NL2033383B1 - Integrated internal heat sink for passively cooling photovoltaic modules - Google Patents
Integrated internal heat sink for passively cooling photovoltaic modules Download PDFInfo
- Publication number
- NL2033383B1 NL2033383B1 NL2033383A NL2033383A NL2033383B1 NL 2033383 B1 NL2033383 B1 NL 2033383B1 NL 2033383 A NL2033383 A NL 2033383A NL 2033383 A NL2033383 A NL 2033383A NL 2033383 B1 NL2033383 B1 NL 2033383B1
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- solar cell
- thermal
- thermal circuit
- circuit
- contact
- Prior art date
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 4
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 3
- 230000004224 protection Effects 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 241001663154 Electron Species 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Indium Fluor Oxide Chemical compound 0.000 description 1
- 229910004012 SiCx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- DPXJVFZANSGRMM-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2,3,4,5,6-pentahydroxyhexanal;sodium Chemical compound [Na].CC(O)=O.OCC(O)C(O)C(O)C(O)C=O DPXJVFZANSGRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940000425 combination drug Drugs 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical group [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/60—Arrangements for cooling, heating, ventilating or compensating for temperature fluctuations
- H10F77/63—Arrangements for cooling directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. heat sinks directly associated with the photovoltaic cells or integrated Peltier elements for active cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
- H10F10/164—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells
- H10F10/165—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells the heterojunctions being Group IV-IV heterojunctions, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC photovoltaic cells
- H10F10/166—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells the heterojunctions being Group IV-IV heterojunctions, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC photovoltaic cells the Group IV-IV heterojunctions being heterojunctions of crystalline and amorphous materials, e.g. silicon heterojunction [SHJ] photovoltaic cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Claims (14)
1. Een zonnecel (100), in het bijzonder een heterojunctiezonnecel, omvattend een substraat (10), in het bijzonder waarin het substraat silicium omvat, meer bepaald kris- tallijn Si, een elektrisch circuit omvattend (1) ten minste één P-N-junctie, in het bijzonder een heterojunctie, en (ii) ten minste één contact (15), gekozen uit een voorcontact en een achtercontact, waarbij het ten minste ene contact geconfigureerd is voor het transport van gaten of elektronen van res- pectievelijk de ten minste één P-N-junctie naar een voorkant of achterkant van de zonnecel, gekenmerkt door een in de zonnecel geïntegreerd thermisch circuit (20), waarin het thermische circuit in thermisch contact staat met de zonnecel en geconfigureerd is om warmte van de zonnecel af te voeren, en waarbij het thermische circuit elektrisch geïsoleerd is van het elektrische circuit, in het bijzonder waarbij het thermische circuit een gepatroneerd thermisch circuit is.
2. De zonnecel volgens conclusie 1, waarin het thermische circuit grotendeels aan de achterzijde van de zonnecel is aangebracht.
3. De zonnecel volgens een van de conclusies 1-2, waarin ten minste één thermisch circuit is ge- configureerd om thermisch te zijn verbonden met een frame (30) ter ondersteuning van de zon- necel.
4. De zonnecel volgens een van de conclusies 1-3, waarbij de warmtegeleiding van het thermisch circuit > 5 W/(m*K) is, in het bijzonder > 6 W/(m*K), meer in het bijzonder > 7 W/(m*K), en/of waarin een smeltpunt van een materiaal van het thermisch circuit > 250 °C is, in het bijzonder > 400 °C, en/of waarin het materiaal van het thermisch circuit stabiel is tussen -100 °C en 250 °C, in het bijzon- der waarin de thermische kenmerken tussen -100 °C en 250 °C vrijwel onveranderd blijven.
5. De zonnecel volgens een van de conclusies 1-4, omvattend een steunlaag (40), bijvoorbeeld een polymere steunlaag, waarin het thermisch circuit ten minste gedeeltelijk tussen het substraat van de zonnecel en de steunlaag is aangebracht.
6. De zonnecel volgens een van de conclusies 1-5, waarin de zonnecel een breedte en een lengte heeft, waarin het thermisch circuit ten minste gedeeltelijk aan een rand van de zonnecel is aange- bracht, met name binnen 20% van de respectieve lengte of breedte van de zonnecel, meer in het bijzonder binnen 10% van de respectieve lengte of breedte van de zonnecel, en/of waarin het thermisch circuit een sectie (26) omvat die grotendeels in een centraal gedeelte van de zonnecel is aangebracht, waarbij de centrale sectie in thermische verbinding staat met een rest van het thermisch circuit, in het bijzonder een centrale sectie die 5-25% van een oppervlakte van de zonnecel beslaat, zoals een kruisvormige centrale sectie, een cirkelvormige sectie, een multi- gonale sectie, en combinaties daarvan, en/of waarin het thermisch circuit in thermisch contact staat met 5-60% van een oppervlakte van de zonnecel, in het bijzonder met 10-30% van de oppervlakte, meer in het bijzonder met 15-25% van de oppervlakte.
7. De zonnecel volgens een van de conclusies 1-6, waarin het thermisch circuit een thermisch kussen (21) omvat, in het bijzonder een niet-metalen thermisch kussen, meer in het bijzonder een polymeer thermisch kussen, en een thermisch verbindingsstuk (22), waarbij het thermisch ver- bindingsstuk de warmte van de zonnecel afvoert, en/of waarin het thermisch kussen een dikte heeft van 10-500 um, in het bijzonder 50-200 um, en/of waarin elk thermisch kussen afzonderlijk een breedte heeft van 1-50 mm, in het bijzonder 5-10 mm, en/of waarin de thermische connector een dikte heeft van 10-500 um, in het bijzonder 50-200 um, en/of waarbij elk thermisch verbindingsstuk afzonderlijk de zonnecel bedekt met een breedte van 1-50 mm, in het bijzonder 5-10 mm.
8. De zonnecel volgens een van de conclusies 1-7, waarin het thermische circuit intern geïnte- greerd is, en/of waarin het thermische circuit geconfigureerd is om de zonnecel passief te koelen, in het bijzonder waarin de zonnecel thermisch verbonden is met ten minste één passief koelele- ment (50), zoals een vin.
9. De zonnecel volgens een van de conclusies 1-8, waarin het thermisch circuit een dikte heeft van 10-300 um, in het bijzonder 20-100 um, en/of waarbij het materiaal van het thermisch circuit een materiaal omvat geselecteerd uit metalen, in het bijzonder metalen geselecteerd uit koper, aluminium, goud, zilver, silicium, en wolfraam, uit grafeen, uit siliciumlegeringen, en combinaties daarvan, en/of waarin het thermisch circuit ten minste één zone omvat met een gestructureerd oppervlak, waarin het gestructureerde oppervlak zodanig is geconfigureerd dat de oppervlakte daarvan relatief met 10-150%, in het bijzonder 30-90%, is vergroot, en/of waarbij het thermisch circuit open zones omvat, in het bijzonder 10-50% open zones.
10. Een module omvattend ten minste twee zonnecellen volgens een van de conclusies 1-9, in het bijzonder n*m zonnecellen, waarin ne [2-20] en me [2-10], waarin elke zonnecel afzonderlijk een gescheiden thermisch circuit omvat, en/of waarin de thermische circuits van meer dan twee aangrenzende zonnecellen thermisch met elkaar verbonden zijn, in het bijzonder waarin 10-90% van de thermische circuits van aangrenzende zonnecellen thermisch met elkaar verbonden zijn, of waarin alle aangrenzende zonnecellen ther- misch met elkaar verbonden zijn.
11. De module volgens conclusie 10, omvattend een frame ter ondersteuning van de zonnecellen, waarin ten minste één thermisch circuit thermisch verbonden is met het frame.
12. De module volgens conclusie 11, waarbij het frame ontvangers (60) omvat voor de ontvangst van ten minste één thermische connector of een thermische verbinding van het thermische cir- cuit, in het bijzonder een ontvanger met een oppervlakte > 2 cm? en/of een ontvanger met een spleet.
13. Een productiewerkwijze voor een zonnecel volgens een van de conclusies 1-9, omvattend het verschaffen van een heterojunctie-zonnecel, omvattend een substraat (10), in het bij- zonder waarbij het substraat silicium omvat, meer bepaald kristallijn Si, een elektrisch circuit omvattend (1) ten minste één P-N junctie, in het bijzonder een heterojunctie, en ii) ten minste één contact (15), gekozen uit een voorcontact en een achtercontact, waarbij het ten minste ene con- tact geconfigureerd is voor het transport van gaten of elektronen van de P-N junctie naar de voor- of achterzijde van de zonnecel, het deponeren van een thermisch circuit op de zonnecel, en het aanbrengen van een steunlaag.
14. Zonnecel (100) volgens een van de conclusies 1-9 en/of verkregen volgens de werkwijze van conclusie 13, omvattend ten minste twee elementen als genoemd in de conclusies, en/of omvat- tend ten minste één ander element als genoemd in de beschrijving.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL2033383A NL2033383B1 (en) | 2022-10-24 | 2022-10-24 | Integrated internal heat sink for passively cooling photovoltaic modules |
| PCT/NL2023/050514 WO2024091112A1 (en) | 2022-10-24 | 2023-10-03 | Integrated internal heat sink for passively cooling photovoltaic modules |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL2033383A NL2033383B1 (en) | 2022-10-24 | 2022-10-24 | Integrated internal heat sink for passively cooling photovoltaic modules |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL2033383B1 true NL2033383B1 (en) | 2024-05-14 |
Family
ID=84462726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL2033383A NL2033383B1 (en) | 2022-10-24 | 2022-10-24 | Integrated internal heat sink for passively cooling photovoltaic modules |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| NL (1) | NL2033383B1 (nl) |
| WO (1) | WO2024091112A1 (nl) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008004889A1 (en) * | 2006-07-04 | 2008-01-10 | Norsk Solkraft As | Photovoltaic apparatus |
| US20110017265A1 (en) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Farrell James F | Photovoltaic module with conductive cooling and enhanced reflection |
| US20120060921A1 (en) * | 2009-06-30 | 2012-03-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar Cell Apparatus |
| KR20130056115A (ko) * | 2011-11-21 | 2013-05-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 모듈 |
| US20140332074A1 (en) * | 2013-05-13 | 2014-11-13 | Win Win Precision Technology Co., Ltd. | Solar cell module |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289900A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Canon Inc | 集光型太陽電池モジュール及び集光型太陽光発電システム |
-
2022
- 2022-10-24 NL NL2033383A patent/NL2033383B1/en active
-
2023
- 2023-10-03 WO PCT/NL2023/050514 patent/WO2024091112A1/en not_active Ceased
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008004889A1 (en) * | 2006-07-04 | 2008-01-10 | Norsk Solkraft As | Photovoltaic apparatus |
| US20120060921A1 (en) * | 2009-06-30 | 2012-03-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar Cell Apparatus |
| US20110017265A1 (en) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Farrell James F | Photovoltaic module with conductive cooling and enhanced reflection |
| KR20130056115A (ko) * | 2011-11-21 | 2013-05-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 모듈 |
| US20140332074A1 (en) * | 2013-05-13 | 2014-11-13 | Win Win Precision Technology Co., Ltd. | Solar cell module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2024091112A1 (en) | 2024-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN115241298B (zh) | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 | |
| KR101627217B1 (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
| KR101144810B1 (ko) | 태양전지용 전극 페이스트, 이를 이용한 태양전지, 및 태양전지의 제조방법 | |
| CN203339177U (zh) | 用于太阳能电池的旁路二极管 | |
| KR100850641B1 (ko) | 고효율 결정질 실리콘 태양전지 및 그 제조방법 | |
| EP2136407A2 (en) | Solar cell, solar module andsystem and fabrication method thereof | |
| KR101895025B1 (ko) | 태양 전지 모듈 및 그의 제조 방법 | |
| US20190088805A1 (en) | Solar cell | |
| CN102257636A (zh) | 具有背侧接点的光伏器件 | |
| EP2538447B1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| US11824130B2 (en) | Solar cell having a plurality of sub-cells coupled by cell level interconnection | |
| CN102576758A (zh) | 太阳能电池设备及其制造方法 | |
| KR101664482B1 (ko) | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 | |
| KR101114099B1 (ko) | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 | |
| KR102707789B1 (ko) | 태양 전지의 다결정 실리콘 피처를 위한 전도성 접촉자 | |
| KR101114169B1 (ko) | 태양광 발전장치 | |
| KR101614186B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조 방법 | |
| NL2033383B1 (en) | Integrated internal heat sink for passively cooling photovoltaic modules | |
| KR102033273B1 (ko) | 광 흡수층 및 광 흡수층을 포함하는 광기전 디바이스 | |
| KR20170013160A (ko) | 태양 전지 | |
| Ebong et al. | Rapid thermal processing of high efficiency n-type silicon solar cells with Al back junction | |
| KR101994692B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR101223021B1 (ko) | 태양전지의 제조방법 및 태양전지 | |
| EP4646061A2 (en) | Device and process for forming high durability multijunction solar cells | |
| CN103053030B (zh) | 太阳能电池及包括该太阳能电池的太阳能电池组件 |