TWI912491B - 資訊取得系統及資訊取得方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供資訊取得系統及資訊取得方法，防止發生因位於藉由基板處理裝置處理的基板附近之構件配置於不適當的位置所造成之處理的狀況不佳。構成一種資訊取得系統，取得關於用來處理基板固持部所固持的基板之基板處理裝置的資訊；該資訊取得系統具備：基體，取代該基板，藉由該基板固持部加以固持；以及複數位置感測器，為了檢測位於該基體之外側的共通檢測對象物之位置，以使檢測方向彼此成為不同方向的方式設置於該基體。

Description

資訊取得系統及資訊取得方法

本發明係關於資訊取得系統及資訊取得方法。

於半導體元件之製程中，將半導體晶圓（下稱晶圓）在收納於載具之狀態下往基板處理裝置搬運，接受處理。作為此處理，例如可列舉由塗布液的供給所進行之塗布膜的形成、顯影等液體處理。在進行該液體處理時，對收納於杯體內之晶圓從噴嘴供給處理液。於專利文獻1記載一種具備杯體的顯影裝置，該杯體具有和晶圓之底面相對向的環狀突起。 [習知技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開2020－13932號公報

[本發明所欲解決的問題] 本發明之目的在於防止發生因位於藉由基板處理裝置處理的基板附近之構件配置於不適當的位置所造成之處理的狀況不佳。  [解決問題之技術手段]

本發明之資訊取得系統，取得關於用來處理基板固持部所固持的基板之基板處理裝置的資訊； 該資訊取得系統中，具備：基體，取代該基板，藉由該基板固持部加以固持；以及 複數位置感測器，為了檢測位於該基體之外側的共通檢測對象物之位置，以使檢測方向彼此成為不同方向的方式設置於該基體。 [本發明之效果]

本發明，可防止因位於藉由基板處理裝置處理的基板附近之構件配置於不適當的位置所造成之處理的狀況不佳。

於圖1顯示本發明之一實施形態的資訊取得系統1。資訊取得系統1，由基板處理裝置2、檢查用晶圓6及運算裝置9構成。若描述資訊取得系統1之概要，則於基板處理裝置2設置光阻膜形成模組3，對圓形基板即晶圓W施行光阻膜之形成、及EBR（Edge Bead Removal, 邊珠去除）。EBR，係從噴嘴噴吐溶劑，將形成在晶圓W之表面全體的膜（在本實施形態中為光阻膜）中被覆該晶圓W之周緣部的部位限定地去除之處理。

將檢查用晶圓6，取代晶圓W而藉由基板處理裝置2之搬運機構往光阻膜形成模組3搬運，藉由搭載的各種感測器及相機，施行位於接近晶圓W之周圍（＝檢查用晶圓6之周圍）的位置之各種構件的檢測、拍攝。將取得的檢測訊號及影像資料往運算裝置9無線發送，進行各種運算、訊號處理及顯示，藉此，作業員可施行該接近之構件的位置是否適當之檢查。該接近之構件，具體而言，為包圍晶圓W之杯體4的構成構件、及EBR用噴嘴。

以下，針對基板處理裝置2詳細地予以說明。基板處理裝置2，由載具區塊D1與處理區塊D2構成。載具區塊D1與處理區塊D2左右排列，彼此連接。晶圓W，在收納於搬運容器即載具C的狀態下，藉由未圖示之載具C用搬運機構往載具區塊D1搬運。載具區塊D1，具備載置載具C之平台21。此外，於載具區塊D1，設置開閉部22及搬運機構23。開閉部22，將形成在載具區塊D1的側壁之搬運口開啟關閉。搬運機構23，對平台21上的載具C，經由上述搬運口而施行晶圓W之搬運。

處理區塊D2，具備沿左右方向延伸的晶圓W之搬運路24、及設置於該搬運路24之搬運機構25。藉由該搬運機構25及上述搬運機構23，在載具C與設置於處理區塊D2的各處理模組之間搬運晶圓W。處理模組，於搬運路24之前方側、後方側，分別在左右排列設置複數個。後方側的處理模組為加熱模組26，施行用於將光阻膜中的溶劑去除之加熱處理。前方側的處理模組為光阻膜形成模組3。此外，於搬運路24的靠近載具區塊D1之位置，設置臨時載置晶圓W的傳遞模組TRS。經由該傳遞模組TRS，在載具區塊D1與處理區塊D2之間傳遞晶圓W。

接著，參考圖2的縱斷前視圖及圖3的俯視圖，並對光阻膜形成模組3予以說明。光阻膜形成模組3，具備基板固持部即旋轉吸盤31；該旋轉吸盤31，吸附晶圓W之背面側中央部而水平地固持。旋轉吸盤31，經由鉛直延伸的軸32而與旋轉機構33連接，藉由該旋轉機構33使旋轉吸盤31所固持的晶圓W繞鉛直軸而旋轉。此外，設置包圍軸32之圓形的圍板34，以貫通該圍板34之方式設置3根沿鉛直方向延伸的升降銷35（在圖2僅顯示2根）。藉由包含脈衝馬達之升降機構36使升降銷35升降，在旋轉吸盤31與前述搬運機構25之間傳遞晶圓W。升降銷35，構成支持晶圓W及檢查用晶圓6的支持部。

以從旋轉吸盤31所固持的晶圓W之周緣部的下側起至側方包圍該晶圓W之方式，設置圓形的杯體4；該杯體4，由杯體本體41、下側引導部42、中間引導部43、及上側引導部44構成。杯體本體41形成為構成沿著晶圓W之周部的圓環狀凹部，接收從晶圓W落下或飛散之處理液（光阻劑及溶劑）。將構成杯體本體41的各部，顯示為外圓筒部41A、底部本體41B、及內圓筒部41C。外圓筒部41A、內圓筒部41C為豎起的筒狀構件，構成上述圓環狀凹部之側壁。底部本體41B為將外圓筒部41A之下端與內圓筒部41C之下端連接的水平環狀板，構成圓環狀凹部之底部。於底部本體41B，設置用於將杯體4內排氣的排氣管45A，並使用於從上述凹部將處理液排液的排液口45B開口。

接著，對下側引導部42加以描述，此下側引導部42，係形成為從前述圍板34之周緣部上起，通過內圓筒部41C上而向外圓筒部41A延展的圓環構件，位於旋轉吸盤31所固持的晶圓W之下方。而下側引導部42之頂面，形成為傾斜面42A、42B；傾斜面42A，相較於傾斜面42B位於更接近杯體4之中心側。傾斜面42A隨著朝向杯體4之外方而往上，傾斜面42B隨著朝向杯體4之外方而往下，藉以將下側引導部42之縱斷面形成為山型。傾斜面42B，將從晶圓W落下或飛散而附著的處理液，引導往底部本體41B流下。

傾斜面42A、42B所形成的山型之頂部，往上方突出而形成環狀突起46；該環狀突起46，沿著前述旋轉吸盤31所載置的晶圓W之周部並接近該晶圓W之周緣部。環狀突起46，防止往晶圓W之表面供給的處理液迴流至晶圓W之背面而附著在晶圓W之靠近中心的位置、或處理液之霧氣附著在晶圓W的背面之靠近中心的位置。下側引導部42之高度，可對圍板34及杯體本體41調整，因此，環狀突起46之高度成為可對晶圓W的底面調整。圖2中，將環狀突起46與晶圓W之底面的距離（使其為杯體分隔距離）顯示為H0。

構成杯體4之中間引導部43，係以俯視時包圍晶圓W的方式配置之圓環狀構件，具備安裝在外圓筒部41A的內周面之垂直壁43A、及從垂直壁43A的上端向杯體4的中心側往斜上方伸出之傾斜部43B。另，於傾斜部43B，使液體排出用的貫通孔43C在縱向穿孔。此外，關於構成杯體4之上側引導部44，亦為以俯視時包圍晶圓W的方式配置之圓環狀構件。上側引導部44，具備安裝於外圓筒部41A的內周面之垂直壁44A、從垂直壁的上端向杯體4的中心部水平地伸之水平部44B、及從水平部44B的前端往垂直上方延伸之筒狀的口壁44C。垂直壁44A，設置於較中間引導部43之垂直壁43A更為上方；水平部44B，設置於較中間引導部43之傾斜部43B更為上方。

關於此等上側引導部44及中間引導部43，藉由在周向中之複數位置安裝於外圓筒部41A，而可變更高度及傾斜。此外，設置從斜上方拍攝上述杯體4的相機49。藉由作為第1拍攝部的相機49，可取得俯瞰杯體4之上部側（亦即上側引導部44）的影像資料。

而後，針對設置於光阻膜形成模組3的光阻劑供給機構5A及EBR處理機構5B予以說明。光阻劑供給機構5A，具備光阻劑供給噴嘴51A、光阻劑供給部52A、機械臂53A、移動機構54A及待機部55A。光阻劑供給噴嘴51A，將從光阻劑供給部52A壓送的光阻劑往鉛直下方噴吐。機械臂53A，支持光阻劑供給噴嘴51A，構成為藉由移動機構54A而可任意升降且任意水平移動。於杯體4之外側，設置往上方開口的待機部55A；光阻劑供給噴嘴51A，藉由移動機構54A，在待機部55A的開口內與杯體4內之間移動。移動至杯體4內的光阻劑供給噴嘴51A，對旋轉的晶圓W之中心部上噴吐光阻劑，藉由旋轉塗布而在晶圓W之表面全體形成光阻膜。

EBR處理機構5B，具備溶劑供給噴嘴51B、溶劑供給部52B、機械臂53B、移動機構54B及待機部55B。溶劑供給噴嘴51B為EBR用噴嘴，將從溶劑供給部52B壓送的溶劑，從晶圓W之中心側向斜下方往周緣側噴吐。亦即，往對鉛直方向傾斜的方向噴吐溶劑。機械臂53B，支持溶劑供給噴嘴51B，構成為藉由移動機構54B而可任意升降且可任意水平移動。於杯體4之外側，設置往上方開口的待機部55B；溶劑供給噴嘴51B，藉由移動機構54B，在待機部55B的開口內與杯體4內之晶圓W上方的處理位置之間移動。另，圖3以實線表示移動至處理位置之狀態的溶劑供給噴嘴51B；前述EBR，係藉由對旋轉的晶圓W從該處理位置中的溶劑供給噴嘴51B噴吐溶劑而施行。

例如，溶劑供給噴嘴51B，以可任意調整其高度的方式對機械臂53B安裝。因此，可任意調整圖2所示之處理位置中的溶劑供給噴嘴51B與晶圓W之表面的距離（使其為噴嘴分隔距離）H1，藉由此一噴嘴分隔距離H1的變更，而改變從溶劑供給噴嘴51B噴吐出的溶劑之在晶圓W的液體附著位置。另，雖僅於圖3顯示，但在杯體4附近，設置可向該杯體4照射光線的照明部48。在相機82所進行的溶劑供給噴嘴51B之拍攝時，藉由該照明部48對溶劑供給噴嘴51B照射光線。

基板處理裝置2，具備由電腦構成之控制部20（參考圖1），安裝有收納在光碟、硬碟、記憶卡及DVD等記錄媒體的程式。將命令（各步驟）建置於程式，俾藉由安裝的程式，對基板處理裝置2之各部輸出控制訊號。而後，藉由此等控制訊號，施行以搬運機構23與25進行的晶圓W之搬運、以各處理模組進行的晶圓W之處理。

另，針對光阻膜形成模組3進一步說明。使從旋轉吸盤31所固持之晶圓W的底面起至中間引導部43之傾斜部43B的上端為止之高度為中間引導部高度H2，使從旋轉吸盤31上之晶圓W的底面起至上側引導部44之口壁44C的上端為止之高度為上側引導部高度H3（參考圖2）。因此，此等引導部高度（中間引導部高度H2及上側引導部高度H3），係從旋轉吸盤31的頂面（晶圓W的載置面）起至中間引導部43、上側引導部44所形成的各開口緣為止之高度。

關於上側引導部44、中間引導部43，有因杯體4之組裝時或調整時的錯誤而高度異常地安裝至杯體本體41之情況。作為此高度異常，亦包含因傾斜地安裝於杯體本體41，而使周向的僅一部分之高度變得異常的情況。在如此地高度異常的狀態下，有無法獲得期望的排氣性能而使晶圓W之處理變得不良、處理液之霧氣往杯體4外飛散的疑慮。此外，上側引導部44之高度異常的情況，亦有干涉通過杯體4上之各噴嘴的疑慮。

作為以上述檢查用晶圓6進行的檢查之一者，可列舉中間引導部高度H2及上側引導部高度H3的取得。關於此引導部高度H2、H3，係藉由搭載於檢查用晶圓6之接近感測器57，分別檢測構成中間引導部43的傾斜部43B之上端（下稱中間引導部43之上端）、構成上側引導部44的口壁44C之上端（下稱上側引導部44之上端）而取得。此外，取得引導部高度H2、H3時，亦藉由利用搭載於檢查用晶圓6之接觸感測器58，而指定旋轉吸盤31上的晶圓W之底面的位置。此接觸感測器58，例如為加速度迴轉感測器。

沿著檢查用晶圓6之周部設置3個接近感測器57，將中間引導部43之上端、上側引導部44之上端，分別藉由接近感測器57檢測周向彼此不同的3個點，藉以將引導部高度H2、H3取得各3個，其細節將於之後詳述。如此地，使分別包圍晶圓W之中間引導部43、上側引導部44，各自為位置感測器即3個接近感測器57所共通的檢測對象物。另，引導部43、44（中間引導部43、上側引導部44），相對於藉由升降銷35在旋轉吸盤31上升降的晶圓W，位於俯視時外側。因此，相對於如同後述地藉由升降銷35在旋轉吸盤31上升降的檢查用晶圓6之基體61，亦位於俯視時外側。

說明如同上述地藉由複數個（本例中為3個）接近感測器57，檢測包圍晶圓W的檢測對象物之複數點的理由。此係因具有如同前述地中間引導部43及／或上側引導部44分別傾斜地安裝的情況，或具有旋轉吸盤31之頂面對於水平面傾斜，而致使在其頂面之各部水準有所不同的情況之緣故。亦即，具有旋轉吸盤31對於構成杯體4之各構件傾斜的情況。因而，有引導部高度H2、H3在杯體4的周向之各部不同，周向之一部分正常，另一方面，另一部分異常的情況。因此，藉由如同前述地檢測複數點，從各檢測點取得引導部高度H2、H3，而可正確地檢測中間引導部43及上側引導部44之高度的異常。作業員，依循取得之3個中間引導部高度H2、3個上側引導部高度H3，因應必要而調整上側引導部44及／或中間引導部43的周向之各高度。藉此，可將源自於上側引導部44及中間引導部43的高度異常之處理的狀況不佳之發生防範於未然。

此外，檢查用晶圓6，具有施行以搭載的相機81、82進行之拍攝，取得用於檢測分隔距離H0、H1（杯體分隔距離H0及噴嘴分隔距離H1）的影像資料之作用。若在杯體分隔距離H0不適當的狀態下對晶圓W施行處理，則有環狀突起46接觸晶圓W而使該晶圓W之背面損傷、環狀突起46因距離晶圓W過遠而未充分達到其作用的疑慮。此外，若在噴嘴分隔距離H1不適當的狀態下對晶圓W施行處理，則溶劑供給噴嘴51B接觸晶圓W而使晶圓W損傷、發生因液體附著位置的異常而造成之光阻膜的去除區域之寬度的異常。作業員，依循取得之分隔距離H0、H1，因應必要而調整設置環狀突起46的下側引導部42之高度及／或溶劑供給噴嘴51B之高度。藉此，可將前述各異常的發生防範於未然。

進一步，於檢查用晶圓6具備接觸式的干涉偵測部；此干涉偵測部，檢測是否與第1干涉偵測對象構件即環狀突起46、第2干涉偵測對象構件即處理位置的溶劑供給噴嘴51B發生干涉。亦即，藉由此干涉之檢測，亦成為可取得關於上述杯體分隔距離H0、噴嘴分隔距離H1各自是否較適當範圍更小的資訊之構成。

以下，參考圖4、圖5、圖6的縱斷側視圖及圖7的俯視圖，並針對檢查用晶圓6之構成予以說明。圖4～圖6顯示彼此不同的位置之縱斷側面。另，在圖7中，將圖4～圖6所示之一部分的構成要素省略。檢查用晶圓6，具備圓形的基體61、及基板62。基體61為與晶圓W相同大小的基板，其底面與晶圓W之底面同樣地構成為平坦面。因此，基體61，與晶圓W同樣地，可施行以搬運機構23與25進行之搬運、及以旋轉吸盤31進行之吸附固持。亦即，將檢查用晶圓6取代晶圓W而吸附固持在旋轉吸盤31；圖5～圖7，顯示如此地吸附固持之狀態的檢查用晶圓6。

於基體61之上側，堆疊設置基板62。該基板62，具備設置於基體61之中央部上的本體部63。另，在圖7及後述圖8中，為了圖示方便而將本體部63顯示為圓形，但不限於圓形，可使其為任意形狀。於該本體部63上設置各種電路零件及機器，在圖中整合為一而顯示為零件群64。作為構成零件群64的零件及機器，包含CPU、以無線方式收發各種資料（包含訊號）之通訊機器等。以各感測器或相機取得的資料，可藉由此通訊機器而往運算裝置9無線發送。此外，可將成為用於經由此通訊機器而取得該資料之觸發點的訊號，往各相機或各感測器發送。另，如同後述，相機81與82、接近感測器57等，搭載於基板62以外的基板，但可經由將基板彼此連接之引線60，而如此地進行往運算裝置9之資料發送、觸發訊號之接收。

於上述本體部63上，設置接觸感測器58。此外，於基體61之中央部設置電池65，用於對零件群64、各感測器、各相機、及後述照明部85供給電力。該電池65及上述零件群64，配置於基體61之中央部。

亦參考顯示基體61之概略立體圖的圖8而予以說明。於基體61之周緣部，設置上述3個接近感測器57。另，為了說明方便，有對於此3個接近感測器57，彼此區別記載為57A、57B、57C的情況。接近感測器57，例如為反射型之光學感測器，各自以沿著基體61之徑向且朝向基體61之外側的方式照射紅外線雷射光，依據來自偵測對象物之反射光而將檢測訊號輸出。因此，3個接近感測器57之檢測方向為彼此不同的方向，且為基體61之徑向外側。3個接近感測器57，從基體61之中心部起各自等距離地設置，且沿著基體61之周向等間隔地配置。另，圖中，50係為了在基體61上分別支持接近感測器57而豎起設置的基板，配合接近感測器57之配置而在周向彼此分離地設置。

於圖8中，將沿著基體61之直徑的假想線顯示為6A。如同前述，藉由將接近感測器57在周向分離地設置，而使接近感測器57分別位於以假想線6A二等分的基體61之一方的區域、及另一方的區域。成為此等接近感測器57之配置，係為了以抑制前述旋轉吸盤31之相對於中間引導部43及上側引導部44的傾斜之影響的方式施行異常檢測之緣故。若更詳細地描述，則發明人認為例如由於旋轉吸盤31之頂面對水平面傾斜，而將檢查用晶圓6，以上述基體61之一方的區域變低，另一方的區域變高之方式載置。然則，即便為此一情況，仍可參考從該一方的區域之接近感測器57、及另一方的區域之接近感測器57分別獲得的引導部高度H2、H3，對於中間引導部43及上側引導部44判定有無高度異常，故可抑制因上述傾斜而造成的判定失誤之發生，提高該異常的檢測精度。

另，圖4中，以點線之箭頭表示從接近感測器57照射的雷射光。此外，在圖4中，將此雷射光所產生之可檢測物體的位置與基體61的底面之高度，顯示為校正高度H4。將此校正高度H4，使用在引導部高度H2、H3的算出，故先利用治具等取得。

另，若針對基體61上之基板62進一步說明，則將構成該基板62的本體部63，對基體61固定。此本體部63之周緣的一部分，向本體部63之周緣伸長，形成沿著基體61之徑向的細長之梁狀體66。於基體61之周緣部，在與此梁狀體66之前端側重疊的位置，形成於厚度方向貫通該基體61之貫通孔67。該貫通孔67，形成將基體61之縱向的一方側（上側）與另一方側（下側）連接之連接路。

於圖8中之箭頭的前方，放大顯示此貫通孔67之周圍的各部。於梁狀體66之前端側的底面，設置往下方突出而進入此貫通孔67的突起68。突起68之前端（下端），位於較本體部63之底面更下方，從該本體部63之底面例如突出1mm程度（參考圖5）。此外，突起68，位於較梁狀體66之前端略遠離基端側的位置；梁狀體66之前端，位於較貫通孔67更靠近基體61之周緣的位置。藉由此等突起68及貫通孔67之配置，對於梁狀體66，使較貫通孔67更接近基端側之部位、較貫通孔67更接近前端側之部位，各自與基體61接觸而支持。亦即，於基體61中，使包含貫通孔67之外緣的頂面區域支持梁狀體66。

第1梁狀體，即上述梁狀體66，成為所謂的懸臂，構成為用於取得關於環狀突起46之高度的資訊之第1干涉偵測部。若進一步更詳細地描述，則梁狀體66之底面，並未對基體61固定，此外於縱向（基體61之厚度方向）具有可撓性。如同上述，梁狀體66所連接的本體部63固定於基體61，故梁狀體66之基端對基體61固定。因此，該梁狀體66，成為一端側固定在基體61之中央部側，另一方面，向基體61之周緣部延伸的另一端側對基體61可動之構成。亦即，梁狀體66，部分地固定於基體61。此外，於梁狀體66之基端部（一端部）的上側，設置應變計（應變感測器）69。構成第1訊號取得部之應變計69，與上述零件群64所包含的零件一同構成惠斯登電橋電路（Wheatstone bridge），將從該電路輸出的電壓訊號作為檢測訊號，往運算裝置9無線發送。

在將基體61藉由旋轉吸盤31吸附時，梁狀體66之突起68，位於環狀突起46的上方。如同上述，晶圓W之底面及基體61之底面皆為平坦面，故在載置於旋轉吸盤31時分別成為相同高度。因此，上述杯體分隔距離H0為基準值以下且晶圓W與環狀突起46有所干涉的情況，如圖9所示，在檢查用晶圓6的突起68與環狀突起46之間，亦發生干涉。如此地由於突起68的干涉，而使梁狀體66之前端側以往上方推起的方式變形。應變計69亦與此梁狀體66之變形相應而變形，由上述惠斯登電橋電路輸出的訊號，與因此一變形而發生之該應變計69的電阻變化相應而變動。因此，藉由監視此訊號，而可檢測環狀突起46與突起68之間有無干涉，故可判斷在晶圓W與環狀突起46之間是否發生干涉。

另，成為梁狀體66與基體61接觸而受其支持之構成，係為了防止如此地因環狀突起46碰撞，梁狀體66上下振動，而造成梁狀體66之前端下垂而塑性變形的情形。此外，僅使環狀突起46的周向之一部分增高，從橫向與梁狀體66抵接時，因梁狀體66之基端側支持在基體61而防止梁狀體66之基端側向下，將此向下的力轉化為使梁狀體66之前端側向上的力。亦即，亦具有將梁狀體66之前端側的往上方之變形量增為較大，提高檢測精度的作用。

此外，於基體61之頂面的周緣部，在與梁狀體66之設置位置於周向不同的位置，設置凹口。將第2梁狀體即梁狀體71之基端部，固定設置於較此凹口更接近基體61之中央部側。梁狀體71之前端側，以沿著基體61之徑向在凹口上延伸的方式細長地形成。因此，梁狀體71之前端部，成為從基體61浮起的狀態。亦即，在與基體61之間，夾設有上述凹口所形成的間隙，將該間隙顯示為72。

關於梁狀體71，亦與梁狀體66同樣地成為懸臂，構成為用於取得關於處理位置中的溶劑供給噴嘴51B之高度的資訊之第2干涉偵測部。如同上述，藉由設置於間隙72上，而成為梁狀體71之前端部可上下移動的構成。於梁狀體71之基端部的上側，設置應變計73。第2訊號取得部，即應變計73，與應變計69同樣地和零件群64所包含的零件一同構成惠斯登電橋電路，將來自該電路的電壓訊號作為檢測訊號往運算裝置9無線發送。

若於旋轉吸盤31吸附有檢查用晶圓6之狀態下使該旋轉吸盤31旋轉，則在噴嘴分隔距離H1為基準值以下時，如圖10所示，有溶劑供給噴嘴51B之下端干涉梁狀體71的情形。由於如此地干涉，而將梁狀體71之前端側通過間隙72而往下方下壓，以使間隙72變窄的方式變形。應變計73亦與此梁狀體71之變形相應而變形，使從包含該應變計73之惠斯登電橋電路輸出的訊號變動。因此，藉由監視此訊號，而可檢測在溶劑供給噴嘴51B與梁狀體71之間有無干涉，可判斷溶劑供給噴嘴51B之處理位置是否適當。

於基體61之周緣部，設置各自搭載相機82、81A、81B的基板80、80A、80B；梁狀體66、71，接近感測器57A、57B、57C，相機82、81A、81B，於基體61之周向位於彼此分離的位置。相機82、81A、81B之視野，朝向基體61之周緣；關於第2拍攝部即相機82，係為了從基體61之中央部側拍攝溶劑供給噴嘴51B而設置。藉由如同上述地配置接近感測器57，於基體61之周向中，使相機82位於3個接近感測器57中的一個接近感測器與另一接近感測器之間。關於梁狀體66、71亦同樣地，於基體61之周向中，位於一個接近感測器與另一接近感測器之間。

相機81A、81B，使用在環狀突起46之拍攝。於相機81A的光軸上配置鏡子83A，此外，於基體61形成貫通孔84A。在將檢查用晶圓6固持於旋轉吸盤31時，貫通孔84A位於環狀突起46上，該環狀突起46之周向中的一部分之頂面，經由該貫通孔84A而映在鏡子83A。相機81A，可拍攝映在該鏡子83A之環狀突起46的一部分之頂面。此外，於基體61，埋設2個照明部85A。各照明部85A，以在基體61之周向包夾貫通孔84的方式配置，往下方照射光線。在藉由相機81A施行拍攝時，從各照明部85A對下方的被拍攝體照射光線。

與和相機81A對應的上述鏡子83A、貫通孔84A、照明部85A同樣地，設置和相機81B對應的鏡子、貫通孔、照明部，分別顯示為83B、84B、85B。由基板80B、相機81B、鏡子83B、貫通孔84B及照明部85B構成的群組，設置於較由基板80A、相機81A、鏡子83A、貫通孔84A、照明部85A構成的群組更靠近基體61之中心。藉此，藉由相機81B拍攝之區域，相較於藉由相機81A拍攝之區域，位於基體61之靠近中央的位置。因此，複數相機，成為彼此於基體61之徑向設置在不同的位置（亦即，從基體61之中心算起的距離不同），且配置為拍攝該徑向不同的位置之構成。環狀突起46的徑，於每一光阻膜形成模組3不同。將從相機81A、81B中之與該環狀突起46的徑之大小相應的位置之相機取得的影像資料，使用在杯體分隔距離H0的取得。

於基體61上，例如，設置使其側壁沿著基體61之周部的圓形之蓋部86，覆蓋上述基板62之本體部63、電池65、相機81（81A、81B）、相機82、鏡子83A與83B、及接近感測器57。然則，於蓋部86之側壁，在該相機82之視野上、及接近感測器57之光軸上，分別設置開口部，俾不妨礙以相機82進行的溶劑供給噴嘴51B之拍攝、及以接近感測器57進行之檢測。此外，例如使該蓋部86之側壁之的端部形成凹口俾不妨礙上述梁狀體66、71之變形，梁狀體66、71之前端側經由此凹口而往蓋部86之外側突出，位於基體61之周緣部。此外，蓋部86之側端，為了防止與溶劑供給噴嘴51B的干涉，而位於較處理位置中的溶劑供給噴嘴51B更靠近基體61之中心的位置。

在圖4～圖6所示的例子中，蓋部86之中央部，形成為高度較蓋部86之周緣部更高，形成朝向上方的凸部87。配合此等蓋部86之構成，可如同前述地於基體61之中央部配置電池65及零件群64，可使基體61之重心位於中央部。因此，可防止將基體61載置於旋轉吸盤31時，因自重而造成的基體61之下垂。因此，可防止接近感測器57、梁狀體66與71、及相機81與82之高度因該下垂而變化，對測定結果造成影響。因此，具備凸部87的蓋部86，有助於提高異常之檢測精度。然則，亦可成為藉由將厚度形成為較大，而構成為頂面成為平坦面之形狀的蓋部86。

此外，例如在作業員將檢查用晶圓6搭載於載具C、維修等而進行處理時，使其通過較窄的區域。此時，蓋部86之頂面，位於較梁狀體66、71更高的位置，故即便檢查用晶圓6與區隔該窄區域之壁面碰撞，仍防止碰撞蓋部86而碰撞梁狀體66、71之壁面。因此，抑制梁狀體66、71之塑性變形、破損，故可藉由蓋部86有效地保護梁狀體66、71。

接著，參考圖4，針對運算裝置9予以說明。運算裝置9為電腦，具備匯流排91。而於匯流排91，分別連接程式收納部92、無線收發部93、記憶體94、顯示部95、及操作部96。於程式收納部92，安裝有收納在光碟、硬碟、記憶卡及DVD等記錄媒體的程式90。

無線收發部93，將成為用於對檢查用晶圓6取得資料之觸發點的訊號無線發送，且將來自包含上述應變計69與73在內之各電路的檢測訊號、由相機81與82取得的影像資料、來自接近感測器57及接觸感測器58的檢測訊號無線接收。於記憶體94，記憶從各感測器、相機取得的資料。此外，亦將為了取得後述分隔距離H0與H1、引導部高度H2與H3等而預先準備的各種資料，記憶於該記憶體94。

操作部96，由滑鼠或鍵盤等構成；資訊取得系統1之使用者，可經由該操作部96，指示可由程式90施行之處理的實行。此外，運算裝置9，與基板處理裝置2之控制部20連接，例如將檢查用晶圓6固持在旋轉吸盤31，而後將表示可取得各種資料之訊號，從控制部20往運算裝置9發送。此外，亦發送關於後述構成升降機構36的馬達之指令位置的資訊。

接著，針對引導部高度H2、H3之取得方法說明概略。使檢查用晶圓6的基體61為載置於旋轉吸盤31之狀態，對於升降銷35，使其從用於使該升降銷35待機之待機位置上升。而後，依循接觸感測器58的檢測訊號，指定升降銷35抵接於基體61時之升降機構36的馬達之指令位置（使其為第1指令位置）（圖11，步驟R1）。

接著，在從各接近感測器57照射紅外線雷射光的狀態下，施行升降銷35之進一步的上升。將紅外線雷射，以如圖12所示地對中間引導部43之上端照射，接著如圖13所示地對上側引導部44之上端照射，至到達較該上側引導部44之上端更為上方的方式，將此升降銷35之上升施行預先設定的量（步驟R2）。

依據由接近感測器57分別取得的檢測訊號，而分別指定雷射光位於中間引導部43之上端時的馬達之指令位置（使其為第2指令位置）、及雷射光位於上側引導部44之上端時的馬達之指令位置（使其為第3指令位置）（步驟R3）。另，馬達，在輸入之每一脈衝旋轉一定角度，該旋轉角度與升降銷35之上升量相對應。馬達之指令位置，係如此地與對馬達輸入之脈衝數相當，和升降銷35之高度相對應的資訊。因此，例如上述步驟R1之第1指令位置的指定，相當於升降銷35與基體61接觸之接觸高度的檢測；第2指令位置及第3指令位置的指定，相當於各引導部43、44的上端之高度的檢測。另，在將編碼器與馬達連接之情況，該編碼器輸出與升降銷35之高度相當的脈衝，故可將來自該編碼器之輸出，使用作為馬達之指令位置。

此外，對馬達輸入之每一脈衝的升降銷35之上升量為已知，若使此上升量為Xmm／脈衝，則藉由下述數學式1、數學式2，算出中間引導部高度H2、上側引導部高度H3（步驟R4）。另，藉由從接近感測器57A、57B、57C所產生的各檢測訊號指定第2指令位置、第3指令位置，實行數學式1、數學式2，而如同前述地，對接近感測器57A、57B、57C分別算出引導部高度H2、H3。將算出之引導部高度H2、H3，於顯示部95顯示（步驟R5）。另，此例中，H2、H3、H4之各高度的單位為mm。此外，藉由運算裝置9的程式90，實行以上步驟R1～R5。如此地，預先取得引導部高度H2、H3之算出所使用的上升量Xmm／脈衝、校正高度H4，例如先記憶在運算裝置9之記憶體94。 中間引導部高度H2＝（第2指令位置－第1指令位置）×X＋校正高度H4・・・數學式1 上側引導部高度H3＝（第3指令位置－第1指令位置）×X＋校正高度H4・・・數學式2

針對上述指定第1～第3指令位置的步驟R1～R3進一步具體地說明。使升降銷35從待機位置連續地上升既定量，而後切換為與升降動作之解析度（可升降之最小量）相應的階段式上升。亦即，使升降銷35，以重複在盡可能小範圍的上升、與暫時的上升停止之方式動作。作為一例，在可藉由0.05mm以上之大小進行升降銷35的升降之情況，上升0.05mm而使其停止。具體而言，在使升降銷35上升0.05mm時未檢測到接觸，接著上升0.05mm時檢測到接觸後，將該檢測到時的往馬達輸入之脈衝數作為第1指令位置，結束上述步驟R1。如此地，藉由使升降銷35每次以微小的距離階段式地上升，而高正確性地指定接觸感測器58所產生的升降銷35與基體61接觸之高度。

而在如同上述地檢測到接觸後，升降銷35仍重複與升降動作之解析度相應的上升、及暫時的上升停止。在此暫時的上升停止時，照射來自接近感測器57之紅外線並施行檢測訊號的取得（採樣），藉以施行上述步驟R2。以將此檢測訊號之取得施行複數次的方式，設定暫時的上升停止之時間。作為一例，使取得周期為10m秒，使上升停止時間為1秒，在1次的上升停止中實行100次的訊號取得。而後，如同上述，將升降銷35，上升至來自接近感測器57的紅外線之照射位置到達較上側引導部44更高之設定高度，而在成為此等高度位置為止前，重複與解析度相應的上升、及上升停止中之檢測訊號的取得。如此地，藉由升降銷35使檢查用晶圓6升降（此一情況為上升），對不同高度照射紅外線，藉以施行引導部43、44之高度檢測。

而後，於步驟R3之第2指令位置及第3指令位置的指定時，在升降銷35停止之每一高度，算出取得的資料之平均值。圖14，將升降銷35之前端在上側引導部44之上端附近上升時的該資料之平均值的推移，以圖表表示。從接近感測器57照射的紅外線，由於升降銷35之上升，而從受到上側引導部44遮蔽之狀態切換為非遮蔽之狀態，因而使前往接近感測器57的反射光量降低，上述平均值大幅變動。將和發生此一變動的升降銷35之高度（圖表中P1）相當的指令位置，決定為第3指令位置。關於第2指令位置，亦與第3指令位置同樣地，可依循平均值的推移而決定。

另，不限於對於在上升停止時取得的資料算出平均值，亦可算出差異的指標，具體而言，例如算出σ。圖15，將升降銷35之前端在上側引導部44之上端附近上升時的該σ之推移，以圖表表示。當遮蔽之狀態與非遮蔽之狀態切換時，亦即，若從接近感測器57對上側引導部44之上端照射光線，則該光線漫反射，受光量的差異變得較大。是故，將和σ成為極大值的升降銷35之高度（圖表中P2）相當的指令位置，決定為第3指令位置。關於第2指令位置，亦可依循σ的推移而同樣地決定。另，雖使差異的指標為σ，但不限於此一形態，亦可使其為訊號位準之最大值與最小值的差分（即範圍），將此範圍成為峰值之高度，分別指定為第2指令位置、第3指令位置。

如同上述，藉由利用使升降銷35每次以微小的距離階段式地上升藉以獲得之來自接近感測器57的檢測結果、及利用在上升停止中大量獲得的檢測結果，亦高正確性地檢測第2指令位置、第3指令位置。另，上述之例子，於既定區間中，在使檢查用晶圓6上升之期間，從接近感測器57照射紅外線而施行第2指令位置及第3指令位置的指定，但並未限定於此一形態。例如，亦可在藉由升降銷35將檢查用晶圓6抬起至既定高度後，使檢查用晶圓6向旋轉吸盤31下降既定區間之期間，從各接近感測器57照射紅外線，施行第2指令位置及第3指令位置的指定。

另，升降動作之解析度較小的情況，關於步驟R1之第1指令位置的指定手法，宜取代如同上述之利用升降銷35的階段式上升中之檢測結果的手法，而使用以下所述的手法。使該解析度例如為0.05mm，利用圖16的示意圖予以說明。圖16中之各箭頭，顯示升降銷35之前端的移動範圍及移動方向；於時間序列中越為配置在右側的箭頭，表示越後方之時刻的移動。關於升降銷35之上升時的移動範圍，使一點鏈線之箭頭顯示未檢測到接觸的移動範圍，實線之箭頭顯示檢測到接觸的移動範圍。此外，圖中的基體61，顯示支持在旋轉吸盤31的狀態之高度的基體61。

首先，與解析度較大之前述例子同樣地，使升降銷35從待機位置起連續地上升既定量，而後切換為與升降動作之解析度相應的例如每隔0.2mm之階段式上升。持續此一階段式上升時，假設在某一個上升區間（顯示為箭頭V1），於上升中持續未檢測到接觸之狀態，在下一個上升區間（顯示為箭頭V2）切換為檢測到接觸之狀態。如此，則使升降銷下降較上升時之第1大小（0.2mm）更大的第2大小，例如0.25mm（顯示為箭頭V3），升降銷35之前端移動至較箭頭V2更低的位置，故升降銷35與基體61之接觸暫時解除。

而後，再度使升降銷35上升0.2mm（顯示為箭頭V4），若於此上升中，從未檢測到接觸之狀態切換為檢測到接觸之狀態，則再度使升降銷35下降0.25mm（箭頭V5），接著，上升0.2mm（箭頭V6）。於此上升中，若仍發生從未檢測到接觸之狀態往檢測到接觸之狀態的切換，則進一步使升降銷35下降0.25mm（箭頭V7），接著，上升0.2mm（箭頭V8）。假設在如同此箭頭V8所示地使升降銷35上升時，仍發生從未檢測到接觸之狀態往檢測到接觸之狀態的切換。

此一情況，假設在其後重複施行升降銷35的0.25mm之下降、0.2mm之上升時，升降銷35的前端位於箭頭V1的前端之高度。亦即，成為位於最初檢測到接觸的箭頭V2之高度區域（一個高度區域）的下端以下之高度，並未發生從未檢測到接觸的狀態往檢測到接觸的狀態之切換。因此，將如箭頭V8所示地上升時的升降銷35之高度，視作切換與基體61的接觸、未接觸之高度，將該高度的馬達之指令值指定為第1指令位置。

如此地，假設在以箭頭V2顯示的升降銷35之上升後，重複第2大小的升降銷35之下降、及第1大小的升降銷35之上升時，途中在升降銷35上升中維持未檢測到接觸之狀態。此一情況，將如此地上升時的升降銷35之高度的馬達之指令值作為第1指令值處理，不施行後續的升降銷之下降、上升的重複。若列舉具體的例子，則如圖17所示，假設在施行箭頭V4的升降銷35之上升時，未檢測到接觸。此一情況，將如該箭頭V4所示地上升時的馬達之指令值指定為第1指令位置，結束步驟R1，前往步驟R2而不施行於圖16中以箭頭V5以後的編號顯示之升降動作。

藉由如同上述圖16、圖17所示地指定第1指令位置，和假設將如箭頭V2所示地使升降銷35上升時之位置作為第1指令位置相較，第1指令位置的正確性高。因此，即便為升降銷35的升降動作之解析度小，亦即最小升降量為較小的值，仍可高精度地算出引導部高度H2、H3。

接著，分別針對使用由相機81A、81B取得的影像資料之杯體分隔距離H0的取得、及使用由相機82取得的影像資料之噴嘴分隔距離H1的取得方法予以說明。圖18係藉由相機81A或81B拍攝的環狀突起46之頂面的周向之一部分的影像資料。點線的框，顯示影像之像素。如此地，從取得的影像資料，檢測環狀突起46之寬度L3的像素數（步驟S1）。依據預先取得之該寬度L3的像素數與杯體分隔距離H0之對應關係，算出杯體分隔距離H0（步驟S2）。作為此對應關係，宜先準備以杯體分隔距離H0、寬度L3的像素數作為變數，表示成為隨著H0變大而L3變小的關係之任意次數的方程式。而後，於運算裝置9的顯示部95，顯示藉由此一對應關係算出之杯體分隔距離H0（步驟S3）。

針對噴嘴分隔距離H1的取得方法予以說明。圖19係藉由相機82拍攝的溶劑供給噴嘴51B之側面的影像資料。於該影像資料中，檢測和溶劑供給噴嘴51B之寬度L4對應的像素數（步驟T1）。接著，於影像資料中，檢測在步驟T1指定的溶劑供給噴嘴51B之下端與基準高度H10（影像資料中，預先設定之高度的像素）間之高度H20的像素數（步驟T2）。將該H20，作為噴嘴基準高度。而後，施行對於事先取得的溶劑供給噴嘴51B之寬度L4／在步驟T1取得的和寬度L4對應之像素數的運算，使此運算值為1像素之距離（步驟T3）。而後，算出在步驟T2求出之噴嘴基準高度H20的像素數×在步驟T3求出的1像素之距離。亦即，對於係影像資料上的像素數之噴嘴基準高度H20，進行往實際高度（距離）的轉換（步驟T4）。

預先取得在將晶圓W吸附固持在旋轉吸盤31時的晶圓W之表面，與在將檢查用晶圓6吸附固持在旋轉吸盤31時以相機82取得的影像中之前述基準高度H10兩者的高度差（使其為H30）。依據在上述步驟T4求出之實際的噴嘴基準高度H20、及高度差H30，算出噴嘴分隔距離H1（步驟T5）。具體而言，如圖19所示，於影像中噴嘴51B映在較基準高度H20更上側時，將噴嘴分隔距離H1算出為H20＋H30；於影像中噴嘴51B映在較基準高度H20更下側時，將噴嘴分隔距離H1算出為H30－H20。將算出之噴嘴分隔距離H1，顯示在運算裝置9的顯示部95（步驟T6）。另，如此地利用預先取得之高度差H30，係因設置於基體61上，而使相機82的視界受到限制之緣故。

藉由運算裝置9的程式90，施行以上步驟S1～S3、T1～T6。將用於實行此等步驟之寬度L3的像素數與杯體分隔距離H0之對應關係、高度差H30、溶劑供給噴嘴51B之實際寬度L4，預先收納於運算裝置9的記憶體94。

說明以上所述之資訊取得系統1的運用順序之例子。此一運用順序例，並未施行在圖18、圖19說明的以相機81、82進行之杯體分隔距離H0及噴嘴分隔距離H1的檢測。首先，將收納有檢查用晶圓6的載具C往基板處理裝置2之平台21搬運。該檢查用晶圓6，以搬運機構23→傳遞模組TRS→搬運機構25→光阻膜形成模組3的順序搬運，經由升降銷35，載置於旋轉吸盤31而吸附固持。

例如若使作業員從運算裝置9施行既定指示，則實行圖11～圖13所示之上述步驟R1～R3，從接近感測器57A～57C分別取得中間引導部高度H2、及上側引導部高度H3，記憶至運算裝置9的記憶體94，並於顯示部95顯示。而後，若使升降銷35下降，將檢查用晶圓6再度吸附於旋轉吸盤31，則使溶劑供給噴嘴51B從待機部55B往處理位置移動。藉由旋轉吸盤31使檢查用晶圓6轉一圈，將轉一圈中的來自包含應變計69、73在內之各電路的檢測訊號分別往運算裝置9發送，記憶在記憶體94，並於顯示部95顯示其波形。檢查用晶圓6轉一圈後，溶劑供給噴嘴51B返回待機部55B。而後，將檢查用晶圓6經由升降銷35往搬運機構25傳遞，依序經由傳遞模組TRS、搬運機構23，返回載具C。

作業員，對於取得之3個中間引導部高度H2的值、及3個上側引導部高度H3的值，皆判定是否包含在容許範圍內。此外，判定從應變計69、73分別取得的檢測訊號之波形是否正常。關於此一波形的判定，具體而言，例如係與在使溶劑供給噴嘴51B及環狀突起46不與梁狀體66、71發生干涉之條件下，使固持有檢查用晶圓6的旋轉吸盤31轉一圈而先取得之參考資料比較，藉以施行。

作業員，在引導部高度H2、H3之任一者脫離容許範圍的情況，修正中間引導部43及／或上側引導部44之安裝。此外，在來自應變計69及／或應變計73的檢測訊號之波形變得異常的情況，施行具備環狀突起46的下側引導部42及／或溶劑供給噴嘴51B之高度調整。

其後，將收納有晶圓W的載具C往基板處理裝置2之平台21搬運。將晶圓W，以搬運機構23→傳遞模組TRS→搬運機構25→光阻膜形成模組3→搬運機構25→加熱模組26→搬運機構25→傳遞模組TRS的順序搬運，藉由搬運機構23返回載具C。如此地搬運時，在光阻膜形成模組3，對藉由旋轉吸盤31旋轉的晶圓W之表面的中心部，從光阻劑供給噴嘴51A噴吐光阻劑，藉由旋轉塗布，於晶圓W之表面全體形成光阻膜。其後，使溶劑供給噴嘴51B從待機部55B往處理位置移動，對旋轉的晶圓W之周緣部供給溶劑，將該周緣部的光阻膜去除。

接著，對於對檢查用晶圓6，取代以梁狀體66、71進行之干涉檢測，施行以相機81，相機82進行之分隔距離H0、H1的取得之情況，以與前述運用順序之差異點為中心而加以描述。例如，如同上述地使升降銷35將檢查用晶圓6抬起而取得引導部高度H2、H3後，使升降銷35下降，將檢查用晶圓6再度吸附於旋轉吸盤31。而後，在溶劑供給噴嘴51B移動至處理位置後，將旋轉吸盤31例如以既定角度的刻度間歇地旋轉，在旋轉停止時施行以相機81A或81B、82進行之拍攝而取得影像資料。將取得的影像資料，依序往運算裝置9無線發送。

對於藉由相機81（81A、81B）取得的各影像資料，實行上述步驟S1～S3，算出杯體分隔距離H0而顯示畫面。另，在決定使用相機81A、81B中之任一者中，可僅藉由該相機施行拍攝，亦可藉由雙方的相機取得影像，施行以程式90進行之映出環狀突起46的影像之選擇，藉以施行杯體分隔距離H0的算出。此外，例如藉由運算裝置9的程式90，選擇由相機82取得的複數影像資料中之如圖19所示地映出溶劑供給噴嘴51B者。而後，對於該選出的影像資料實行上述步驟T1～T6，算出噴嘴分隔距離H1而顯示畫面。使觀察到如此地顯示之H0、H1的作業員，因應必要而施行環狀突起46及／或噴嘴51B之高度調整。

雖顯示選擇施行以相機81、82進行之分隔距離H0、H1的取得，及以梁狀體66、71進行之干涉的檢測，但亦可施行兩者。此外，雖描述由作業員實行依據取得之引導部高度H2與H3、分隔距離H0與H1、來自梁狀體66與71之應變計69與73的訊號波形之各異常的判定，但亦可藉由與記憶在記憶體94之關於各值或關於訊號波形的參考資料比較，而使程式90施行。此一情況，亦可於程式90判定為異常後，作為警示將既定顯示內容顯示在顯示部95，或從構成運算裝置9的揚聲器輸出既定語音。

如同上述，藉由使用檢查用晶圓6，而可取得在杯體4之周向不同的3處之引導部高度H2、H3。如同前述，藉由如此地取得複數處高度，而抑制上側引導部44及中間引導部43，與旋轉吸盤31之傾斜的影響，可高精度地檢測上側引導部44、中間引導部43之高度的異常。因此，可防止晶圓W之處理的異常，故可防止由該晶圓W製造之半導體製品的良率之降低。

此外，假設將檢查用晶圓6之中心，對旋轉吸盤31之中心偏心地固持。由於此偏心的固持，而使接近感測器57中之1個，與中間引導部43、上側引導部44之開口緣的距離變遠，或檢測精度降低，或成為不可檢測之狀態。然則，藉由將接近感測器57設置複數個，亦具有可利用其他接近感測器57施行檢測之優點。另，如同在圖9所說明，在以假想線6A區分之一方的區域、另一方的區域，分別設置接近感測器57。雖描述此一配置在用於抑制上述引導部43、44與旋轉吸盤31之間的傾斜之影響上有效，但在用於抑制上述旋轉吸盤31與檢查用晶圓6的偏心之影響上亦有效。此係因，即便由於偏心，而使一方的區域之接近感測器57遠離引導部43、44之開口緣，使檢測精度降低，另一方的區域之接近感測器57仍變得接近引導部43、44之開口緣，故可確實地施行檢測的緣故。另，接近感測器57的數量，不限於前述例子，亦可為2個，或亦可為較3個更多的數量。

而於檢查用晶圓6中，在共通的基體61，將接近感測器57、相機81與82、及梁狀體66與71，於周向彼此錯開地配置。藉由此等配置，除了可分別利用其等取得引導部高度H2、H3以外，亦可施行與噴嘴及環狀突起46的干涉檢測，以及分隔距離H0、H1的取得。因此，藉由將檢查用晶圓6往光阻膜形成模組3搬運一次，而可取得此等資訊，故在可追求檢查所需之時間的縮短上為有利態樣。

另，於下方說明在取得引導部高度H2、H3時，與說明為步驟R1～R5之例子不同的例子。在此取得例中，與描述為使升降銷35階段式地上升之前述例子不同，施行以較低的速度使升降銷35連續地上升之動作。以下，參考圖20，以與階段式地上升之情況的差異點為中心而予以說明。圖20，係顯示升降銷35的上升速度、來自接觸感測器58的檢測訊號、來自3個接近感測器57中之1個的檢測訊號之推移的時序圖。此外，在該時序圖中，關於來自接觸感測器58、接近感測器57的各檢測訊號，亦顯示以既定演算法處理而獲得的訊號波形。此訊號處理，例如以接收到檢測訊號之運算裝置9施行。另，接觸感測器58、接近感測器57，皆使資料之採樣率為10m秒。

首先，將檢查用晶圓6固持在旋轉吸盤31上，先使其為從接近感測器57照射光線之狀態。而後，使升降銷35從待機位置上升，上升既定量後降低速度，例如以0.2mm／秒移動。使升降銷35接觸檢查用晶圓6，將檢查用晶圓6抬起，使檢查用晶圓6上升既定量，而後解除0.2mm／秒之低速上升。此解除低速上升之高度，在設計上，係使接近感測器57所產生的紅外線之照射位置位於較上側引導部44更上方之高度。在如此地使升降銷35上升的期間，分別從接觸感測器58及接近感測器57取得檢測訊號。

檢測關於資料處理完畢之接觸感測器58的檢測訊號波形之峰值。圖表中，將檢測到該峰值的時刻顯示為t1。此外，對於資料處理完畢之接近感測器57的檢測訊號波形檢測峰值。在早期時刻出現的峰值為與中間引導部43之上端對應的峰值，在較晚時刻出現的峰值為與上側引導部44之上端對應的峰值。圖表中，將與中間引導部43之上端對應的峰值所出現之時刻、及與上側引導部44之上端對應的峰值所出現之時刻，分別顯示為t2、t3。藉由前述各感測器之採樣率及升降銷35之上升速度，從在某時間點取得檢測訊號起至下次取得檢測訊號為止，升降銷35所上升之距離為0.002mm。

因而，可藉由下述數學式3、數學式4，算出引導部高度H3、H4。另，在此數學式3、數學式4中，H2～H4之各單位為mm。如此地取得引導部高度H2、H3的情況，不需要如同在步驟R1～R5般地指定馬達之指令位置，故該馬達之指令位置的取得，在取得引導部高度H2、H3時並非為必須。 中間引導部高度H2＝（時刻t1～t2中的資料之數量－1）×0.002＋校正高度H4・・・數學式3 上側引導部高度H3＝（時刻t1～t3中的資料之數量－1）×0.002＋校正高度H4・・・數學式4

另，如圖3所示，於光阻膜形成模組3，設置拍攝上側引導部44的相機49。於圖21中，顯示藉由相機49取得的影像資料100，該影像資料100係關於杯體4之上端部，即上側引導部44的影像資料。例如在任意時間點取得此影像資料100，施行與預先取得的基準影像資料101之比較。基準影像資料101，係將上側引導部44在其各部成為正常高度的狀態下，由相機49施行拍攝藉以取得的影像資料。而後，取得影像資料100與基準影像資料101的上側引導部44之高度的偏移量A1。將此偏移量A1與基準值比較，在超過基準值之情況推定為具有異常。

然則，若如同在圖11～圖13等所描述，從3個接近感測器57取得之上側引導部高度H3皆正常，則將上側引導部44之高度視為無異常。亦即，僅限於在上側引導部高度H3、偏移量A1雙方異常時，將上側引導部44之高度判定為異常。將影像資料100，例如往運算裝置9發送，並將基準影像資料101收納於記憶體94，使作為資訊取得部之運算裝置9的程式90施行此異常之判定。此異常之判定，相當於關於杯體4之位置的資訊之取得。

另，此等判定僅為一例，亦可為若偏移量A1、上側引導部高度H3中之僅一方成為異常，則視為上側引導部44之高度具有異常。如同上述，將從相機49取得之影像資料100、及從各接近感測器57獲得之上側引導部高度H3雙方，亦即對於相同對象物之視點或視野不同的資料，利用作為檢測異常之手段，藉而可施行精度更高的異常之檢測。

此外，在前述例子中，將檢測升降銷與基體61之接觸的接觸感測器58描述為加速度迴轉感測器，但若為可檢測該接觸者即可，不限於加速度迴轉感測器。例如，亦可為僅具有加速度感測器及迴轉感測器中之一方的功能之感測器，或亦可為振動感測器。如此地，於接觸感測器58，使用可檢測緊接上述接觸前及緊接其後的檢查用晶圓6之移動或位態的不同者。

圖22顯示杯體4之變形例。中間引導部43，在周向不同之位置支持於3根支柱102（在圖中僅顯示2根）。3根支柱102，於杯體4之周向中等間隔地設置，其下端貫穿杯體4之底部而連接至升降機構103，可彼此獨立地升降。藉由此等各支柱102之升降，成為可由升降機構103任意調整杯體本體41的上側引導部44之高度及傾斜。

例如，藉由在檢查用晶圓6之往裝置的搬入時先使該檢查用晶圓6朝向既定方向，而使接近感測器57A～57C所產生的上側引導部44之檢測位置，成為以支柱102分別支持之位置。而後，關於藉由各接近感測器57A～57C檢測之中間引導部高度H2，若為成為異常的值，則使該成為異常的藉由接近感測器57檢測到之位置的支柱102，升降異常值與容許值之偏移量。藉此，使中間引導部高度H2收納在容許範圍內而解除異常。關於上側引導部44，亦使其為與本例之中間引導部43同樣的構成，解除高度的異常。

前述資訊取得系統1，將控制部20與運算裝置9分別設置，但亦可為控制部20兼作運算裝置9之作用的構成。此外，關於各資料，在前述例子中往運算裝置9無線發送，但例如亦可於檢查用晶圓6的基體61搭載可任意裝卸之記憶體，收納至該記憶體。此一情況，作業員，從結束資料之取得而返回載具C的檢查用晶圓6取下該記憶體，將各資料移至運算裝置9即可。因此，關於檢查用晶圓6，亦可不構成為將影像資料無線發送。另，亦可為藉由有線方式將檢查用晶圓6與運算裝置9連接，將各種資料往運算裝置9發送之構成。

另，以將各接近感測器57，在基體61上設置於和處理位置的噴嘴51B之下端對應的高度之方式，構成檢查用晶圓6。而後，使檢查用晶圓6與旋轉吸盤31一同轉一圈，藉由各接近感測器57判定是否檢測到溶劑供給噴嘴51B。如同上述，由於具有旋轉吸盤31發生傾斜之情況，故例如即便未在複數接近感測器57中的一個感測器檢測到噴嘴，若在其他感測器檢測到，仍使噴嘴51B之高度為正常。另一方面，在複數接近感測器57中之全部的感測器皆未檢測到噴嘴之情況，使噴嘴51B之高度為異常。如此地，複數接近感測器57，不限於使用在施行杯體4之高度異常的檢測。此外，作為接近感測器57，不限於照射紅外線等光線而偵測物體者，例如亦可使用輸出超音波而偵測物體者。

另，關於相機82，雖設置為拍攝溶劑供給噴嘴51B，但亦可設置為可拍攝光阻劑供給噴嘴51A，取得光阻劑供給噴嘴51A與晶圓W之表面的距離。此外，作為設置於基板處理裝置2的液體處理模組，不限於光阻膜形成模組3。亦可為從噴嘴將反射防止膜或絕緣膜等光阻膜以外之塗布膜形成用的處理液往晶圓W之表面供給而成膜的模組，或亦可為從噴嘴將洗淨液、顯影液、或用於將複數晶圓W彼此貼合的黏接劑往晶圓W之表面供給的模組。關於如此地供給光阻劑以外之處理液的噴嘴與晶圓W表面間之高度的資訊，亦可藉由前述實施形態的手法取得。

進一步，作為從噴嘴往晶圓W之周緣部供給的處理液，不限於溶劑，例如亦可為塗布膜形成用的塗布液。可藉由前述各手法，取得關於此噴嘴與晶圓W表面之高度的資訊。另，檢查用晶圓6，不限於藉由載具C從外部往基板處理裝置2搬運。例如，亦可於基板處理裝置2內設置該檢查用晶圓6之收納用的模組，在該模組與光阻膜形成模組3之間進行搬運。

應知本次揭露之實施形態，其全部的點僅為例示而非用於限制。上述實施形態，亦可不脫離添附之發明申請專利範圍及其意旨地，以各式各樣的形態進行省略、置換、變更及組合。

1:資訊取得系統 100,101:影像資料 102:支柱 103:升降機構 2:基板處理裝置 20:控制部 21:平台 22:開閉部 23,25:搬運機構 24:搬運路 26:加熱模組 3:光阻膜形成模組 31:旋轉吸盤 32:軸 33:旋轉機構 34:圍板 35:升降銷 36:升降機構 4:杯體 41:杯體本體 41A:外圓筒部 41B:底部本體 41C:內圓筒部 42:下側引導部 42A,42B:傾斜面 43:中間引導部 43A:垂直壁 43B:傾斜部 43C:貫通孔 44:上側引導部 44A:垂直壁 44B:水平部 44C:口壁 45A:排氣管 45B:排液口 46:環狀突起 48:照明部 49,81,81A,81B,82:相機 5A:光阻劑供給機構 5B:EBR處理機構 50:基板 51A:光阻劑供給噴嘴 51B:溶劑供給噴嘴 52A:光阻劑供給部 52B:溶劑供給部 53A,53B:機械臂 54A,54B:移動機構 55A,55B:待機部 57,57A,57B,57C:接近感測器 58:接觸感測器 6:檢查用晶圓 6A:假想線 60:引線 61:基體 62:基板 63:本體部 64:零件群 65:電池 66,71:梁狀體 67:貫通孔 68:突起 69,73:應變計 72:間隙 80,80A,80B:基板 83A,83B:鏡子 84,84A,84B:貫通孔 85,85A,85B:照明部 86:蓋部 87:凸部 9:運算裝置 90:程式 91:匯流排 92:程式收納部 93:無線收發部 94:記憶體 95:顯示部 96:操作部 A1:偏移量 C:載具 D1:載具區塊 D2:處理區塊 H0:杯體分隔距離 H1:噴嘴分隔距離 H2:中間引導部高度 H3:上側引導部高度 H4:校正高度 H10:基準高度 H20:噴嘴基準高度 H30:高度差 L3,L4:寬度 TRS:傳遞模組 W:晶圓

圖1係構成本發明之實施形態的資訊取得系統之基板處理裝置的俯視圖。 圖2係該基板處理裝置所包含的光阻膜形成模組之縱斷前視圖。 圖3係該光阻膜形成模組的俯視圖。 圖4係顯示構成該資訊取得系統之檢查用晶圓及運算裝置的說明圖。 圖5係該檢查用晶圓的縱斷側視圖。 圖6係該檢查用晶圓的縱斷側視圖。 圖7係該檢查用晶圓的俯視圖。 圖8係該檢查用晶圓的立體圖。 圖9係顯示設置於該檢查用晶圓的第1梁狀體之動作的說明圖。 圖10係顯示設置於該檢查用晶圓的第2梁狀體之動作的說明圖。 圖11係顯示藉由該檢查用晶圓取得該模組的資訊之順序的說明圖。 圖12係顯示藉由該檢查用晶圓取得該模組的資訊之順序的說明圖。 圖13係顯示藉由該檢查用晶圓取得該模組的資訊之順序的說明圖。 圖14係顯示藉由該檢查用晶圓取得的資料之例子的圖表。 圖15係顯示藉由該檢查用晶圓取得的資料之例子的圖表。 圖16係顯示用於取得該資訊之該光阻膜形成模組中的升降銷之動作的說明圖。 圖17係顯示用於取得該資訊之該光阻膜形成模組中的升降銷之動作的說明圖。 圖18係顯示藉由該檢查用晶圓取得的影像資料之說明圖。 圖19係顯示藉由該檢查用晶圓取得的影像資料之說明圖。 圖20係顯示藉由該檢查用晶圓取得的資料之圖表。 圖21係顯示藉由設置於該光阻膜形成模組之相機取得的影像資料之說明圖。 圖22係顯示設置於該光阻膜形成模組的杯體之例子的說明圖。

31:旋轉吸盤

50:基板

57,57A,57C:接近感測器

58:接觸感測器

61:基體

62:基板

64:零件群

65:電池

86:蓋部

87:凸部

9:運算裝置

90:程式

91:匯流排

92:程式收納部

93:無線收發部

94:記憶體

95:顯示部

96:操作部

H4:校正高度

Claims (12)

1. 一種資訊取得系統，取得關於用來處理基板固持部所固持的基板之基板處理裝置的資訊，其包含： 基體，取代該基板，而由該基板固持部加以固持；以及 複數位置感測器，為了檢測位於該基體之外側的共通檢測對象物之位置，以使檢測方向彼此成為不同方向的方式設置於該基體； 該基體藉由升降機構而升降，於不同高度施行以該各位置感測器進行之位置檢測； 藉由該升降機構使支持該基體之支持部於由該基板固持部所固持的該基體之下方升降； 為了檢測該檢測對象物之位置，於該基體設置接觸感測器，該接觸感測器係用於藉由檢測與該支持部之接觸而檢測該支持部與由該基板固持部所固持的基體所接觸之接觸高度。
2. 如請求項1之資訊取得系統，其中， 若在使該支持部於第1大小的一個高度區域上升中，以該接觸感測器檢測到該接觸，即重複進行以較該第1大小更大之第2大小進行的該支持部之下降、及接續於此之以該第1大小進行的該支持部之上升，直至在上升中不再施行該接觸的檢測，或至下次以該第1大小上升時的該支持部之高度成為該一個高度區域的下端以下之高度為止，取得該接觸高度。
3. 一種資訊取得系統，取得關於用來處理基板固持部所固持的基板之基板處理裝置的資訊，其包含： 基體，取代該基板，而由該基板固持部加以固持；以及 複數位置感測器，為了檢測位於該基體之外側的共通檢測對象物之位置，以使檢測方向彼此成為不同方向的方式設置於該基體； 該檢測對象物為包圍該基板之杯體； 設置有資訊取得部，其依據藉由第1拍攝部拍攝該杯體而取得的影像資料、及該複數位置感測器的取得結果，而取得關於杯體之位置的資訊。
4. 一種資訊取得系統，取得關於用來處理基板固持部所固持的基板之基板處理裝置的資訊，其包含： 基體，取代該基板，而由該基板固持部加以固持；以及 複數位置感測器，為了檢測位於該基體之外側的共通檢測對象物之位置，以使檢測方向彼此成為不同方向的方式設置於該基體； 該基體係呈圓形； 將從基體之中央部側對位於該基板之周緣部上而往該周緣部供給處理液的噴嘴進行拍攝之第2拍攝部，在該基體，設置在該基體之周向中該複數位置感測器中的一個位置感測器與另一位置感測器之間。
5. 一種資訊取得系統，取得關於用來處理基板固持部所固持的基板之基板處理裝置的資訊，其包含： 基體，取代該基板，而由該基板固持部加以固持；以及 複數位置感測器，為了檢測位於該基體之外側的共通檢測對象物之位置，以使檢測方向彼此成為不同方向的方式設置於該基體； 該基體係呈圓形； 將對該基體部分地固定且用來藉由與干涉偵測對象構件之干涉時的變形而檢測該干涉之干涉偵測部，設置在對於該位置感測器於該基體之周向錯開的位置。
6. 如請求項5之資訊取得系統，其中， 於該基體上，設置覆蓋該位置感測器之蓋部； 該干涉偵測部，在該基體之周緣部，設置於該蓋部之外側； 於該基體上，該蓋部之頂面較該干涉偵測部更高。
7. 如請求項1至6中任一項之資訊取得系統，其中， 該基體呈圓形； 該複數位置感測器，分別配置於以沿著該基體之直徑的假想線分割之第1區域、第2區域； 該複數位置感測器各自之檢測方向，為該基體之徑向外側。
8. 一種資訊取得方法，取得關於用來處理基板固持部所固持的基板之基板處理裝置的資訊，其包含如下步驟： 藉由該基板固持部固持一基體而非該基板；以及 利用以使檢測方向彼此成為不同方向的方式設置於該基體之複數位置感測器，來檢測位於該基體之外側且在該複數位置感測器共通的檢測對象物之位置； 且該資訊取得方法更包含藉由升降機構使該基體升降之步驟； 於不同高度施行以該各位置感測器進行之位置檢測； 藉由該升降機構使用來支持該基體之支持部於由該基板固持部所固持的基體之下方升降； 藉由設置於該基體之接觸感測器，檢測該支持部與由該基板固持部所固持的基體所接觸之接觸高度，依據該接觸高度，取得該檢測對象物之位置。
9. 如請求項8之資訊取得方法，其中， 若在使該支持部於第1大小的一個高度區域上升中，以該接觸感測器檢測到該接觸，即重複進行以較該第1大小更大之第2大小進行的該支持部之下降、及接續於此之以該第1大小進行的該支持部之上升，直至在上升中不再施行該接觸的檢測，或至下次以該第1大小上升時的該支持部之高度成為該一個高度區域的下端以下之高度為止，取得該接觸高度。
10. 一種資訊取得方法，取得關於用來處理基板固持部所固持的基板之基板處理裝置的資訊，其包含如下步驟： 藉由該基板固持部固持一基體而非該基板；以及 利用以使檢測方向彼此成為不同方向的方式設置於該基體之複數位置感測器，來檢測位於該基體之外側且在該複數位置感測器共通的檢測對象物之位置； 該檢測對象物為包圍該基板之杯體； 該資訊取得方法更包含下述步驟：依據藉由第1拍攝部拍攝該杯體而取得的影像資料、及該複數位置感測器的取得結果，而取得關於杯體之位置的資訊。
11. 一種資訊取得方法，取得關於用來處理基板固持部所固持的基板之基板處理裝置的資訊，其包含如下步驟： 藉由該基板固持部固持一基體而非該基板；以及 利用以使檢測方向彼此成為不同方向的方式設置於該基體之複數位置感測器，來檢測位於該基體之外側且在該複數位置感測器共通的檢測對象物之位置； 該基體係呈圓形； 該資訊取得方法更包含下述步驟： 藉由位於該基板之周緣部上的噴嘴，往該周緣部供給處理液；以及 在該基體，藉由設置在該基體之周向中該複數位置感測器中的一個位置感測器與另一位置感測器之間的第2拍攝部，從該基體之中央部側拍攝該噴嘴。
12. 一種資訊取得方法，取得關於用來處理基板固持部所固持的基板之基板處理裝置的資訊，其包含如下步驟： 藉由該基板固持部固持一基體而非該基板；以及 利用以使檢測方向彼此成為不同方向的方式設置於該基體之複數位置感測器，來檢測位於該基體之外側且在該複數位置感測器共通的檢測對象物之位置； 該基體係呈圓形； 該資訊取得方法更包含下述步驟： 藉由設置在對於該位置感測器於該基體之周向錯開的位置且對該基體部分地固定之干涉偵測部中之與干涉偵測對象構件之干涉時的變形，而檢測該干涉。