 0,2^um , welke dikte belangrijk kleiner is dan die van het aan te brengen patroon 5.

Met behulp van een fotolithografisch proces wordt boven de oppervlaktezone 52 een deel van de laag 7 verwijderd, zoals fig. 4 toont, om het patroon 5 te kunnen aanbrengen.

15 Om een patroon 5 te verkrijgen dat praktisch over zijn gehele dikte in de siliciumlaag 1 is verzonken, wordt alvorens de oxidatiebehan-deling te beginnen ter verkrijging van het patroon 5, de tegen oxidatie maskerende laag 7 als etsmasker gebruikt om de siliciumlaag 1 plaatselijk door etsen over ongeveer de helft van zijn dikte te verwijderen.

20 Hierbij ontstaan de groeven 21. Het etsen vindt op een gebruikelijke wijze plaats (zie fig. 4).

Door overleiden van stoom met een druk van ongeveer 1 atmosfeer bij een temperatuur van ongeveer 1000°C wordt door oxidatie van de laag 1 het patroon 5 verkregen. De oxidatiebehandeling wordt voortgezet 25 tot. het verkregen patroon 5 minstens tot aan de drager 8 en de oppervlaktezone 52 reikt, (zie fig. 5).

De epitaxiale laag 1 is nu op eenvoudige en doeltreffende wijze verdeeld in van elkaar geïsoleerde delen 9 tot en met 17, die van elkaar gescheiden zijn door het patroon 5 dat praktisch over zijn gehele 30 dikte in de laag 1 is verzonken waardoor de verkregen configuratie zich verder laat behandelen met behulp van planaire werkwijzen, en waarbij het patroon 5 uit siliciumoxide van goede kwaliteit bestaat. Bovendien is onder het patroon 5 een hooggedoteerde kanaalvorming voorkomende zone 52 verkregen.

35 De oxidatiebehandeling kan onderbroken worden en gedurende deze onderbreking kan de reeds verkregen siliciumoxidelaag althans over een deel van zijn dikte verwijderd worden door etsen, waarbij de laag 7 als etsmasker wordt gebruikt. Een etsbehandeling voorafgaand aan de oxi- nnn ? o 38 PHN 4972A 6 datiebehandeling is dan niet noodzakelijk.

Het is ook mogelijk in het geheel geen etsbehandeling toe te passen. Dan \i/ordt echter een patroon 5 verkregen dat boven het oppervlak van de epitaxiale laag 7 uitsteekt. Deze vereenvoudiging van de werkwij-5 ze zal in het bijzonder bij zeer dunne epitaxiale lagen zonder bezwaar kunnen worden toegepast. Overigens kan men ook door een etsbehandeling achteraf, waarbij de laag 7 als etsmasker dient, het boven de epitaxiale laag 1 uitstekende deel van het patroon verwijderen. Het is dus mogelijk dat het patroon 5 enigszins boven het oppervlak van de epitaxiale laag 1 10 uitsteekt of iets onder dat oppervlak blijft.

De geïsoleerde delen 9 tot en met 17 van de epitaxiale laag 1 zijn van de drager 8 geïsoleerd door de pn-overgang die de n-type laag 1 met de p-type drager 8 vormt.

De basiszone 3 kan op een gebruikelijke wijze door diffusie 15 van een verontreiniging worden aangebracht. Hierbij kan de siliciumnitri-delaag 7 als diffusiemasker worden gebruikt. In het onderhavige uitvoe-ringsvoorbeeld echter wordt eerst de nitridelaag 7 verwijderd en vervangen door de siliciumoxidelaag 20 die op gebruikelijke wijze als diffusiemasker wordt gebruikt. De p-type basiszone 3, die bijvoorbeeld door dif-20 fusie van boor wordt verkregen heeft een dikte van ongeveer 0,6^um en grenst aan het oppervlak 23 van het geïsoleerde deel 9.

Vervolgens wordt in de basiszone 3 bijvoorbeeld door diffusie van fosfor, de n-type emitterzone 2 aangebracht die een dikte van ongeveer 0,3^um heeft en aan het oppervlak 23 van het geïsoleerde deel 9 25 grenst.

De collectorzone 4 van de transistor (2,3,4) wordt door het deel 4, dat aan de basiszone 3 grenst, van het geïsoleerde deel 9 gevormd.

Opgemerkt wordt dat het vertikale deel 24 van de pn-overgang 30 tussen de basiszone 3 en de collectorzone 4 relatief klein is, waardoor ook de capaciteit tussen de basiszone 3 en de collectorzone 4 relatief klein is.

De collectorzone 4 wordt voorzien van een contactzone 25, die aan het oppervlak 23 van het geïsoleerde deel 9 grenst. Deze contactzone 35 25 heeft hetzelfde geleidingstype als en een hogere dotering dan de col lectorzone 4. De contactzone 25 kan gelijktijdig met de emitterzone 2 door diffusie van fosfor worden aangebracht.

De siliciumoxidelaag 20 wordt van openingen 26, 27 en 28 voor- 800 2 0 38 * «r ' y ΡΗΝ 4972Α 7 zien om de zones 2,3 en 25 te kunnen contacteren. De contacten zijn een-voudigheidshalve niet getekend en kunnen op een gebruikelijke wijze worden aangebracht en zich in de vorm van metaallagen tot over de isolerende laag 20 en het patroon 5 uitstrekken.

5 Indien gewenst kan een begraven laag van hetzelfde gelei- dingstype als maar met een hogere dotering dan de collectorzone 4 op een gebruikelijke wijze worden aangebracht. Een dergelijke begraven laag 30 is met onderbroken lijnen in fig. 2 getoond.

De afmetingen van het geïsoleerde deel 9 en van de zones 2,3 10 en 25 in het bovenaanzicht volgens fig. 1 zijn voor een werkwijze volgens de uitvinding niet kritisch en kunnen op gebruikelijke wijze gekozen worden rekening houdend met de gewenst eigenschappen van de transistor.

Bij voorkeur heeft het patroon 5 ongeveer dezelfde dikte als 15 de epitaxiale laag 1 waardoor een praktisch vlak oppervlak verkregen kan worden. Daartoe is de epitaxiale laag 1 bij voorkeur niet dikker dan ongeveer 2.5-'3jum omdat een patroon 5 van deze dikte en van een goede kwaliteit in nog een redelijke oxidatietijd aangebracht kan worden.

In het tot nu toe besproken uitvoeringsvoorbeeld werd een 20 gebruikelijk uitgangshalfgeleiderlichaam toegepast van het tegengestelde geleidingstype. Thans zal een uitvoeringsvoorbeeld worden besproken waarbij een substraat (68 fig. 6 en 7) wordt toegepast, dat gheel van hetzelfde geleidingstype is als de aan te brengen epitaxiale laag 61, en waarbij de isolatie tussen het substraat en de epitaxiale laag slechts 25 wordt gevormd door de oppervlaktezone 62 waarvan het uitgangshalfgeleiderlichaam 68 wordt voorzien.

Het uitgangshalfgeleiderlichaam 68 wordt bijvoorbeeld gevormd door een n-type siliciumkristal, waarvan de soortelijke weerstand in het algemeen niet kritisch is en hier bijvoorbeeld 2 tot 5 ohm-cm.

30 bedraagt.

Het uitgangshalfgeleiderlichaam wordt weer op een in de half-geleidertechniek gebruikelijke wijze voorzien van de hooggedoteerde p-type oppervlaktezone 62 welke tevens als drager voor de aan te brengen epitaxiale laag 61 fungeert.

35 De oppervlaktezone kan bijvoorbeeld verkregen worden door 19 diffusie van boor, waarbij de oppervlakteconcentratie ongeveer 10 boor- 3 atomen per cm bedraagt..

De oppervlaktezone 62 kan zich over het gehele oppervlak 66 800 2 0 38 PHN 4972A 8 uitstrekken. In het onderhavige uitvoeringsvoorbeeld echter is de opper-vlaktezone 62 voorzien van onderbrekingen ter plaatse van het aan te brengen patroon 65 zoals in de figuren 6 en 7 duidelijk is getoond. Gaande van een eiland van de halfgeleiderinrichting via het halfgeleiderma-5 teriaal naar een ander eiland, worden nu tenminste vier p-n-overgangen gepasseerd, waarbij twee achtereenvolgende p-n-overgangen telkens een in oppositie geschakeld diodenpaar vormen. Door deze structuur kan bijvoorbeeld de capacitieve koppeling tussen de eilanden klein gehouden worden.

Na het aanbrengen van de oppervlaktezone 62 worden de n-type 10 epitaxiale laag 61 en het isolerende laagvormige patroon 65 van silici-umoxide op dezelfde wijze aangebracht als in het voorgaande uitvoeringsvoorbeeld, waarna schakelelementen van de gewenste soort in de eilanden kunnen worden aangebracht op een in de halfgeleidertechniek gebruikelijke wijze in de geïsoleerde eilanden, waarbij de p-type zones 62 zelf als 15 aktieve zone van schakelingselementen gebruikt kan worden.

Het zal duidelijk zijn dat de uitvinding niet beperkt is tot de hier beschreven uitvoeringsvoorbeelden, en dat binnen het kader van de uitvinding voor de vakman vele variaties mogelijk zijn. Zo kunnen de geleidingstypen van alle genoemde gedeelten van de beschreven halfgelei-20 derinrichting gelijktijdig worden veranderd van p-type geleiding in n-type geleiding en omgekeerd.

Ook kunnen behalve transistoren andere schakelelementen zoals bijvoorbeeld dioden, weerstanden of capaciteiten in de epitaxiale laag vervaardigd worden.

25 Voorts kan het substraat fungeren als aardplaat of voedings- lijn voor de halfgeleiderinrichting, waarbij bijvoorbeeld een schakel-element in de epitaxiale laag is verbonden met het substraat. Deze verbinding kan bijvoorbeeld een in de zone 62 aangebrachte verbindingszone van het ene geleidingstype bevatten.

30 Een andere variatie bestaat hieruit dat wanneer de epitaxiale laag over het hele oppervlak wordt voorzien van een oppervlaktezone van het tegengestelde geleidingstype, een matrixstructuur ontstaat van bijvoorbeeld p-n-p-n schakelelementen, die bijvoorbeeld als lichtgevoelige detector gebruikt kan worden, en waarbij naast elkaar gelegen zones van 35 de p-n-p-n schakelelementen door het laagvormige patroon van silicium-oxide van elkaar zijn gescheiden.

De verschillende zones in de halfgeleiderinrichting kunnen in plaats van door diffusie, ook door ionenimplantatie worden aangebracht.

800 2 0 38 , ¢. „ e PHN 4972A 9

Het is ook mogelijk de hooggedoteerde kanaalvorming voorkomende oppervlaktezone aan te brengen, nadat de epitaxiale laag is aangebracht, bijvoorbeeld door middel van ionenimplantatie.

Voorts kan, de oppervlaktezone van het tegengestelde geleidings-5 type in plaats van door diffusie, ook als een epitaxiale laag aangebracht worden.

10 15 20 25 30 35 800 2 0 38

Claims (3)

1. Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam in de vorm van een siliciumlaag van het ene ge-leidingstype, die op een drager is aangebracht en door middel van plaatselijke oxydatie wordt voorzien van een laagvormig patroon van silicium-5 oxyde dat zich over de gehele dikte van de siliciumlaag uitstrekt zodat in de siliciumlaag een eilandvormig deel gevormd wordt, met het kenmerk dat de siliciumlaag in de vorm van een epitaxiale laag op een uit-gangshalfgeleiderlichaam van hetzelfde geleidingstype wordt aangebracht, waarbij aan het grensvlak tussen de epitaxiale siliciumlaag en het uit-10 gangshalfgeleiderlichaam een begraven zone van het tegengestelde geleidingstype wordt aangebracht, en dat door plaatselijke oxydatie van de siliciumlaag een siliciumoxyde patroon wordt gevormd dat aan de begraven zone grenst zodat een deel van de epitaxiale laag van het ene geleidingstype wordt verkregen dat in de epitaxiale laag door het silicium-oxyde-15 patroon wordt omgeven en van het uitgangshalfgeleiderlichaam is gescheiden door de begraven zone die van een zo hoge doteringsconcentratie wordt voorzien dat vorming van geleidende kanalen onder het siliciumoxydepatroon wordt voorkomen, en waarbij een schakelelement tenminste gedeeltelijk, in het eilandvormige deel van de epitaxiale siliciumlaag wordt aangebracht.

2. Werkwijze volgens conclusie 1 met het kenmerk dat ter verkrij ging van de begraven zone, het uitgangshalfgeleiderlichaam, alvorens de epitaxiale laag wordt aangebracht, wordt voorzien van een oppervlakte-zone van het tegengestelde geleidingstype die plaatselijk onderbrekingen vertoont en daardoor is verdeeld in een aantal van elkaar gescheiden 25 deel zones, waarbij na het aanbrengen van het laagvormig siliciumoxydepatroon, gezien in een richting loodrecht op de epitaxiale laag, dit laagvormig patroon de onderbrekingen geheel overlapt.

3. Halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werk wijze volgens conclusie 1 of 2. 30 35 800 2 0 38