TWI881731B

TWI881731B - 基板封裝結構

Info

Publication number: TWI881731B
Application number: TW113106857A
Authority: TW
Inventors: 林柏宏; 張銘軒; 李文淵; 黃仲欽; 黃文忠
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2024-02-26
Filing date: 2024-02-26
Publication date: 2025-04-21
Also published as: CN118610172A; TW202534901A

Abstract

本揭露的實施例提供一種基板封裝結構，包括第一基板、金屬佈線層、焊接凸塊及第二基板。金屬佈線層設置於第一基板上方，且包括設置於第一基板上方的介電層、設置於介電層中的導電結構、設置於介電層中並位於導電結構的周圍的錨定部件及設置於導電結構上的頂部焊墊，且頂部焊墊的頂表面高於介電層的頂表面。焊接凸塊設置於金屬佈線層上。第二基板設置於焊接凸塊上。

Description

基板封裝結構

本揭露涉及一種基板封裝結構。

隨著積體電路(integrated circuit，IC)的製造技術日益進步，封裝製程的要求也隨之提高。然而，在封裝製程的熱處理期間(Thermal cycle)容易因熱脹冷縮現象而造成介電層變形，進而介電層內的線路層移位，甚至斷裂。有鑑於此，如何改善介電層變形及介電層內的線路層移位或斷裂的問題成為相關領域的開發重點。

本揭露的實施例提供一種基板封裝結構，包括第一基板、金屬佈線層、焊接凸塊及第二基板。第一基板定義有晶片區及非晶片區。金屬佈線層設置於第一基板上方，且包括設置於第一基板上方的介電層、設置於介電層中的導電結構、設置於介電層中且位於導電結構的周圍的第一內填充部、設置於介電層中且位於非晶片區並鄰近於導電結構的第二內填充部及設置於介電層上且位於導電結構上的頂部焊墊。另外，位於晶片區的第一內填充部的分布密度大於位於非晶片區的第二內填充部的分布密度。頂部焊墊的頂表面高於介電層的頂表面。焊接凸塊分別設置於頂部焊墊上。第二基板設置於焊接凸塊上且位於晶片區。

以下將以圖式及詳細說明清楚說明本發明之精神，任何所屬技術領域中具有通常知識者在瞭解本發明之較佳實施例後，當可由本發明所教示之技術，加以改變及修飾，其並不脫離本發明之精神與範圍。

例示性的詞彙「下方」或「之下」，可以包含「上方」和「上方」兩種方位。在本文中所使用的用詞「包含」、「包括」、「具有」、「含有」等等，均為開放性的用語，即意指包含但不限於。

在後段製程中形成的重分佈層(Redistribution Layer，RDL) (或稱金屬佈線層)中，由於重分佈層的介電層的材料(例如，聚醯亞胺(Polyimide，PI)的熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion，CTE)通常遠大於金屬材料的CTE，因此在溫度變化大或受極端溫度的製程中，會導致介電層膨脹顯著，進而造成應力不平均而發生金屬材料斷裂現象，甚至造成導線或是焊墊的損壞。據此，本揭露的實施例透過設置錨定部件來提升金屬佈線層的結構穩定性。

請參閱第1圖至第3D圖，第1圖及第2圖是根據本揭露的一些實施例的基板封裝結構的製造過程的其中一些階段的截面圖，且第3A圖至第3D圖是根據本揭露的一些實施例的錨定部件與導電結構之間的相對位置關係的上視圖。如第1圖所示，基板封裝結構100(如第6圖)的基板110定義有晶片區102及非晶片區104。在基板110上設置隔離層120。在一些實施例中，形成隔離層120的材料包括樹脂及膠液。接著，在隔離層120上形成介電層130。在一些實施例中，形成介電層130的材料包括聚醯亞胺(PI)。在一些實施例中，介電層130的厚度為5至200微米(µm)。隨後，在隔離層120上形成電源層140，且電源層140位於介電層130中。在一些實施例中，電源層140的直徑R1為100至1000µm。

進一步地，透過雷射鑽孔技術，在介電層130中形成至少一導電開孔144及形成於導電開孔144周圍的複數個錨定開孔146，其中導電開孔144會暴露電源層140的頂表面，且最靠近導電開孔144的錨定開孔146以第一距離D1或以第二距離D2與導電開孔144相隔。並且，第一距離D1例如是指自第一導電開孔144A的中心到最靠近第一導電開孔144A的第一錨定開孔146A的中間的距離，而第二距離D2例如是第一導電開孔144A的中心到另一第一導電開孔144A的第一錨定開孔146A的中間的距離。在一些實施例中，導電開孔144位於晶片區102。在一些實施例中，導電開孔144的直徑R2(例如第3A圖所示)為10至50µm。在一些實施例中，錨定開孔146的直徑R3(例如第3A圖所示)為10至50µm。在一些實施例中，第一距離D1小於等於第二距離D2。

以第1圖為例，在介電層130中形成第一導電開孔144A、第二導電開孔144B和第三導電開孔144C(統稱為導電開孔144)及複數個第一錨定開孔146A、第二錨定開孔146B和第三錨定開孔146C(統稱為錨定開孔146)。第一導電開孔144A位於第二導電開孔144B和第三導電開孔144C之間，且第一導電開孔144A與第二導電開孔144B及第二導電開孔144B分別以一距離相隔。

第一錨定開孔146A位於第一導電開孔144A的周圍。第二錨定開孔146B位於第二導電開孔144B的周圍，並且，遠離第一導電開孔144A的部分的第二錨定開孔146B與第二導電開孔144B之間具有夾角θ。第三錨定開孔146C位於第三導電開孔144C的周圍。相似地，遠離第一導電開孔144A的部分的第三錨定開孔146C與第三導電開孔144C之間具有夾角θ。在一些實施例中，夾角θ為15至30度。

如第1圖中的虛線放大方框所示，在一些實施例中，在透過雷射鑽孔技術鑽孔後，對部分的第二錨定開孔146B及部分的第三錨定開孔146C的內表面進行粗化製程，以使部分的第二錨定開孔146B及部分的第三錨定開孔146c的內表面產生複數個凹陷147。在一些實施例中，凹陷147的直徑為10至200奈米(nm)。在一些實施例中，凹陷147的深度為1至50nm。

如第2圖所示，在導電開孔144及錨定開孔146(如第1圖所示)中填充金屬材料，以分別形成導電結構152(例如，第一導電結構152A、第二導電結構152B和第三導電結構152C)及錨定部件154(例如，第一錨定部件154A、第二錨定部件154B和第三錨定部件154C)。在一些實施例中，金屬材料為銅(Cu)。此外，如第2圖中的虛線放大方框所示，在第二錨定開孔146B及部分的第三錨定開孔146C的表面具有凹陷147(如第1圖所示)的實施例中，在第二錨定開孔146B及部分的第三錨定開孔146C中填充金屬材料後，會於凹陷147中形成內粗糙化結構157，且內粗糙化結構157可以提高錨定部件154的側邊於介電層130中的結合力。

接著，在導電結構152上形成頂部焊墊156(例如位於第一導電結構152A上的第一頂部焊墊156A、位於第二導電結構152B上的第二頂部焊墊156B及位於第三導電結構152C上的第三頂部焊墊156C)。並且，頂部焊墊156的頂表面高於介電層130的頂表面。如此一來，便形成位於基板110上方的金屬佈線層150。在一些實施例中，頂部焊墊156的直徑R4為100至1000µm。

進一步地，請參閱第3A圖至第3D圖。根據製程需求，錨定部件154與導電結構152可以被設計成不同的佈局。例如，如第3A圖所示，錨定部件154與導電結構152可以被設計為十字型佈局，其中頂部焊墊156為圓形。或例如，如第3B圖所示，錨定部件154與導電結構152可以被設計為同心圓佈局，其中頂部焊墊156為圓形。又例如，如第3C圖所示，錨定部件154與導電結構152可以被設計為矩陣型佈局，其中頂部焊墊156為圓形。再例如，如第3D圖所示，錨定部件154與導電結構152可以被設計為矩陣型佈局，其中頂部焊墊156為矩形，且矩形的頂部焊墊156的長度L為100至1000µm，且矩形的頂部焊墊156的寬度W為100至1000µm。在一些實施例中，當頂部焊墊的直徑R4、長度L或寬度W小於200µm時，以十字型佈局或同心圓佈局；當頂部焊墊156的直徑R4、長度L或寬度W大於200µm時，以矩陣型佈局。根據頂部焊墊156的尺寸來設置不同數量的錨定部件154，藉此能夠調整金屬材料的占比，改善導電結構152受到應力影響程度。

接著，請參閱第4A圖至第4G圖，第4A圖至第4G圖是根據本揭露的錨定部件位於金屬佈線層的各種實施例的截面圖。值得一提的是，以下描述透過相對詞彙，例如「下部」或「底部」與「上部」或「頂部」，來描述文中在附圖中所示的一元件與另一元件之關係。相對詞彙是用來描述裝置在附圖中所描述之外的不同方位是可以被理解的，且非用於限定本揭露。即，若附圖中的裝置被翻轉，元件將會被描述原為位於其它元件之「下」側將被定向為位於其他元件之「上」側，以此類推。因此，例示性的詞彙「下」，根據附圖的特定方位可以包含「下」和「上」兩種方位。

如第4A圖所示的實施例，金屬佈線層150包括介電層130，且包括位於介電層130中的電源層140、位於電源層140上的導電結構152、位於導電結構152上的錨定焊墊158及位於錨定焊墊158上的頂部焊墊156。在此實施例中，錨定焊墊158會完全包覆導電結構152的上部，且錨定焊墊158的頂表面與介電層130的頂表面共平面。並且，頂部焊墊156的底表面與錨定焊墊158的頂表面接觸，且頂部焊墊156的頂表面高於介電層130的頂表面。在一些實施例中，頂部焊墊的直徑R4小於錨定焊墊的直徑R5。透過此實施例，可以增加錨定焊墊158在介電層130的接觸面積，進而提高結構穩定性。

如第4B圖所示的實施例，金屬佈線層150包括介電層130，且包括位於介電層130中的電源層140、位於電源層140上的導電結構152、位於導電結構152周圍且互相間隔的錨定部件154、位於錨定部件154及導電結構152上的錨定焊墊158及位於錨定焊墊158上的頂部焊墊156。在一些實施例中，錨定焊墊158的直徑R5大於電源層140的直徑R1，且錨定焊墊158的直徑R5大於頂部焊墊156的直徑R4。

如第4C圖所示的實施例，金屬佈線層150包括第一介電層130A及位於第一介電層130A上的第二介電層130B，且包括位於第一介電層130A中的第一電源層140A及位於第一電源層140A的線路結構162、位於第二介電層130B中並位於線路結構162上的第二電源層140B、位於第二電源層140B上的導電結構152及位於導電結構152的周圍的複數個錨定部件154。並且，頂部焊墊156位於第二介電層130B上。在此實施例中，錨定部件154的底部與第二電源層140B的頂表面接觸，但在另外一些實施例中，錨定部件154的底部可以不與第二電源層140B的頂表面接觸，即錨定部件154的高度與導電結構152的高度不同。

如第4D圖所示的實施例，金屬佈線層150包括第一介電層130A及位於第一介電層130A上的第二介電層130B，且包括位於第一介電層130A中的電源層140、位於電源層140上的下部導電結構152L、圍繞下部導電結構152L的複數個下部錨定部件154L、位於第二介電層130B中且位於下部導電結構152L上的下部頂部焊墊156L、位於下部頂部焊墊156L上的上部導電結構152U及位於上部導電結構152U的周圍的上部錨定部件154U。並且，上部頂部焊墊156U設置於第二介電層130B上。在此實施例中，下部錨定部件154L的底部不與電源層140的頂表面接觸，即下部錨定部件154L的高度與下部導電結構152L的高度不同。在此實施例中，上部錨定部件154U的底部與下部頂部焊墊156L的頂表面接觸。但在另外一些實施例中，上部錨定部件154U的底部可以不與下部頂部焊墊156L的頂表面接觸。

如第4E圖所示的實施例，金屬佈線層150包括第一介電層130A及位於第一介電層130A上的第二介電層130B，且包括位於第一介電層130A上的電源層140、位於電源層140上的導電結構152及位於導電結構152的周圍的錨定部件154。並且，頂部焊墊156設置於第二介電層130B上。在此實施例中，錨定部件154與導電結構152之間具有夾角θ。在一些實施例中，夾角θ為15至30度。在此實施例中，錨定部件154的底部與電源層140的頂表面接觸，但在另外一些實施例中，錨定部件154的底部可以不與電源層140的頂表面接觸。

如第4F圖所示的實施例，金屬佈線層150包括第一介電層130A及位於第一介電層130A上的第二介電層130B，且包括位於第一介電層130A中的電源層140、位於電源層140上的下部導電結構152L、位於下部導電結構152L周圍的下部錨定部件154L、位於第二介電層130B中且位於下部導電結構152L上的下部頂部焊墊156L、設置於下部頂部焊墊156L上的上部導電結構152U及位於上部導電結構152U的周圍的上部錨定部件154U。並且，上部頂部焊墊156U設置於第二介電層130B上。在此實施例中，下部錨定部件154L的底部不與電源層140的頂表面接觸，但在另外一些實施例中，下部錨定部件154L的底部可以與電源層140的頂表面接觸。在此實施例中，上部錨定部件154U與上部導電結構152U之間具有夾角θ。在一些實施例中，夾角θ為15至30度。在一些實施例中，上部錨定部件154U的底部與下部頂部焊墊156L的頂表面接觸。在一些實施例中，上部錨定部件154U的底部不與下部頂部焊墊156L的頂表面接觸。

如第4G圖所示的用於接地層的實施例，金屬佈線層150包括第一介電層130A、位於第一介電層130A上的第二介電層130B及位於第二介電層130B上的第三介電層130C，且包括位於第一介電層130A中的上部的下部錨定部件154L、位於第二介電層130B中且位於下部錨定部件154L上的電源層140、設置於電源層140上的導電結構152位於導電結構152周圍的中間錨定部件154M、位於第三介電層130C中且位於導電結構152上的中間頂部焊墊156M及設置於中間頂部焊墊156M上的線路結構162。並且，上部頂部焊墊156U設置於第三介電層130C上。在此實施例中，複數個中間錨定部件154M與導電結構152不等距，且中間錨定部件154M的底部與電源層140的頂表面接觸。

透過在金屬佈線層150中設置錨定部件154、錨定焊墊158或其組合，提高基板封裝結構100(如第6圖)的穩定性。並且，每層的介電層130中可以設置不同結構的錨定部件154及/或錨定焊墊158，以在金屬佈線層150的各介電層130(例如PI)中提高金屬材料(例如Cu)的占比，藉此分散導電結構152因熱膨脹係數(CTE)差異過大所造成的應力影響。

此外，為了解決金屬佈線層150內因元件的熱膨脹係數(CTE)差異過大而造成應力不平均的問題，本揭露的實施例更提供可以吸收應力的內填充部及填充層。

請參閱第5圖至第7圖，第5圖及第6圖是根據本揭露的一些實施例的基板封裝結構的製造過程的各階段的截面圖，且第7圖根據本揭露的一些實施例的焊接凸塊與內部填充件之間的相對位置關係的上視圖。

如第5圖所示，在介電層130中形成複數個開口OP，且開口OP基本上位於導電結構152的周圍。並且，根據需求(例如線路佈局)，也可以在非晶片區104的介電層130中形成開口OP。在一些實施例中，介電層130包括乾膜光阻劑。在此實施例中，透過雷射鑽孔製程，在介電層130中形成開口OP，並可以調整雷射軸線來改變鑽孔的形狀來形成開口OP，例如使開口OP形成為圓柱形或圓錐形。在另外一些實施例中，介電層130包括液態光阻劑。在此實施例中，透過光阻遮罩來定義開口圖案，並對液態光阻劑進行固化後，透過蝕刻製程來形成開口OP，然後再去除光阻遮罩。值得一提的是，於第5圖的實施例中，是先在介電層130中形成開口OP，再設置焊接凸塊170，但在其他一些實施例中，也可以先在第一頂部焊墊156A、第二頂部焊墊156B及第三頂部焊墊156C上設置焊接凸塊170，再於介電層130中形成開口OP，本揭露並不以此為限。

接著，如第6圖所示，在頂部焊墊156上設置焊接凸塊170，即分別在第一頂部焊墊156A、第二頂部焊墊156B及第三頂部焊墊156C上設置焊接凸塊170。在一些實施例中，焊接凸塊170為錫球。隨後，將填充材料填充至介電層130中的開口OP(如第5圖)中以形成內填充部182，且將填充材料填充晶片區102的介電層130上並包覆焊接凸塊170及第一頂部焊墊156A、第二頂部焊墊156B及第三頂部焊墊156C，以形成填充層184，其中位於晶片區102的內填充部182的頂部與填充層184的底表面相接。接著，將另一基板190設置於焊接凸塊170上。在一些實施例中，基板190包括積體電路元件基板及晶片基板。在其他一些實施例中，基板190包括包含積體電路的基板及包含晶片的基板。在一些實施例中，基板190是積體電路或晶片。在一些實施例中，填充材料包括聚合物、液態環氧樹脂或其組合。

在一些實施例中，填充材料的玻璃轉化溫度(Tg)為100℃。在一些實施例中，當操作溫度低於填充材料的玻璃轉化溫度時，填充材料的熱膨脹係數(CTE)介於20至60ppm之間。因此，當內填充部182及填充層184的操作溫度低於玻璃轉化溫度(例如100℃)時，內填充部182及填充層184的熱膨脹係數(CTE)較低，能夠降低金屬佈線層150之整體的膨脹程度，進而減少因金屬佈線層150中的各部件的熱膨脹係數(CTE)不匹配而導致的應力。

在一些實施例中，當操作溫度高於填充材料的玻璃轉化溫度時，填充材料的楊氏模量介於0.01至1Gpa之間。因此，當內填充部182及填充層184的操作溫度高於玻璃轉化溫度(例如100℃)時，內填充部182及填充層184的質地較軟，可吸收金屬佈線層150中的應力。據此，透過在介電層130中設置不同數量或/及形狀的內填充部182，並將內填充部182主要設置於應力集中的導電結構152的周圍，以有效吸收因熱膨脹係數(CTE)差異過大而產生的應力。

進一步地，如第7圖所示，設置於晶片區102的內填充部182的分布密度大於位於非晶片區104的內填充部182的分布密度，其中內填充部182的分布密度可以根據介電層130的熱膨脹係數(CTE)及導電結構152(如第6圖)的熱膨脹係數(CTE)來設計。如前所述，在晶片區102中的開口OP基本上設置於導電結構152的周圍(如第5圖)，而焊接凸塊170位於導電結構152的上方。因此，在形成內填充部182後，在晶片區102中的內填充部182基本上位於焊接凸塊170的周圍。

接著，請參閱第8A圖及第8B圖，第8A圖及第8B圖是根據本揭露的基板封裝結構的內填充部的另外一些實施例的截面圖。如前所述，可以透過可以調整雷射軸線來改變鑽孔的形狀來形成不同形狀的開口。因此，內填充部182可以形成為如第8A圖及第8B圖的圓錐形。並且，於第8B圖中，隔離層120也具有圖案，例如朝向基板190的方向形成圓錐體，而內填充部182朝向基板110的方向形成圓錐體，進而使隔離層120的圖案的頂部與內填充部182的底部接觸。

請參閱第9圖，第9圖是根據本揭露的另外一些實施例的基板封裝結構的截面圖。第9圖的基板封裝結構200的實施例與第6圖的實施例金屬佈線層150的佈局不同，以下針對第9圖的基板封裝結構200的金屬佈線層250詳細說明。

相似地，金屬佈線層250設置於隔離層120上。金屬佈線層250包括第一介電層230A及第二介電層230B。並且，金屬佈線層250包括設置於隔離層120上的第一介電層230A、設置於晶片區102中的第一介電層230A中且位於隔離層120上的第一電源層240A、設置於非晶片區104中的且第一介電層230A中位於隔離層120上的第二電源層240B、設置於第一介電層230A中且與第一電源層240A連接的第一線路結構262A、設置於第一介電層230A中且與第二電源層240B連接的第二線路結構262B、設置於第一介電層230A中且位於第一線路結構262A及第二線路結構262B的周圍的複數個第一內填充部182、設置於第二介電層230B中且位於第一介電層230A上的連接層244、位於第二介電層230B中且以一距離相隔設置於連接層244上的複數個導電結構152、設置於第二介電層230B中且位於導電結構152周圍的複數個錨定部件154及設置於導電結構152上的複數個頂部焊墊156。

進一步地，導電結構152包括第二導電結構152B、第三導電結構152C及位於第二導電結構152B與第三導電結構152C之間的第一導電結構152A。在一些實施例中，第一導電結構152A基本上位於晶片區102的中間部分，第二導電結構152B及第三導電結構152C基本上位於晶片區102的側邊部分。雖然第9圖繪示兩第一導電結構152A位於第二導電結構152B與第三導電結構152C之間，僅為示例性，線路佈局設計並不以此為限。

另外，錨定部件154包括圍繞第一導電結構152A的第一錨定部件154A、圍繞第二導電結構152B的第二錨定部件154B及圍繞第三導電結構152C的第三錨定部件154C。在一些實施例中，遠離第一導電結構152A的部分的第二錨定部件154B與第二導電結構152B之間具有夾角θ。在一些實施例中，遠離第一導電結構152A的部分的第三錨定部件154C與第三導電結構152C之間具有夾角θ。在一些實施例中，夾角θ為15至30度。

此外，如第9圖所示，透過在不同層的介電層(例如第一介電層230A及第二介電層230B)之間設置不同數量或/及形狀的內填充部182，並將內填充部182主要設置於應力集中的線路結構(例如第一線路結構262A及第二線路結構262B)及導電結構152的周圍。並且，設置於晶片區102的內填充部182的分布密度(即設置於第一介電層230A及第二介電層230B中的內填充部182的整體分布密度)大於位於非晶片區104的內填充部182的分布密度，以有效吸收因熱膨脹係數(CTE)差異過大而產生的應力，以降低基板封裝結構的損壞發生率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100, 200 : 基板封裝結構 102 : 晶片區 104 : 非晶片區 110, 190 : 基板 120 : 隔離層 130 : 介電層 130A, 230A : 第一介電層 130B, 230B : 第二介電層 130C : 第三介電層 140 : 電源層 140A, 240A : 第一電源層 140B, 240B : 第二電源層 144 : 導電開孔 144A : 第一導電開孔 144B : 第二導電開孔 144C : 第三導電開孔 146 : 錨定開孔 146A : 第一錨定開孔 146B : 第二錨定開孔 146C : 第三錨定開孔 147 : 凹陷 150, 250 : 金屬佈線層 152 : 導電結構 152A : 第一導電結構 152B : 第二導電結構 152C : 第三導電結構 152L : 下部導電結構 152U : 上部導電結構 154 : 錨定部件 154A : 第一錨定部件 154B : 第二錨定部件 154C : 第三錨定部件 154L : 下部錨定部件 154M : 中間錨定部件 154U : 上部錨定部件 156 : 頂部焊墊 156A : 第一頂部焊墊 156B : 第二頂部焊墊 156C : 第三頂部焊墊 156L : 下部頂部焊墊 156M : 中間頂部焊墊 156U : 上部頂部焊墊 157 : 內粗糙化結構 158 : 錨定焊墊 162 : 線路結構 170 : 焊接凸塊 182 : 內填充部 184 : 填充層 244 : 連接層 262A : 第一線路結構 262B : 第二線路結構 D1 : 第一距離 D2 : 第二距離 OP : 開口 L : 長度 R1, R2, R3, R4, R5 : 直徑 W : 寬度 θ : 夾角

為讓本發明之目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之詳細說明如下：第1圖及第2圖是根據本揭露的一些實施例的基板封裝結構的製造過程的其中一些階段的截面圖；第3A圖至第3D圖是根據本揭露的一些實施例的錨定部件與導電結構之間的相對位置關係的上視圖；第4A圖至第4G圖是根據本揭露的各種實施例的錨定部件的截面圖；第5圖及第6圖是根據本揭露的一些實施例的基板封裝結構的製造過程的其中一些階段的截面圖；第7圖根據本揭露的一些實施例的焊接凸塊與內部填充件之間的相對位置關係的上視圖；第8A圖及第8B圖是根據本揭露的另外一些實施例的基板封裝結構的內填充部的截面圖；以及第9圖是根據本揭露的另外一些實施例的基板封裝結構的截面圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100:基板封裝結構

102:晶片區

104:非晶片區

110,190:基板

120:隔離層

130:介電層

140:電源層

150:金屬佈線層

152:導電結構

152A:第一導電結構

152B:第二導電結構

152C:第三導電結構

154:錨定部件

154A:第一錨定部件

154B:第二錨定部件

154C:第三錨定部件

156:頂部焊墊

156A:第一頂部焊墊

156B:第二頂部焊墊

156C:第三頂部焊墊

170:焊接凸塊

182:內填充部

184:填充層

Claims

一種基板封裝結構，包括：一第一基板；一金屬佈線層，設置於該第一基板上方，且包括；一介電層，設置於該第一基板上；一第一導電結構，設置於該介電層中；複數個第一錨定部件，設置於該介電層中並位於該第一導電結構的周圍；以及一第一頂部焊墊，設置於該第一導電結構上，其中該第一頂部焊墊的頂表面高於該介電層的頂表面；一焊接凸塊，設置於該金屬佈線層上；以及一第二基板，設置於該焊接凸塊上。
如請求項1所述之基板封裝結構，進一步包括：一內填充部，設置於該介電層中且位於該第一導電結構的周圍；以及一填充層，設置於該金屬佈線層與該第二基板之間，並包覆該焊接凸塊及該第一頂部焊墊。
如請求項1所述之基板封裝結構，其中該金屬佈線層包括：一第二導電結構，設置於該介電層中且與該第一導電結構以一距離相隔；複數個第二錨定部件，設置於該介電層中並位於該第二導電結構的周圍，其中遠離該第一導電結構的部分的該些第二錨定部件與該第二導電結構之間具有一夾角；以及一第二頂部焊墊，設置於該第二導電結構上，其中該第二頂部焊墊的頂表面高於該介電層的頂表面。
如請求項1所述之基板封裝結構，其中該些第一錨定部件包括複數個內粗糙化結構。
如請求項3所述之基板封裝結構，其中該夾角為15至30度。
如請求項1所述之基板封裝結構，其中該金屬佈線層包括：一電源層，位於該介電層中，且與該些第一錨定部件與連接。
如請求項1所述之基板封裝結構，進一步包括：一錨定焊墊，設置於該第一導電結構與該頂部焊墊之間。
如請求項7所述之基板封裝結構，其中該錨定焊墊的頂表面與該介電層的頂表面共平面。
一種基板封裝結構，包括：一第一基板，定義有一晶片區及一非晶片區；一金屬佈線層，設置於該第一基板上方，且包括：一介電層，設置於該第一基板上方；複數個導電結構，設置於該介電層中；複數個錨定部件，設置於該介電層中且位於各該導電結構的周圍；複數個第一內填充部，設置於該介電層中，且位於各該導電結構的周圍；一第二內填充部，設置於該介電層中且位於該非晶片區，並鄰近於各該導電結構，其中位於該晶片區的該些第一內填充部的分布密度大於位於該非晶片區的該第二內填充部的分布密度；以及複數個頂部焊墊，設置於該介電層上且位於各該導電結構上，其中各該頂部焊墊的頂表面高於該介電層的頂表面；複數個焊接凸塊，分別設置於該些頂部焊墊上；以及一第二基板，設置於該些焊接凸塊上且位於該晶片區。
如請求項9所述之基板封裝結構，進一步包括：一隔離層，設置於該第一基板上方與該金屬佈線層之間。
如請求項10所述之基板封裝結構，其中該隔離層具有一圖案，且透過該圖案的頂部與位於該介電層中的各該第一內填充部及該第二內填充部的底部接觸。