[go: up one dir, main page]

NL2038244A - Methods and systems to reduce non-uniform thermomechanical effects - Google Patents

Methods and systems to reduce non-uniform thermomechanical effects Download PDF

Info

Publication number
NL2038244A
NL2038244A NL2038244A NL2038244A NL2038244A NL 2038244 A NL2038244 A NL 2038244A NL 2038244 A NL2038244 A NL 2038244A NL 2038244 A NL2038244 A NL 2038244A NL 2038244 A NL2038244 A NL 2038244A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
reticle
map
aspects
uniformity
patterning device
Prior art date
Application number
NL2038244A
Other languages
English (en)
Inventor
Rademaker Justin
Jansen Rick
Ganapathy Subramanian Raaja
Moest Bearrach
Alexandrovich Danilin Alexander
Bajonero Canonico Emilio
Huddleston Laura
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of NL2038244A publication Critical patent/NL2038244A/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/705Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Claims (14)

CONCLUSIES
1. Werkwijze, omvattende: het bepalen van een ongelijkmatigheidskaart van een patronneerinrichting in een lithografische werkwijze; het kalibreren van een verwarmingsmodel voor een patronneerinrichting op basis van de ongelijkmatigheidskaart; en het reduceren van een ongelijkmatigheid van de patronneerinrichting op basis van het gekalibreerde verwarmingsmodel voor de patronneerinrichting.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij: het bepalen van de ongelijkmatigheidskaart het meten omvat van een transmissiekaart en/of een reflectiekaart van de patronneerinrichting; en het meten van de transmissiekaart en/of de reflectiekaart van de patronneerinrichting het blootstellen omvat van de patronneerinrichting aan een stralingsdosis en het scannen van een gebied van een achterzijde en/of een voorzijde van de patronneerinrichting met een sensor.
3. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij: het bepalen van de ongelijkmatigheidskaart het bepalen omvat van een transparantiekaart en/of een patroondichtheidskaart van de patronneerinrichting; en het bepalen van de transparantickaart en/of de patroondichtheidskaart van de patronneerinrichting het bepalen omvat van cen tweedimensionale reflectiviteitskaart van de patronneerinrichting.
4 Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij: het kalibreren van het verwarmingsmodel voor de patronneerinrichting het in gang zetten omvat van het verwarmingsmodel voor de patronneerinrichting op basis van de ongelijkmatigheidskaart; het kalibreren van het verwarmingsmodel voor de patronneerinrichting verder het voorspellen omvat van modale vervormingsvormen van de patronneermrichting met behulp van een eindig- elementmodel (Engels: finite element model, FEM) op basis van de ongelijkmatigheidskaart, en het kalibreren van het verwarmingsmodel voor de patronneerinrichting verder omvat: het meten van een patronneerinrichtingsuitlijning (Engels: reticle alignment, RA) tussen de patronneerinrichting en een substraat; en het aanpassen van de modale vervormingsvormen van de patronneerinrichting op basis van de gemeten patronneerinrichtingsuitlijning (RA).
5. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij: het reduceren van de ongelijkmatigheid van de patronneerinrichting het reduceren omvat van een ruimtelijk variërend absorptieprofiel van de patronneerinrichting; het reduceren van de ongelijkmatigheid van de patronneerinrichting verder het toepassen van gen correctie omvat op een substraat in de lithografische werkwijze.
6. Werkwijze, omvattende: het bepalen van een ongelijkmatigheidskaart van een object in een lithografische werkwijze; het kalibreren van een verwarmingsmodel voor een object op basis van de ongelijkmatigheidskaart; en het reduceren van een ongelijkmatigheid van het object op basis van het gekalibreerde verwarmingsmodel voor een object.
7. Werkwijze volgens conclusie 6, waarbij het bepalen van de ongelijkmatigheidskaart het meten omvat van een transmissiekaart en/of een reflectiekaart van het object wanneer blootgesteld aan een stralingsdosis.
8. Werkwijze volgens conclusie 6, waarbij het bepalen van de ongelijkmatigheidskaart het bepalen omvat van een transparantiekaart en/of een patroondichtheidskaart van het object.
9. Werkwijze volgens conclusie 6, waarbij: het kalibreren van het verwarmingsmodel voor het object het in gang zetten omvat van het verwarmingsmodel voor het object op basis van de ongelijkmatigheidskaart:
10. Werkwijze volgens conclusie 9, waarbij het kalibreren van het verwarmingsmodel voor het object verder het voorspellen omvat van vervormingsvormen van het object met behulp van een eindig-elementmodel (FEM).
11. Werkwijze volgens conclusie 10, waarbij het kalibreren van het verwarmingsmodel voor het object verder het aanpassen van de modale vervormmgsvormen van het object omvat op basis van inline-kalibratie van de lithografische werkwijze.
12. Werkwijze volgens conclusie 6, waarbij het reduceren van de ongelijkmatigheid van het object het reduceren omvat van een ruimtelijk variërend absorptieprofiel van het object.
13. Werkwijze volgens conclusie 6, waarbij het object een patronneerinrichting, een lens of een substraat omvat.
14. Lithografische inrichting. omvattende:
een verlichtingssysteem geconfigureerd voor het verlichten van een patronneerinrichting: een beschermingssysteem dat geconfigureerd is voor het projecteren van een beeld van de patronneerinrichting op een substraat; en een regelaar die geconfigureerd is voor het reduceren van effecten van ongelijkmatigheid van de patronneerinrichting in een lithografische werkwijze, waarbij de regelaar geconfigureerd is: voor het bepalen van een ongelijkmatigheidskaart van de patronneerinrichting; voor het kalibreren van een verwarmingsmodel voor een patronneerinrichting op basis van de ongelijkmatigheidskaart; en voor het reduceren van een ongelijkmatigheid van de patronneerinrichting op basis van het gekalibreerde verwarmingsmodel voor de patronneerinrichting.
NL2038244A 2023-08-09 2024-07-16 Methods and systems to reduce non-uniform thermomechanical effects NL2038244A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202363531615P 2023-08-09 2023-08-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL2038244A true NL2038244A (en) 2025-02-17

Family

ID=91959177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL2038244A NL2038244A (en) 2023-08-09 2024-07-16 Methods and systems to reduce non-uniform thermomechanical effects

Country Status (3)

Country Link
NL (1) NL2038244A (nl)
TW (1) TW202526518A (nl)
WO (1) WO2025031740A1 (nl)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017050523A1 (en) 2015-09-24 2017-03-30 Asml Netherlands B.V. Method of reducing effects of reticle heating and/or cooling in a lithographic process
US10281825B2 (en) 2016-05-19 2019-05-07 Asml Netherlands B.V. Method of sequencing lots for a lithographic apparatus
US20220291593A1 (en) 2016-12-19 2022-09-15 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for lithographic process performance determination
EP3444673A1 (en) 2017-08-14 2019-02-20 ASML Netherlands B.V. Method of adapting feed-forward parameters
CN113678037A (zh) 2019-04-03 2021-11-19 Asml荷兰有限公司 光纤
EP3800505A1 (en) * 2019-10-03 2021-04-07 ASML Netherlands B.V. Measurement system and method for characterizing a patterning device
KR20240089100A (ko) * 2021-10-27 2024-06-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 레티클 열 효과를 교정하기 위한 방법 및 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
TW202526518A (zh) 2025-07-01
WO2025031740A1 (en) 2025-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11493851B2 (en) Lithographic method and lithographic apparatus
CN106463434B (zh) 计算晶片检验
TWI470715B (zh) 操作圖案化器件之方法及微影裝置
US8717536B2 (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product
US8908148B2 (en) Calibration method and inspection apparatus
US20250021017A1 (en) Methods and systems to calibrate reticle thermal effects
TW201841070A (zh) 度量衡方法及裝置及相關電腦產品
US20180307135A1 (en) Method and apparatus to correct for patterning process error
TW201312289A (zh) 位置量測系統、微影裝置及器件製造方法
JP2020505651A (ja) パターンの位置決め精度を高めるための方法及びシステム
CN112585540B (zh) 量测设备
TWI865583B (zh) 判定用於微影設備之控制設定之方法及相關電腦程式產品
US20190041758A1 (en) Methods of determining a mechanical property of a layer applied to a substrate, control system for a lithographic apparatus and lithographic apparatus
WO2024132326A1 (en) Method to infer and estimate reticle temperature based on reticle shape measurements
NL2038244A (en) Methods and systems to reduce non-uniform thermomechanical effects
WO2026008243A1 (en) Exposure apparatus
WO2025190621A1 (en) Methods and systems for reticle conditioning and thermal modeling to improve reticle heating stability
EP4439176A1 (en) Method of determining stressors applied to a substrate
WO2024141236A1 (en) Methods and systems for determining reticle deformation
WO2026008218A1 (en) Method of controlling exposure apparatus
WO2025153303A1 (en) Methods and systems to reduce effects of uncertain conditions for reticle heating
WO2024184019A1 (en) Method of determining stressors applied to a substrate
NL2006150A (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product.