NL2003390C2 - Solar cell and method for manufacturing such a solar cell. - Google Patents
Solar cell and method for manufacturing such a solar cell. Download PDFInfo
- Publication number
- NL2003390C2 NL2003390C2 NL2003390A NL2003390A NL2003390C2 NL 2003390 C2 NL2003390 C2 NL 2003390C2 NL 2003390 A NL2003390 A NL 2003390A NL 2003390 A NL2003390 A NL 2003390A NL 2003390 C2 NL2003390 C2 NL 2003390C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- layer
- front surface
- conductivity type
- dopant
- textured
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 194
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 223
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 52
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 45
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 34
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 28
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 6
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 claims description 2
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 claims description 2
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 21
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 16
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 7
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910015845 BBr3 Inorganic materials 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical group O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 2
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical group F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000005574 cross-species transmission Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
- H10F77/703—Surface textures, e.g. pyramid structures of the semiconductor bodies, e.g. textured active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Claims (26)
1. Een werkwijze (100, 100a, 100b, 100c) voor het vervaardigen van een zonnecel vanuit een halfgeleidersubstraat (1) van een eerste geleidbaarheidstype, waarbij 5 het halfgeleidersubstraat een vooroppervlak (2) en een achteroppervlak (3) heeft, waarbij de werkwijze in een volgorde omvat: het van textuur (102) voorzien van het vooroppervlak om een getextureerd vooroppervlak (2a) te creëren, het creëren (103) door middel van diffusie van een doteerstof van het eerste 10 geleidbaarheidstype van een met een eerste geleidbaarheidstype gedoteerde laag (2c) in het getextureerde vooroppervlak en een achteroppervlakveldlaag (4) van het eerste geleidbaarheidstype in het achteroppervlak; het verwijderen (105; 104a) van de met het eerste geleidbaarheidstype gedoteerde laag van het getextureerde vooroppervlak door een etsproces dat 15 geschikt is voor het behouden van textuur van het getextureerde vooroppervlak; het creëren (106) van een laag van een tweede geleidbaarheidstype (6) op het getextureerde vooroppervlak door diffusie van een doteerstof van het tweede geleidbaarheidstype in het getextureerde vooroppervlak.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het van textuur voorzien (102) van het vooroppervlak om een getextureerd vooroppervlak te creëren omvat het van textuur voorzien van het achteroppervlak om een getextureerd achteroppervlak (3a) te creëren.
3. Werkwijze volgens conclusie 2, waarbij het creëren van de achteroppervlakveldlaag (4) wordt voorafgegaan door het polijsten van het getextureerde achteroppervlak (3a) van het halfgeleidersubstraat (1).
4. Werkwijze volgens conclusie 1 of conclusie 3, omvattend gedurende de diffusie 30 van de doteerstof van het eerste geleidbaarheidstype een vorming van een doteerstof bevattende glaslaag (5) op het vooroppervlak en het achteroppervlak vanuit een precursor van het eerste geleidbaarheidstype, waarbij de doteerstof bevattende glaslaag dienst doet als doteerbron voor het halfgeleidersubstraat (1).
5. Werkwijze volgens conclusie 4, omvattend het verwijderen van de doteerstof bevattende glaslaag (5) vanaf het vooroppervlak en het achteroppervlak voorafgaand aan het verwijderen (105) van de met het eerste geleidbaarheidstype 5 gedoteerde laag van het getextureerde vooroppervlak.
6. Werkwijze volgens conclusie 4, omvattend het verwijderen (104a) van de doteerstof bevattende glaslaag (5) van het vooroppervlak tijdens het verwijderen van de met het eerste geleidbaarheidstype gedoteerde laag van het getextureerde 10 vooroppervlak, in een enkelzijdig etsproces.
7. Werkwijze volgens conclusie 6, omvattend het verwijderen (105a) van de doteerstof bevattende glaslaag vanaf het achteroppervlak na het verwijderen (104a) van de doteerstof bevattende glaslaag van het vooroppervlak en de met het 15 eerste geleidbaarheidstype gedoteerde laag van het getextureerde vooroppervlak in het enkelzijdig etsproces.
8. Werkwijze volgens conclusie 4, omvattend voorafgaand aan het verwijderen (105) van de met het eerste geleidbaarheidstype gedoteerde laag van het 20 getextureerde vooroppervlak: het verwijderen (104b) van de doteerstof bevattende glaslaag van het vooroppervlak en het achteroppervlak, en het creëren (108a) van een beschermlaag (5a) op de achteroppervlakveldlaag (4). 25
9. Werkwijze volgens conclusie 6, omvattend: na het creëren van de met het eerste geleidbaarheidstype gedoteerde laag (2c) in het getextureerde vooroppervlak en de achteroppervlakveldlaag (4) van het eerste geleidbaarheidstype in het achteroppervlak: 30. het creëren (108b) van een beschermlaag op de achteroppervlakveldlaag, voorafgaand aan het verwijderen (104a) van de doteerstof bevattende glaslaag van het vooroppervlak gedurende het verwijderen van de met het eerste geleidbaarheidstype gedoteerde laag van het getextureerde vooroppervlak in een enkelzijdig etsproces.
10. Werkwijze volgens conclusie 9, omvattend: 5 na het verwijderen (104a) van de doteerstof bevattende glaslaag van het vooroppervlak gedurende het verwijderen van de met het eerste geleidbaarheidstype gedoteerde laag van het getextureerde vooroppervlak in het enkelzijdig etsproces en voorafgaand aan het creëren van de laag van het tweede geleidbaarheidstype op het getextureerde vooroppervlak: 10. het verwijderen (109) van de beschermlaag en de doteerstof bevattende glaslaag van het achteroppervlak.
11. Werkwijze volgens conclusie 8 of 10, waarbij de beschermlaag (5a) een coatinglaag omvat die ten minste een materiaal bevat dat gekozen wordt uit een 15 groep van aluminiumoxide (AI2O3), siliciumnitride (SiNx), een diëlektricum en een resist.
12. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het creëren van de achteroppervlakveldlaag door diffusie van de doteerstof van het eerste 20 geleidbaarheidstype omvat het blootstellen van het achteroppervlak aan een precursor van het eerste geleidbaarheidstype bij verhoogde temperatuur.
13. Werkwijze volgens conclusie 12, waarbij de precursor van het eerste geleidbaarheidstype de doteerstof van het eerste geleidbaarheidstype omvat; 25 waarbij de precursor er een is gekozen uit een gasvormige precursor, een vloeibare precursor, een pastavormige precursor en een plasma-precursor.
14. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de diffusie van de doteerstof van het eerste geleidbaarheidstype wordt geoptimaliseerd om de met het eerste 30 geleidbaarheidstype gedoteerde laag (2c) in het getextureerde vooroppervlak te vormen met een dikte van 0,7 micron of minder.
15. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de diffusie van de doteerstof van het eerste geleidbaarheidstype wordt geoptimaliseerd om de met het eerste geleidbaarheidstype gedoteerde laag (2c) in het getextureerde vooroppervlak te vormen met een dikte van 0,3 micron of minder. 5
16. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het creëren van de laag van het tweede geleidbaarheidstype op het getextureerde voorvlak door diffusie van de doteerstof van het tweede geleidbaarheidstype omvat: het blootstellen van het getextureerde vooroppervlak aan een precursor van het tweede geleidbaarheidstype bij 10 verhoogde temperatuur.
17. Werkwijze volgens conclusie 16, waarbij de precursor van het tweede geleidbaarheidstype een gasvormige precursor is waarbij de gasvormige precursor de doteerstof van de tweede geleidbaarheidstype omvat. 15
18. Werkwijze volgens één van de voorgaande conclusies, waarbij het eerste geleidbaarheidstype n-type is en het tweede geleidbaarheidstype p-type is, of het eerste geleidbaarheidstype p-type is en het tweede geleidbaarheidstype n-type is. 20
19. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij een dikte van de met het eerste geleidbaarheidstype gedoteerde laag (2c) minder is dan een gemiddelde hoogte van een textuurkenmerk op het getextureerde vooroppervlak.
20. Werkwijze volgens conclusie 19, waarbij de gemiddelde hoogte van het textuurkenmerk op het getextureerde vooroppervlak ten minste ongeveer 2 micron is en de dikte van de met het eerste geleidbaarheidstype gedoteerde laag ongeveer 0,7 micron of minder is.
21. Werkwijze volgens conclusie 19, waarbij de gemiddelde hoogte van het textuurkenmerk op het getextureerde vooroppervlak ten minste ongeveer 2 micron is en de dikte van de met het eerste geleidbaarheidstype gedoteerde laag ongeveer 0,3 micron of minder is.
22. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het etsproces dat geschikt is voor het behouden van een textuur van het getextureerde vooroppervlak wordt uitgevoerd door een enkelzijdig nat chemisch proces dat gebruikmaakt van een etsmiddel. 5
23. Werkwijze volgens conclusie 22, waarbij het etsmiddel een component omvat voor het van textuur voorzien van een halfgeleideroppervlak.
24. Werkwijze volgens conclusie 23, waarbij het etsmiddel verder een component 10 voor het polij sten van het halfgeleideroppervlak omvat.
25. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het etsproces dat geschikt is voor het behouden van de textuur van het getextureerde vooroppervlak wordt uitgevoerd door een droogetswerkwijze. 15
26. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het verwijderen van de met het eerste geleidbaarheidstype gedoteerde laag van het getextureerde vooroppervlak en de doteerstof bevattende glaslaag van het vooroppervlak wordt uitgevoerd gedurende het etsproces dat geschikt is voor het behouden van textuur van het 20 getextureerde vooroppervlak.
Priority Applications (19)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL2003390A NL2003390C2 (en) | 2009-08-25 | 2009-08-25 | Solar cell and method for manufacturing such a solar cell. |
| EP10747530.3A EP2471109B1 (en) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | Solar cell and method for manufacturing such a solar cell |
| CN201080038315.5A CN102484168B (zh) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | 太阳电池及制造太阳电池的方法 |
| PCT/NL2010/050530 WO2011025371A1 (en) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | Solar cell and method for manufacturing such a solar cell |
| JP2012526679A JP5710618B2 (ja) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | 太陽電池およびこのような太陽電池の製造方法 |
| SG2012013199A SG178877A1 (en) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | Solar cell and method for manufacturing such a solar cell |
| KR1020127007655A KR101673565B1 (ko) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | 태양 전지 및 이의 제조방법 |
| CN201080048218.4A CN102598311B (zh) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | 太阳能电池及制造所述太阳能电池的方法 |
| SG2012012761A SG178861A1 (en) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | Solar cell and method for manufacturing such a solar cell |
| AU2010287046A AU2010287046B2 (en) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | Solar cell and method for manufacturing such a solar cell |
| KR1020127006680A KR20120050484A (ko) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | 태양전지 및 태양전지의 제조 방법 |
| EP10747531.1A EP2471110B1 (en) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | Solar cell and method for manufacturing such a solar cell |
| JP2012526680A JP2013503476A (ja) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | 太陽電池およびこのような太陽電池の製造方法 |
| PCT/NL2010/050531 WO2011025372A1 (en) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | Solar cell and method for manufacturing such a solar cell |
| US13/391,915 US8623688B2 (en) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | Solar cell and method for manufacturing such a solar cell |
| AU2010287047A AU2010287047A1 (en) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | Solar cell and method for manufacturing such a solar cell |
| US13/392,432 US9034670B2 (en) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | Solar cell and method for manufacturing such a solar cell |
| TW099128481A TWI521728B (zh) | 2009-08-25 | 2010-08-25 | 太陽電池及製造太陽電池的方法 |
| TW099128482A TWI520363B (zh) | 2009-08-25 | 2010-08-25 | 太陽電池及製造太陽電池的方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL2003390A NL2003390C2 (en) | 2009-08-25 | 2009-08-25 | Solar cell and method for manufacturing such a solar cell. |
| NL2003390 | 2009-08-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL2003390C2 true NL2003390C2 (en) | 2011-02-28 |
Family
ID=41722932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL2003390A NL2003390C2 (en) | 2009-08-25 | 2009-08-25 | Solar cell and method for manufacturing such a solar cell. |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8623688B2 (nl) |
| EP (2) | EP2471109B1 (nl) |
| JP (2) | JP2013503476A (nl) |
| KR (2) | KR20120050484A (nl) |
| CN (2) | CN102598311B (nl) |
| AU (2) | AU2010287047A1 (nl) |
| NL (1) | NL2003390C2 (nl) |
| SG (2) | SG178877A1 (nl) |
| TW (2) | TWI521728B (nl) |
| WO (2) | WO2011025372A1 (nl) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113471311A (zh) * | 2021-07-06 | 2021-10-01 | 安徽华晟新能源科技有限公司 | 一种异质结电池及其制备方法 |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8178419B2 (en) | 2008-02-05 | 2012-05-15 | Twin Creeks Technologies, Inc. | Method to texture a lamina surface within a photovoltaic cell |
| KR101657626B1 (ko) * | 2010-10-08 | 2016-09-19 | 주식회사 원익아이피에스 | 태양전지제조방법 및 그 방법에 의하여 제조된 태양전지 |
| NL2006298C2 (en) * | 2011-02-24 | 2012-08-27 | Energieonderzoek Ct Nederland | Solar cell and method for manufacturing such a solar cell. |
| DE102011001946A1 (de) * | 2011-04-11 | 2012-10-11 | Q-Cells Se | Herstellungsverfahren einer Wafersolarzelle und Wafersolarzelle |
| RU2469439C1 (ru) * | 2011-06-23 | 2012-12-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Солнечный ветер" | Способ изготовления солнечного элемента с двухсторонней чувствительностью |
| US20120160296A1 (en) * | 2011-09-30 | 2012-06-28 | Olivier Laparra | Textured photovoltaic cells and methods |
| US9202965B2 (en) * | 2011-12-16 | 2015-12-01 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Method for manufacturing solar cell |
| KR101860919B1 (ko) * | 2011-12-16 | 2018-06-29 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
| US8916954B2 (en) | 2012-02-05 | 2014-12-23 | Gtat Corporation | Multi-layer metal support |
| US8841161B2 (en) | 2012-02-05 | 2014-09-23 | GTAT.Corporation | Method for forming flexible solar cells |
| KR101404249B1 (ko) | 2012-02-28 | 2014-06-09 | 주식회사 엘지실트론 | 기판을 평가하는 방법 |
| CN104205361B (zh) * | 2012-03-20 | 2017-07-04 | 泰姆普雷斯艾普公司 | 制造太阳能电池的方法 |
| US20130330871A1 (en) * | 2012-06-12 | 2013-12-12 | Twin Creeks Technologies, Inc. | Methods for texturing a semiconductor material |
| KR101872786B1 (ko) * | 2012-06-22 | 2018-06-29 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지의 불순물층 형성 방법 및 태양 전지의 제조 방법 |
| US8785294B2 (en) | 2012-07-26 | 2014-07-22 | Gtat Corporation | Silicon carbide lamina |
| JP6277555B2 (ja) * | 2012-11-29 | 2018-02-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
| TWI568003B (zh) * | 2012-12-19 | 2017-01-21 | 茂迪股份有限公司 | 太陽能電池及其製造方法與太陽能電池模組 |
| TWI492400B (zh) * | 2013-02-21 | 2015-07-11 | 茂迪股份有限公司 | 太陽能電池及其製造方法與太陽能電池模組 |
| JPWO2014175066A1 (ja) * | 2013-04-25 | 2017-02-23 | シャープ株式会社 | 光電変換素子 |
| US20160072000A1 (en) * | 2014-09-05 | 2016-03-10 | David D. Smith | Front contact heterojunction process |
| CN105632912A (zh) * | 2014-10-31 | 2016-06-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种硅片刻蚀方法 |
| JP5938113B1 (ja) * | 2015-01-05 | 2016-06-22 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池用基板の製造方法 |
| TWI543391B (zh) * | 2015-04-09 | 2016-07-21 | 新日光能源科技股份有限公司 | 太陽能電池及其製作方法 |
| CN105226113B (zh) * | 2015-07-09 | 2018-06-01 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法 |
| WO2017051635A1 (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | シャープ株式会社 | 半導体基板、光電変換素子、半導体基板の製造方法および光電変換素子の製造方法 |
| TWI574425B (zh) * | 2016-05-20 | 2017-03-11 | 昱晶能源科技股份有限公司 | 太陽能電池及其製造方法 |
| JP2018026388A (ja) | 2016-08-08 | 2018-02-15 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
| TWI615989B (zh) * | 2016-11-30 | 2018-02-21 | 財團法人金屬工業研究發展中心 | 具角錐結構之矽晶圓及其製造方法 |
| KR20180119969A (ko) * | 2017-04-26 | 2018-11-05 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
| TWI648863B (zh) * | 2017-05-05 | 2019-01-21 | 長生太陽能股份有限公司 | 太陽能電池及其製造方法 |
| EP3671863B1 (en) * | 2018-12-20 | 2021-06-09 | IMEC vzw | Smoothed rear side doped layer for a bifacial solar cell |
| CN110265497B (zh) * | 2019-06-28 | 2021-05-18 | 天合光能股份有限公司 | 一种选择性发射极的n型晶体硅太阳电池及其制备方法 |
| US20220077330A1 (en) * | 2020-06-04 | 2022-03-10 | Tsec Corporation | Solar cell structure |
| GB202020727D0 (en) * | 2020-12-30 | 2021-02-10 | Rec Solar Pte Ltd | Solar cell |
| CN115528121B (zh) | 2021-08-04 | 2025-05-27 | 上海晶科绿能企业管理有限公司 | 太阳能电池及光伏组件 |
| US11843071B2 (en) | 2021-08-04 | 2023-12-12 | Shanghai Jinko Green Energy Enterprise Management Co., Ltd. | Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module |
| CN113540269B (zh) * | 2021-09-14 | 2022-04-12 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
| CN113964241A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-01-21 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | N型单晶硅双面太阳电池及其制备方法 |
| CN114400272B (zh) * | 2021-12-24 | 2025-07-15 | 东莞南玻光伏科技有限公司 | 一种单晶硅片背表面与氧化铝介面改性优化的方法 |
| CN114823951A (zh) * | 2022-06-28 | 2022-07-29 | 晶科能源(海宁)有限公司 | 太阳能电池及光伏组件 |
| CN116435403B (zh) * | 2023-02-28 | 2024-09-17 | 六智韬新能源科技(上海)有限公司 | 一种柔性单晶硅片和柔性太阳电池及其制备方法 |
| CN120897581A (zh) * | 2024-12-02 | 2025-11-04 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种太阳能电池、光伏组件和半导体基片 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070209697A1 (en) * | 2004-05-07 | 2007-09-13 | Shoichi Karakida | Solar Cell And Manufacturing Method Therefor |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02230776A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-13 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| DK170189B1 (da) * | 1990-05-30 | 1995-06-06 | Yakov Safir | Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter, samt solcelle fremstillet deraf |
| JPH0722632A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-24 | Sharp Corp | 多結晶シリコン太陽電池とその製造方法 |
| AUPO468697A0 (en) * | 1997-01-21 | 1997-02-13 | Australian National University, The | A method of producing thin silicon epitaxial films |
| EP1005095B1 (en) | 1997-03-21 | 2003-02-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a photovoltaic element |
| JP3772456B2 (ja) * | 1997-04-23 | 2006-05-10 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池及びその製造方法、半導体製造装置 |
| JP2000101111A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| EP1378947A1 (en) * | 2002-07-01 | 2004-01-07 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Semiconductor etching paste and the use thereof for localised etching of semiconductor substrates |
| JP2004235274A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Kyocera Corp | 多結晶シリコン基板およびその粗面化法 |
| JP2007510948A (ja) * | 2003-11-06 | 2007-04-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | スイッチング可能透明ディスプレイ |
| JP2005150614A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Sharp Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
| CN102420271B (zh) * | 2005-12-21 | 2016-07-06 | 太阳能公司 | 背面触点太阳能电池及制造方法 |
| US20080230119A1 (en) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Hideki Akimoto | Paste for back contact-type solar cell |
| EP2279526A4 (en) * | 2008-04-18 | 2015-11-04 | 1366 Tech Inc | METHOD FOR STRUCTURING DIFFUSION LAYERS IN SOLAR CELLS AND SOLAR CELLS MANUFACTURED THEREFOR |
| US8247312B2 (en) * | 2008-04-24 | 2012-08-21 | Innovalight, Inc. | Methods for printing an ink on a textured wafer surface |
| EP2159851A1 (fr) | 2008-09-01 | 2010-03-03 | Université de Neuchâtel | Procédé pour limiter la croissance épitaxiale dans un dispositif photoélectrique à hétérojonctions et un tel dispositif photoélctrique |
| JP5362379B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2013-12-11 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池のｉ−ｖ特性の測定方法 |
| KR101146734B1 (ko) * | 2009-10-26 | 2012-05-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 셀 및 이를 구비한 태양 전지 모듈 |
-
2009
- 2009-08-25 NL NL2003390A patent/NL2003390C2/en not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-08-24 US US13/391,915 patent/US8623688B2/en active Active
- 2010-08-24 KR KR1020127006680A patent/KR20120050484A/ko not_active Ceased
- 2010-08-24 WO PCT/NL2010/050531 patent/WO2011025372A1/en not_active Ceased
- 2010-08-24 SG SG2012013199A patent/SG178877A1/en unknown
- 2010-08-24 JP JP2012526680A patent/JP2013503476A/ja active Pending
- 2010-08-24 AU AU2010287047A patent/AU2010287047A1/en not_active Abandoned
- 2010-08-24 EP EP10747530.3A patent/EP2471109B1/en active Active
- 2010-08-24 SG SG2012012761A patent/SG178861A1/en unknown
- 2010-08-24 JP JP2012526679A patent/JP5710618B2/ja active Active
- 2010-08-24 CN CN201080048218.4A patent/CN102598311B/zh active Active
- 2010-08-24 CN CN201080038315.5A patent/CN102484168B/zh active Active
- 2010-08-24 KR KR1020127007655A patent/KR101673565B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-24 WO PCT/NL2010/050530 patent/WO2011025371A1/en not_active Ceased
- 2010-08-24 EP EP10747531.1A patent/EP2471110B1/en active Active
- 2010-08-24 US US13/392,432 patent/US9034670B2/en active Active
- 2010-08-24 AU AU2010287046A patent/AU2010287046B2/en active Active
- 2010-08-25 TW TW099128481A patent/TWI521728B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-08-25 TW TW099128482A patent/TWI520363B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070209697A1 (en) * | 2004-05-07 | 2007-09-13 | Shoichi Karakida | Solar Cell And Manufacturing Method Therefor |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| BEAUCARNE G ET AL: "Epitaxial thin-film Si solar cells", THIN SOLID FILMS, ELSEVIER-SEQUOIA S.A. LAUSANNE, CH, vol. 511-512, 26 July 2006 (2006-07-26), pages 533 - 542, XP025007243, ISSN: 0040-6090, [retrieved on 20060726] * |
| MILES ET AL: "Inorganic photovoltaic cells", MATERIALS TODAY, ELSEVIER SCIENCE, KIDLINGTON, GB, vol. 10, no. 11, 12 October 2007 (2007-10-12), pages 20 - 27, XP022297610, ISSN: 1369-7021 * |
| WENHAM S R ET AL: "Surface passivation in high efficiency silicon solar cells", SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, ELSEVIER SCIENCE PUBLISHERS, AMSTERDAM, NL, vol. 65, no. 1-4, 1 January 2001 (2001-01-01), pages 377 - 384, XP004217141, ISSN: 0927-0248 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113471311A (zh) * | 2021-07-06 | 2021-10-01 | 安徽华晟新能源科技有限公司 | 一种异质结电池及其制备方法 |
| CN113471311B (zh) * | 2021-07-06 | 2023-05-23 | 安徽华晟新能源科技有限公司 | 一种异质结电池及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201123518A (en) | 2011-07-01 |
| US20120181667A1 (en) | 2012-07-19 |
| JP2013503476A (ja) | 2013-01-31 |
| TW201119070A (en) | 2011-06-01 |
| EP2471110B1 (en) | 2013-10-30 |
| KR20120050484A (ko) | 2012-05-18 |
| WO2011025372A1 (en) | 2011-03-03 |
| US20120204948A1 (en) | 2012-08-16 |
| US9034670B2 (en) | 2015-05-19 |
| CN102598311A (zh) | 2012-07-18 |
| CN102484168A (zh) | 2012-05-30 |
| AU2010287046B2 (en) | 2015-07-02 |
| SG178861A1 (en) | 2012-04-27 |
| WO2011025371A1 (en) | 2011-03-03 |
| EP2471109A1 (en) | 2012-07-04 |
| TWI521728B (zh) | 2016-02-11 |
| AU2010287046A2 (en) | 2012-05-03 |
| EP2471110A1 (en) | 2012-07-04 |
| SG178877A1 (en) | 2012-04-27 |
| JP5710618B2 (ja) | 2015-04-30 |
| CN102484168B (zh) | 2015-04-15 |
| CN102598311B (zh) | 2016-01-06 |
| JP2013503475A (ja) | 2013-01-31 |
| AU2010287046A1 (en) | 2012-04-19 |
| EP2471109B1 (en) | 2013-10-30 |
| KR101673565B1 (ko) | 2016-11-07 |
| TWI520363B (zh) | 2016-02-01 |
| AU2010287047A1 (en) | 2012-03-15 |
| KR20120080583A (ko) | 2012-07-17 |
| US8623688B2 (en) | 2014-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL2003390C2 (en) | Solar cell and method for manufacturing such a solar cell. | |
| US5461002A (en) | Method of making diffused doped areas for semiconductor components | |
| JP2025041865A (ja) | 太陽電池及びその製造方法、太陽電池モジュール | |
| US20100032012A1 (en) | Solar cell and method of manufacturing the same | |
| US20070238216A1 (en) | Solar cell and its method of manufacture | |
| US20100224251A1 (en) | Method of manufacturing solar cell | |
| CN104221167A (zh) | 硅片太阳能电池的非酸性各向同性回蚀 | |
| SG193088A1 (en) | Solar cell and method of manufacturing the same | |
| KR101160116B1 (ko) | 후면 접합 태양전지의 제조방법 | |
| WO2015087472A1 (ja) | 太陽電池の製造方法及び該製造方法によって得られた太陽電池 | |
| CN114447142A (zh) | 一种N型TOPCon太阳能电池及其制作方法 | |
| CN210956692U (zh) | Perc电池 | |
| KR101093114B1 (ko) | 후면접합 구조의 태양전지 | |
| CN114613881A (zh) | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 | |
| WO2015083453A1 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| CN110854240B (zh) | Perc电池及其制备方法 | |
| KR20110127540A (ko) | 태양전지 제조 방법 | |
| Dhungel et al. | Multicrystalline Silicon Texturing for Large Area CommercialSolar Cell of Low Cost and High Efficiency |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PLED | Pledge established |
Effective date: 20150116 |
|
| MM | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20160901 |