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WO1999009585B1 - Semiconductor substrate and semiconductor device - Google Patents

Semiconductor substrate and semiconductor device

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WO1999009585B1
WO1999009585B1 PCT/JP1998/003577 JP9803577W WO9909585B1 WO 1999009585 B1 WO1999009585 B1 WO 1999009585B1 JP 9803577 W JP9803577 W JP 9803577W WO 9909585 B1 WO9909585 B1 WO 9909585B1
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thin film
silicon
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Claims

補正書の請求の範囲 ― [1999年 2月 10日 （10. 02. 99 ) 国際事務局受理：出願当初の請求の 範囲 1— 15は補正された請求の範囲 1—20に置き換えられた。 （3頁） ]
( 1 ) (補正後） 電気伝導性の単結晶の炭化珪素結晶の表面にヘテロ ェピタキシャル成長させた単結晶珪素薄膜を含む半導体基板であって、 前 記炭化珪素結晶が 3 C - S i Cであ り、 前記珪素薄膜が結晶成長する前記 炭化珪素結晶の表面がほぼ （ 0 0 1 ) 面であるこ とを特徴とする半導体基 板。
( 2 ) (補正後） 請求項 1の半導体基板であって、 前記炭化珪素結晶 が 3 C— S i Cであ り、 前記珪素薄膜が結晶成長する前記炭化珪素結晶の 表面が （ 0 0 1 ) 面のオフカツ ト面であって、 前記表面に存在する （ 0 0 1 ) テラスの幅が 1 n m以上であるこ とを特徴とする半導体基板。
( 3 ) (補正後） 請求項 1の半導体基板であって、 前記炭化珪素結晶 が 3 C - S i Cであ り、 前記珪素薄膜が結晶成長する前記炭化珪素結晶の 表面が （ 0 0 1 ) 面から 0. 0 5 ° 以上、 かつ 1 0 ° 以下傾いたオフカツ ト面であるこ とを特徴とする半導体基板。
( 4 ) (補正後） 電気伝導性の単結晶の炭化珪素結晶の表面にヘテロ ェピタキシャル成長させた単結晶珪素薄膜を含む半導体基板であって、 前 記炭化珪素結晶が 3 C _ S i Cであ り、 前記珪素薄膜が結晶成長する前記 炭化珪素結晶の表面がほぼ { 1 1 1 } 面であるこ とを特徴とする半導体基 板。
( 5 ) (補正後） 請求項 4の半導体基板であって、 前記炭化珪素結晶 が 3 C - S i Cであ り、 前記珪素薄膜が結晶成長する前記炭化珪素結晶の 表面が { 1 1 1 } 面のオフカッ ト面であって、 前記表面に存在する { 1 1 1 } テラスの幅が 1 nm以上であるこ とを特徴とする半導体基板。
( 6 ) (補正後） 請求項 4の半導体基板であって、 前記炭化珪素結晶 が 3 C— S i Cであ り、 前記珪素薄膜が結晶成長する前記炭化珪素結晶の 表面が { 1 1 1 } 面から 0 . 0 5 ° 以上、 かつ 1 0 ° 以下傾いたオフカ ツ ト面であることを特徴とする半導体基板。
15
補正された用紙 (条約第 19条）
( 7 ) (補正後） 電気伝導性の単結晶の炭化珪素結晶の表面にヘテロ ェピタキシャル成長させた単結晶珪素薄膜を含む半導体基板であって、 前 記炭化珪素結晶がひ 一 S i Cであ り、 前記珪素薄膜が結晶成長する前記炭 化珪素結晶の表面がほぼ { 0 0 0 1 } 面であるこ とを特徴とする半導体基 板。
( 8 ) (補正後） 請求項 7の'半導体基板であって、 前記炭化珪素結晶 がひ 一 S i Cであ り、 前記珪素薄膜が結晶成長する前記炭化珪素結晶の表 面が { 0 0 0 1 } 面のオフカ ヅ ト面であって、 前記表面に存在する { 0 0 0 1 } テラスの幅が 1 nm以上であるこ とを特徴とする半導体基板。
( 9 ) (補正後） 請求項 7の半導体基板であって、 前記炭化珪素結晶 がひ一 S i Cであ り、 前記珪素薄膜が結晶成長する前記炭化珪素結晶の表 面が { 0 ◦ 0 1 } 面から 0 . 0 5 ° 以上、 かつ 1 0 ° 以下傾いたオフカ ツ ト面であるこ とを特徴とする半導体基板。
( 1 0 ) (補正後） 電気伝導性の炭化珪素結晶の表面に結晶成長させ た珪素薄膜を含む電界効果型半導体素子であって、 前記炭化珪素結晶が、 出力電流経路中に設けられ、 ソース電極が、 出力電流経路における前記珪 素薄膜側に設けられる一方、 ド レ イ ン電極が、 出力電流経路における前記 炭化珪素結晶側に設けられているこ とを特徴とする半導体素子。
( 1 1 ) (補正後） 電気伝導性の炭化珪素結晶の表面に結晶成長させ た珪素薄膜を含むバイ ポーラ型半導体素子であって、 前記炭化珪素結晶 が、 出力電流経路中に設けられ、 エミ ッ夕電極が、 出力電流経路における 前記珪素薄膜側に設けられる一方、 コ レクタ電極が、 出力電流経路におけ る前記炭化珪素結晶側に設けられているこ とを特徴とする半導体素子。
( 1 2 ) (補正後） 請求項 1 0の半導体素子であって、 前記前記炭化 珪素結晶が 3 C - S i Cであ り、 前記珪素薄膜が結晶成長する前記炭化珪 素結晶の表面がほぼ （ 0 0 1 ) 面であるこ とを特徴とする半導体素子。
( 1 3 ) (補正後） 請求項 1 0の半導体素子であって、 前記前記炭化 珪素結晶が 3 C— S i Cであ り、 前記珪素薄膜が結晶成長する前記炭化珪
16
ϋ正された用紙 (条約第 19条） 素結晶の表面がほぼ { 1 1 1 } 面であるこ とを特徴とする半導体素子。
( 1 4 ) (補正後） 請求項 1 0の半導体素子であって、 前記前記炭化 珪素結晶がひ一 S i Cであ り、 前記珪素薄膜が結晶成長する前記炭化珪素 結晶の表面がほぼ { 0 0 0 1 } 面である こ とを特徴とする半導体素子。 ( 1 5 ) (補正後） 請求項 1 1の半導体素子であって、 前記前記炭化 珪素結晶が 3 C— S i Cであ り 、 前記珪素薄膜が結晶成長する前記炭化珪 素結晶の表面がほぼ （ 0 0 1 ) 面であるこ とを特徴とする半導体素子。
( 1 6 ) (補正後） 請求項 1 1の半導体素子であって、 前記前記炭化 珪素結晶が 3 C— S i Cであ り、 前記珪素薄膜が結晶成長する前記炭化珪 素結晶の表面がほぼ { 1 1 1 } 面であるこ とを特徴とする半導体素子。
( 1 7 ) (補正後） 請求項 1 1の半導体素子であって、 前記前記炭化 珪素結晶がひ一 S i Cであ り 、 前記珪素薄膜が結晶成長する前記炭化珪素 結晶の表面がほぼ { 0 0 0 1 } 面であるこ とを特徴とする半導体素子。
( 1 8 ) (補正後） 請求項 1の半導体基板であって、 前記炭化珪素結 晶が珪素結晶の表面に形成されているこ とを特徴とする半導体基板。
( 1 9 ) (補正後） 請求項 4の半導体基板であって、 前記炭化珪素結 晶が珪素結晶の表面に形成されているこ とを特徴とする半導体基板。
( 2 0 ) (補正後） 請求項 7の半導体基板であって、 前記炭化珪素結 晶が珪素結晶の表面に形成されている こ とを特徴とする半導体基板。
17
補正された用紙 (条約第 19条） 条約 1 9条に基づく説明書
請求の範囲第 1 〜 6 (元 3 ~ 8 ) 項は、 請求の範囲第 1 、 4項が、 元の 第 3 、 6 項を独立の請求の範囲にする と と も に、 結晶方位に関する限定が オフ カ ッ ト面を含む意味である こ とを明確にする よう に変更 した ものであ り 、 他の請求の範囲第 2 、 3 、 5 、 6 (元 4 、 5 、 7 、 8 ) 項を、 これ ら に従属する よ う に変更 したものである。 JP09- 172159A, JP09-181355A, JP6 2-216217A, JP09-82643A には、 いずれにも、 このよ う に、 炭化珪素結晶の 表面に珪素薄膜をへテロェピタキシャル成長させた半導体素子であって、 結晶性の良好な珪素薄膜が得 られる よ う な炭化珪素結晶の結晶方位等につ いては開示されていない。
請求の範囲第 ？ 〜 9項は、 元の第 9 〜 1 1 項を上記請求の範囲第 1 〜 6 項と同様に変更 したものである。 JP09-172159A には、 こ のよ う に、 炭化珪 素結晶の表面に珪素薄膜をへテ ロェピタ キシ ャル成長させた半導体素子で あって、 結晶性の良好な珪素薄膜が得 られる よ う な炭化珪素結晶の結晶方 位等については開示されていない。 ま た、 JP08- 51110A は、 炭化珪素基板 上に形成された酸化珪素絶縁膜を開示 している。
請求の範囲第 1 0 、 1 1 項は、 元の第 1 4 、 1 5項を独立の請求の範囲 に変更 したものである。
請求の範囲第 1 2 〜 1 7項は、 請求の範囲第 1 0、 1 1 (元 1 4、 1 5 ) 項を引用 して、 炭化珪素結晶の結晶方位について限定 した請求の範囲を追 加 したものである。
請求の範囲第 1 8 〜 2 0項は、 上記請求の範囲第 1 〜 9 (元 3 〜 1 1 ) 項の変更に伴い、 削除前の請求の範囲第 1 2 項と 同様の内容を、 請求の範 囲第 1 、 4、 7項を引用する表現で追加 した ものである。 JP09- 172159A に は、 炭化珪素結晶の表面に珪素薄膜をへテ ロ ェ ピタキシ ャル成長させた半
18 導体素子であって、 結晶性の良好な珪素薄膜が得 られる よ う な炭化珪素結 晶の結晶方位等については開示されていない。
1 9
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