TWI892705B - 半導體製程設備及其製程腔室 - Google Patents

Abstract

本申請公開一種半導體製程設備的製程腔室，包括腔體、校準機構以及設於腔體之內的承載座、托架和遮蔽部件；校準機構設於腔體；遮蔽部件可隨托架在第一位置與第二位置之間切換；在遮蔽部件處在第一位置的情況下，遮蔽部件與承載座錯開，且校準機構可將遮蔽部件調整至托架上的預設位置處；在遮蔽部件處在托架上的預設位置處，且托架帶動遮蔽部件運動至第二位置的情況下，遮蔽部件位於承載座的上方，且遮蔽部件的中心軸線與承載座的中心軸線之間的間隔距離小於或等於第一預設距離。

Description

半導體製程設備及其製程腔室

本申請屬半導體製程設備技術領域，具體涉及一種半導體製程設備及其製程腔室。

濺射製程是應用較為廣泛的一種半導體加工製程。濺射製程是採用等離子體轟擊靶材的表面，進而將靶材的原子轟擊出來，最終使原子沉積在晶圓表面而形成薄膜的製程。在更換靶材的過程中，靶材的表面較容易吸附雜質。為了確保薄膜的質量，在鍍膜之前需要對靶材進行清潔處理。當然，在長時間的濺射過程中，靶材的表面也容易堆積濺射反應物等雜質，這些雜質也較容易沉積在薄膜中而影響鍍膜的質量。由此可知，對靶材進行清潔處理的清洗製程是濺射製程中不可或缺的重要一環。

在清洗製程中，半導體製程設備通過遮蔽部件來遮蔽承載座，進而避免將雜質沉積在承載座上而污染承載座。但是，遮蔽部件較容易在承載座上發生偏移，進而會影響對承載座的遮蔽效果。

本發明公開一種半導體製程設備及其製程腔室，以解決相關技術涉及半導體製程設備在對遮蔽部件進行位置調整的過程中較容易產生雜質，而導致雜質落在承載座上而污染承載座的問題。

為了解決上述技術問題，本發明提供如下技術方案：

第一方面，本申請公開一種半導體製程設備的製程腔室，所公開的製程腔室包括腔體、校準機構以及設於所述腔體之內的承載座、托架和遮蔽部件，所述校準機構設於所述腔體上，在所述遮蔽部件承載於所述托架的情況下，所述遮蔽部件可隨所述托架在第一位置與第二位置之間切換；在所述遮蔽部件處在所述第一位置的情況下，所述遮蔽部件與所述承載座錯開，且所述校準機構可將所述遮蔽部件調整至所述托架上的預設位置處；在所述遮蔽部件處在所述托架上的所述預設位置處，且所述托架帶動所述遮蔽部件運動至所述第二位置的情況下，所述遮蔽部件位於所述承載座的上方，且所述遮蔽部件的中心軸線與所述承載座的中心軸線之間的間隔距離小於或等於第一預設距離。

第二方面，本申請公開一種半導體製程設備，所公開的半導體製程設備包括第一方面所述的製程腔室。

本發明採用的技術方案能夠達到以下技術效果：

本申請實施例公開的製程腔室通過增設托架並使得托架帶動遮蔽部件能在第一位置與第二位置之間切換，由於遮蔽部件處在第一位置的情況下與承載座錯開，因此校準機構在遮蔽部件處在第一位置時對其進行校準，進而能將遮蔽部件調整至托架的預設位置處。在遮蔽部件位於托架的預設位置處的情況下，托架還能夠帶動遮蔽部件切換至第二位置，最終使得遮蔽部件處在托架的預設位置處的情況下在第二位置實現與承載座的對中。此種校準遮蔽部件以實現遮蔽部件與承載座對中的方式，能夠避免在第二位置處對遮蔽部件進行位置校準，也就能夠避免在校準過程中遮蔽部件運動時摩擦產生的顆粒落到承載座上，最終能夠避免在校準過程中對承載座的污染。

為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明具體實施例及相應的附圖對本發明技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例僅是本發明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬本發明保護的範圍。

濺射製程是應用較為廣泛的一種半導體加工製程。濺射製程是採用等離子體轟擊靶材的表面，進而將靶材的原子轟擊出來，最終使原子沉積在晶圓表面而形成薄膜的製程。在更換靶材的過程中，靶材的表面較容易吸附雜質。為了確保薄膜的質量，在鍍膜之前需要對靶材進行清潔處理。當然，在長時間的濺射過程中，靶材的表面也容易堆積濺射反應物等雜質，這些雜質也較容易沉積在薄膜中而影響鍍膜的質量。由此可知，對靶材進行清潔處理的清洗製程是濺射製程中不可或缺的重要一環。在清洗製程中，半導體製程設備通過遮蔽部件來遮蔽承載座，進而避免將雜質沉積在承載座上而污染承載座。但是，遮蔽部件較容易在承載座上發生偏移，進而會影響對承載座的遮蔽效果。基於此，相關技術涉及的半導體製程設備採用頂針對遮蔽部件的位置進行調整。

但是，發明人在實現本申請的過程中發現，採用頂針對遮蔽部件的位置調整需要遮蔽部件相對頂針發生移動，遮蔽部件相對於頂針的移動會產生摩擦，進而較容易導致遮蔽部件上附著的雜質落到承載座上，進而會在位置調整階段就會污染承載座。很顯然，這不但會影響清潔效果，還會影響後續的濺射製程。

本申請實施例公開一種半導體製程設備的製程腔室。所公開的製程腔室是半導體製程設備進行濺射製程的場所，是半導體製程設備的重要組成部分。請參考圖1至圖14，本申請實施例公開的製程腔室包括腔體10、校準機構20、承載座30、托架40和遮蔽部件50。

腔體10是製程腔室的外圍結構件，腔體10具有腔體空間，以容納製程腔室的一些其它構件。在本申請實施例中，承載座30、托架40和遮蔽部件50均設於腔體10內，即設於腔體空間之內。

校準機構20是用於對遮蔽部件50進行位置校準的機構，校準機構20設於腔體10上。具體的，校準機構20可以全部位於腔體空間之內，也可以一部分位於腔體空間之內而另一部分位於腔體空間之外，當然，校準機構20也可以設於腔體空間之外，在需要校準時進入腔體空間之內進行校準工作。本申請實施例不限制校準機構20在腔體10上的具體設置方式及位置，只要能夠確保校準機構20能夠對設於腔體空間內的遮蔽部件50的位置進行校準即可。

承載座30用於承載晶圓。在濺射製程中，晶圓被承載在承載座30上，腔體空間內的等離子體轟擊靶材61，進而將靶材61內的原子轟擊出，被轟擊出的原子會沉積在晶圓上，從而實現濺射成膜。承載座30可以為靜電卡盤，還可以為其它能夠承載晶圓的部件，本申請實施例不限制承載座30的具體種類。

如背景技術所述，本申請實施例涉及的遮蔽部件50用於在清洗製程中遮蓋承載座30的承載面，從而避免雜質沉積在承載座30的承載面而污染承載面的現象發生。遮蔽部件50通常為盤狀結構，如圖7和圖8所示。當然，一種具體的實施例中，遮蔽部件50的頂端可以為錐形端，即，遮蔽部件50的上表面與外周面之間形成有錐形環面55，如圖7所示。在其它的實施例中，遮蔽部件50的頂端也可以為等徑端，即，遮蔽部件50的上表面與外周面之間的夾角為直角。本申請實施例不限制遮蔽部件50的具體形狀。需要說明的是，遮蔽部件50的頂端是在遮蔽部件50處於承載座30的上方時，遮蔽部件50的背離承載座30的一端。

托架40用於在校準過程中承載遮蔽部件50。當然，在濺射製程時，遮蔽部件50也可以承載於托架40上，從而使得遮蔽部件50在不使用時被暫存。在遮蔽部件50被校準後並承載於承載座30以進行清洗製程時，遮蔽部件50與托架40可以分離。也就是說，托架40並不是時刻承載遮蔽部件50，只有在托架40承載遮蔽部件50的情況下，才需要對遮蔽部件50進行校準。在本申請實施例中，托架40活動地設於腔體10上，以帶動遮蔽部件50實現位置切換。一種具體的實施例中，托架40可以轉動地設於腔體10上，托架40通過轉動來帶動遮蔽部件50轉動，進而實現遮蔽部件50的位置切換。在另一種具體的實施例中，托架40可以移動地設於腔體10上，托架40通過移動帶動遮蔽部件50移動，進而實現遮蔽部件50的位置切換。當然，本申請實施例不限制托架40與腔體10的具體連接關係。

在本申請實施例中，在遮蔽部件50承載於托架40的情況下，遮蔽部件50可隨托架40在第一位置與第二位置之間切換。

在遮蔽部件50處在第一位置的情況下，遮蔽部件50與承載座30錯開，且校準機構20可將遮蔽部件50調整至托架40上的預設位置處，從而實現在第一位置處將遮蔽部件50調整到位。需要說明的是，本文中，遮蔽部件50與承載座30錯開，指的是遮蔽部件50在垂直於承載座30的承載面的方向的投影不與承載座30的承載面有交集，遮蔽部件50不會覆蓋承載座30的承載面的任何區域，換句話說，遮蔽部件50在垂直於承載座30的承載面的方向的投影位於承載座30的承載面之外。

在遮蔽部件50處在托架40上的預設位置處，且托架40帶動遮蔽部件50運動至第二位置的情況下，遮蔽部件50位於承載座30的上方，且遮蔽部件50的中心軸線與承載座30的中心軸線之間的間隔距離小於或等於第一預設距離。在本文中，校準機構20能夠調節遮蔽部件50在托架40上的位置，使得遮蔽部件50能夠運動至托架40上的預設位置處，進而能夠確保托架40在帶動遮蔽部件50運動至第二位置的情況下，遮蔽部件50的中心軸線與承載座30的中心軸線之間的間隔距離小於或等於第一預設距離，進而實現兩者的對中，最終實現校準成功。

當然，在遮蔽部件50處在托架40上的預設位置處，且托架40帶動遮蔽部件50運動至第二位置的情況下，遮蔽部件50在承載面上的投影會覆蓋承載面。具體地說，在遮蔽部件50的中心軸線與承載座30的中心軸線之間的間隔距離等於第一預設距離時，遮蔽部件50與承載座30之間的相對位置關係，恰好能滿足清洗製程時的遮蔽要求。在遮蔽部件50的中心軸線與承載座30的中心軸線之間的間隔距離小於第一預設距離時，遮蔽部件50與承載座30之間的相對位置關係，更容易滿足清洗製程時的遮蔽要求。當然，在遮蔽部件50的中心軸線與承載座30的中心軸線之間的間隔距離大於第一預設距離時，則認為遮蔽部件50在承載座30上出現偏移，進而無法按照要求對承載座30實現遮蔽，最終影響遮蔽效果。

需要說明的是，本申請實施例公開的製程腔室還可以包括沉積環64。沉積環64圍繞承載座30的承載面設置。在遮蔽部件50運動至第二位置的情況下，上文所述的遮蔽要求可以是：遮蔽部件50覆蓋承載面和沉積環64的內環邊緣。需要說明的是，本文中，承載面為承載座30上用於支撐晶圓的區域。

在一種可選的方案中，遮蔽部件50的中心軸線可以與承載座30的中心軸線重合，在此種情況下，遮蔽部件50的中心軸線與承載座30的中心軸線之間的間隔距離為零，進而小於第一預設距離。此時，遮蔽部件50與承載座30的對中程度最好，校準效果最好。

在另一種可選的方案中，遮蔽部件50的中心軸線可以與承載座30的中心軸線平行，在此種情況下，遮蔽部件50的中心軸線與承載座30的中心軸線之間的間隔距離不為零，且小於第一預設距離。此時，遮蔽部件50與承載座30的雖然對中程度稍差，但不影響清洗製程的遮蔽要求，並且校準結構與遮蔽部件50之間的配合關係更容易實現。

本申請實施例公開的製程腔室通過對相關技術中涉及的製程腔室的結構進行改進，通過增設托架40並使得托架40能帶動遮蔽部件50在第一位置與第二位置之間切換，由於遮蔽部件50處在第一位置的情況下與承載座30錯開，因此校準機構20在遮蔽部件50處在第一位置時對其進行校準，進而能將遮蔽部件調整至托架40的預設位置處。在遮蔽部件50位於托架40的預設位置處的情況下，托架40還能夠帶動遮蔽部件50切換至第二位置，最終使得遮蔽部件50處在托架40的預設位置處的情況下在第二位置實現與承載座30的對中。此種校準遮蔽部件50以實現遮蔽部件50與承載座30對中的方式，能夠避免在第二位置處對遮蔽部件50進行位置校準，也就能夠避免在校準過程中遮蔽部件50運動時摩擦產生的顆粒落到承載座30上，最終能夠避免對承載座30的污染。

需要說明的是，本文中，遮蔽部件50處在托架40的預設位置處的情況下在第二位置實現與承載座30的對中，指的是在遮蔽部件50處在托架40的預設位置處並在第二位置時，遮蔽部件50的中心軸線與承載座30的中心軸線之間的間隔距離小於或等於第一預設距離，從而使得在清洗製程時遮蔽部件50能夠覆蓋承載座30的承載面以及沉積環64的內環邊緣。在一些實施例中，第一預設距離可以為1mm，當然，本申請實施例不限制第一預設距離的具體數值，只要滿足製程對遮蔽的要求即可。

在本申請實施例中，校準機構20的種類可以有多種，例如，校準機構20可以為機械手，機械手通過自身的移動來推動遮蔽部件50在托架40上的移動，來達到位置校準的目的。當然，機械手可以通過抓取、吸附等方式帶動遮蔽部件50在托架40上移動，以使得遮蔽部件50在托架40上的位置處於預設位置處。

當然，校準機構20還可以為其它種類或結構，本申請實施例不作限制。請參考圖3、圖4至圖5，本申請實施例公開一種具體結構的校準機構20，所公開的校準機構20可以包括校準杆21，校準杆21可活動地設於腔體10上，從而能夠在校準工作中相對於腔體10運動。校準杆21的頂端可以包括錐形凸起211，錐形凸起211可以為圓錐結構，也可以為多棱錐結構。遮蔽部件50的朝向托架40的底面可以設有錐形槽51。錐形槽51的形狀與錐形凸起211的形狀相適配。

在遮蔽部件50處在第一位置的情況下，校準杆21位於遮蔽部件50的下方。校準杆21可帶動錐形凸起211穿過托架40，而伸至錐形槽51中並頂起遮蔽部件50。在遮蔽部件50被頂起的過程中，遮蔽部件50的重力可驅使錐形槽51的內壁與錐形凸起211的外壁滑動，以引導遮蔽部件50移動至托架40上的預設位置處。此種結構能夠通過校準杆21頂起，同時利用遮蔽部件50自身的重力即可實現遮蔽部件50在托架40上的位置校準，此過程中只需要控制校準杆21升降即可，具有操作簡單，機構結構簡單等優勢。在一些實施例中，遮蔽部件50的重力驅使錐形槽51的內壁與錐形凸起211的外壁滑動，能夠引導錐形凸起211的中心軸線與錐形槽51的中心軸線之間的間隔距離可以小於第二預設距離，進而來實現遮蔽部件50移動至托架40上的預設位置處。

需要說明的是，在本文中，錐形凸起211的中心軸線可以與托架40的預設位置相對。一種可選的方案中，遮蔽部件50的重力驅使錐形槽51的內壁與錐形凸起211的外壁滑動，能夠引導錐形凸起211的中心軸線與錐形槽51的中心軸線重合，此時錐形凸起211的中心軸線與錐形槽51的中心軸線之間的間隔距離為零。在另一種可選的方案中，遮蔽部件50的重力驅使錐形槽51的內壁與錐形凸起211的外壁滑動，能夠引導錐形凸起211的中心軸線與錐形槽51的中心軸線處於間隔距離不為零的平行狀態，但需小於第二預設距離。

當然，遮蔽部件50在被頂針62帶動下頻繁升降可能會出現偏移，但是整體偏移不會太大，通過設計錐形凸起211和錐形槽51的大小即可實現在偏移範圍內對遮蔽部件50的位置校準，使遮蔽部件50被校準後處於托架40的預設位置處。當然，本申請實施例不限制第一預設距離與第二預設距離的大小關係。

如上文所述，校準工作需要校準杆21穿過托架40而將遮蔽部件50頂起實現。基於此，托架40需要設有避讓結構。避讓結構的形狀可以有多種。如圖9和圖10所示，一種可選的方案中，托架40可以設有第二避讓孔41，第二避讓孔41的中心軸線可以與錐形凸起211的中心軸線可以共線。校準杆21可帶動錐形凸起211穿過第二避讓孔41而伸至錐形槽51中。在此種情況下，第二避讓孔41不但發揮避讓作用，而且能通過設計第二避讓孔41的中心軸線與錐形凸起211的中心軸線共線，能夠方便校準機構40在腔體10上的位置設計。

在進一步的技術方案中，本申請實施例公開的校準機構20還可以包括壓力傳感器22，錐形凸起211可以設有容納槽212，壓力傳感器22可以安裝在容納槽212中，且壓力傳感器22與容納槽212的槽口平齊或低於容納槽212的槽口。錐形槽51的底壁可以設有傳感器觸發凸起52。在錐形凸起211伸至錐形槽51中的情況下，傳感器觸發凸起52能伸至容納槽212之內，並壓緊壓力傳感器22。壓力傳感器22被傳感器觸發凸起52壓緊後會發出觸發信號，從而能夠確定遮蔽部件50是否真正被校準。此技術方案通過進一步增設壓力傳感器22和傳感器觸發凸起52，並通過兩者的配合，能夠在錐形凸起211伸至錐形槽51的情況下，進一步實現對校準的驗證。此外，相比於壓力傳感器22凸出於容納槽212的槽口而言，壓力傳感器22與容納槽212的槽口平齊或低於容納槽212的槽口，能夠避免校準杆21在運動過程中壓力傳感器22被誤觸發。

本申請實施例公開的製程腔室還可以包括報警器。報警器與壓力傳感器22相連。在遮蔽部件50被頂起，且壓力傳感器22未發出壓力信號的情況下，則說明傳感器觸發凸起52並未壓在壓力傳感器22上，進而進一步說明校準工作失敗。在此種情況下，報警器用於發出故障報警，從而能夠提醒操作人員進行人為干預。具體的，報警器可以是燈光報警器，也可以是聲音報警器，也可以通過軟件將報警體現在控制電腦界面上，便於遠程發現，報警器還可以同時包括燈光報警器、聲音報警器和電腦界面顯示。當然，本申請實施例不限制報警器的具體種類。當然，在遮蔽部件50偏離太多的情況下，壓力傳感器22也不會發出壓力信號，在此種情況下，報警器同樣在未收到壓力信號的情況下進行報警。

為了更好地實現觸發，本申請實施例公開的製程腔室中，傳感器觸發凸起52可以為錐狀結構，在錐形凸起211伸至錐形槽51中的情況下，傳感器觸發凸起52的較小的一端伸至容納槽212之內，並壓緊壓力傳感器22。在此種情況下，錐狀結構的傳感器觸發凸起52，能夠較好地壓緊壓力傳感器22，從而達到較為明顯的觸發效果。

在一種具體的實施方式中，傳感器觸發凸起52可以是錐形台結構（即，錐狀結構的較小的一端的端面為平面），在此種情況下，傳感器觸發凸起52不但能夠觸發壓力傳感器22，還能夠與壓力傳感器22具有較大的配合面積，從而較好地支撐遮蔽部件50。

在另一種可選的方案中，傳感器觸發凸起52可以是尖錐狀結構，在此種情況下，傳感器觸發凸起52較小的一端會彙集成一個尖點。傳感器觸發凸起52的尖端可以位於錐形槽51的中心軸線上。在此種情況下，尖錐狀結構的傳感器觸發凸起52能夠更好地壓緊壓力傳感器22，從而達到更為明顯的觸發效果，最終有利於壓力傳感器22進行後續的校準驗證。

在本申請實施例中，壓力傳感器22可以為非彈性結構件。為了更好地實現壓力檢測，一種較為可行的實施例中，壓力傳感器22可以為彈性結構件。在此種情況下，壓力傳感器22具有較好的變形，從而能夠在傳感器觸發凸起52的壓緊下發生較為顯著的變形，進而有利於觸發信號的產生。

需要說明的是，傳感器觸發凸起52與壓力傳感器22的接觸，也能夠分擔對遮蔽部件50的支撐。請參考圖6，在本申請進一步的實施例中，錐形槽51的底壁可以為第一平面，錐形凸起211的頂面為第二平面。在錐形凸起211伸至錐形槽51中的情況下，傳感器觸發凸起52伸至容納槽212之內，並將壓力傳感器22壓至收縮狀態，且第一平面與第二平面貼合。在此種情況下，在傳感器觸發凸起52觸發壓力傳感器22的情況下，校準杆21不但能夠通過傳感器觸發凸起52與壓力傳感器22的接觸來支撐遮蔽部件50，還能夠通過第一平面與第二平面的貼合，來實現對遮蔽部件50較穩定的支撐，從而避免在校準過程中僅僅通過傳感器觸發凸起52與壓力傳感器22的配合來支撐較重的遮蔽部件50存在的支撐不穩定的情況發生。

在傳感器觸發凸起52觸發壓力傳感器22，並實現第一平面與第二平面貼合的實施例中，壓力傳感器22選擇彈性較好的彈性結構件，更有利於使得壓力傳感器22在被傳感器觸發凸起52壓緊的情況下收縮，從而使得遮蔽部件50進一步下落而使得第一平面與第二平面的貼合更容易實現。

一種可選的方案中，壓力傳感器22通過與傳感器觸發凸起52的配合，能夠分攤遮蔽部件50的5%~50%的重力份額。當然，本申請實施例不做過多限制。

當然，在其它的實施例中，在傳感器觸發凸起52壓緊壓力傳感器22的情況下，錐形槽51的底壁與錐形凸起211的頂面也可以不接觸。

在本申請實施例公開的校準機構20還可以包括信號線28。如圖6所示，信號線28與壓力傳感器22電連接，信號線28用於傳輸壓力傳感器22發出的觸發信號。一種可選的方案中，校準杆21內設有穿線孔，穿線孔與容納槽212連通，信號線28的端部自穿線孔穿入容納槽212中，並與容納槽212中的壓力傳感器22電連接。此種佈設方式能夠避免信號線28外露導致的磨損問題，同時校準杆21還能夠發揮保護信號線28的作用。本文中的觸發信號可以是壓力傳感器22檢測的壓力信號。

為了方便對校準杆21的升降的操控或驅動，基於此，一種可選的方案中，本申請實施例公開的校準機構20還可以包括第一筒狀伸縮件23。第一筒狀伸縮件23位於腔體10之外。腔體10開設有第一避讓孔101，校準杆21的底端穿過第一避讓孔101而位於腔體10之外。第一筒狀伸縮件23的第一端口與第一避讓孔101密封對接，即，第一筒狀伸縮件23的第一端口與腔體10密封連接，且將第一避讓孔101密封。第一筒狀伸縮件23套設在校準杆21之外，且第一筒狀伸縮件23的第二端口與校準杆21密封配合。第一筒狀伸縮件23可隨校準杆21的升降而伸縮。在此種情況下，校準杆21的底端能夠伸出到腔體10之外，進而方便在腔體10之外操控校準杆21。與此同時，第一筒狀伸縮件23能夠確保校準杆21的底端伸至腔體10之外的同時，兼顧腔體10的內部環境與外部環境之間的密封隔絕，從而避免外部環境對腔體10的內部環境的影響。

在本申請實施例中，校準杆21的升降可以通過手動操控來實現，例如操作人員通過手動推拉校準杆21，進而實現校準杆21的升降。當然，校準杆21還可以通過驅動機構的驅動來實現升降，這樣能夠提高製程腔室的自動化水平。基於此，一種可選的方案中，本申請實施例公開的校準機構20還可以包括第一驅動機構24，第一驅動機構24位於腔體10之外，且與校準杆21的底端相連，第一驅動機構24用於驅動校準杆21升降，以頂起遮蔽部件50或與遮蔽部件50分離。由於校準杆21的底端能夠位於腔體10之外，因此與之相連的第一驅動機構24較容易佈設在腔體10之外，並在腔體10之外來驅動校準杆21，從而能夠避免第一驅動機構24受到腔體10內環境的影響。

為了方便安裝，本申請實施例公開的校準機構20還可以包括安裝支架27。第一驅動機構24可以安裝在安裝支架27上。安裝支架27可以固定在腔體10之外，從而實現第一驅動機構24間接安裝於腔體10上，最終能夠實現校準機構20的至少部分的安裝。

如上文所述，第一筒狀伸縮件23的第一端口與第一避讓孔101密封對接，第一筒狀伸縮件23套設在校準杆21之外，且第一筒狀伸縮件23的第二端口與校準杆21密封配合。為了方便連接，一種可選的實施例中，本申請實施例公開的校準機構20還可以包括第一法蘭25和第二法蘭26，第二法蘭26密封套設在校準杆21上，第二法蘭26的上表面的外側邊緣與第一筒狀伸縮件23的第二端口密封連接。第一法蘭25套設在校準杆21之外，且與第一筒狀伸縮件23的第一端口密封連接。第一法蘭25固定在第一避讓孔101內，並與第一避讓孔101密封配合。此種結構能夠使得校準機構20的構件之間以及校準機構20與腔體10之間的連接較為容易實現。

在本申請實施例中，第一驅動機構24可以是氣壓伸縮件、液壓伸縮件，還可以絲杠驅動機構，本申請實施例不限制第一驅動機構24的具體種類。第一驅動機構24在工作時其自身的移動部分與校準杆21的底端相連，從而能夠帶動校準杆21進行升降。

為了進一步提高製程腔室的自動化，一種可選的方案中，本申請實施例公開的製程腔室還可以包括位置檢測器件和控制器。位置檢測器件用於檢測遮蔽部件50的位置。第一控制器分別與第一驅動機構24和位置檢測件相連。控制器用於在遮蔽部件50處在第一位置的情況下能控制第一驅動機構24開啟。在此種情況下，位置檢測器件一旦檢測到遮蔽部件50處在第一位置，則意味著遮蔽部件50在托架40上的位置需要校準或已校準完畢，在此種情況下，控制器可以控制校準杆21升起或降下。在本申請實施例中，位置檢測件可以是激光檢測器件，也可以是視覺檢測器件，本申請實施例不限制位置檢測件的具體種類。控制器可以是控制芯片，也可以是PLC（Programmable Logic Controller，可編程邏輯控制器）控制電路，當然，本申請實施例不限制控制器的具體種類。

一種可選的實施例中，第一驅動機構24的升降行程可以被設計成預設行程，在第一驅動機構24的驅動過程中，第一驅動機構24驅動校準杆21升起預設行程，即可實現伸至錐形槽51並頂起遮蔽部件50的目的。當然，在其它的實施例中，製程腔室可以通過檢測器件來檢測遮蔽部件50是否被頂起來控制第一驅動機構24的啟停。本申請實施例不限制對第一驅動機構24的啟停控制模式。

如上文所述，在遮蔽部件50承載於托架40的情況下，托架40能夠帶動遮蔽部件50在第一位置與第二位置之間切換。為了避免在位置切換過程中遮蔽部件50從托架40上滑落，一種可選的方案中，托架40的朝向遮蔽部件50的表面設有限位凸起42，遮蔽部件50的朝向托架40的底面設有第一限位凹槽53，限位凸起42伸至第一限位凹槽53中，並與第一限位凹槽53在平行於承載座30的承載面的平面內限位配合。在此種情況下，一旦遮蔽部件50發生側移，那麼限位凸起42和第一限位凹槽53會發生限位，從而避免遮蔽部件50的進一步側移，從而避免側移過多而導致的滑落。

在本申請實施例中，限位凸起42可以為環形凸起，如圖10、圖11、圖12或圖13所示，環形凸起能夠伸至第一限位凹槽53內從而能夠在平行於承載座30的承載面的平面內多個方向實施限位。當然，限位凸起42可以為一個，也可以為多個，例如圖9中所示的三個。如圖8和圖9所示，在限位凸起42為多個的情況下，多個限位凸起42圍成一圈設置，圍成一圈的多個限位凸起42伸至第一限位凹槽53中，從而能夠在平行於承載座30的承載面的平面內的多個方向上實施限位。

在其它的實施例中，本申請實施例公開的製程腔室還可以包括頂針62，遮蔽部件50的朝向托架40的底面可以設有第二限位凹槽54，第一限位凹槽53開設於第二限位凹槽54的底壁上。第二限位凹槽54用於供頂針62伸入，並與頂針62在平行於承載面的平面內限位配合。在頂針62支撐遮蔽部件50（如後文所述）的情況下，頂針62可以與第二限位凹槽54在平行於承載面的平面內限位配合，從而避免遮蔽部件50從頂針62上脫落。具體的，頂針62可以為多根，例如三根。多根頂針62間隔分佈，從而實現較為均衡的支撐。

在本申請實施例中，本申請實施例公開的製程腔室還可以包括第二驅動機構63，第二驅動機構63設於腔體10上，第二驅動機構63與托架40相連，從而驅動托架40運動，進而實現托架40帶動遮蔽部件50在第一位置與第二位置之間切換。具體的，第二驅動機構63可以一部分位於腔體10之外，另一部分位於腔體10之內，第二驅動機構63的位於腔體10之內的部分與托架40相連，從而帶動托架40運動。第二驅動機構63的種類可以有多種，本申請不限制第二驅動機構63的種類及具體結構。

在更為具體的實施例中，第二驅動機構63動力輸出軸可以被設定為在第一預設角度範圍內轉動，在第二驅動機構63的動力輸出軸轉動至第一預設角度範圍的一端的情況下，第二驅動機構63則帶動遮蔽部件50運動至第一位置。在第二驅動機構63的動力輸出軸轉動至第一預設角度範圍的另一端的情況下，第一驅動電機則帶動遮蔽部件50運動至第二位置。

一種可選的方案中，第二驅動機構63可以通過自腔體10之外穿入到腔體10之內的傳動杆631與托架40相連。具體的，第二驅動機構63設於腔體10之外。腔體10設有第三避讓孔。傳動杆631的底端位於腔體10之外，且與第二驅動機構63相連。傳動杆631的頂端穿過第三避讓孔而位於腔體10之內，且與托架40相連。第二驅動機構63可驅動傳動杆631轉動，以使傳動杆631帶動托架40移動。在此種情況下，腔體10開設有第三避讓孔，以供傳動杆631穿過。在具體工作的過程中，第二驅動機構63驅使傳動杆631轉動，傳動杆631轉動能夠帶動托架40轉動，進而通過托架40帶動遮蔽部件50轉動，以實現遮蔽部件50位置的切換。

當然，為了確保腔體10內的環境不受影響，第三避讓孔的孔壁與傳動杆631之間可以設有密封結構。密封結構可以為動密封結構或靜密封結構，本申請實施例不限制密封結構的具體種類。

一種可選的方案中，本申請實施例公開的腔體10可以具有第一空間102和第二空間103，第一空間102位於第二空間103的側方，且與第二空間103連通。承載座30設於第二空間103內，校準機構20設於腔體10的與第一空間102相對的位置（在校準機構20包括校準杆21的情況下，校準杆21可活動的設於腔體10的與第一空間102相對的位置），遮蔽部件50可在平行於承載座30的承載面的平面內移動或轉動。在遮蔽部件50處在第一位置的情況下，遮蔽部件50移動或轉動至第一空間102內。在遮蔽部件50處在第二位置的情況下，遮蔽部件50移動或轉動至第二空間103之內。

進一步地，第一空間102在第一方向的長度尺寸小於第二空間103在第一方向的長度尺寸，需要說明的是，本文中，第一方向為與承載座30的承載面相垂直的方向。由於承載座30所處的空間後續會發生濺射製程或清洗製程，而第一空間102僅僅是托架40承載著遮蔽部件50停靠的空間，故第一空間102無需在與承載面垂直的方向設置較大的尺寸，此種能夠根據第一空間102和第二空間103的需要，針對性設計兩者在第一方向的長度尺寸的方式，無疑有利於腔體10的針對性設計，進而無需設計過大的尺寸，有利於製程腔室的小型化設計。

本申請實施例公開的製程腔室還可以包括靶材61、磁控管71和第三驅動機構72。腔體10可以設有通過靶材61分隔的第二空間103和第三空間104。第三空間104位於第二空間103的上方。第三驅動機構72設於腔體10上，且與位於第三空間104內的磁控管71相連。第三驅動機構72用於驅動磁控管71在第三空間104內轉動。需要說明的是，磁控管71轉動所在的平面與承載座30的承載面平行。在濺射製程進行的過程中，第三驅動機構72驅動磁控管71在第三空間104內轉動，從而能夠通過磁場動態調節第二空間103內的等離子體的密度，使得第二空間103內的等離子體的密度更為均勻，最終有利於提高濺射質量。

同理，為了避免受到腔體10內的環境的影響，第三驅動機構72可以設於腔體10之外，第三驅動機構72可以通過穿過腔體10的連接件實現與磁控管71的連接。

在本申請實施例公開的製程腔室中，腔體10的結構可以有多種，本申請實施例不限制腔體10的具體結構。請再次參考圖1和圖2，一種可選的方案中，腔體10可以包括絕緣罩11、絕緣環12和腔體本體14。腔體本體14構成腔體10的主要部分，靶材61搭接在腔體本體14的頂部開口上，並覆蓋腔體本體14的頂部開口，靶材61與腔體本體14能夠圍成至少包括第二空間103的空間（在一些實施例中，該空間還可以包括第一空間102），絕緣罩11罩設在靶材61上，並與靶材61圍成第三空間104。在濺射製程進行時，靶材61與電源15電連接，進而實現靶材61接電，絕緣環12能夠絕緣隔離腔體本體14和靶材61，從而避免腔體本體14帶電。當然，靶材61通過搭接實現安裝，從而避免再額外設置專門安裝靶材61的安裝結構，從而能夠使得腔體10的結構得以簡化。

另外，絕緣罩11與靶材61圍成第三空間104，並且磁控管71設於第三空間104，絕緣罩11由絕緣材料製成，能夠避免磁場從第三空間104內向不需要的方向輻射。具體的，絕緣罩11的開口朝向第二空間103，從而使得磁場通過絕緣罩11的開口針對性地施加於第二空間103中，最終有利於發生在第二空間103內的濺射製程的製程質量。

當然，本申請實施例公開的腔體10還可以包括轉接環13，轉接環13設置在腔體本體14與絕緣環12之間，以用於構成腔體10的一部分。轉接環13具有轉接功能，能夠為後文所述的隔離環66提供安裝位置，從而實現隔離環66在腔體10內的安裝。

本申請實施例公開的製程腔室還可以包括頂針62、沉積環64、遮蔽環65、隔離環66、頂針架67、第四驅動機構68和氣路系統73。

隔離環66設於腔體10之內。具體的，隔離環66的部分可以貼設在腔體10的內壁上，隔離環66的另一部分延伸至承載座30的上方。遮蔽環65設有環狀槽651，隔離環66的另一部分圍成環狀凸部661，並伸至遮蔽環65的環狀槽651之內，從而能夠使得遮蔽環65在不被承載座30支撐的情況下依靠重力搭接在環狀凸部661上。

沉積環64設置在承載座30的邊緣，並與遮蔽環65相對設置。隔離環66、遮蔽環65和沉積環64均設於腔體10的第二空間103中。準確來說，第一空間102是托架40攜帶遮蔽部件50停靠的空間，第二空間103為進行清洗製程或濺射製程的空間。

頂針62和頂針架67均設於第二空間103之內，頂針62安裝於頂針架67上，頂針架67與第四驅動機構68相連，第四驅動機構68設於腔體10上。第四驅動機構68通過驅動頂針架67移動，從而達到間接驅動頂針62升降的目的。在具體的工作過程中，頂針62穿設在承載座30上，並能夠在與承載座30的承載面相垂直的方向升降。

在本申請實施例中，托架40具有避讓豁口43，避讓豁口43用於發揮避讓頂針62的作用。本申請實施例公開的製程腔室還可以包括沉積環64，沉積環64固定在承載座30的邊緣，且圍繞承載座30的承載面設置。

在即將進行清洗製程的過程中，遮蔽部件50承載在托架40上，並在托架40的帶動下運動至第一空間102而處於第一位置，接著校準機構20對遮蔽部件50進行校準，以使遮蔽部件50被調整至托架40的預設位置處。然後，托架40帶動遮蔽部件50運動至第二空間103內而處於第二位置。在托架40帶著已被校準好的遮蔽部件50處於第二空間103，而使得遮蔽部件50處於第二位置時，第四驅動機構68驅動頂針架67帶動頂針62升起，頂針62穿過承載座30而逐漸接近托架40，直至穿過托架40的避讓豁口43而支撐遮蔽部件50。一旦頂針62支撐遮蔽部件50，托架40可在第二驅動機構63的驅動下運動到第一空間102內停靠，當然，避讓豁口43的存在能夠使得托架40在被第二驅動機構63驅動而運動到第一空間102的過程中不會與處於升起狀態的頂針62發生干涉。接著，承載座30在與其相連的第五驅動機構的驅動下升起並將遮蔽部件50頂起，直至承載座30帶著沉積環64將遮蔽環65頂起，並確保隔離環66的環狀凸部661不從環狀槽651中脫離出，此時遮蔽部件50處於進行清洗製程的製程位置，當然，此時遮蔽部件50被承載座30支撐，並覆蓋承載座30的承載面，達到防護承載面的目的，以為後續的清洗製程做好準備。

需要說明的是，遮蔽環65在垂直於承載座30的承載面的方向的投影可以覆蓋沉積環64的外環邊緣。隨著承載座30帶動遮蔽部件50和沉積環64繼續升起，直至將遮蔽環65頂起。在此種情況下，靶材61、隔離環66、遮蔽環65、沉積環64和遮蔽部件50圍成清潔空間，進而完成清洗製程進行之前的準備。在清洗製程進行的過程中，氣路系統73向清潔空間內輸送清潔氣體（例如氬氣、氮氣等），清潔氣體進入清潔空間內形成等離子體，等離子體會轟擊靶材61，並將靶材61上的雜質轟擊掉，最終達到清潔靶材61的目的。當然，被轟擊成原子的雜質會沉積到遮蔽部件50、隔離環66、遮蔽環65、沉積環64上。由於遮蔽部件50覆蓋在承載座30上，因此能夠防護承載座30以避免雜質在承載座30上的沉積。

在清洗製程完成後，第五驅動機構（圖中未呈現）驅動承載座30降落，遮蔽部件50會跟著承載座30下降，隨著承載座30的繼續降落，頂針62則再次從承載座30的承載面的一側伸出，從而重新支撐遮蔽部件50，承載座30的繼續降落會與遮蔽部件50分離。接著，第二驅動機構63會驅動托架40從第一空間102運動至第二空間103中並處於遮蔽部件50的下方（此時承載座30位於托架40的下方）。然後，第四驅動機構68驅動頂針架67帶動頂針62降落，從而使得遮蔽部件50落在托架40上。隨著頂針62的繼續降落，遮蔽部件50與頂針62分離，接著，第二驅動機構63會驅動托架40帶動遮蔽部件50從第二空間103運動到第一空間102，從而使遮蔽部件50重新回到第一位置，進而再一次被校準機構20進行校準。校準後的遮蔽部件50可以為下一次的清洗製程做好準備。

在清洗製程完成後，半導體製程設備的機械手可以把晶圓輸送至頂針62上，使得晶圓被頂針62支撐。接著，第五驅動機構驅動承載座30升起，進而使得承載座30將晶圓頂起，並使得晶圓與頂針62分離。在承載座30升起至沉積環64與遮蔽環65接觸的位置時，氣路系統73可以輸入製程氣體（例如氬氣、氮氣），製程氣體進入到第二空間103內被電離成等離子體，等離子體會轟擊被清潔過的靶材61，並將靶材61的原子轟擊出而沉積到晶圓上，從而實現濺射製程。

如上文所述，本申請實施例涉及的遮蔽部件50的底面可以設有第二限位凹槽54，第二限位凹槽54用於與頂針62限位配合。具體的，在頂針62支撐遮蔽部件50的情況下，頂針62伸至第二限位凹槽54內，並能夠與第二限位凹槽54的側壁限位配合，從而避免遮蔽部件50在頂針62支撐的情況下發生側滑掉落的風險。當然，第二限位凹槽54的設置無需以第一限位凹槽53為前提，當然，在遮蔽部件50已設有第一限位凹槽53的情況下，第一限位凹槽53可以開設於第二限位凹槽54的底壁上，第一限位凹槽53可以與第二限位凹槽54對中分佈。

基於本申請實施例公開的製程腔室，本申請實施例公開一種半導體製程設備，所公開的半導體製程設備包括上文實施例所述的製程腔室。

本發明上文實施例中重點描述的是各個實施例的不同，各個實施例的不同的技術特徵只要不矛盾，均可以組合形成更多的實施例，考慮到行文簡潔，在此則不再贅述。

上面結合附圖對本發明的實施例進行了描述，但是本發明並不局限於上述的具體實施方式，上述的具體實施方式僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領域的普通技術人員在本發明的啟示下，在不脫離本發明宗旨和請求項所保護的範圍情況下，還可做出很多形式，均屬本發明的保護之內。

10:腔體 11:絕緣罩 12:絕緣環 13:轉接環 14:腔體本體 15:電源 20:校準機構 21:校準杆 22:壓力傳感器 23:第一筒狀伸縮件 24:第一驅動機構 25:第一法蘭 26:第二法蘭 27:安裝支架 28:信號線 30:承載座 40:托架 41:第二避讓孔 42:限位凸起 43:避讓豁口 50:遮蔽部件 51:錐形槽 52:傳感器觸發凸起 53:第一限位凹槽 54:第二限位凹槽 55:錐形環面 61:靶材 62:頂針 63:第二驅動機構 631:傳動杆 64:沉積環 65:遮蔽環 66:隔離環 67:頂針架 68:第四驅動機構 71:磁控管 72:第三驅動機構 73:氣路系統 101:第一避讓孔 102:第一空間 103:第二空間 104:第三空間 211:錐形凸起 212:容納槽 651:環狀槽 661:環狀凸部

下面結合附圖，通過對本申請的具體實施方式詳細描述，將使本申請的技術方案及其有益效果顯而易見。在附圖中： 圖1是本申請實施例公開的半導體製程設備在遮蔽部件處在第一位置時的結構示意圖； 圖2是本申請實施例公開的半導體製程設備在遮蔽部件處在第二位置時的結構示意圖； 圖3是本申請實施例公開的校準機構的結構示意圖； 圖4是本申請實施例公開的校準機構的部分結構示意圖； 圖5是圖4中部分結構的放大示意圖； 圖6是錐形凸起將遮蔽部件頂起後的配合示意圖； 圖7是本申請實施例公開的一種遮蔽部件的結構示意圖； 圖8是本申請實施例公開的另一種遮蔽部件的結構示意圖； 圖9是本申請實施例公開的一種托架的結構示意圖； 圖10是圖9的剖視圖； 圖11是本申請實施例公開的另一種托架的結構示意圖； 圖12是圖11的剖視圖； 圖13是本申請實施例公開的托架與遮蔽部件的配合結構示意圖； 圖14是校準完成後遮蔽部件在托架上的預設位置處的結構示意圖。

10:腔體

11:絕緣罩

12:絕緣環

13:轉接環

14:腔體本體

15:電源

20:校準機構

21:校準杆

22:壓力傳感器

23:第一筒狀伸縮件

24:第一驅動機構

30:承載座

40:托架

50:遮蔽部件

61:靶材

62:頂針

63:第二驅動機構

64:沉積環

65:遮蔽環

66:隔離環

67:頂針架

68:第四驅動機構

71:磁控管

72:第三驅動機構

73:氣路系統

101:第一避讓孔

102:第一空間

103:第二空間

104:第三空間

631:傳動杆

651:環狀槽

661:環狀凸部

Claims (13)

1. 一種半導體製程設備的製程腔室，其中，包括具有第一空間（102）和第二空間（103）的一腔體（10）、一校準機構（20）以及設於該腔體（10）之內的一承載座（30）、一托架（40）和一遮蔽部件（50），該第一空間（102）位於該第二空間（103）的側方並與該第二空間（103）連通，該校準機構（20）設於該腔體（10）上，該承載座（30）設於該第二空間（103）內，該校準機構（20）包括可活動地設於該腔體（10）上的一校準杆（21），在該遮蔽部件（50）承載於該托架（40）的情況下，該遮蔽部件（50）可隨該托架（40）在一第一位置與一第二位置之間切換；在該遮蔽部件（50）處在該第一位置的情況下，該遮蔽部件（50）與該承載座（30）錯開並位於該第一空間（102）內，該校準杆（21）位於該遮蔽部件（50）的下方，且該校準杆（21）可將該遮蔽部件（50）調整至該托架（40）上的一預設位置處；在該遮蔽部件（50）處在該托架（40）上的該預設位置處，且該托架（40）帶動該遮蔽部件（50）運動至該第二位置的情況下，該遮蔽部件（50）位於該第二空間（103）中並位於該承載座（30）的上方，該校準杆（21）的一端位於該第一空間（102）內，該遮蔽部件（50）的中心軸線與該承載座（30）的中心軸線之間的一間隔距離小於或等於第一預設距離。
2. 如請求項1所述的製程腔室，其中，該校準杆（21）的頂端包括一錐形凸起（211），該遮蔽部件（50）的朝向該托架（40）的底面設有一錐形槽（51）；在該遮蔽部件（50）處在該第一位置的情況下，該校準杆（21）可帶動該錐形凸起（211）穿過該托架（40），而伸至該錐形槽（51）中並頂起該遮蔽部件（50）；在該遮蔽部件（50）被頂起的過程中，該遮蔽部件（50）的重力可驅使該錐形槽（51）的內壁與該錐形凸起（211）的外壁滑動，以引導該遮蔽部件（50）移動至該托架（40）上的該預設位置處。
3. 如請求項2所述的製程腔室，其中，該校準機構（20）還包括一壓力傳感器（22），該錐形凸起（211）設有一容納槽（212），該壓力傳感器（22）安裝在該容納槽（212）中，且該壓力傳感器（22）與該容納槽（212）的槽口平齊或低於該容納槽（212）的槽口，該錐形槽（51）的底壁設有一傳感器觸發凸起（52）；在該錐形凸起（211）伸至該錐形槽（51）中的情況下，該傳感器觸發凸起（52）伸至該容納槽（212）之內，並壓緊該壓力傳感器（22）。
4. 如請求項3所述的製程腔室，其中，該製程腔室還包括一報警器，該報警器與該壓力傳感器（22）相連，在該遮蔽部件（50）被頂起，且該壓力傳感器（22）未發出壓力信號的情況下，該報警器用於故障報警。
5. 如請求項3所述的製程腔室，其中，該傳感器觸發凸起（52）為一錐狀結構，在該錐形凸起（211）伸至該錐形槽（51）中的情況下，該傳感器觸發凸起（52）的較小的一端伸至該容納槽（212）之內，並壓緊該壓力傳感器（22）。
6. 如請求項3所述的製程腔室，其中，該壓力傳感器（22）為一彈性結構件，該錐形槽（51）的底壁為一第一平面，該錐形凸起（211）的頂面為一第二平面，在該錐形凸起（211）伸至該錐形槽（51）中的情況下，該傳感器觸發凸起（52）伸至該容納槽（212）之內，並將該壓力傳感器（22）壓至收縮狀態，且該第一平面與該第二平面貼合。
7. 如請求項2所述的製程腔室，其中，該校準機構（20）還包括位於該腔體（10）之外的一第一筒狀伸縮件（23），該腔體（10）開設有一第一避讓孔（101），該校準杆（21）的底端穿過該第一避讓孔（101）而位於該腔體（10）之外，該第一筒狀伸縮件（23）的一第一端口與該第一避讓孔（101）密封對接，該第一筒狀伸縮件（23）套設在該校準杆（21）之外，且該第一筒狀伸縮件（23）的一第二端口與該校準杆（21）密封配合，該第一筒狀伸縮件（23）可隨該校準杆（21）的升降移動而伸縮。
8. 如請求項7所述的製程腔室，其中，該校準機構（20）還包括一第一驅動機構（24），該第一驅動機構（24）位於該腔體（10）之外，且與該校準杆（21）的底端相連，該第一驅動機構（24）用於驅動該校準杆（21）升降以頂起該遮蔽部件（50）或與該遮蔽部件（50）分離。
9. 如請求項2所述的製程腔室，其中，該托架（40）設有一第二避讓孔（41），該校準杆（21）可帶動該錐形凸起（211）穿過該第二避讓孔（41）而伸至該錐形槽（51）中。
10. 如請求項1所述的製程腔室，其中，該托架（40）的朝向該遮蔽部件（50）的表面設有一限位凸起（42），該遮蔽部件（50）的朝向該托架（40）的底面設有一第一限位凹槽（53），該限位凸起（42）伸至該第一限位凹槽（53）中，並與該第一限位凹槽（53）在平行於該承載座（30）的一承載面的平面內限位配合。
11. 如請求項10所述的製程腔室，其中，該限位凸起（42）為一環形凸起，或者，該限位凸起（42）為多個，且圍成一圈設置。
12. 如請求項10所述的製程腔室，其中，該製程腔室還包括一頂針（62），該遮蔽部件（50）的朝向該托架（40）的底面設有一第二限位凹槽（54），該第一限位凹槽（53）開設於該第二限位凹槽（54）的底壁上，該第二限位凹槽（54）用於供該頂針（62）伸入，並與該頂針（62）在平行於該承載面的平面內限位配合。
13. 一種半導體製程設備，其中，包括如請求項1至12中任一項所述的製程腔室。