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TWI864099B - 基板液處理方法及基板液處理裝置 - Google Patents

基板液處理方法及基板液處理裝置 Download PDF

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TWI864099B
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岩下光秋
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

[課題]提供在凹部由底部使鍍敷金屬堆積的無電解鍍敷處理中，有利於使在基板的凹部所析出的金屬、與區劃凹部的面之間的密接性提升的技術。 [解決手段]準備具有：凹部、區劃凹部的擴散阻障層、及在凹部的底部露出的配線的基板。即使無電解鍍敷液接觸亦未使金屬析出的濃度的金屬離子被附著在擴散阻障層。在金屬離子附著在擴散阻障層的狀態下，對凹部供給無電解鍍敷液而在凹部使金屬析出。

Description

基板液處理方法及基板液處理裝置
本揭示係關於基板液處理方法及基板液處理裝置。
伴隨LSI等積體電路中的配線的高密度化的進展，已提案出雙鑲嵌法等各種配線形成法。例如專利文獻1係揭示在金屬配線上形成帽蓋層，且在達至金屬配線的連接孔及與該連接孔相連的配線溝的內壁形成阻障金屬層，在連接孔及配線溝埋入金屬層的半導體裝置的製造方法。
在如上所示之配線形成法中，以在凹部(包含孔及溝)埋入金屬配線的手法而言，已被提案出各種作法。例如，在專利文獻1的製造方法中，係在藉由PVD(物理氣相成長)法將種層成膜後，使鍍敷銅堆積，藉此在連接孔及配線溝埋入銅。此外，亦可在凹部的底部露出金屬配線的狀態下進行無電解鍍敷處理，由凹部的底部側朝向上方逐漸使鍍敷金屬堆積，藉此在凹部埋入金屬。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-210508號公報
(發明所欲解決之問題)
本揭示係提供在凹部由底部使鍍敷金屬堆積的無電解鍍敷處理中，有利於使在基板的凹部所析出的金屬、與區劃凹部的面之間的密接性提升的技術。 (解決問題之技術手段)
本揭示之一態樣係關於一種基板液處理方法，其係包含：準備具有：凹部、區劃凹部的擴散阻障層、及在凹部的底部露出的配線的基板的工程；使即使無電解鍍敷液接觸亦未使金屬析出的濃度的金屬離子，附著在擴散阻障層的工程；及在金屬離子附著在擴散阻障層的狀態下，對凹部供給無電解鍍敷液而在凹部使金屬析出的工程。 (發明之效果)
藉由本揭示，在凹部由底部使鍍敷金屬堆積的無電解鍍敷處理中，有利於使在基板的凹部所析出的金屬、與區劃凹部的面之間的密接性提升。
以下參照圖示，例示基板液處理裝置及基板液處理方法。
在以下說明中，係例示用以將作為貫孔(via)(貫穿配線)而發揮功能的金屬(尤其銅)藉由無電解鍍敷處理而埋入在通孔(via hole)(亦即凹部)的裝置及方法。但是，本揭示之基板液處理裝置及基板液處理方法並未限定於下述例示的裝置及方法。例如，若在通孔以外的凹部(包含孔及溝)埋入金屬，亦可應用本揭示之裝置及方法。此外，若將銅以外的金屬(例如鈷(Co)、金(Au)、或銀(Ag)等)埋入在凹部，亦可應用本揭示之基板液處理裝置及基板液處理方法。
圖1～圖4係例示基板W的一部分(尤其具有通孔11的部分)的剖面的圖，顯示無電解鍍敷處理流程之一例。
基板W係具有：形成在絕緣膜21的通孔11及溝槽12；設在絕緣膜21上且區劃通孔11及溝槽12的擴散阻障層13；及在通孔11的底部露出的帽蓋層(配線)14。
在圖示的基板W中，係在蝕刻停止層22上設有絕緣膜21，設在上方的絕緣膜21與設在下方的絕緣膜21藉由蝕刻停止層22予以分離。在設在下方的絕緣膜21，係在藉由擴散阻障層13予以區劃的區域埋入有藉由銅所構成的第1金屬配線23。第1金屬配線23的上面係藉由帽蓋層14予以被覆。通孔11及溝槽12係透過帽蓋層14而位於與第1金屬配線23為相反側。通孔11及帽蓋層14係設成貫穿被設在設於上方的絕緣膜21與設於下方的絕緣膜21之間的蝕刻停止層22。
構成基板W的具體材料或構成方法並未限定。典型而言，絕緣膜21係可藉由低介電係數絕緣材料膜(所謂Low-k膜)或二氧化矽(SiO2 )所構成。蝕刻停止層22係可藉由氮化碳矽(SiCN)或其他矽系材料(例如氮化矽(SiN)或碳化矽(SiC))所構成。擴散阻障層13係防止設在通孔11及溝槽12的配線(在本例中為銅)對絕緣膜21的擴散，可藉由鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、鈦(Ti)或氮化鈦(TiN)所構成。帽蓋層14係藉由在用以將金屬(貫孔)埋入在通孔11的無電解鍍敷處理中作為鍍敷反應的觸媒核而發揮作用的材料所構成，在通孔11埋人銅之本例中，係可藉由例如鈷(Co)所構成。
在本實施形態之基板液處理方法(尤其無電解鍍敷處理)中，係準備具有上述構成的基板W(參照圖1)。接著，在區劃基板W的通孔11的擴散阻障層13附著金屬離子15(參照圖2)。此時，即使含有銅離子的無電解鍍敷液接觸亦未使銅(金屬)析出的濃度的金屬離子15被附著在擴散阻障層13。金屬離子15係附著在區劃通孔11的擴散阻障層13，惟亦可附著在區劃溝槽12的擴散阻障層13。
附著在擴散阻障層13的金屬離子15係與被埋入在通孔11的鍍敷金屬的結合性優異。在本例中，與被埋入在通孔11的銅的結合性優異的金屬離子15被附著在擴散阻障層13，典型而言，金屬離子15係可含有鈀(Pd)、釕(Ru)及鉑(Pt)之中至少任一者的離子。
對擴散阻障層13，使金屬離子15以「即使含有銅離子的無電解鍍敷液接觸亦未使銅(金屬)析出的濃度」附著的方法並未限定。例如，亦可對擴散阻障層13的露出面給予(例如塗布)濃度十分小的金屬離子15呈分散的液體(金屬離子含有液)。此外，亦可在將金屬離子15給予至擴散阻障層13之後，進行對金屬離子15所附著的擴散阻障層13的面給予淋洗液(例如純水)的處理，藉此將附著在擴散阻障層13的金屬離子15的一部分沖洗而去除。此外，亦可在將金屬離子15給予至擴散阻障層13之後，進行強化金屬離子15對擴散阻障層13的附著力的處理。例如，亦可進行將金屬離子15所附著的擴散阻障層13，在低氧濃度(例如50ppm以下的氧濃度)的氣體環境下，加熱成高溫(例如200℃～300℃左右)的處理。
接著，在金屬離子15附著在擴散阻障層13的狀態下，對通孔11供給無電解鍍敷液20(參照圖3)，且在通孔11使構成第2金屬配線24的金屬(在本例中為銅)析出(參照圖4)。亦即，在通孔11的底部露出的帽蓋層14作為觸媒核發揮作用，藉由無電解鍍敷處理被析出的銅係選擇性地堆積在帽蓋層14上。另一方面，附著在擴散阻障層13上的金屬離子15係具有即使無電解鍍敷液20接觸亦未使銅析出的濃度。因此，在通孔11貯存無電解鍍敷液20而在通孔11使銅析出的工程中，係使鍍敷金屬(銅)由通孔11的底部成長，另一方面，由擴散阻障層13並未使鍍敷金屬成長。因此，在通孔11，係由底部朝向上方逐漸堆積鍍敷金屬，且形成第2金屬配線24。
一般而言，在通孔11中由底部使鍍敷金屬堆積的無電解鍍敷處理係具有可一邊有效防止孔洞(空洞)發生，一邊選擇性地在通孔11中使鍍敷金屬堆積的優點。另一方面，若對形成通孔11的區劃面(尤其側面)的擴散阻障層13未施加特別的處理，通孔11內的鍍敷金屬並不會對該擴散阻障層13作結合，而僅作接觸。因此，通孔11內的鍍敷金屬與擴散阻障層13之間的密接性並不一定良好，例如在伴隨溫度變化的環境下，有因鍍敷金屬對擴散阻障層13的偏移而起的應力遷移等不良情形發生之虞。
另一方面，藉由本實施形態，在即使無電解鍍敷液接觸亦未使金屬析出的程度的低濃度的金屬離子15附著在擴散阻障層13的狀態下，進行通孔11的無電解鍍敷處理。附著在擴散阻障層13的低濃度的金屬離子15係發揮定錨效應，作為強化通孔11內的鍍敷金屬與擴散阻障層13之間的密接性的結合劑來發揮作用。因此，通孔11內的鍍敷金屬係對擴散阻障層13亦相對較為強固地固定，即使被置放在伴隨較大溫度變化的環境下，亦不易發生對擴散阻障層13的偏移。因此，藉由本實施形態，可一邊在通孔11中由底部使鍍敷金屬堆積而防止孔洞發生，一邊使鍍敷金屬對擴散阻障層13良好地密接而有效防止應力遷移等不良情形的發生。
在上述基板液處理方法的前後或正當中，亦可進行以上未述的任意處理。例如，在通孔11埋入第2金屬配線24(參照圖4)之後，藉由無電解鍍敷處理或其他處理，在溝槽12亦被埋入金屬配線。此外亦可在上述基板液處理方法的前後，進行基板W(尤其處理面)的洗淨處理、淋洗處理、及/或乾燥處理。此外，亦可在通孔11使鍍敷金屬析出之後(例如在溝槽12被埋入金屬配線之前或後)將基板W加熱，藉此使第2金屬配線24對擴散阻障層13的結合強度增大。
接著，說明進行上述基板液處理方法的基板液處理裝置之一例。
圖5係顯示具備金屬離子給予單元31的離子處理單元30a之一例的概略的圖。金屬離子給予單元31的各要素的具體構成並未限定，在圖5中係簡化顯示金屬離子給予單元31的各要素。
金屬離子給予單元31係對基板W給予金屬離子15，且使「在擴散阻障層13即使無電解鍍敷液20接觸亦未使金屬析出的濃度」的金屬離子15附著在擴散阻障層13。圖示的金屬離子給予單元31係包含：設成可藉由第1吐出驅動部34來移動的第1吐出部32、第1基板保持部35、第1杯件構造體36、第1惰性氣體供給部37、及具備第1加熱器38a的第1加熱部38。尤其第1吐出部32、第1吐出驅動部34、第1基板保持部35、第1杯件構造體36、及第1加熱部38係被設置在第1處理腔室39的內側。
第1基板保持部35係可旋轉地保持基板W。圖示的第1基板保持部35係吸附保持基板W的背面，惟基板W的保持的具體手法並未限定。第1吐出部32係至少具有吐出含有金屬離子15的液體(金屬離子含有液)的噴嘴(圖示省略)。第1吐出部32亦可設成可吐出其他流體，亦可由第1吐出部32吐出例如用以洗淨基板W的洗淨液或用以沖洗基板W的淋洗液。若由第1吐出部32使複數種類的流體(例如複數種類的液體)吐出，亦可使2種類以上的流體由共通的噴嘴吐出，第1吐出部32亦可具有使彼此不同的種類的流體吐出的2以上的噴嘴。
具有環狀的平面形狀的第1杯件構造體36係設為包圍被保持在第1基板保持部35的基板W。第1杯件構造體36係接擋由基板W所飛散的液體而導引至排放導管(圖示省略)，或以防止基板W的周圍的氣體擴散的方式整頓氣體流。第1杯件構造體36的具體構成並未限定。例如，第1杯件構造體36亦可具有主要用以導引液體的杯件、與主要整頓氣體流的杯件作為不同個體。
第1加熱部38係設為可藉由未圖示的驅動機構作昇降。例如，若將基板W加熱，第1加熱部38係被配置在下方位置而接近基板W。另一方面，若不加熱基板W，第1加熱部38係被配置在上方位置而遠離基板W。第1吐出部32位於基板W的上方的期間，第1加熱部38係被配置在與第1吐出部32及第1吐出驅動部34不接觸及衝撞的高度位置。
第1惰性氣體供給部37係將惰性氣體(例如氮)供給至第1處理腔室39內。第1處理腔室39基本上呈密閉，外部空氣並不進入至第1處理腔室39內。第1處理腔室39並非必定為完全的密閉性，若可密閉成可有效防止外部空氣進入至內側(尤其外部空氣進入至藉由第1基板保持部35所保持的基板W的周圍)的程度即可。
藉由具有上述構成的離子處理單元30a，對基板W給予金屬離子15。例如，基板W被導入至離子處理單元30a的第1處理腔室39內，在該基板W藉由第1基板保持部35予以保持的狀態下，由第1吐出部32朝向基板W的處理面(上面)吐出含有金屬離子15的液體。此時，亦可在藉由第1基板保持部35使基板W旋轉的狀態下，含有金屬離子15的液體被給予至基板W的處理面。
接著，亦可在基板W的處理面的全體被給予含有金屬離子15的液體之後，由第1吐出部32使淋洗液吐出，而對基板W的處理面供給淋洗液。此時，以「即使無電解鍍敷液20接觸亦未使金屬析出的濃度的金屬離子15」殘留在基板W的處理面(尤其區劃基板的通孔11(凹部)的擴散阻障層13)的方式，進行淋洗處理。具體而言，藉由改變對基板W之淋洗液的給予量、淋洗液的給予時間、及/或基板W的旋轉數，可調整殘留在基板W的處理面的金屬離子15的濃度。若含有「即使無電解鍍敷液20接觸亦未使金屬析出的濃度的金屬離子15」的液體由當初即被給予至基板W時，亦可未進行用以由基板W沖洗金屬離子15的淋洗處理。
接著，在「即使無電解鍍敷液20接觸亦未使金屬析出的濃度的金屬離子15」附著在基板W的處理面的狀態下，進行基板W的處理面的乾燥處理及/或加熱處理。基板W的乾燥處理亦可藉由利用第1基板保持部35使基板W作高速旋轉來進行，亦可藉由對基板W噴吹氣體(例如來自第1惰性氣體供給部37的惰性氣體)來進行。此外，亦可同時進行基板W的乾燥處理及加熱處理。例如，將第1加熱部38配置在下方位置而將發熱狀態的第1加熱器38a接近基板W的處理面，藉此可同時進行基板W的乾燥處理及加熱處理。尤其，可藉由一邊將第1處理腔室39內(尤其基板W的近傍範圍)調整為低氧濃度氣體環境，一邊將基板W加熱為高溫，使金屬離子15對基板W(尤其擴散阻障層13)的附著力有效地增大。
如上所述「即使無電解鍍敷液20接觸亦未使金屬析出的濃度的金屬離子15」附著在擴散阻障層13的基板W係由離子處理單元30a被搬送至鍍敷處理單元。
圖6係顯示具備無電解鍍敷液給予單元51的鍍敷處理單元30b之一例的概略的圖。無電解鍍敷液給予單元51的各要素的具體構成並未被限定，在圖6中係簡化顯示無電解鍍敷液給予單元51的各要素。
設在鍍敷處理單元30b的無電解鍍敷液給予單元51係對金屬離子15附著在擴散阻障層13的基板W的通孔11供給無電解鍍敷液20，且在通孔11使金屬析出。圖示的無電解鍍敷液給予單元51係包含：設成可藉由第2吐出驅動部55來移動的第2吐出部52、第2基板保持部56、第2杯件構造體57、第2惰性氣體供給部58、及具備第2加熱器59a的第2加熱部59。第2吐出部52、第2吐出驅動部55、第2基板保持部56、第2杯件構造體57、及第2加熱部59係設置在第2處理腔室60的內側。
第2基板保持部56係可旋轉地保持基板W。第2基板保持部56係具有任意構成，亦可構成為與上述第1基板保持部35(參照圖5)相同，亦可具有與第1基板保持部35為不同的構成。
第2吐出部52係至少具有吐出無電解鍍敷液20的噴嘴(圖示省略)。第2吐出部52亦可設成可吐出其他流體。例如，用以洗淨基板W的洗淨液或用以沖洗基板W的淋洗液亦可由第2吐出部52吐出。若由第2吐出部52使複數種類的流體(例如複數種類的液體)吐出，亦可使2種類以上的流體由共通的噴嘴吐出，第2吐出部52亦可具有使彼此不同種類的流體吐出的2以上的噴嘴。
第2杯件構造體57係接擋由基板W所飛散的液體而導引至排放導管(圖示省略)、或以防止基板W的周圍的氣體擴散的方式整頓氣體流。第2杯件構造體57的具體構成並未限定。無電解鍍敷液給予單元51的第2杯件構造體57典型而言係具有環狀的平面形狀，以包圍被保持在第2基板保持部56的基板W的方式而設。
第2惰性氣體供給部58係將惰性氣體(例如氮)供給至第2處理腔室60內。第2加熱部59係設為可藉由未圖示的驅動機構作昇降。第2吐出部52位於基板W的上方的期間，第2加熱部59係被配置在與第2吐出部52及第2吐出驅動部55不接觸及衝撞的高度位置。
藉由具有上述構成的鍍敷處理單元30b，對基板W給予無電解鍍敷液20，且鍍敷金屬(在本例中為銅)被埋入在各通孔11。例如，在基板W被導入至第2處理腔室60內，且該基板W藉由第2基板保持部56予以保持的狀態下，由第2吐出部52朝向基板W的處理面(上面)吐出無電解鍍敷液20。此時，亦可在藉由第2基板保持部56而使基板W旋轉的狀態下，無電解鍍敷液20被給予至基板W的處理面。
接著，維持對基板W的處理面的全體給予無電解鍍敷液20的狀態，且在各通孔11鍍敷金屬(在本例中為銅)堆積而成長。藉此，藉由鍍敷金屬填埋各通孔11，在通孔11內形成第2金屬配線24。此時，亦可藉由第2加熱部59加熱基板W上的無電解鍍敷液20，且促進鍍敷金屬堆積。例如，藉由將第2加熱部59配置在下方位置而將發熱狀態的第2加熱器59a接近基板W的處理面，可將基板W上的無電解鍍敷液20加熱。
之後，在溝槽12亦埋入金屬(配線)。被埋入在溝槽12的金屬係對通孔11內的第2金屬配線24作物理性及電性連接。對溝槽12內埋入金屬，係可藉由任意方法進行。可藉由例如周知的無電解鍍敷法或電解鍍敷法，在溝槽12埋入鍍敷金屬。
如上所述在通孔11及溝槽12埋入有金屬的基板W係由鍍敷處理單元30b被搬送至加熱處理單元。其中，在通孔11及溝槽12埋入有金屬的基板W亦可在被送至加熱處理單元之前，在鍍敷處理單元30b中接受淋洗處理、乾燥處理、及其他處理。
圖7係顯示具備加熱單元65的加熱處理單元30c之一例的概略的圖。加熱單元65的各要素的具體構成並未限定，在圖7中係簡化顯示加熱單元65的各要素。
加熱單元65係在基板W的凹部(尤其通孔11)使金屬析出之後將基板W加熱，且使基板W的凹部的區劃面(尤其擴散阻障層13)與金屬配線(尤其第2金屬配線24)之間的結合強度增大。圖示的加熱單元65係具有：具備第3加熱器66a的第3加熱部66、及第3惰性氣體供給部67。第3加熱部66係設置在第3處理腔室68的內側。第3惰性氣體供給部67係對第3處理腔室68的內側供給惰性氣體。
藉由一邊將第3處理腔室68內(尤其基板W的近傍範圍)調整為低氧濃度氣體環境，一邊將基板W加熱為高溫，可使基板W的凹部的區劃面與金屬配線之間的結合強度增大。第3處理腔室68基本上呈密閉，外部空氣並未進入至第3處理腔室68內。但是，第3處理腔室68並非必定為完全的密閉性，若可密閉為可有效防止外部空氣進入至內側的程度即可。
在上述離子處理單元30a(參照圖5)、鍍敷處理單元30b(參照圖6)、及加熱處理單元30c(參照圖7)所進行的一連串處理係可在例如圖8中概略顯示的處理系統80中執行。
圖8所示之處理系統80係具有搬入出站91、及處理站92。搬入出站91係包含：具備複數載體C的載置部81、及設有第1搬送機構83及收授部84的搬送部82。在各載體C係在水平狀態下收容有複數基板W。在處理站92係設有：設置在搬送路86的兩側的複數處理單元30、及在搬送路86往返移動的第2搬送機構85。設在處理站92的複數處理單元30之中的至少一部分係構成為可執行上述一連串處理之中的至少任一者。亦即，離子處理單元30a(參照圖5)、鍍敷處理單元30b(參照圖6)、及加熱處理單元30c(參照圖7)的各個係藉由圖8所示之1以上的處理單元30所構成。
基板W係藉由第1搬送機構83由載體C被取出而被載置於收授部84，藉由第2搬送機構85而由收授部84被取出。接著，基板W係藉由第2搬送機構85而被依序搬入至對應上述一連串處理的處理單元30，且在各處理單元30施行預定的處理，且由各處理單元30被取出。亦即，基板W係藉由第2搬送機構85，首先被搬入至對應離子處理單元30a的處理單元30，且接受金屬離子給予處理。之後，基板W係藉由第2搬送機構85，被搬入至對應鍍敷處理單元30b的處理單元30，且接受使用無電解鍍敷液20的鍍敷金屬堆積處理。之後，基板W係藉由第2搬送機構85，被搬入至對應加熱處理單元30c的處理單元30，且接受鍍敷金屬加熱處理。受到上述一連串處理的基板W係藉由第2搬送機構85而被載置於收授部84，之後，藉由第1搬送機構83而送回至載置部81的載體C。
處理系統80係具備控制裝置93。控制裝置93係藉由例如電腦所構成，具備控制部及記憶部。在控制裝置93的記憶部係記憶供在處理系統80所進行的各種處理之用的程式及資料。控制裝置93的控制部係適當讀出被記憶在記憶部的程式而執行，藉此控制處理系統80的各種元件來進行各種處理。因此，控制裝置93藉由控制被設在上述離子處理單元30a、鍍敷處理單元30b、及加熱處理單元30c的各種元件、第1搬送機構83及第2搬送機構85的動作，來完成上述一連串處理。
被記憶在控制裝置93的記憶部的程式及資料係被記錄在可藉由電腦讀取的記憶媒體者，亦可為由該記憶媒體被安裝在記憶部者。以可藉由電腦讀取的記憶媒體而言，係有例如硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、及記憶卡等。
[變形例] 在上述之例中，金屬離子給予處理、金屬堆積處理、及鍍敷金屬加熱處理的各個在彼此不同的處理單元30(亦即離子處理單元30a、鍍敷處理單元30b、加熱處理單元30c)中進行。但是，該等一連串處理的一部分或全部亦可在共通的處理單元30(亦即同一處理腔室內)中進行。
例如藉由「吐出含有金屬離子15的液體的噴嘴」及「吐出無電解鍍敷液20的噴嘴」被設在共通的吐出部，可在單一的處理單元30實施上述之金屬離子給予處理及金屬堆積處理。此外，藉由將「吐出無電解鍍敷液20的噴嘴」及「第3加熱部66」設在共通的處理腔室內，可在單一的處理單元30實施金屬堆積處理及鍍敷金屬加熱處理。
此外，圖5所示之第1加熱部38及圖6所示之第2加熱部59係設為可昇降，惟該等第1加熱部38及第2加熱部59亦可固定設置。例如，亦可在第1基板保持部35(參照圖5)內置第1加熱器38a，且使該第1基板保持部35作為第1加熱部38發揮功能。同樣地，亦可在第2基板保持部56(參照圖6)內置第2加熱器59a，且使該第2基板保持部56作為第2加熱部59發揮功能。另一方面，圖7所示之第3加熱部66係被固定設置，惟該第3加熱部66亦可設為可移動。例如，第3加熱部66亦可如圖5所示之第1加熱部38般設為可昇降。此外，金屬離子給予單元31(參照圖5)若未進行加熱處理，則不需要設置第1加熱部38。同樣地，無電解鍍敷液給予單元51(參照圖6)若未進行加熱處理，則不需要設置第2加熱部59。
此外，第1加熱器38a(參照圖5)、第2加熱器59a(參照圖6)、及第3加熱器66a(參照圖7)亦可藉由控制裝置93(參照圖8)，進行ON/OFF的控制，亦可進行發熱量的控制。
此外，在上述圖1～圖4所示之例中，係在通孔11的底部設有帽蓋層14，惟亦可未設有帽蓋層14。此時，藉由在通孔11的底部，使成為在通孔11中所析出的鍍敷金屬的觸媒核的配線(例如第1金屬配線23)露出，可在通孔11由底部使鍍敷金屬堆積。
應留意本說明書中所揭示的實施形態及變形例在所有方面均僅為例示，並非作限定性解釋。上述實施形態及變形例可在未脫離所附申請專利範圍及其要旨的情形下，作各種形態下的省略、置換及變更。例如亦可組合上述實施形態及變形例，此外上述以外的實施形態亦可與上述實施形態或變形例相組合。
此外，將上述技術思想具體化的技術上的範疇並未限定。例如上述基板液處理裝置亦可應用在其他裝置。此外，亦可藉由用以使電腦執行上述基板液處理方法所包含的1或複數順序(步驟)的電腦程式，使上述技術思想具體化。此外，亦可藉由記錄有如上所示之電腦程式的電腦可讀取之非暫態(non-transitory)的記錄媒體，使上述技術思想具體化。
11:通孔 12:溝槽 13:擴散阻障層 14:帽蓋層 15:金屬離子 20:無電解鍍敷液 21:絕緣膜 22:蝕刻停止層 23:第1金屬配線 30a:離子處理單元 30b:鍍敷處理單元 30c:加熱處理單元 31:金屬離子給予單元 32:第1吐出部 34:第1吐出驅動部 35:第1基板保持部 36:第1杯件構造體 37:第1惰性氣體供給部 38:第1加熱部 38a:第1加熱器 39:第1處理腔室 51:無電解鍍敷液給予單元 52:第2吐出部 55:第2吐出驅動部 56:第2基板保持部 57:第2杯件構造體 58:第2惰性氣體供給部 59:第2加熱部 59a:第2加熱器 60:第2處理腔室 65:加熱單元 66:第3加熱部 66a:第3加熱器 67:第3惰性氣體供給部 68:第3處理腔室 80:處理系統 81:載置部 82:搬送部 83:第1搬送機構 84:收授部 85:第2搬送機構 86:搬送路 91:搬入出站 92:處理站 93:控制裝置 C:載體 W:基板
[圖1]係例示基板的一部分的剖面的圖，顯示無電解鍍敷處理流程之一例。 [圖2]係例示基板的一部分的剖面的圖，顯示無電解鍍敷處理流程之一例。 [圖3]係例示基板的一部分的剖面的圖，顯示無電解鍍敷處理流程之一例。 [圖4]係例示基板的一部分的剖面的圖，顯示無電解鍍敷處理流程之一例。 [圖5]係顯示具備金屬離子給予單元的離子處理單元之一例的概略的圖。 [圖6]係顯示具備無電解鍍敷液給予單元的鍍敷處理單元之一例的概略的圖。 [圖7]係顯示具備加熱單元的加熱處理單元之一例的概略的圖。 [圖8]係顯示處理系統之一例的概略的圖。
11:通孔
12:溝槽
13:擴散阻障層
14:帽蓋層
15:金屬離子
20:無電解鍍敷液
21:絕緣膜
22:蝕刻停止層
23:第1金屬配線
W:基板

Claims (7)

  1. 一種基板液處理方法，其係包含： 準備具有：凹部、區劃前述凹部的擴散阻障層、及在前述凹部的底部露出的配線的基板的工程； 使即使無電解鍍敷液接觸亦未使金屬析出的濃度的金屬離子，附著在前述擴散阻障層的工程；及 在前述金屬離子附著在前述擴散阻障層的狀態下，對前述凹部供給前述無電解鍍敷液而在前述凹部使前述金屬析出的工程。
  2. 如請求項1之基板液處理方法，其中，在前述凹部使前述金屬析出的工程中，係使前述金屬由前述凹部的前述底部成長，由前述擴散阻障層並未使前述金屬成長。
  3. 如請求項1或2之基板液處理方法，其中，前述金屬離子係包含鈀、釕、及鉑之中至少任一者離子。
  4. 如請求項1或2之基板液處理方法，其中，使前述金屬離子附著在前述擴散阻障層的工程係包含對前述金屬離子所附著的前述擴散阻障層的面給予淋洗液的處理。
  5. 如請求項1或2之基板液處理方法，其中，使前述金屬離子附著在前述擴散阻障層的工程係包含將前述金屬離子所附著的前述擴散阻障層加熱的處理。
  6. 如請求項1或2之基板液處理方法，其中，包含在前述凹部使前述金屬析出後，將前述基板加熱的工程。
  7. 一種基板液處理裝置，其係具備： 金屬離子給予單元，其係對具有：凹部、區劃前述凹部的擴散阻障層、及在前述凹部的底部露出的配線的基板給予金屬離子，使即使無電解鍍敷液接觸亦未使金屬析出的濃度的金屬離子附著在前述擴散阻障層；及 無電解鍍敷液給予單元，其係對前述金屬離子附著在前述擴散阻障層的前述基板的前述凹部供給前述無電解鍍敷液，且在前述凹部使前述金屬析出。
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