NL8001783A

NL8001783A - Registratiemedium.

Info

Publication number: NL8001783A
Application number: NL8001783A
Authority: NL
Original assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1979-03-26
Filing date: 1980-03-26
Publication date: 1980-09-30
Also published as: DE3011690A1; GB2047420A; US4357616A; CA1131690A; GB2047420B; FR2452758A1; FR2452758B1; DE3011690C2

Description

803108/

Aanvraagster * Hitachi, Ltd., te Tokyo, Japan.

Korte aanduiding: Eegistratiemedium. ^

De uitvinding heeft betrekking op een registratiemedium, 5 waarbij gebruik gemaakt wordt van de verwijdering door verdamping, de vervorming of dergelijke van een dunne registratiefilm, zoals veroorzaakt door verwarming met behulp van een registratiebundel zoals een laserstraal en/of door middel van indirekt met hulpmiddelen opgewekte warmte.

10 Tot nu toe was bekend om voor een dunne registratiefilm van dit type gebruik te maken van paraffine, olie of dergelijke. Volgens deze methode wordt de vorming, opslag, overdracht enz. van een beeld uitgevoerd door infrarood licht op de dunne registratiefilm van paraffine of dergelijke te projekteren en gebruik te 15 maken van de vervorming van de dunne film tengevolge van verdamping en/of diffusie in de omgeving. Ter vermindering van de bezwaren van deze methode, bijvoorbeeld het bezwaar, dat het beeld van I paraffine of dergelijke geneigd is om op natuurlijke wijze te ver dwijnen tengevolge van na de projektie achterblijvende warmte, is 20 eveneens een hierna beschreven voorstel gedaan. Een materiaal, dat het te projekteren licht goed absorbeert, wordt aangebracht op een bepaald substraat, en warmte, die opgewekt wordt door het door het materiaal geabsorbeerde licht wordt afgegeven aan de registratiefilm, waardoor de vervorming van de registratiefilm tengevolge 25 van verdamping en verplaatsing veroorzaakt wordt. Zelfs wanneer men de laag van het materiaal voor de absorptie van het geprojek-teerde licht een geringe dikte geeft, is de lichtabsorptie voldoende groot. Dientengevolge vindt de toevoer van de warmte aan de registratiefilm op doelmatige wijze plaats en bestaat weinig ge-30 vaar voor het eerder beschreven natuurlijke verdwijnen van het beeld na de projektie. Dat wil zeggen, dat het beeld op bevredigende wijze opgeslagen kan worden. Als materialen voor de absorptie van het geprojekteerde licht worden GdS, GdSe, ASgS^, enz. gebruikt. De registratiemedia van dit type zijn beschreven in de 35 Japanse octrooiaanvrage 48-142442.

Deze registratiemedia worden in de praktijk echter nog steeds niet toegepast, aangezien hun registratiegevoeligheid en de relatieve uitleesfout (signaal-ruisverhouding) niet bevredigend 39 zijn voor praktische toepassing.

80 0 1 7 83 — 2 —

De laatste tijd bestaat de behoeft om een halfgeleider-laserinrichting als bron voor de registrerende bundel voor de registratiemedia van het beschreven type te gebruiken*

Ten aanzien van de stand der techniek kan verwezen worden 5 naar de onderstaande literatuur plaatsen: (1) S* Kobayashi en K* Kurihara; Appl„ Phys* Letters 19 (1971)» blz. 1482 (2) M. Terao; Proceedings of the 6th Conference on Solid State Devices, Tokyo, 1974, Supplement van Journal of the Japan 10 Society of Applied Physics, vol* 44, 1975» blz, 79 - 84*

De uitvinding verschaft een registratiemedium, dat tenminste een eerste laag anorganisch materiaal, dat boven een bepaald substraat ligt en een absorberend vermogen voor geprojekteerd licht bezit, en een registrerende laag, die boven de eerste laag anorga-15 niseh materiaal ligt en waarvan het voornaamste bestanddeel bestaat uit een anorganisch materiaal, bevat, en daardoor gekenmerkt is, dat de eerste laag anorganisch materiaal tenminste een element, gekozen uit de groep van In, Bi, Te, Sb, Ge, Sn, Pb, Cr, Nb, Ni, Pd, Fe, Re,Pt, Ta, Th, Ti, Zr en Tl bevat en het gehalte aan deze elementen tenmin-20 ste 65 atbedraagt.

Toorts kan boven de eerste laag anorganisch materiaal een tweede laag anorganisch materiaal aangebracht zijn, die een grotere doorlaatbaarheid voor het bij het uitlezen toegepaste licht dan de eerste laag anorganisch materiaal bezit. Bij voorkeur wordt als 25 materiaal van de tweede laag anorganisch materiaal gebruik gemaakt van een anorganisch materiaal, dat tenminste een element gekozen uit de groep van In, Bi, Te, Sb, Pb, Ge en Sn en tenminste een element uit de groep van S, Se en 0 bevat,

In de nabijheid van tenminste een oppervlak van de eerste 50 laag anorganisch materiaal kan tevens tenminste een stabiliserende laag aangebracht worden.

Het registratiemedium volgens de uitvinding bezit bijzonder goede eigenschappen, wanneer de kleinste diameters van de afzonderlijke holten of verdiepingen, die door de registratie worden ge-55 vormd, 0,5 - 1,5 μ® bedragen, en wanneer de projektietijd van de 800 1 7 83 i <£ - 3 - registrerende bundel voor een vlek 10 - 500 ns bedraagt®

Het registratiemedium volgens de uitvinding kan op bevredigende wijze informatie registreren, zelfs bij toepassing van een halfgeleider-laserinrichting als bron voor de registrerende bundel.

5 Aldus verschaft de uitvinding een registratiemedium, dat een grotere registratiegevoeligheid, een geringere relatieve uitleesfout en een grotere signaal-ruisverhouding dan de bekende registratiemedia van hetzelfde type, bezit.

De uitvinding zal nader toegelicht worden aan de hand van 10 de bijgevoegde tekening, waarin: figuren 1 en 2 dwarsdoorsneden van registratiemedia volgens de uitvinding tonen, figuren 3 en 4 respektievelijk een dwarsdoorsnede van een registratiemedium en een perspektivisch aanzicht van een schijfvormi^ 15 medium, wanneer informatie is geregistreerd, tonen, fig* 5 een doorsnede van een andere uitvoeringsvorm, fig* 6 een aanzicht ter toelichting van een verdampings-apparaat, en fig, 7 een dwarsdoorsnede ter toelichting van de toestand, 20 waarin een registratiemedium in werkelijkheid wordt bevestigd, figuren 8 en 13 grafieken ter toelichting van de wijze, waarop het reflekterend vermogen van de registratiemedia afhangt van de golflengte, figuren 9 en 10 grafieken ter toelichting van de betrek-25 kingen tussen de voor de registratie vereiste laservermogens en de materiaal samenstellingen en figuren 11 en 12 grafieken ter toelichting van de respek-tievelijke betrekkingen van de dikte van een laag anorganisch materiaal en de dikte van een registrerende laag en de voor de registra-30 tie vereiste laservermogens tonen.

Bij een registratiemedium volgens de uitvinding wordt een materiaal, dat geprojekteerd licht absorbeert, op de hierna beschreven wijze gekozen en wordt een in hoofdzaak uit een organisch materiaal vervaardigde registratiefilm voldoende dichtbij , (met inbegrip 35 van direkt kontakt) het licht absorberend materiaal aangebracht.

800 1 7 83 - 4 -

Pig. 1 toont/Soorsnede de atruktuur van een registratie- ^ medium» "bestaande uit een substraat 1 een eerste laag anorganisch materiaal 2 en een registratiefilm 5» Het is van belang, dat de eerste laag anorganisch materiaal 2, die dient als de licht-absorberende 5 laag, in hoofdzaak tenminste een element gekozen uit de groep van Bi, Te, Sb, In, Sn, Pb, Ge, Cr, Nb, Ni, Pd, Pe, Pt, Re, Ta, Th, Ti,

Zr en Tl bevat. Van deze elementen bezitten Bi, In, Ge, Sn, enz0 het voordeel, dat ze niet giftig zijn.

Bij voorkeur bevat de eerste laag anorganisch materiaal 10 behalve tenminste een element uit de eerder genoemde groep tenminste een element gekozen uit zuurstof, zwavel en selenium. Zuurstof en zwavel zijn niet giftig en verdienen de voorkeur. Het is bijzonder voordelig, wanneer het gehalte van het toegevoegde element of de toegevoegde elementen ten hoogste 55 atbedraagt. Door de aanwezigheid 15 van deze toegevoegde elementen verkrijgt men het voordeel, dat de licht-absorberende laag tijdens de registratie moeilijk te vervormen is. Kombinaties, waaraan de voorkeur wordt gegeven, zijn: Bi - S,

In - S, Bi - In - S, Bi - Ge - S, Sn - In - S, Bi - Sn - S, Bi - 0 -S, Bi - 0 - In - S, Bi - 0 - Sn - S, Sn - 0, In - 0 en Bi - 0. In de 20 praktijk bestaan deze kombinaties uit een chalcogeen-glas, een meervoudige laag vervaardigd van een oxyde of sulfide en bismuth of dergelijke, een lager sulfide, een lager oxyde, enz. Vanzelfsprekend kunnen kleine hoeveelheden andere elementen eveneens in deze samenstellingen aanwezig zijn.

25 In het bijzonder wordt de voorkeur gegeven aan materialen met de formule Δ «B_v, waarin Δ tenminste een element gekozen uit de x y groep van In, Bi, Te, Sb, Pb, Ge en Sn en B tenminste een element gekozen uit de groep van S, Se en 0 voorstelt en waarin 65 < x ·< 100 en 0 < y < 55» 50 Voorts is een gebied van 65 ^ x f 80 in het bijzonder gun stig. Wanneer x groter is dan 80 is de eerste laag anorganisch materiaal geneigd tot vervorming.

De op 'het registratiemedium gerichte laserstraal wordt in hoofdzaak geabsorbeerd door de eerste laag anorganisch materiaal 2, 55 In dit gebied opgewekte warmte wordt afgegeven aan de boven deze laag 800 1 7 83 * a· -5- liggencle registratielaag, waardoor holten of verdiepingen worden gevormd*

De dikte van de licht-absorterende laag bedraagt bij voor-· keur van tenminste 20 nm tot ten hoogste 300 nm* 5 De dikte van de registrerende film bedraagt bij voorkeur van tenminste 20 nm tot ten hoogste 200 nm, in het bijzonder tenminste 50 nm tot ten hoogste 150 nm.

Het substraat 1, waarop de laag anorganisch materiaal en de registrerende laag worden gevormd, heeft geen bijzondere invloed 10 op de registratie. Of men het substraat vervaardigd van een doorzichtig, half-doorziehtig of ondoorziahtig materiaal hangt af van het feit, of gebruik gemaakt wordt van veranderingen in de doorlat ings-faktor of een andere methode wordt toegepast bij de regeling van de dikte bij de vorming van de respektievelijke lagen op het substraat.

15 Aangezien bovendien de fysische eigenschappen van het substraat zoals de warmtecapaciteit en het reflekterend vermogen beperkt worden ( door de intensiteit, enz. van de toegepaste laserstraal, is het sub straat materiaal tevens hiervan afhankelijk. De gewoonlijk voor het substraat toegepaste materialen zijn oxyde-glas, synthetische harsen 20 zoals polymethylmethacrylaat, polyvinylchloride, polyester en poly-etheen, enz.

De licht-absorberende laag kan gevormd worden volgens methoden zoals kathode-verstuiven, opdampen met behulp van een elektronenbundel, onder vacuum of in gassen, enz. Wanneer een organisch 25 materiaal in een kleine hoeveelheid (ten hoogste l/3* uitgedrukt als de verhouding in dikte ten aanzien van het geval van opdampen van een enkel materiaal) met het organische materiaal voor de registrerende film wordt gemengd door gelijktijdig verdanken of met behulp van een meervoudige bron onder roteren met hoge snelheid, wordt het warmte-30 geleidend vermogen verlaagd en daardoor de gevoeligheid verhoogd.

Yoorts is het voordelig om de licht-absorberende laag te vormen door opdampen in aanwezigheid van een gas0 Dit is gebaseerd op het feit, dat een door opdampen in aanwezigheid van een gas gevormde film een groot aantal holten bevat en een gering warmte-gelei-35 dend vermogen bezit. Bij voorkeur bevat een toe te passen gas in 800 1 7 83 - 6 - hoofdzaak tenminste een element, gekozen uit zuurstof, stikstof, argon en waterstof® Hiervan wordt de voorkeur gegeven aan een in hoofdzaak zuurstof-bevattend gas. Bij voorkeur ligt de druk van het -4 -2 gas tussen 10 en 10 Torr® 5 Als voorbeelden van het organische materiaal ter vorming van de registratiefilm, kunnen materialen met de hierna volgende hoofdbestanddelen genoemd worden: acrylzuur en methacrylzuur, de ethyl- of methylester daarvan of een verbinding daarvan, bijvoorbeeld acrylonitril, of tenmin-10 ste een polymeer, copolymeer, esterpolymeer of mengsel uit de groep van een koolstof-fluoride zoals 3~fluorethyleenchloride en 4-fluor-etheen, vinylchloride, vinylideenchloride, vinylideenfluoride, styreen, butadieen, buteen, etheen, propeen, chloor preen, vinylace-taat, urethan, vinylalcohol, vinylformal, vinylbutyral en ethyleen-15 glycol (bijvoorbeeld polyglycidylmethacrylaat of ABS hars); of een polyimide, polyamide, of polyacrylamide; polyvinylpyrrolidon; nitrocellulose; cellulose-acetaat; polyparaxylyleen; polyvinylcinnamaat; polyvinylideenchloride; een polycarbonaat; een polyesterhars zoals polyethyleen-tereftalaat, een fenolhars; een fenol-formaldehydehars; 20 een ureumhars; een siliconenhars; een furanhars; een coumaroonhars; een epoxyhars; een met maleinezuurgemodificeerd colofoniumhars, een met fenol gemodificeerd colofoniumhars; een alkylfenolhars; een ketonhars; een alkydhars zoals glycero-ftaalzuurhars; een polyalco-hol zoals pinacol, ethyleenglycol en hexaandiol; een hogere alcohol 25 zoals myristylalcohol; een hoger vetzuur, een aromatisch carbonzuur, een carbonzuur zoals een polycarbonzuur, of een zout, ester enz® daarvan, zoals myristinezuur, palmitinezuur, stearinezuur, arachicfé-zuur, beheenzuur, lignocerinezuur, cerotinezuur, een vetzuuramide, bis-vetzuuramide zoals ethyleen-bis-stearoamide, een ester van een 30 vetzuur met een polyalcohol, zoals lijnolie en gekookte lijnolie of een oxyde daarvan, een hydroxy-vetzuur, abietinezuur, neoabietine-zuur, dihydroabietinezuur, ftaalzuur, isoftaalzuur, tereftaalzuur of barnsteenzuur, een aromatisch sulfonzuur zoals sulfanilzuur, ftalo-cyanine, Rhodamine B, sacharose, difenyleenoxyde, een organische 35 acyclisehe zwavelverbinding zoals thioureum» een heterocyclische 80 0 1 7 83 - 7 - « 11 “ " — " 1 ' ......... ' 1 1 ———— I »! 1 verbinding met stikstof of zwavel zoals imidazool, 1-aminoanthra-chinon, 2-aminoanthrachinon, 2-aminoanthraceen, chinizarine, purpu-roxanthine, anthrarufine, chinazoline, anthragallol, tectochinon, indigo, indirubine, thioindigo, hydroxyfenylazijnzuur, chinhydron, 5 ftaalanil, fluorescine, isatine, valine, leuco-methyleen-blauw-kleur-stof, een leueo-olamineverbinding, isodonobenzospyropylan, of, in 'het algemeen, tenminste een azo-kleurstof, anthrachinon-kleurstof, indigo^ide-kleurstof, ftalocyanine-kleurstof* carbonium-kleurstof, chinonimine-kleurstof, methine-kleurstof, chinoline-kleurstof, nitro-10 kleurstof, nitrilo-kleurstof, benzochinon- en naftochinon-kleurstoffen , naftalimide-kleurstof, perinon-kleurstof, triacrylmethaan-kleurstof, nitroso-kleurstof, stilbeen-kleurstof, pyrazoIon-kleurstof, thiazool-kleurstof of acrydine-kleurstof, of in het algemeen tenminste een ester, zuur imide, zuur azide, zuur imide en amine, of in het 15 algemeen tenminste een van de verbindingen urethan en aminofenol, gelatine, chitine, hemicellulose, pectine, plantaardige gom, caseïne, een was zoals een polyetheen met laag molecuulgewicht, paraffine, bijenwas, camaubawas, halowas, chloornaftaleen en lagere polymeren van trifluorethyleenchloride, schellak, colofonium, asfalt, vaseline, 20 een natuurlijke rubber, een synthetische rubber zoals siliconen rubber, een bekende fotolak, polybuteensulfon of een samengestelde film vervaardigd van de eerder genoemde organische materialen®

Van deze organische materialen zijn degene met smeltpunten verwekingspunten of sublimatietemperaturen van tenminste 60°C en ten 25 hoogste 200° C voordelig, en wordt in het bij zonder de voorkeur gegeven aan degene met smeltpunten, verwekingspunten pf sublimatietempera turen van tenminste 10°C en ten hoogste 150° C0

Voorbeelden van dergelijke materialen zijn beheenzuur, stearinezuur, ketonharsen, polyetheen met laag molecuulgewicht, pa-30 raffine, enz® Sublimeerbare organische verbindingen zoals leuco-methyleen-blauw, enz. zijn eveneens gunstige

Men kan in de. laag organisch materiaal een licht-absorbe-rend anorganisch materiaal opnemen door gelijktijdig opdampen, opdampen met behulp van een meervoudige bron onder roteren met hoge snel-35 heid en dergelijke® Als licht-absorberend anorganisch materiaal wordt 800 1 7 83 - 8 - met bijzonder voordeel gebruik gemaakt van het voor de licht-absorbe-rende laag toegepaste materiaale

Als methoden voor de vorming van de laag organisch materiaal kunnen genoemd worden aanbrengen onder verhitting, aanbrengen 5 door oplossen van het organische materiaal in een oplosmiddel, opdampen onder vacuum, kathode-verstuiven, glimontlading, een methode, waarbij een monomeer of een polymeer met laag molecuulgewicht gehard wordt door bestraling met een elektronenbundel, ultraviolette stralen of verhitting tijdens of na het opdampen, enzo 10 Yoor de verhoging van de gevoeligheid is het tevens doel matig om de viscositeit te verlagen door bestraling met elektronenbundels, ultraviolet licht en dergelijke, nadat de laag organisch materiaal is gevormd.

Een dunne tussenliggende laag kan aanwezig zijn tussen de 15 licht-absoriberende laag en de registrerende laag, en tevens kan een beschermende laag aanwezig zijn op de registrerende laag, De tussenliggende laag of de beschermende laag kan tijdens het registreren al dan niet voorzien worden van holten. De andere lagen dan de registrerende laag mogen enige vervorming of verdampingsveranderingen 20 enz, ondergaan tijdens het registreren, doch het is gunstiger ten aanzien van de relatieve fout, de signaal-ruisverhouding enz, bij het uitlezen, dergelijke vervormingen en veranderingen niet optreden*

Als voorbeelden van een tussenliggende laag tussen de registrerende film en de licht-absorberende film, kunnen genoemd worden 25 een oxyde- ofch;alcogenidelaag, die dient ter voorkoming van de chemische reaktie of onderlinge diffusie tussen de beide films, een kool-stof-fluoridelaag, die de bevochtigbaarheid met de registrerende film verlaagt, waardoor de vorming van de holten vergemakkelijkt wordt, een oppervlakte-gemodificeerde laag, die gevormd wordt door plasma-50 ontlading, en fluoridelagen bestaande uit BiP^, LiP, RhP^, CeP^, enz. Wanneer aan het registratiemedium volgens de uitvinding een verbeterde struktuur wordt gegeven zoals hierna beschreven, kan de afleesfout nog verder verminderd worden,

In principe bezit de verbeterde struktuur van het registra-55 tiemedium een doorsnede zoals weergegeven in fig* 2. Dit registratie- 800 1 7 83 -.-9- medium bevat een tweede laag anorganisch materiaal 23» die aangebracht is tussen een eerste laag anorganisch materiaal 22, die op een bepaald substraat 21 ligt, en een registrerende film 24» die vervaardigd is van een organisch materiaal.

5 Het grootste gedeelte van de op het registratiemedium ge projecteerde registrerende bundel wordt geabsorbeerd door de eerste laag anorganisch materiaal 22, en in dit gebied opgewekte warmte wordt afgegeven aan de boven deze laag liggende registrerende film, waardoor hierin holten of verdiepingen worden gevormde De aanweaig-10 heid van de tweede laag anorganisch materiaal speelt een meer belangrijke rol om het door de uitvinding beoogde doel te bereikene Dit aal hierna nog beschreven worden0 De figuren 3 en 4 tonen de toestanden, waarin informatie is vastgelegd, en zijn respektievelijk een doorsnede van de belangrijke gedeelten en een perspektivisch aanzichi 15 van een registratiemedium in de vorm van een schijf» ‘Vanzelfsprekend zijn de afmetingen van de respektievelijke lagen en de gevormde holten vergroot of verkleind en niet precies in verhouding weergegeven voor een gemakkelijker begrip» De delen 25 in fig. 3 en 4 zijn de eerder genoemde holten» Zoals blijkt uit fig» 4 zijn de holten 25 20 vrijwel ellipsvormig en in een rij aangebracht» De informaties worden geregistreerd in de vorm van de aanwezigheid of afwezigheid van de holten en door de grootste diameters van de holten alsmede de afstanden tussen de holten» Wanneer geen holten, doch verdiepingen worden gevormd, komen deze op soortgelijke wijze overeen met de in-25 formatie.

De eerste laag anorganisch materiaal en de registrerende laag zijn hetzelfde als eerder beschreven.

Als materiaal van de tweede laag anorganisch materiaal wordt bij voorkeur gebruik gemaakt van een ohalcogenide of oxyde of 30 een mengsel of verbinding bestaande uit het ohalcogenide of oxyde en een metaal, half-metaal of halfgeleider, bijvoorbeeld een materiaal, dat tenminste een element gekozen uit In, Bi, Te, Sb, Pb, Ge, Sn,

Cu, Zn, Cd en Ga en tenminste een element gekozen uit Te, Se, S en 0 bevat. Bijzonder gunstig is een materiaal, dat in de onderstaande 35 geschikte hoeveelheid tenminste een element gekozen uit In, Bi, Te, i___ _,_____ 800 1 7 83 -10 -

Sb, Pb, Ge en Sn bevat. Een materiaal, dat amorf is, is nog· gunstiger.

De hoeveelheid wordt weergegeven door de formule D 0 E., s *c waarin D tenminste een element gekozen uit In, Bi, Te, Sb, Pb, Ge en 5 Sn en E tenminste een element gekozen uit S, Se en 0 voorstelt, en waarin 25 * s < 60, 40 * t * 75 en s 4. x, y < t .

Door de samenstelling zodanig te kiezen, dat Js - x| > 10 en |y - t| * 10, wordt een bevredigend resultaat verkregen.

10 De eerste funktie van de tweede laag anorganisch materiaal is om te voorkomen dat het oppervlak van de eerste laag anorganisch materiaal smelt of oxydeert door het materiaal van de tweede laag anorganisch materiaal op de bovenbeschreven wijze te kiezen en de materiaalsamenstelling van de tweede laag anorganisch materiaal ver-15 schillend te maken van die van de eerste laag anorganisch materiaal. De tweede funktie is om het mogelijk te maken grote signalen te verkrijgen bij het uitlezen van de geregistreerde informatie. Meer in het bijzonder, geven de bestanddelen van het bij het uitlezen toegepaste licht, die gereflekteerd worden op het scheidingsvlak tussen 20 de eerste en de tweede laag anorganisch materiaal en het scheidingsvlak tussen de tweede laag anorganisch materiaal en de laag organisch materiaal of een gas (in sommige gevallen een vloeistof ter bescherming) op het oppervlak van de schijf aanleiding tot interferentie. Wanneer de golflengte van het invallende licht is veranderd, schom-25 melt de intensiteit van het gereflekteerde of doorgelaten licht dientengevolge aanzienlijk door toename en afname. Wanneer de laag organisch materiaal aanwezig is, verschuiven de toppen en dalen van de oscillaties (gewoonlijk naar de zijde van een langere golflengte) in vergelijking met het geval, waarin de laag organisch materiaal niet 30 aanwezig of dun is. Wanneer derhalve de informatie waargenomen wordt bij een bepaalde golflengte, worden grotere veranderingen in de re-flektiefaktor of de transmissiefaktor geproduceerd. Het is gewoonlijk moeilijk om grote uitleessignalen te verkrijgen bij toepassing van de registratie in de laag organisch materiaal, aangezien de laag orga-35 nisch materiaal een lage reflektiefaktor bezit en licht weinig 800 1 7 83 -11 - absorbeert en de laag niet dikker gemaakt kan worden, aangezien de holten of -verdiepingen met een grote dichtheid worden gevormde Grote uitleessignalen kunnen echter verkregen worden door gebruik te maken van de eerder beschreven tweede laag anorganisch materiaal» Het 5 effekt, dat door deze tweede laag anorganisch materiaal wordt verkregen, geeft de beste resultaten, wanneer men de dikte ('d) van de tweede laag anorganisch materiaal zodanig regelt, dat 2on«d m m λ. + Λλ, waarin n de brekingsindex, m een geheel getal en Λ de golflengte van het voor het uitlezen toegepaste licht voorstelt, 10 en 30 nm ^ Δλ < 90 nm. Hierdoor neemt de relatieve uitleesfout af, *

In gevallen van videosignalen, enz», neemt de signaal-ruisverhouding toe·

Het wordt aanbevolen om de dikten van de eerste en tweede laag anorganisch materiaal respektievelijk een waarde van tenminste 15 30 nm tot ten hoogste 300 nm en een waarde van tenminste 20 nm tot ten hoogste 300 nm te geven* Voor de laag organisch materiaal is een dikte van tenminste 20 nm tot tenminste 250 nm gunstig en is een waarde van tenminste 50 nm tot ten hoogste 200 nm bijzonder gunstig. Bij voorkeur houdt men de dikte van de tweede laag anorganisch mate-‘20 riaal in de eerder beschreven betrekking van 2°n«d » \ + a Xbinnen d€ eerder genoemde grenzen. Vanzelfsprekend kan zelfs wanneer aan deze voorwaarden niet wordt voldaan, de struktuur toegepast worden als registratiemedium* Bijvoorbeeld wordt gelfs wanneer 2*n»d<f^· , een groot kontrast verkregen door verlaging van het reflekterend vermo-25 gen gebaseerd op de vorming van de laag organisch materiaal.

Wanneer de dikte van de eerste en tweede laag anorganisch materiaal te klein zijn, wordt het beoogde effekt niet in voldoende mate bereikt* Wanneer de dikten anderzijds onnodig groot zijn, neemt de warmte-gelelding in zijwaartse richting toe, waardoor de gevoelig-30 heid wordt verlaagd.

De grens tussen de eerste en tweede laag anorganisch materiaal behoeft niet scherp te zijn. Indien mogelijk, kunnen de samenstellingen van de lagen op kontinue wijze met een gradient veranderen.

De methode voor de vervaardiging van de eerste en tweede 35 laag anorganisch materiaal kan bestaan uit kathode-verstuiven, 800 1 7 83 — 12— opdampen met behulp van een elektronenbundel, onder vacuum, en dergelijke, Wanneer een organisch materiaal in een kleine hoeveelheid (ten hoogste l/$ uitgedrukt als de verhouding in dikte ten opzichte van het geval Van opdampen van een enkel materiaal) met het orga-5 nische materiaal voor de laag organisch materiaal wordt gemengd door gelijktijdig verdampen of verdampen met behulp van een meervoudige bron onder roteren met een hoge snelheid, neemt het warmtegeleidings-vexmogea af en wordt de gevoeligheid verhoogd.

Vanzelfsprekend kunnen de laag organisch materiaal, de 10 eerste laag anorganisch materiaal en de tweede laag anorganisch materiaal tevens een andere dunne laag omvatten, die de warmtegelei-ding niet stoort en tussen deze lagen ligt, zodat ze niet in direkt kohtakt met elkaar zijn. Bijvoorbeeld kan de reaktie tussen en de oxydatie van de respektievelijke lagen voorkomen worden door aan-15 brengen van een oxydelaag of een laag van een metaal met een hoog smeltpunt (een metaal met een smeltpunt van tenminste 500°C verdient in het bijzonder de voorkeur). Daarnaast wordt de registratie vergemakkelijkt, wanneer een oppervlakte-aktieve .laag van koolstoffluoride of dergelijke of een fluoridelaag van BiF^, LiF* EhF^, CeF^ of 20 dergelijke met een 'dikte van 5 - 300 nm tussen de tweede laag anorganisch materiaal en de laag organisch materiaal wordt aangebracht of wanneerkoolstoffluoride of dergelijke in de laag organisch materiaal wordt op genomen.

Het registratiemedium volgens de uitvinding kan in het 25 bijzonder een verhoging van de stabiliteit verkrijgen door middel van - een hierna heschreven verbetering,

De verbeterde struktuur van het registratiemedium bezit een doorsnede zoals weergegeven in fig, 5· Set registratiemedium bevat de eerste laag anorganisch materiaal 2 met de eerder genoemde 30 samenstelling, die boven het substraat 1 ligt, (stabiliserende) dunne lagen 30 en 31 van goud of dergelijke, die zich aan beide zijden van de laag 2 bevinden (men kan ook een dunne laag aanbrengen aan een van de zijden), en de registrerende laag 3, die in hoofdzaak vervaardigd is van een organisch materiaal en boven de laag 31 ligt», De 35 stabiliserende dunne laag tussen de eerste laag anorganisch materiaal 80 0 1 7 83 - 13- 2 en de registrerende laag 3 kan tijdens het registreren al dan niet van holten worden voorzien. Het is bijzonder gunstig, wanneer een laag van een oxyde^halcogenide van tenminste een element gekozen uit In, Bi, Te, Sb, Pb, Ge en Sn aanwezig is tussen de eerste laag 5 anorganisch materiaal en de registrerende laag. Wanneer de stabiliserende dunne laag wordt aangebracht op de zijde van de eerste laag anorganisch materiaal tegenover de registrerende laag, bevindt deze stabiliserende dunne laag zich dichterbij de eerste laag anorganisch materiaal. De oxyde- of chalcogenidelaag komt overeen met de tweede 10 laag anorganisch materiaal. Dientengevolge is de volgorde van de samenstellende lagen de eerste laag anorganisch materiaal - de stabiliserende dunne laag - de tweede laag anorganisch materiaal - de registrerende laag.

Bijzonder gunstig als hoofdbestanddeel van de stabilise-15 rende dunne laag is tenminste een element gekozen uit Au, Al, Ti, Pd, Cr, Hi, Co, Sn en Ge.

^ Bij voorkeur bedraagt de dikte van de stabiliserende laag, die op een afstand ligt van de registrerende laag (de eerste stabiliserende laag) van tenminste 1 nm tot ten hoogste 50 nm, Deze laag 20 dient em zuurstof en water tegen te houden, die anders door zouden dringen vanaf de zijde van het substraat, in het bijzonder bij toepassing van een substraat van een organisch materiaal. Wanneer deze laag derhalve te dun is, is het effekt gering, en wanneer de laag te dik is, neemt de registratiegevoeligheid af tengevolge van warmte-25 geleiding in zijwaartse richting. De dikte van de andere stabiliserend de laag nabij de zijde van de registrerende laag (de tweede stabiliserende laag) bedraagt bij voorkeur van tenminste 1 nm tot ten hoogste 10 nm. Deze’laag dient om zuurstof en water tegen te houden, die doordringen vanaf de zijde van de registrerende laag. Wanneer deze 30 laag derhalve te dun is, is het effekt evenals boven gering, en wanneer de laag te dik is, neemt niet alleen het aan de warmte-geleiding toe te schrijven verlies toe, doch wordt tevens niet voldaan aan de * optimale omstandigheid voor lichtabsorptie, zodat de registratiege voeligheid afneemt.

35 De aanwezigheid van een stabiliserende laag aan een van de 800 17 83 -14- zijden van de licht-absorberende laag is doelmatig, doch de aanwezigheid van stabiliserende lagen aan beide zijden is gunstiger.

Bij voorkeur bedraagt de dikte van de licht-absorberende laag van tenminste 2 nm tot ten hoogste 300 nm.

5 Bij voorkeur bedraagt de dikte van de registrerende laag van tenminste 20 nm tot ten hoogste 200 nm, in het bijzonder van tenminste 50 nm tot ten hoogste 150 nm.

Yoor de vorming van de stabiliserende laag kan men gebruik maken van methoden zoals opdampen in vacuum, kathode-verstuiver, 10 opdampen met behulp van een elektronenbundel, enz.

Voorbeeld I.

Men vervaardigt een substraat van een chemisch versterkte glazen schijf met een diameter van 31 cm en een dikte van 1,1 mm en vormt hierop een eerste laag anorganisch materiaal onder toepassing 15 van een vacuum-opdampapparaat met een struktuur zoals weergegeven in fig. 6. Fig. 6 toont een bovenaanzicht van het apparaat. Men roteert het substraat 104 rond een centrale as 105 met een omwentelingssnelheid van 120 min.~^. Schuitjes 106, 107 en 108 voor het verdampen zijn aangebracht onder het substraat 104 en maskers 109, HO en 111 20 met sectorvormige spleten zijn respektievelijk boven de schuitjes aangebrachto Toorts zijn de maskers 109, HO en 111 met de sectorvormige spleten respektievelijk voorzien van sluiters 112, 113 en 114« De opgedampte hoeveelheden van de te verdampen stoffen worden bepaald met behulp van monitoren 115, 116 en 117 van het quartz-25 oscillatortype voor de bepaling van de filmdikte. Anderzijds kan de dikte van de opgedampte film geregeld worden door bepaling van de transmissiefaktor met behulp van een projektor 118, die opgesteld is onder het substraat 104o Deze projektor 118 brengt een halfgeleider-laserstraal in de vorm van een gecollimeerde bundel, die enigszins 30 schuin in het substraat binnendringt. Toorts bevindt zich een licht-opvanger 120 boven de projektor 118 met het substraat 104 er tussen in en wordt de reflektiefaktor bepaald door middel van een licht-ontvanger 119, <Ue evenals de projektor 118 onder het substraat 104 ligt.

35 Men brengt Bismuth en beheenzuur respektievelijk in de j _ 80 0 1 S' ·* -15- schuitjes 106 en 107 als uitgangsmaterialen voor het opdampen*

Eerst brengt men het inwendige van het opdampapparaat on--5 der een vacuum van 2 x 10 Torr* Vervolgens leidt men zuurstofgas —3 in door een variabele lek-klep en brengt de druk op 4 x 10 Torr* 5 Vervolgens verdampt men bismuth door een stroom door het schuitje 106 te laten gaan en dampt de bismuth op tot een filmdikte van ongeveer 15 nm met een opdamp snelheid van 5 nm/min* Vervolgens verhoogt men de stroom en dampt bismuth op tot een filmdikte van 40 nm met een snelheid van 6 nm/min«, waarna men de stroom verder verhoogt en bis-10 muth opdampt tot een dikte van 80 nm met een snelheid van 8 nm/min*

Aldus wordt de eerste laag anorganisch materiaal gevormd*

Vervolgens sluit men de lek-klep en brengt het inwendige -5 van het opdampapparaat opnieuw op 2 x 10 Torr* Vervolgens verdampt men beheenzuur door een stroom door het schuitje 107 te laten gaan 15 en dampt op tot een filmdikte van ongeveer 80 nm* Aldus wordt een registrerende film gevormde

Fig* 7 toont een doorsnede van een in werkelijkheid gemonteerd registratiemedium. Nadat afstandsstukken 53 en 54 met een dikte van 0,5 nm en een breedte van 10 mm aan de buitenste en binnen-20 ste omtrek van de schijf zijn bevestigd, wordt een chemiseh-versterkte glazen schijf 55 met een diameter van J1 cm en een dikte van 1 mm bevestigd om de registrerende film te beschermen. De cijfers 2 en 3 in de figuur verwijzen respektievelijk naar de eerste laag anorganisch materiaal en de registrerende film0 25 Aldus is het registratiemedium volgens de uitvinding vol tooid. Informatie wordt op de volgende wijze in en uit het registratiemedium gelezen*

Zoals weergegeven in fig* 7 wordt het registratiemedium (schijf) op een registratie-apparaat geplaatst en met een omwente-30 lingssnelheid van 240 min·"1 rond een as 105 geroteerd* Een halfge-leiderlaser met een golflengte van 83Ο nm en een vermogen van 10 mW wordt toegepast als lichtbron* Men geeft een laserstraal 56 een ia-pulsiemodulatie met een impulsieduur van 100 ns door middel van digitale signalen, focuseert deze door de chemisch-versterkte glazen 35 schijf 55 door een in een uitleeskop 57 aangebrachte lens en 800 1 7 83 - 16- projekteertgdg^s^raal op de registrerende film en de licht-absorberende laag/ Op plaatsen, waar de laserstraal wordt geprojekteerd, wordt een reeks ellipsvormige holten met elk een kleinste diameter van ongeveer 0,8 μία en een vorm, die die van een cirkel benadert, in 5 de registrerende film van het organische materiaal gevormd* De aanwezigheid of afwezigheid van holten komt overeen met de informatie·

Het uitlezen wordt als volgt uitgevoerd, Onder roteren van de schijf met een omwentelingssnelheid van 240 min/" focuseert men een bundel van een halfgeleider-laser met een golflengte van 830 nm 10 en een vermogen van 5 mW door de chemisch-versterkte glazen schijf door middel van een lens en projekteert de bundel op de registratie-film en de licht-absorberende laag· Veranderingen in de intensiteit van gereflekteerd licht worden waargenomen door een detektor ter verkrijging van gereproduceerde signalen· De relatieve fout bij het uit-15 lezen bedraagt ongeveer 10~^· Aangezien de licht-absorberende laag in het onderhavige voorbeeld het bij het uitlezen toegepaste licht in een kleine hoeveelheid doorlaat, is het tevens mogelijk $m de voor het uitlezen toegepaste bundel binnen te laten dringen vanaf de zijde van het substraat en de informatie uit te lezen met het gereflekteer-20 de licht. ........

Fige 8 toont het reflektievermogen van het registratiemedium. De kromme A geeft het reflektievermogen van een film aan, die verkregen is door opdampen van bismuth in zuurstof, terwijl kromme 33 het reflekterend vermogen van een film aangeeft, die verkregen is 25 door aanbrengen van een ketonhars op de opgedampte film tot een dikte van ongeveer 80 nm. Zoals blijkt uit de figuur kunnen voldoende grote verschillen in reflekterend vermogen verkregen worden op basis van de aanwezigheid of afwezigheid van de holten in de registrerende laag, Het voor de registratie vereiste vermogen stijgt tengevol-30 ge van de warmte-geleiding, wanneer de eerste laag anorganisch materiaal te dik gemaakt wordt, en tengevolge van de afname van de lichtabsorptie, wanneer de laag te dun gemaakt wordt.

200 nm:—15 mW, 300 nm:.—20 mW, 50 nm:— 15 m¥, 20 nm:— 20 mW, 10 nm: — 30 mW.

35 Wanneer de dikte van de registrerende film groot is, wordt L·_________ 300 1 7 83 t 'i - 17- een toename van de relatieve fout veroorzaakt tengevolge van de vervorming van de holten.

300 nm:*-10"*^, 200 nm:>~10~^, 150 nms'vj x 10" , 50 nm:«^3 x 10" , 5 20 nm:~10"*^, 10 nm:** 10*"^

Wanneer de atomaire verhouding tussen bismuth en zuurstof in de eerste laag anorganisch materiaal wordt gewijzigd, stijgt het voor de registratie benodigde vermogen snel vanaf een punt, waarop het bismuthgehalte kleiner wordt dan 65 atAnderzijds is bij een 10 bismuthgehalte van 50 ateen vermogen van ongeveer 30 mW vereist.

Ook wanneer aluminium verdampt wordt uit het schuitje I08 in fig. 6 ter opname van aluminium in de lieht-absorberende laag, neemt het voor de registratie benodigde vermogen plotseling toe, wanneer het bismuthgehalte kleiner dan 65 at*$ wordt.

15 Bevens is geprobeerd om CeOg op te dampen als tussenlig gende laag vanuit het schuitje 108 nadat de eerste laag anorganisch materiaal en voordat de registrerende film wordt opgedampt.

Wanneer de dikte van de CeOg-laag wordt gewijzigd en de dikte van de registrerende film tegelijkertijd wordt veranderd, zo-20 dat het minimum van het reflekterend vermogen steeds bij 830 nm komt te liggen, verandert de relatieve fout als volgt: 10 nm:*-'5 x 10~^, 20 nm: />» 5 χ ICT^, 30 nm:^10""^.

Het in het onderhavige voorbeeld toegepaste chemisch-versterkte glas bezit een grote sterkte, is minder geneigd tot ver-25 vorming en bezit een hard oppervlak en is dientengevolge geschikt voor het substraat en de beschermende plaat voor de registrerende film.

Haast de in het voorafgaande beschreven registratiemedia kunnen registratiemedia met de in tabel A vermelde eerste lagen anor-30 ganisch materiaal en registrerende films dezelfde of soortgelijke resultaten geven.

Bij toepassing van andere metalen dan de eerste anorganische materialen volgens de uitvinding zijn zowel de relatieve fout als het voor de registratie vereiste vermogen groot en kunnen de 35 oogmerken der uitvinding niet bereikt worden. Wanneer aluminium voor 800 1 7 83 de eerste laag anorganisch materiaal en een alkylfenolhars voo± de registrerende film werd toegepast, bedroeg de relatieve fout ongeveei 10 , zelfs wanneer verschillende uitvoeringsomstandigheden optimaal - 18- waren.

ll.U " — ......... ..... ' , I "* I I

80 0 17 83 - 19- mr -it ΓΊ i- I cö I co « O > ' o >

te s · S

g a β S S

ft. Ο Φ Ο Φ jy . -co «ίο .

‘d m o cq o

§ cd S £ S

E; é H £ M

g ω Φ ® Φ >. ®> ο ·Η Ή

i -μ s -g S

» cd Φ cd Φ s w £ ω £ ω

η ^ - ra -p ra -P

•H Jo : S . ·Η <D ·Η Φ ‘h ® Η (2 ra Φ 0 8 5 J, 2 5j Sj 0) ® 8 1 § | g § % Jii g 3 S I § . § § : 1 · »· gs

Λ lis I § | II « I

3 I s 1 J. | S 11 1¾ 131 H1 IIIIs 3212 3 & mm ra ra cd cd _ 'ff ® *οι i-c & o <4 ' «

5 S 2 S

r-i I ·Η ·Η HH

<Ui_ ' <°Τ' ö ,5 φ cd I 03 H £ § I ^ a = = 3 H fi Ö Η <D ® o g- i· £ cd cd cd „ nd Td -cd o a ft ft cs ra O O ï^i trt ® M ^ g g

cQ O O X CU

m o o "t ^

° ^ ^ Φ N

“ * * s

cd S S X JV

I & m p-i

4s O O Φ ^ O

"ü Φ Φ O O g * . H

3 * 10 oH o* M S

s fi o o c ·> °

ïj ·Η 0) ' © ,0 fc tj- <D CÖ - *H £ H

n & a k o S s eh m ^ < ·-------------- I o n O *H !> C Η Φ ‘ o Φ Φ Td

3 H CM CA ^ I ir VO i- 0O· o\ H

φ φ Φ _ . f> Λί ,®

Jl J'—i——^—i—i—-1—1---1—-1 80 0 1 7 S3 - 20 -

Voorbeeld II»

Op soortgelijke wijze als in voorbeeld I vervaardigt men een schijfvormig chemisch-versterkt glazen substraat,.

Men brengt bismuth en IngS^ respektievelijk in de schuit-5 jes 106 en 107 als uitgangsmateriaal voor het opdampene Men regelt de verhouding van de verdampte hoeveelheden uit de respektievelijke schuitjes 106 en 107 zodanig, dat de atomaire verhouding van Bi en In ongeveer 1 * 1 wordt. Eerst brengt men de verhouding tussen de openingshoeken van de sluiters 112 en 113 voor Bi en IngS^ °P 5 : 1 10 en dampt de materialen op tot de dikte van de film 80 nm bedraagte

Aldus wordt de eerste laag anorganisch materiaal gevormde Vervolgens opent men de sluiters 112 en 113 geleidelijk ter verkrijging van een verhouding van de openingshoek van 1 : 3 en dampt de materialen op tot de dikte van de laag 160 nm bedraagt. Aldus wordt de tweede laag 15 anorganisch materiaal gevormd, De samenstelling van de eerste laag anorganisch materiaal bedraagt Bi^In^gS^ en van de tweede laag anorganisch materiaal Bi^In^S^,

Op het aldus vervaardigde substraat brengt men onder roteren met behulp van een spindop een in cyclohexanon opgelost keton-20 hars aan tot een dikte-van 150 nm met een omwentelingssnelheid van 400 min,"·*·.

Aldus wordt het registratiemedium volgens de uitvinding voltooid,

De relatieve fout bij het uitlezen van de informatie van 25 dit registratiemedium bedraagt ongeveer 10~^,

De figuren 9 t/m 12 zijn grafieken van verschillende eigenschappen van een registratiemedium, waarin de eerste laag anorganisch materiaal vervaardigd is van een op Bi-In-S gebaseerd materiaal, de tweede laag anorganisch materiaal vervaardigd is van Bi.. „In2l_SC2 I* j0 30 en de registrerende film vervaardigd is van een ketonhars. Fig, 9 is een grafiek ter toelichting van de verandering van het voor de registratie vereiste laservermogen bij verandering van de samenstelling van de eerste laag anorganisch materiaalo In dit geval is het totale gehalte van de elementen uit groep A een probleem en worden soortge-35 lijke effekten verkregen ongeacht het feit welk element wordt 800 1 7 83 — 21 - toegepast. Wanneer de som van de gehalten aan Bi en In van de eerste laag anorganisch materiaal lager wordt dan 65 at*$, neemt de lichtabsorptie af en stijgt de voor het registreren benodigde laservermogen snel* Anderzijds wordt ook wanneer de som van de gehalten toe-5 neemt het reflekterend vermogen hoog en neemt het laservermogen toe* Wanneer daarnaast een waarde van 80 at*$ wordt overschreden, kan de eerste laag anorganisch materiaal tijdens het registreren smelten*

De voor het registreren volgens de uitvinding benodigde laserenergie bedraagt 5 - 10 mj/cm2 aan het oppervlak van de registrerende filme 10 Deze hoeveelheid energie bedraagt ongeveer l/5 - l/lO van de voor de registratie benodigde energie bij bekende registratiemedium van het beschreven type,

Fig* 10 is een grafiek ter toelichting van de verandering van het voor de registratie benodigde laservermogen, wanneer op soort-15 gelijke wijze als in de tot nu toe gegeven voorbeelden de eerste'laag anorganisch materiaal vervaardigd is van Bi^In^gSgy, de registrerende film vervaardigd is van een ketonhars en de tweede laag anorga-f nisch materiaal vervaardigd is van een op Bi-In-S gebaseerd materiaal, en wanneer de samenstelling van de tweede laag anorganisch materiaal 20 wordt gewijzigd. Wanneer het gehalte aan elementen uit de groep D

van de tweede laag anorganisch materiaal toeneemt, neemt het reflekterend vermogen van deze laag zelf toe en stijgt het voor de registratie vereiste laservermogen. Wanneer het gehalte aan elementen uit de groep D anderzijds ta laag is, neemt het gehalte aan chalcogeen-ele-25 ment toe en wordt de opgedampte film instabiel* Dientengevolge is 25 < s < 60 een geschikt trajekt voor de samenstelling.

** mm

Ook in dit geval is het totale gehalte aan elementen uit de groep D een kritieke faktor en worden soortgelijke effekten verkregen ongeacht het toegepaste element* 30 Fig* 11 is een grafiek ter toelichting van het voor de registratie benodigde laservermogen, wanneer de dikten van de eerste en tweede laag anorganisch materiaal worden gewijzigd. De kromme 81 en kromme 82 tonen voorbeelden van de eigenschappen, wanneer respek-tievelijk de dikte van de eerste laag anorganisch materiaal en die 35 van de tweede laag anorganisch materiaal worden gewijzigd* Het is 800 1 7 83 — 22- duidelijk, dat de dikten van de eerste en tweede laag anorganisch materiaal bij voorkeur respektievelijk in een gebied van tenminste 30 nm tot ten hoogste 300 nm en een gebied van tenminste 20 nm tot ten hoogste 300 nm liggen. De eerste en tweede laag anorganisch ma- 5 teriaal zijn respektievelijk vervaardigd van Bicc.Inn QS0„ en 00 lö 2/

Bi^gln^S^, terwijl de registrerende film vervaardigd is van een ketonhars.

Fig* 12 toont een grafiek ter toelichting van de verandering van het voor de registratie benodigde laservermogen en de rela-10 tieve fout bij het uitlezen, wanneer de dikte van de uit organisch materiaal vervaardigde registrerende film wordt gewijzigde De overige konstruktie is hetzelfde als in het geval van fig* 11« De kromme 91 heeft betrekking op de relatieve uitleesfout en de kromme 92 op het voor de registratie benodigde laservermogen* Het is duidelijk, dat 15 een trajekt van tenminste 20 nm tot ten hoogste 250 nm doelmatig is met het oog op de relatieve uitleesfout* zijn

In de voorafgaande voorbeelden/als eerste en tweede anorganisch materiaal op Bi-In-S gebaseerd materiaal toegepast. Registratiemedia met de in tabel B vermelde materialen geven echter soortge-20 lijke eigenschappen.

80-0 1 7 85 - 23- ♦ 9 I ?s £ ο φ Φ H 6lD Eio Ο Η Η Ψ.

° S δ a ο o " u ¢1)- 0)

Φ r-4 H £j I

Φ O O /5 n, B

o S S g 43 ijo £ bo 6fl ' cd m cd s 3 i § s « i a 4

2 0-3,-1 CdtJpS CD

^ 2HH φ H p 43 cd M m <B +>43 0 n η §l !t ®' W ® ®2 % ££f4Mcd-£e® * 1 I s 8 J* Jj j§ J§ “ p ® C ' § Η θ § CH Η Η Η Φ P β ? i

So § φ Φ CO Ο O O -ti fi N Φ Φ Φ SB-S®®hCBCH-.effl-PP.g fj m © 4m4hCÖ®®®S®R0P2 += ^ ^643 l' Λ ‘h 'n 'h d H ^ ® ^ :,j •H !>s Φ ·Η >s >i O >> >3 >3 Η P aj « ^ d ^^ ^§ΟΟΦΗΗΗ^φ“|θ® ¾ ra > P4 o

H

cd cd

•H

mi O 1T\ o HO

Hl » φΗ CQ S

§} § ^ ° O \ O Φ° °o *J- I <£ 1 °o «r<r oT °o «r °o "o wo B la h ra la w cm cm in cm ra ^ ca j=t la m «W Cf Ö*H G G Ö ·Η . ,Ο β <3) © fi rtmi5iSnHHHpqco-cQ. E4CSWP4 φ

Ti Φ Φ 6 E4

H

cd cd

•H

f4 © 43 cd

S

Φ

P

S 000 •Η IA H r-4 2 O Φ o s o o ra 00

&0 OO OO OOVOIaOiALAIAW

tf W W ΜΛ is CA W R Φ IA IA IA © © o o o ra o o o H ra ra o ra ra ra 5-0 0 0 0 ooo o olalao o §* § § £ “ tioo.H-C>-SOVOVOJ- t«-·

® mra rafq&+Hra rarap+&+opciH

43 co f+ φ _H- I ., 11,_:_———————l.—L-J————L-:— 800 1 7 83 -24 -

Fig, 13 toont de reflekterende vermogens bij verschillende golflengten voor het aanbrengen van de registrerende film van organisch materiaal (A) en na het aanbrengen ervan (B), in het geval van de toepassing van een 80 nm dikke laag Bi als de eerste laag an-5 organisch materiaal,een 150 nm dikke IngS^ als de tweede laag anorganisch materiaal en een ketonharslaag met een dikte van 120 nm als registrerende film van organisch materiaal,. Wanneer de dikte van de tweede laag anorganisch materiaal ongeveer 30 nm bedraagt, vindt noch de verlaging van het reflekterend vermogen bij golflengten van 10 minder dan 800 nm voor het aanbrengen, noch de verlaging van het reflekterend vermogen bij golflengten van meer dan 1000 nm na het aanbrengen van de registrerende film plaats en blijven grote reflekterende vermogens behouden» Anderzijds wordt een groot kontrast verkregen in de nabijheid van 83Ο nm» In dit geval worden de schomme-15 lingen in het reflekterend vermogen bij golflengten van minder dan 800 nm geringer»

Voorbeeld III,

Op soortgelijke wijze als in voorbeeld I vervaardigt men een schijfvormige substraat van chemisch-.versterkt glas, 20 Men brengt Au, Bi en beheenzuur respektievelijk in de schuitjes 106, 107 en 108 als uitgangsmaterialen voor het opdampen,. Eerst brengt men het inwendige van het opdampapparaat op een vacuum van 2 x 10 Torr. Men verdampt Au en dampt op tot een film met een dikte van ongeveer 10 nm met een snelheid van 30 nm/min, 25 ter vorming van de eerste stabiliserende laag» Vervolgens dampt men Bi op tot een dikte van 40 nm met een snelheid van 60 nm/min, ter vorming van de eerste laag anorganisch materiaal. Vervolgens dampt men Au op tot een dikte van 5 nm ter vorming van de tweede stabiliserende laag, -5 JO Daarna brengt men de druk binnen de stolp op 2 x 10 Torr waarna men een stroom door het schuitje 107 leidt om het beheenzuur te verdampen en op te dampen tot een dikte van ongeveer 80 nm. Aldus verkrijgt men de registrerende film,

De relatieve uitleesfout van dit registratiemedium be-35 draagt ongeveer 3 x 10"^, 800 1 7 83 -25 -

Wanneer de dikte van de tweede stabiliserende laag toeneemt, stijgt het voor de registratie benodigde vermogen en wordt de relatieve fout groot* 15 nms—20 mW, 20 nm: «»50 30 nm: registratie ónmogelijk® 5 Wanneer de dikte van de eerste stabiliserende laag toe neemt, stijgt het voor de registratie benodigde vermogen* 40 nmi"-20 mW, 50 nnu ^30 mW, ’JQ nm: registratie ónmogelijke

Wanneer geen stabiliserende lagen aan beide zijden worden gevormd, neemt de transmissiefaktor van de Bi-laag toe en daalt de 10 gevoeligheid tot ongeveer 2/5 bij een duurproef, waarbij licht van een halogeenlamp bij 60,000 lux gedurende 500 uur bij 60°C op het registratiemedium wordt geprojekteerd* Daarentegen is de verlaging van de gevoeligheid in het onderhavige voorbeeld bij dezelfde proef gering* Zelfs wanneer de dikte van de stabiliserende laag terugge-15 bracht, wordt tot 1 nm, wordt een soortgelijk resultaat verkregen®

Wanneer de dikte van de laag echter teruggebracht wordt tot 0,5 nm, neemt de verlaging van de gevoeligheid plotseling toe, lij toepas-1 sing van stabiliserende lagen van andere materialen dan Au werden soortgelijke resultaten verkregen, 20 Het voor de registratie benodigde vermogen stijgt tenge volge van de warmte-geleiding, wanneer men de dikte van de licht-absorberende laag groot maakt en tengevolge van de afname van de lichtabsorptie, wanneer men de dikte van de licht-absorberende laag klein maakt. Dientengevolge wordt de levensduur Van de halfgeleider-25 laser korter, 200 nm:~20 mW, 300 nm:-*30 mW, 5 nm:«»20 mW, 2 nms -»30 mW, 1 nm: registratie onmogelijk,

Een.voorkeursgebied voor de dikte van de registrerende film is hetzelfde als in voorbeeld I® 30 In het eerstegenoemde voorbeeld werd eveneens getracht om

Ge02 op te dampen vanuit het schuitje 108 nadat de tweede stabiliserende laag en voordat de registrerende film wordt opgedampto Wanneer men de dikte van de CeO^-laag verandert en de dikte van de registrerende laag tegelijkertijd wijzigt, zodat het minimum van het reflek-35 terende vermogen steeds bij 830 nm komt te liggen, verandert de 800 1 7 83 - 26 - relatieve fout als volgti 10 nm: 20 nm: 10""^, 30 nm: ^ÏO"*^

Wanneer een In^'S^-laag met een dikte van ongeveer 180 nm wordt gevormd in plaats van de CeOg-laag, stijgt het voor de regi- 5 stratie benodigde laservermogen, doch bedraagt de relatieve fout on- -5 geveer 5 x 10 .

Het is tevens gunstig om gebruik te maken van chemisch-versterkt glas in plaats van het in het onderhavige voorbeeld toegepaste acrylhars. Het chemisch-versterkte glas bezit een grote sterk-10 te, is minder geneigd tot veranderingen en bezit een hard oppervlak.

Haast de bovengenoemde registratiemedia kunnen registratiemedia met de in tabel C vermelde licht-absorberende lagen en registrerende films dezelfde of soortgelijke resultaten geven.

Tabel 0 15 --------------------------------------j----------------j------------

No. Eerste stabili- Licht-absorbe- Tweede stabili- Eegistreren- __serende laag_____rende_film_________serende_laag_ de film ___ 1 Pd Bi ______ Al Beheenzuur 2 Au Bi Ge film verkre- pn sen door ge lijktijdig opdampen van b ehe en zuurami-de en bismuth ______________________________(________________________(30 gew»$ Bi) 3 Au Bi^Oj^film, Au stearinezuur 25 verkregen door opdampen van Bi in O^gas 4 Cr Te^gO .q Au polyetheen mei _ ______________4 ______________________ laag mol.gew.

5 Al Te Pd bamsteenzuur- jq ___ _____ ____________________________________ imide ___ 6 Ti Te_ ____ __Co _bamsteenzuur 7 Ge ___________ Te ___ Sn____ fumaarzuur 8 Ni ________ Sig^H^Q _________ Ag palmitinezuur 80 0 t 7 83

Claims

1. Registratiemedium, omvattende tenminste een eerste laag anorganisch materiaal met een absorberend vermogen voor geprojek-teerd licht, die zich boven een bepaald substraat bevindt, en een 5 registrerende laag met als voornaamste bestanddeel een organisch materiaal, die zich boven de eerste laag anorganisch materiaal bevindt, met het kenmer, dat de eerste laag anorganisch materiaal tenminste een element gekozen uit In, Bi, Te, Sb, Ge, Sn, Pb, Cr, Rb, Ni, Pd, Pe, Pt, Re, Ta, Th, Ti, Zr en Tl bevat en het totale ge-10 halte aan deze elementen tenminste 65 at,$ bedraagt.

2. Registratiemedium volgens conclusie 1, m e t h e t kenmerk, dat zich boven de eerste laag anorganisch materiaal voorts een tweede laag anorganisch materiaal met een grotere doorlaatbaarheid voorbij het uitlezen toégepast licht dan de eerste laag 15 anorganisch materiaal bevindt, waarbij de registrerende laag aangebracht is op de tweede laag anorganisch materiaal.

3. Registratiemedium volgens conclusie 2, m e t h e t kenmerk, dat het eerste anorganische materiaal de formule Αχ« B bezit, waarin Δ tenminste een element gekozen uit In, Bi, Te, Sb, " y

20 Pb, Ge en Sn en B tenminste een element gekozen uit S, Se en 0 voorstelt en waarin $5 < 100 en 0 < y < 35, en het tweede anorga nische materiaal de formule D «E. bezit, waarin D tenminste een ele-ment gekozen uit In, Bi, Te, Sb, Pb, Ge en Sn en E tenminste een element gekozen uit S, Se en 0 voorstelt, en waarin 25 25 < s < 60 en 40 < t < 75« •m -mm wm 4« Registratiemateriaal volgens conclusie 3» m e't h e t k e n· m e r k, dat de eerste laag anorganisch materiaal vervaardigd is uit een anorganisch materiaal met de formule ΑχβΒ^, waarin A tenminste een element gekozen uit In, Bi, Te, Sb, Pb, Ge en Sn en B ten-30 minste een element gekozen uit S, Se en 0 voorstelt en waarin 65 * x 4 80 en 20 -c y < 35. MM MM

5. Registratiemateriaal volgens conclusie 1-4» met het kenmerk, dat de organische laag vervaardigd is van een organisch materiaal met een smeltpunt of verwekingspunt van 60 - 200°C. 35 60 Registratiemedium volgens conclusie 2-5» m e t h e t - - - ------------- -Ί ------' 800 1 7 83 - 28 - kenmerk, dat de eerste en tweede laag anorganisch materiaal een veranderende samenstelling in de richting van hun dikten bezitter. 7a Registratiemedium volgens conclusie 2-5» met het kenmerk, dat de dikte van de eerste laag anorganisch materiaal 5 50 - 300 nm, de dikte van de tweede laag anorganisch materiaal 20 - 5OO nm en de dikte van de laag organisch materiaal 20 - 250 nm bedraagt.

8. Registratiemedium volgens conclusie 2-4» met het kenmerk, dat de dikte (&) van de tweede laag anorganisch mate-10 riaal 20 - 300 nm bedraagt en voldoet aan de betrekking 2»n*d » mX + Δ^» waarin n een brekingsindex, m een geheel getal en X de golflengte van het bij het uitlezen toegepaste licht voorstelt en waarin 30 nm< 90 nm. 9© Registratiemateriaal volgens conclusie 1-8, met het 15 kenmerk, dat tenminste een stabiliserende laag is aangebracht in de nabijheid, van tenminste een oppervlak van de eerste laag anorganisch materiaal en de registrerende laag aangebracht is op de stabiliserende laag,

10. Registratiemedium volgens conclusie 9, m e t het 20 kenmerk, dat de stabiliserende laag als hoofdbestanddeel tenminste een element gekozen uit Au, Ag, Al, Pd, Ti, Zr, Rh, Pt, Th, Cr, ïïfi, Co, Sn, Ge en Si bevat.

11. Registratiemedium volgens conclusie 10, met het kenmerk, dat een van de stabiliserende lagen, die zich op een 25 afstand van de registrerende film bevindt, een dikte van 1 - 50 nm bezit, en de andere stabiliserende laag, die zich in de nabijheid var de registrerende film bevindt, een dikte van 1 - 10 nm bezit. 12© Registratiemedium volgens conclusie 1, m e t het kenmerk, dat de dikte van de eerste laag anorganisch materiaal 30 20 - 300 nm en de dikte van de registrerende film 20 - 200 nm be draagt.

13, Registratiemedium volgens conclusie 9-H» met h et kenmerk, dat de dikte van de eerste laag anorganisch materiaal 2 - 300 nm en de dikte van de registrerende film 20 - 200 nm be-35 draagt. 800 1 7 83