MXPA98010595A - Sistema de afinador de vacio para purificar la atmosfera de trabajo en los procesos de deposicionfisica de vapor - Google Patents

Abstract

Se describe un sistema formado de uno o más dispositivos de afinador de vacío en forma de cuerpos sintetizados de polvos de afinador de vacío o depósitos de material de afinador de vacío sobreun soporte de metal, a ser arreglado en elárea de trabajo de las cámaras de proceso para la deposición de capas delgadas de materiales metálicos o cerámicos de vapores o plasmas para purificar la atmósfera gaseosa contenida en esaárea.

Description

SISTEMA DE AFINADOR DE VACIO PARA PURIFICAR LA ATMOSFERA DE TRABAJO EN LOS PROCESOS DE DEPOSICIÓN FÍSICA DE VAPOR DESCRI PCIÓN La presente invención se refiere a un sistema de afinador de vacío para purificar la atmósfera de trabajo en los procesos de deposición física de vapor. Los procesos de depósito de capas delgadas de materiales metálicos o cerámicos de vapores o plasmas adecuados son más y más ampliamente usados en la industria, y generalmente se les hace referencia en el campo por el término inglés "Physical Vapor Deposition" (Deposición física de vapor", o por sus siglas PVD. Estos procesos son usados, por ejemplo en el campo de semiconductores para depositar un número de capas, que son removidas selectivamente entonces para obtener los circuitos integrados, o en la industria de discos compactos para formar la capa reflectora de aluminio. En todos estos procesos se requiere una alta pureza para los gases usados. En particular, en la producción de semiconductores, las impurezas en los gases de proceso resulta en microimperfecciones en los dispositivos electrónicos, y mientras más pequeño sea el tamaño de los dispositivos, mayor será el efecto de tales imperfecciones en el desempeño de tales dispositivos. Debido a la constante tendencia de reducción del tamaño promedio de estos dispositivos, es necesario usar un gas de proceso más y más puro con el fin de reducir el porcentaje de desperdicios.

El uso de materiales de afinador de vacío combinado con bombas convencionales para purificar gases corriente arriba con respecto a los procesos de PVD es hasta ahora una práctica común en la industria. Sin embargo, el control de pureza de gases de entrada en las líneas de producción no es suficiente, ya que las impurezas pueden entrar en ia atmósfera de trabajo resultando de la desgasificación de los materiales que forman las paredes u otras partes de la cámara. En particular, algunos procesos tales como la deposición de capas de nitruro de titanio o aluminio pueden resultar en contaminación. Estas deposiciones se hacen mediante la técnica conocida por el término inglés "sputtering" (chisporroteo), en donde una superficie plana de un "objetivo", que consiste del material a ser depositado, es desgastado debido al impacto de iones de átomos pesados (generalmente iones Ar+) acelerado por un campo eléctrico adecuado; las partículas removidas de la superficie objetivo son depositadas en forma de capas finas sobre el substrato de material semiconductor, siendo generalmente arreglado de manera paralela con respecto a la superficie objetivo. Los gases en el objetivo, por ejemplo, incluidos mecánicamente en la estructura del material durante su producción, son descargados durante el proceso de chisporroteo, resultando de esta manera en una alta concentración de impurezas en el área de trabajo. Las más comunes entre las impurezas son H2O, H2, CO, CO2 y CH4, y su concentración puede variar, dependiendo de las características específicas de cada proceso, desde aproximadamente 1 hasta 100 ppm.

Las solicitudes de patentes dejadas abiertas WO 96/13620, WO 96/17171 , EP 693626 y WO 97/17542 se refieren al gas que purifica con bombas de afinador de vacío arregladas dentro de las cámaras de PVD. Estas solicitudes describen bombas de afinador de vacío siendo arregladas dentro de las cámaras en pociones lejos de las áreas de trabajo. La ventaja principal obtenida al usar estas bombas in situ es la reducción de los tiempos muertos que son necesarios para llevar el nivel de impurezas por debajo de un valor predeterminado, después de cada abertura de la cámara, por ejemplo, para operaciones de mantenimiento. Sin embargo, estos sistemas no resuelven, o resuelven solo parcialmente, el problema debido a las impurezas en el área de trabajo durante las operaciones de PVD, ya que esta área es definida mediante pantallas que actúan con el fin de prevenir que el material objetivo sea depositado sobre porciones no deseadas de la cámara, tal como, por ejemplo, vías de alimentación, aberturas para conectar la cámara a líneas de gas, etc. Estas pantallas tienen el efecto lateral de reducir enormemente la conductancia del gas entre el área de trabajo y el volumen restante de la cámara, produciendo así dos diferentes atmósferas gaseosas dentro de la cámara de proceso, de manera que la absorción de las impurezas en el área de trabajo por las bombas de afinador de vacío in situ antes mencionadas es despreciable. Así, el problema de una purificación efectiva de la atmósfera de trabajo durante el proceso de PVD y de la contaminación resultante de las capas depositadas en un soporte mediante estos procesos todavía no está resuelto.

El objetivo de la presente invención es proporcionar un sistema de afinador de vacío para purificar la atmósfera gaseosa en el área de trabajo en los procesos de deposición física de vapor. Este objetivo es logrado de acuerdo a la presente invención por un sistema de afinador de vacío formado de uno o más dispositivos de afinador de vacío esencialmente planos siendo insertados dentro del área de trabajo de una cámara de proceso para deposición física de vapor, en tal arreglo que dichos dispositivos de afinador de vacío son esencialmente paralelos y separados aparte con respecto a las pantallas que definen dicha área de trabajo y el espacio entre los dispositivos de afinador de vacío y las pantallas está conectado al área de trabajo, siendo dichos dispositivos de afinador de vacío de manera que al menos la superficie que encara las pantallas está hecha de material de afinador de vacío. La invención será descrita de aquí en adelante con referencia a los dibujos, en donde: - La Figura 1 muestra en una forma diagramática una cámara de proceso para deposición física de vapor; - La Figura 2 muestra el contorno la colocación del sistema de afinador de vacío dentro de la cámara de proceso de Figura 1 ; - Las Figuras 3 y 4 muestran algunas modalidades de un primer tipo de dispositivos de afinador de vacío, los cuales pueden ser usados en el sistema de la invención; - La Figura 5 muestra un posible sistema de afinador de vacío de la invención formado de dispositivos de la Figura 3; - La Figura 6 muestra una posible modalidad alternativa de un segundo tipo de dispositivos de afinador de vacío, los cuales pueden ser usados en el sistema de la invención; - La Figura 7 muestra otro posible sistema de afinador de vacío de la invención formado de dispositivos de la Figura 6. Haciendo referencia a la Figura 1 , una cámara de proceso es mostrada diagramáticamente para la producción de dispositivos integrados. Una cámara 10 es formada de un alojamiento 1 1 que define un espacio 12 aislado de la atmósfera. La cámara tiene conectada a la misma un sistema de bombeo para su evacuación, el cual es indicado generalmente en la Figura como 13, y al menos una línea de alimentación para el gas de proceso, la cual es indicada generalmente como 14. Dentro de la cámara 10 está un objetivo 15, siendo generalmente de forma de disco o un cilindro corto y hecho de material 16 a ser depositado como una capa fina; un soporte 17 que porta un alojamiento 18 para un substrato 19 hecho de un material semiconductor (generalmente silicio), para tener la capa delgada de material 16 depositada en el mismo; finalmente, existen pantallas 20, 20', ... (solo dos se muestran en la Figura). Las pantallas 20, 20', ... dividen el espacio 12 en dos áreas, un área de trabajo 21 y un área 22 que tiene en la presente las estructuras auxiliares del proceso de PVD, tal como las conexiones eléctricas o las entradas de las líneas de alimentación de gas; áreas 21 y 22 tienen contacto una con otra solo a través de una pequeña conductancia 23 al borde de las pantallas. Existe una amplia variedad de modificaciones al esquema simple señalado antes. Por ejemplo, el área de trabajo 21 puede ser cuadrada, rectangular o cilindrica; de cualquier manera, generalmente las pantallas son esencialmente planas y se insertan dentro de la cámara 10 con el arreglo poligonal siendo el más adecuado para definir la geometría deseada en el área de trabajo. El objetivo 15 puede estar hecho de un precursor de material 16 a ser depositado sobre el substrato 19, o puede ser parte de un sistema de objetivos múltiples, el cual es usado en algunos casos para permitir la deposición secuencial de capas de diferentes materiales sin tener que abrir la cámara. El soporte 17 puede ser desplazado generalmente en una dirección vertical para llevar el substrato 19 a la posición de trabajo, mientras que el alojamiento 18 generalmente es calentado con el fin de mantener el substrato 19 a una temperatura que es óptima para obtener una capa delgada con buenas propiedades de homogeneidad; esta temperatura, dependiendo del material 16, generalmente varía desde aproximadamente 100 hasta 500°C. Las bombas de afinador de vacío de la técnica conocida son arregladas en varias posiciones dentro de la cámara 10, de cualquier manera siempre en el área 22, y así prácticamente están aisladas de la atmósfera gaseosa del área 21 debido a la pequeña conductancia entre las áreas 21 y 22. Por el contrario, de acuerdo a la presente invención, el sistema de afinador de vacío es arreglado dentro del área 21 y así está en una posición efectiva para absorber las impurezas en esta área. En particular, el sistema de afinador de vacío de acuerdo a la invención está formada de dispositivos de afinador de vacío esencialmente planos, los cuales están asegurados a las pantallas de manera que están esencialmente paralelos con respecto a las pantallas, existe un espacio entre pantallas y dispositivos de afinador de vacío y tal espacio está conectado a un área de trabajo 21 ; adicionalmente, los dispositivos de afinador de vacío deben estar asegurados a las pantallas con el fin de tener al menos la superficie que encara las pantallas hechas de material de afinador de vacío. La Figura 2 muestra en contorno el arreglo del sistema de afinador de vacío de la invención dentro de una cámara de proceso de PVD. Un sistema de afinador de vacío 24 es esencialmente paralelo con respecto a pantallas 20, 20', ... y define un espacio 25 entre dichas pantallas y el sistema 24. El sistema 24 es formado de dispositivos de afinador de vacío 26, 26', ... ; la Figura no muestra los medios para asegurar los dispositivos 26, 26' a las pantallas 20, 20', ..., ya que tales medios son diferentes dependiendo del tipo específico de dispositivos de afinador de vacío usados, como se describe de aquí en adelante. El sistema de afinador de vacío 24 tiene un área de trabajo que tiene una superficie 27 que encara el área de trabajo 21 y una superficie 28 que encara las pantallas 20, 20', ...; al menos una superficie 28 debe hacerse de un material de afinador de vacío 29. El sistema 24 puede arreglarse alrededor del área de trabajo con el fin de barrer un ángulo menor que 360°, pero preferiblemente encierra completamente el área de trabajo, aumentando así la superficie disponible de material de afinador de vacío y la eficiencia de la absorción de impurezas. Como se dijo previamente, cualquiera que sea la geometría del área de trabajo, generalmente las pantallas son esencialmente planas, así como dispositivos de afinador de vacío 26, 26'., , , formando el sistema de acuerdo a la invención. Como el sistema de afinador de vacío debería barrer un ángulo menor que 360° alrededor del área de trabajo 21 , puede consistir solo de un dispositivo de afinador de vacío simple. Sin embargo, como se dijo previamente, el sistema de afinador de vacío preferiblemente barre un ángulo de 360° alrededor del área de trabajo, siendo en este caso formado de varios dispositivos de afinador de vacío, y generalmente de al menos tantos dispositivos de afinador de vacío como pantallas. El espacio 25 debe estar conectado al área 21. La condición de la conexión entre el espacio 25 y el área 21 puede ser observada en muchas maneras, por ejemplo, mediante tales dispositivos de afinador de vacío que la superficie 27 es continua y existe conductancia entre el área 21 y el espacio 25 en las áreas 30, 30' indicadas en la Figura 2. Sin embargo, la condición requerida es observada mediante dispositivos de afinador de vacío 26, 26',... con forma o arreglados de manera que la superficie 27 es discontinua; en particular, se ha encontrado que la mejor eficiencia para remover impurezas del área 21 es obtenida cuando la superficie 27 siendo efectiva, es decir, la suma de las superficies que encaran el área 21 para todos los dispositivos de afinador de vacío, es una fracción de la superficie disponible para un sistema de afinador de vacío continuo 24 que varía desde 70 a 99%, y preferiblemente desde 80 hasta 95%. Las discontinuidades de superficie 27 pueden estar en forma de orificios-vías en los dispositivos 26, 26' o de espacios vacíos entre los dispositivos adyacentes; ambas posibilidades son mostradas en la Figura, las discontinuidades siendo indicadas como 31 , 31 ', ... . En ambos casos, las discontinuidades pueden tener una forma regular o una irregular, y pueden ser arreglados de manera regular o irregular en la superficie disponible; por ejemplo, en el caso de orificios en la superficie de un dispositivo de afinador de vacío simple, pueden ser de forma cuadrada o redonda, o irregular, y pueden estar arreglados en la superficie del dispositivo como red o aleatorio; en el caso de separaciones entre dispositivos de afinador de vacío adyacentes, la forma y el arreglo de las discontinuidades depende de si los dispositivos 26, 26',... están arreglados de manera regular sobre la superficie disponible o no. Generalmente, se prefieren las formas y arreglos regulares de las discontinuidades, tanto en dispositivos de afinador de vacío simples como entre dispositivos adyacentes, ya que son más adecuados para una producción automatizada de sistema de afinador de vacío 24 y permiten un control más fácil de la condición antes mencionada para la proporción entre la superficie efectiva y la superficie disponible para el sistema 24. Las configuraciones mezcladas son obviamente posibles, en donde los dispositivos de afinador de vacío simples tienen orificios y los dispositivos de afinador de vacío adyacentes están separados uno de otro. La distancia entre el sistema de afinador de vacío 24 y las pantallas 20, 20', ... principalmente depende del tamaño total del área 21 y las distancias entre los dispositivos de afinador de vacío adyacentes y/o el tamaño de los orificios en dichos dispositivos. Generalmente, la distancia entre el sistema de afinador de vacío y las pantallas varía desde 1 mm a 5 cm; dentro de estos límites, dicha distancia es generalmente más pequeña en cámaras de PVD de tamaño pequeño, con el fin de prevenir que el sistema de afinador de vacío afecte los procesos que ocurren en el área de trabajo; más aún, dicha distancia aumenta al aumentar las distancias entre los dispositivos de afinador de vacío adyacentes y/o el tamaño de los orificios en dichos dispositivos. Una amplia variedad de materiales de afinador de vacío pueden ser usados para producir los dispositivos 26, 26', ..., incluyendo metales tales como Zr, Ti, Nb, Ta, V, aleaciones entre estos metales o aleaciones de estos metales y uno o más elementos seleccionados entre Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Al, Y, La y tierras raras, tales como aleaciones binarias Ti-V, Zr-V, Zr-Fe y Zr-Ni o aleaciones ternarias Zr-Mn-Fe o Zr-V-Fe, o una mezcla de los metales y aleaciones anteriores. Los materiales de afinador de vacío más comúnmente usados es la aleación que tiene la composición en peso Zr 84% - Al 16%, fabricada y vendida por la Compañía SAES DE AFINADOR DE VACÍOS (Milán, ITALIA) bajo la marca comercial St 101®; la aleación que tiene la composición en peso Zr 70% - V 24.6& - Fe 5.4%, fabricada y vendida por la Compañía SAES DE AFINADOR DE VACÍOS bajo la marca comercial St 707M , o mezclas mecánicas de estas dos aleaciones y Zr o Ti; estas mezclas son preferidas debido a sus buenas propiedades mecánicas, en particular con respecto a la pérdida de partículas. Los dispositivos de afinador de vacío 26, 26',... pueden ser cuerpos hechos solo de material de afinador de vacío, obtenidos por sinterizado en polvo, o pueden consistir de material de afinador de vacío depositado, de acuerdo a una variedad de técnicas, sobre el soporte de metal. La producción de cuerpos sinterizados a partir de polvos es conocida en el campo de metalurgia de polvo, y generalmente comprende los pasos de comprimir los polvos en un molde adecuado y calentar los polvos coagulados hasta que se obtiene una fusión parcial de la superficie de los granos de polvo. Las modificaciones al método con el fin de obtener cuerpos que tienen características específicas, por ejemplo, ser altamente porosos, son descritas, por ejemplo, en la patente estadounidense 5324172 y en la solicitud de patente EP-A-719609, ambas a nombre del solicitante, y en la solicitud de patente EP-A-765012. Las Figuras 3 y 4 muestran dispositivos de afinador de vacío de este tipo. El dispositivo 35 de la Figura 3 es de forma rectangular, y tiene en sus extremos orificios-vías 36,36', proporcionados para el uso de miembros tales como tornillos y tuercas para asegurar el dispositivo a las pantallas a la distancia deseada; obviamente es posible usar otros medios para asegurar el dispositivo a las pantallas, tales como, por ejemplo, un miembro de metal que tiene integrado en el mismo un marco para retener el cuerpo de afinador de vacío y separadores adecuados, los cuales pueden ser asegurados a las pantallas; el dispositivo 40 de la Figura 4 es esencialmente de forma cuadrada y tiene una serie de orificios-vías 31 , 31 ', ... que permiten una fácil conexión entre el área de trabajo 21 y el espacio 25, como se mencionó previamente. Durante el proceso de PVD, la superficie que encara el área 21 está cubierta por el material 16 a ser depositado como una capa delgada en el substrato 19, mientras que la superficie 28 está activa para absorber impurezas. Ya que los cuerpos sinterizados planos que tienen dimensiones laterales mucho mayores que su espesor son complejos para fabricar y tienen una fuerza mecánica baja, cuando se usan estos cuerpos para el sistema de afinador de vacío de la invención, este último está formado de preferencia de un número relativamente mayor de dispositivos de afinador de vacío, teniendo cada uno una superficie considerablemente más pequeña que la pantalla que los tiene asegurados a la misma. Un arreglo de este tipo está representado en la Figura 5, el cual muestra una porción de una pantalla 20 que tiene asegurada a la misma una pluralidad de dispositivos 26, 26', 26", ... de tipo 35; los dispositivos 26, ... , están asegurados a la pantalla a través de miembros de montaje adecuados 37, 37', que también actúan como separadores. Los dispositivos 26, 26',... también pueden hacerse de material de afinador de vacío depositado sobre un soporte de metal. Los dispositivos de este tipo pueden ser producidos de acuerdo a una variedad de técnicas. Una primer manera es la laminación en frío de los polvos de material de afinador de vacío sobre el soporte de metal, de acuerdo a una técnica bien conocida en el campo de metalurgia de polvos. Otra manera es atomizar una suspensión de partículas de afinador de vacío en un solvente adecuado sobre el soporte de metal mantenido caliente, tal como se describe en la solicitud de patente WO 95/23425, a ser referida para detalles de esta técnica. Adicionalmente, el soporte de metal puede ser cubierto por partículas de material de afinador de vacío mediante la técnica electroforética; para detalles de esta técnica, hay que hacer referencia a la patente estadounidense 524559. Finalmente, la deposición de polvos de material de afinador de vacío sobre el soporte de metal puede ser obtenida mediante técnica de impresión de pantalla, tal como se describe en la solicitud de patente publicada de PCT WO 98/03987. El soporte puede hacerse de cualquier metal capaz de soportar temperaturas de aproximadamente 600°C, que pueden ser necesarias para la activación del material de afinador de vacío, y preferiblemente no ser ferromagnético, con el fin de evitar interferencias con los campos magnéticos usados algunas veces en los procesos de PVD. Se prefiere el uso de aleaciones de acero o níquel-cromo. El espesor del soporte puede variar dentro de un amplio rango, y generalmente varía desde 0.1 hasta 1 mm; fuera de la estabilidad mecánica, el espesor del soporte aumenta preferiblemente al incrementar las dimensiones laterales del dispositivo de afinador de vacío 26. El espesor del depósito de material de afinador de vacío 29 en el dispositivo 26 puede variar dentro de un amplio rango, pero, fuera de la conveniencia de producción y estabilidad mecánica del depósito, este espesor generalmente desde aproximadamente 20 hasta 500 µm. En este caso los dispositivos de afinador de vacío son montados sobre las pantallas de manera que la superficie del material de afinador de vacío encara estos últimos. A diferencia del caso antes mencionado, en donde el sistema de afinador de vacío está formado de cuerpos sinterizados, cuando los dispositivos de afinador de vacío son obtenidos al depositar el material de afinador de vacío sobre un soporte de metal, el sistema es formado preferiblemente de un número relativamente pequeño de tales dispositivos, teniendo cada uno una superficie similar a aquélla de la pantalla teniéndolos asegurados a la misma, de manera que uno, o dos cuando mucho, de estos dispositivos estén asegurados a cada pantalla. La producción de dispositivos de este tipo, teniendo una superficie relativamente grande, es fácil y permite ahorrar tiempos y costos tanto para fabricar los dispositivos de afinador de vacío como para asegurarlos a las pantallas. La Figura 6 muestra una modalidad posible de dispositivos de afinador de vacío obtenidos al depositar materiales de afinador de vacío sobre un soporte de metal. El dispositivo 60 está formado de un soporte de metal esencialmente plano 61 que tiene depositado en una superficie 62 del mismo material de afinador de vacío 29 (la Figura muestra solo una cubierta parcial hecha de material de afinador de vacío); el dispositivo tiene una pluralidad de orificios 31 , 31 ', ...; el soporte 61 tiene preferiblemente distorsiones, tales como, por ejemplo, bordes levantados 63, 63', mostrados en la Figura o miembros similares, que actúan como separadores entre el dispositivo y la pantalla que tiene el dispositivo asegurado a la misma. Como se mencionó previamente, los orificios 31 , 31 ',... pueden ser de forma regular o no, y pueden arreglarse en el soporte 61 como una red regular o no, siendo preferida la primera manera para una producción automatizada más fácil. Una manera posible de montar una pantalla de una cámara de PVD y un dispositivo de afinador de vacío que es parte de un sistema de acuerdo a la invención, está representada en la Figura 7, mostrando una pantalla 20 que tiene asegurada a la misma un dispositivo 26 simple del tipo 60; el dispositivo 26 puede ser asegurado a la pantalla a través de miembros de montaje mecánicos adecuados, tales como tornillo, o a través de puntos de soldadura 70, 70', ... , en el borde 63 del dispositivo de afinador de vacío. Los dispositivos de afinador de vacío requiere para su trabajo una activación, consistiendo generalmente en el calentamiento, por una variedad de medios, a temperaturas de al menos 300°C. Esta operación puede hacerse durante los pasos preparatorios de la cámara en trabajo, tal como por ejemplo, el calentamiento de la cámara completa para desgasificar las paredes y obtener un mejor vacío resultante. De otra manera, la activación de dispositivo de afinador de vacío puede ser obtenida durante las operaciones de la deposición de material sobre los substratos disponibles, realizadas para limpiar la superficie del objetivo 15, las cuales generalmente están contaminadas antes de cada paso de deposición; estas operaciones generalmente resultan en un calentamiento de la cámara suficiente para la activación de afinador de vacío. Por el sistema de afinador de vacío de la invención, se obtiene otra ventaja en el caso de que el material a ser depositado (16) sea titanio. El titanio, depositado como capas delgadas, es bien conocido como material de afinador de vacío. Durante la deposición de titanio en las cámaras para deposición física de vapor, algo de metal es depositado también sobre las paredes del área de trabajo, incluyendo las pantallas. En particular, esta capa delgada absorbe el hidrógeno en la atmósfera de trabajo, y, debido a esta absorción, primero se hincha y después se suelta de las superficies sobres las cuales están en forma de microcapas de metal; estas podrían alcanzar el substrato siendo procesado, afectando de esta manera su calidad y contribuyendo al porcentaje de desperdicio. Por el contrario, mediante el sistema de la invención, el hidrógeno es absorbido preferiblemente por el material de afinador de vacío, superando de esta manera la desventaja que ocurre en las cámaras comunes para la deposición física de vapor.

Claims (24)

REIVINDICACIONES

1. Un sistema de afinador de vacío (24) para purificar la atmósfera gaseosa del área de trabajo (21) en los procesos de deposición física de vapor, formada de uno o más dispositivos de afinador de vacío esencialmente planos (26, 26', ... ; 35; 40; 60) insertados dentro de dicha área en un arreglo tal que dichos dispositivos de afinador de vacío son esencialmente paralelos y separados con respecto a las pantallas (20, 20', ...) las cuales definen el área de trabajo y que ese espacio (25) entre los dispositivos de afinador de vacío y las pantallas está conectado al área de trabajo, estando dichos dispositivos de afinador de vacío de manera que al menos la superficie (28) que encara las pantallas está hecha de material de afinador de vacío (29).

2. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 1 , en donde la fracción de ocupación de la superficie (27) de los dispositivos de afinador de vacío que encaran el área de trabajo varía de desde 70 hasta 99% de la superficie disponible.

3. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 2, en donde dicha fracción de ocupación es obtenida al arreglar en el área de trabajo los dispositivos de afinador de vacío con el fin de no tener contacto uno con otro.

4. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 2, en donde dicha fracción de ocupación es obtenida al usar dispositivos de afinador de vacío teniendo una superficie discontinua.

5. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 2, en donde dicha fracción de ocupación es obtenida al arreglar en los dispositivos de afinador de vacío de área de trabajo teniendo una superficie discontinua con el fin de no tener contacto uno con otro.

6. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 2, en donde dicha fracción de ocupación varía desde 80 hasta 95%.

7. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 1 , en donde la distancia entre los dispositivos de afinador de vacío y las pantallas varía desde 1 mm a 5 cm.

8. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 1 , en donde el material de afinador de vacío es seleccionado entre los metales Zr, Ti, Nb, Ta, V, las aleaciones entre dichos metales, las aleaciones de dichos metales y uno o más metales seleccionados entre Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Al, Y, La y tierras raras, las mezclas de dichos metales y dichas aleaciones.

9. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 8, en donde el material de afinador de vacío es la aleación que tiene composición en peso Zr 84% - Al 16%.

10. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 8, en donde el material de afinador de vacío es la aleación que tiene la composición en peso Zr 70% - V 24.6% - Fe 5.4%.

1 1 . Un sistema de acuerdo a la reivindicación 8, en donde el material de afinador de vacío es una mezcla de la aleación que tiene una composición en peso Zr 84% - Al 16% y un metal seleccionado entre Zr y Ti.

12. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 8, en donde el material de afinador de vacío es una mezcla de la aleación teniendo una composición en peso Zr 70% - V 24.6% - Fe 5.4% y un metal seleccionado entre Zr y Ti.

13. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 1 , en donde los dispositivos de afinador de vacío están hechos solos de material de afinador de vacío (35; 40).

14. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 13, en donde dichos cuerpos de afinador de vacío son obtenidos mediante sinterizado en polvo.

15. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 1 , en donde los dispositivos de afinador de vacío son formados de un depósito de material de afinador de vacío sobre un soporte (61 ) hecho de un metal capaz de soportar tratamientos térmicos hasta 600°C.

16. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 15, en donde el metal que forma el soporte no es ferromagnético.

17. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 15, en donde el soporte está hecho de acero.

18. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 15, en donde el soporte está hecho de una aleación de níquel-cromo.

19. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 15, en donde el material de afinador de vacío es depositado sobre el soporte de metal mediante laminación en frío.

20. Un sistema de afinador de Vacío de acuerdo a la reivindicación 15, en donde el material de afinador de vacío es depositado sobre el soporte de metal mediante técnica de atomización.

21 . Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 15, en donde el material de afinador de vacío es depositado sobre el soporte de metal mediante técnica electroforética.

22. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 15, en donde el material de afinador de vacío es depositado sobre el soporte de metal mediante técnica de impresión de pantalla.

23. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 15, en donde el soporte tiene un espesor que varía desde 0.1 a 1 mm.

24. Un sistema de afinador de vacío de acuerdo a la reivindicación 15, en donde el depósito de material de afinador de vacío tiene un espesor que varía desde 20 hasta 500 µm.