TWI845145B

TWI845145B - 具有機械性驅動排氣閥的基板容器

Info

Publication number: TWI845145B
Application number: TW112103818A
Authority: TW
Inventors: 馬修Ａ富勒; 馬克 V 史密斯; 寇頓 J 哈爾
Original assignee: 美商恩特葛瑞斯股份有限公司
Priority date: 2022-02-03
Filing date: 2023-02-03
Publication date: 2024-06-11
Also published as: EP4473557A1; TW202347556A; CN118830069A; US20230245908A1; KR20240142518A; JP2025505608A; WO2023150230A1

Abstract

本發明提供一種系統。該系統包含具有至少兩個清洗模組之一基板容器。該至少兩個清洗模組之各清洗模組包含一流量控制裝置。各清洗模組之該流量控制裝置被組態為經驅動用於使一清洗流體排出。提供一種驅動一基板容器之清洗模組之流量控制裝置之方法。該方法包含：起始該基板容器之一清洗程序；使一清洗流體流入至該基板容器之一內部中，該基板容器具有至少兩個清洗模組，該至少兩個清洗模組之各清洗模組包含一流量控制裝置，各清洗模組之該流量控制裝置被組態為經驅動用於使該清洗流體排出；及驅動該流量控制裝置用於使該清洗流體排出。

Description

具有機械性驅動排氣閥的基板容器

本發明係關於一種諸如前開式晶圓盒(front opening unified pod)(FOUP)之一基板容器之清洗程序控制，包含驅動基板容器之(若干)清洗模組之(若干)流量控制裝置。

呈晶圓形式之基板可經處理以形成半導體裝置。基板可包含玻璃、矽或適合於半導體裝置之任何(若干)其他材料。一基板可具有一面板形狀，且面板可為圓形、矩形或適合於在一容器中處理及運載之任何其他形狀。晶圓基板(以下為「基板」)經歷一系列程序步驟，該等程序步驟包含材料層沈積、摻雜、蝕刻或使一特定基板之(若干)材料起化學或物理反應。一基板容器係用於在一製造設施內儲存基板及運輸在處理中之基板。基板容器包含例如FOUP，其等通常包含具有用於固持基板之一內部空間之一殼體，以及用於與各種輸送機及其他裝置介接之一板，使得例如FOUP可在處理設施周圍移動。殼體及板係例如藉由焊接、連接器等彼此固定。

在處理期間，氣體必須被引入及從FOUP移除，例如在清洗程序期間，因此要求FOUP具有氣體可進入或離開FOUP之一或多個位置。例如，基板可透過一設備前端模組(EFEM)從FOUP傳送至處理設備，該設備前端模組(EFEM)大體上包含用於接收FOUP之一裝載埠、一傳送單元、一框架或「微環境」及用於在EFEM內產生氣流之一風扇過濾單元。

當FOUP被銜接在一裝載埠上時，裝載埠之一門與FOUP之一門介接，且使FOUP之門從FOUP之一殼體脫離。當FOUP之門係從殼體脫離(打開)時，EFEM容許容置在EFEM內之傳送單元接取儲存在FOUP內之基板。由一風扇過濾單元引入之一氣流從EFEM之一頂部流過EFEM而至EFEM之一底部。

本發明係關於一種一基板容器之清洗程序控制，包含驅動例如在半導體製造中使用之基板容器之(若干)清洗模組之一或多個流量控制裝置。更明確言之，本發明係關於基於時序及/或基於基板容器上或內之經感測環境狀況(諸如相對濕度、氧含量(oxygen level)、內部壓力、揮發性有機化合物等)在清洗時即時地組態及驅動(若干)清洗模組之一或多個流量控制裝置。

在至少一個實例實施例中，一種系統包含具有至少兩個清洗模組之一基板容器。該至少兩個清洗模組之各清洗模組包含一流量控制裝置。各清洗模組之流量控制裝置被組態為經驅動用於使一清洗流體排出。

在至少一個實例實施例中，一種驅動一基板容器之清洗模組之流量控制裝置之方法包含：起始基板容器之一清洗程序；使一清洗流體流入至該基板容器之一內部中，該基板容器具有至少兩個清洗模組，該至少兩個清洗模組之各清洗模組包含一流量控制裝置，各清洗模組之該流量控制裝置被組態成經驅動用於使該清洗流體排出；及驅動該流量控制裝置用於使該清洗流體排出。

100:基板容器

102:殼體

104:門

110:基板容器

111:門

112A:第一清洗埠

112B:第二清洗埠

112C:第三清洗埠

113:殼體

114:第一側壁

115:擱板

116:第二側壁/右側

117:內部空間

118:後壁

119:前開口

120:頂壁

121:基板容器

122:底壁

123:前開口

124A:前邊緣

124B:前邊緣

125:門

126:設備連接器

127:殼體

129:晶圓

130:示意圖

132:前開口

134:設備掛鉤

136:內部/內部空間

138:基板容器

140:半導體晶圓

142:裝載埠

144:底部

146:裝載埠開口

148:設備前端模組(EFEM)

150:外表面(圖2)/頂部(圖4)

200:清洗埠/清洗模組

210:清洗模組

210A:端面

210B:端面

212:主體

214:閥部件

216:彈性部件

218:桿

220:清洗模組

220A:端面

220B:端面

310:基板容器

320:基板容器

330:基板容器

500:圖

510:門密封啟流壓力/門啟流壓力

520:內部壓力

530:點

540:點

550:圖

570:內部壓力

580:第一臨限值

590:第二臨限值

600:操作流程圖/操作流程/方法/處理流程

610:方塊

620:方塊

630:方塊

640:方塊

650:方塊

660:方塊

在下文[實施方式]中，實施例僅被描述為繪示，因為熟習此項技術者將從以下[實施方式]明白各種變化及修改。相同元件符號在不同圖中之使用指示類似或相同品項。

圖1係根據至少一個實例實施例之一基板容器之一正視透視圖。

圖2係根據至少一個實例實施例之一基板容器之一分解圖。

圖3係根據至少一個其他實例實施例之一基板容器之一分解圖。

圖4係根據至少一個實例實施例之與一EFEM相互作用之一基板容器之一示意圖。

圖5A至圖5F繪示根據至少一個實施例之一基板容器之一清洗模組。

圖6A至圖6F繪示根據至少一個實施例之一基板容器之另一清洗模組。

圖7A至圖7B繪示根據至少一個實施例之一基板容器之仰視圖。

圖8係根據至少一個實施例之沿著虛線8-8之圖7B的基板容器之一橫截面視圖。

圖9A係根據至少一個實施例之圖8的一部分之一放大圖。

圖9B係根據至少一個實施例之圖8的另一部分之一放大圖。

圖10繪示根據至少一個實施例之一基板容器之一仰視圖。

圖11係根據至少一個實施例之圖10的基板容器之一正視透視圖。

圖12A係繪示根據至少一個實施例之在一清洗程序期間一基板容器的一內部壓力之一圖。

圖12B係繪示根據至少一個實施例之在一清洗程序期間一基板容器的一內部壓力之另一圖。

圖13展示根據至少一個實例實施例之用於驅動一基板容器之(若干)清洗模組之一或多個流量控制裝置的一操作流程圖。

在以下[實施方式]中，參考隨附圖式，該等隨附圖式形成描述之一部分。在圖式中，除非上下文另有指示，否則類似符號通常識別類似組件。此外，除非另有提及，否則各連續圖式之描述可參考來自先前圖式之一或多者之特徵以提供當前實例實施例之更清晰的上下文及一更實質性的說明。儘管如此，[實施方式]、圖式及發明申請專利範圍中所描述之實例實施例並不意欲為限制性的。在不脫離本文中所呈現之標的物之精神或範疇的情況下，可利用其他實施例，且可作出其他改變。將容易理解，如在本文中大體上描述及在圖式中繪示之本發明之態樣可以各種不同組態配置、替換、組合、分離及設計，其等全部在本文中明確考慮。

本發明係關於一種一基板容器之清洗程序控制，包含驅動例如在半導體製造中使用之基板容器之(若干)清洗模組之一或多個流量控制裝置。更明確言之，本發明係關於基於時序及/或基於基板容器上或內之經感測環境狀況(諸如相對濕度、氧含量、內部壓力、揮發性有機化合物等)在清洗時即時地組態及驅動(若干)清洗模組之一或多個流量控制裝置。

如本文中所定義，術語一流量控制裝置之「驅動」，或「驅動(actuate/actuating)」流量控制裝置可指代使用主動機構(例如，運用一驅動器(actuator)或類似者)而非被動機構(諸如藉由或經由清洗流體之壓力被動地打開流量控制裝置)打開或控制打開流量控制裝置，以容許清洗流體通過流量控制裝置(例如，用於使清洗流體從一基板容器之內部空間排出)。術語一流量控制裝置之「取消驅動(un-actuation)」，或「取消驅動(un-actuate/un-actuating)」流量控制裝置可指代針對經驅動流量控制裝置停止或控制停止主動機構之使用，使得流量控制裝置不再被驅動。即，術語「經驅動」或「經取消驅動」可指代流量控制裝置之一狀態，且術語「驅動(actuate/actuating)」及「取消驅動(un-actuate/un-actuating)」可指代改變流量控制裝置之狀態之(若干)動作。

如本文中所定義，術語「進入」可指代一清洗流體在從一裝載埠至一基板容器之一內部空間之一方向上流動例如通過一流量控制裝置。如本文中所定義，術語「排出」可指代一清洗流體在從基板容器之內部空間至裝載埠之一方向上流動例如通過一流量控制裝置。

如本文中所定義，術語「清洗流體」可指代氮氣、潔淨乾燥空氣(CDA)、超潔淨乾燥空氣(xCDA)、用於調節一容器環境之氣體或任何其他合適流體之一或多者。

如本文中所定義，術語一流量控制裝置(例如，一止回閥或類似者)之「啟流壓力(cracking pressure)」可指代將流量控制裝置打開至足以容許可偵測流量所需之一最小上游壓力。可偵測流量係在流量控制裝置容許一微小但穩定之流體(例如，液體、氣體或類似者)流通過流量控制裝置之主體(例如，閥主體或類似者)及透過流量控制裝置之出口埠流出之時。在一實施例中，一流量控制裝置之啟流壓力亦可指代在其下存在流體流之第一記號之一入口壓力位準。如本文中所定義，術語(例如，一基板容器之)一門或一門密封件之「啟流壓力」可指代門之密封在其下失效(例如，門密封件開始洩漏，或產生從門密封件之洩漏)之一壓力。

如本文中所定義，術語「環境狀況」可指代相對濕度(%RH)資料、氧含量、溫度、壓力(例如，絕對壓力或類似者)、空浮分子污染物之一經量測存在及/或一或多種揮發性有機化合物(VOC)之一經量測存在之一或多者。環境狀況可由基板容器上或內部之(若干)感測器偵測或量測，且經偵測資料可被傳達至在容器內部或外部之(若干)控制器。

將瞭解，呈晶圓形式之基板可經處理以形成半導體裝置。一基板容器(舉例而言，諸如一FOUP)可用於在處理期間運輸及儲存基板。在至少一個其他例示性實施例中，容器可為含有光微影遮罩之一倍縮光罩容器。

在至少一個實例實施例中，當清洗一基板容器(例如，開門清洗、關門清洗等)時，經偵測環境狀況可被即時地傳達至一控制器，或可使用例如資料記錄器進行儲存。感測器及/或資料記錄器可放置在基板容器上或基板容器內部之基板上，且經定位以捕捉各種位置(例如，在容納晶圓之各種狹槽處的基板容器之一內部之前部、後部、右側及左側)中之環境狀況。

圖1係根據至少一個實施例之一基板容器100之一正視透視圖。

如圖1中所展示，基板容器100包含一門104及一殼體102。門104耦合至殼體102且形成一封閉式內部空間。門104可藉由機械地閂鎖或吸力配合在殼體102之一對應開口內而耦合至殼體102；或替代地，門104可在殼體102之對應開口之頂部、底部或任一側之一者上(例如，經由一鉸鏈)耦合至殼體102。在至少一個實例實施例中，基板容器之門可在殼體之一底部開口上耦合至基板容器之殼體。

圖2係根據至少一個實例實施例之一基板容器110之一分解圖。圖2繪示其中門111經移除(例如，打開)之基板容器110。如圖2中所展示，殼體113界定基板可儲存在其中之基板容器110之一內部空間117。

殼體113可包含一開口119，開口119可由耦合至殼體113之門111封閉。可藉由移動(例如，打開、移除)門111來接取基板容器110。例如，可藉由將門111配合至殼體113之開口119中而將門111耦合至殼體113。在至少一個實例實施例中，門111及殼體113之一或多者可包含一鎖定機構(未展示)，以防止門111之無意間打開或移除。在至少另一實例實施例中，殼體113之開口可在殼體之底部處。

如圖2中所展示，殼體113可進一步包含一第一側壁114、一第二側壁116、一後壁118以及一頂壁120及一底壁122。

在至少一個實例實施例中，第一側壁114可與第二側壁116相對且平行，由頂壁120及底壁122分隔。第一側壁114可被稱為左側，而右側116可被稱為右側，但「左」或「右」之指定係觀看視角之一問題，且並不意欲以任何方式限制。

頂壁120及底壁122各自延伸於第一側壁114與第二側壁116之間。在至少一個實例實施例中，頂壁120可與底壁122相對且平行，由第一側壁114及第二側壁116分隔。底壁122包含沿著前開口119延伸之一邊緣124A。邊緣124A亦延伸於殼體113之第一側壁114與第二側壁116之間。第一側壁114包含沿著前開口119延伸之一邊緣124B。第一側壁114之邊緣124B亦延伸於殼體113之頂壁120與底壁122之間。在至少一個實例實施例中，前邊緣124A及124B係彼此垂直且界定前開口119。

基板容器110可包含在殼體113之頂壁120上之一設備連接器(亦稱為一「自動化凸緣」)126。在至少一個實例實施例中，設備連接器126容許用於移動基板容器110之一自動化附件(未展示)。自動化附件可包含但不限於一自動化臂(亦稱為一「架空(overhead)傳送系統」)，其可連接至基板容器110。例如，自動化臂可用於在不同處理設備件之間移動基板容器110。在至少一個實例實施例中，基板容器110可包含一或多個把手(未展示)以容許一使用者(例如，一技術人員等)人工地移動基板容器110。

基板容器110可進一步包含用於將基板固持在內部空間117中之複數個擱板115。

在至少一個實例實施例中，內部空間117包含壁114、116、118、120及/或122之內壁/表面。在第二側壁116之內表面上的擱板115之部分在圖2中被遮擋，其等可具有與在第一側壁114上之擱板115上的部分類似之一組態。壁114及116之內表面上之擱板115可經組態以協同地將一基板(未展示)固持在內部空間117內。例如，擱板115可形成及/或界定狹槽，且經定尺寸以固持一特定尺寸之基板(例如，150mm晶圓、200mm晶圓等)。

根據至少一個實例實施例，當基板容器110之門111打開時，可將清洗流體供應至內部空間117以減少外部環境(例如，氣體、微粒、濕氣等)透過前開口119進入基板容器110中。例如，經供應清洗流體可透過前開口119從內部空間117流出，因此減少任何氣體或物質透過前開口119向內流入至內部空間117中。在至少一個實例實施例中，一裝載埠之一門經組態以與門111介接且使門111從殼體113脫離(以打開門111)。在至少一個實例實施例中，一控制器經組態以打開/閉合門111。可在門打開之前、門打開期間、門正在閉合時及門已閉合時控制一清洗程序。清洗流體可為一大體惰性氣體，諸如氮氣。清洗流體亦可為潔淨乾燥空氣(CDA)或超潔淨乾燥空氣(xCDA)。清洗流體進一步可為用於調節基板之任何氣體或任何其他合適氣體。將瞭解，一清洗塔(未展示)可促進清洗流體流入至基板容器110中，使得清洗流體可被引導朝向容置在基板容器110中之晶圓且接著離開該等晶圓。清洗流體可清掃容器及其內容物，拾取殘留水分、氧氣及大氣微污染物(AMC)，且促使微粒朝向(若干)出口清洗埠或門開口移動。

基板容器110之底壁122包含用於容納或容置(若干)清洗模組及用於將清洗流體供應至內部空間117中之(若干)清洗埠(112A、112B、112C)。例如，基板容器110可透過一第一清洗埠112A被供應一第一清洗流體流，透過一第二清洗埠112B被供應一第二清洗流體流，及/或透過一第三清洗埠112C被供應一第三清洗流體流。在至少一個實例實施例中，清洗埠(112A、112B、112C)之一或多者可組態為一入口清洗埠抑或一出口清洗埠。基板容器110可包含一第四入口/出口清洗埠(未展示)。本文中所描述及敘述之實施例不限於四個或更少之清洗埠。即，本文中所描述及敘述之數量僅經提供用於描述目的，而並不意欲為限制性的。在至少一個實例實施例中，該(等)入口/出口清洗埠可安置在基板容器110之側壁上。

殼體113具有一外表面150。(若干)入口/出口清洗埠(112A、112B、112C等)之各者從內部空間117延伸穿過底壁122而至殼體113之外表面150。基板容器110可包含四個入口/出口清洗埠或不同數目個入口/出口清洗埠。在至少一個實例實施例中，基板容器110可包含一或多個清洗埠。在至少一個實例實施例中，基板容器110可包含一或多個前清洗埠(分別對應於圖5之210及/或240且與其流體連接)及一或多個後清洗埠(分別對應於圖5之220及/或230且與其流體連接)。在至少一個實例實施例中，前清洗埠之一或多者可為用於將內部空間117中之氣體排出基板容器110之(若干)出口清洗埠。

(若干)清洗埠(112A、112B、112C)可容許諸如一清洗流體(例如，氮氣)之一流體流入至基板容器110中。可提供一止回閥(未展示，例如，一機械止回閥)以促進一流體(包含從基板容器110清洗之氣體)從基板容器110之內部空間117透過(若干)出口清洗埠(112A、112B、112C或第四清洗埠)流出。

圖3係根據至少一個實例實施例之一基板容器121之一分解圖。基板容器121包含一前開口(open front)123、一門125及一殼體127。晶圓129可透過前開口123水平地插入及移除。形成在殼體127之內側中之狹槽(不可見)容納晶圓129。門125可包含一密封件，以與殼體127接合而形成與周圍大氣隔離之一內部環境。

圖4係根據一實施例之與一EFEM 148相互作用之一基板容器138之一示意圖130。基板容器138被銜接在鄰近EFEM 148之一裝載埠142上。基板容器138可為任何前開式基板載體，諸如(舉例而言)FOUP、一前開式運輸箱(FOSB)或一多應用載體(MAC)。熟習此項技術者將大體上理解，本文中所揭示之許多概念可對於其他基板容器或載體及更特定言之其他前開式或底開式基板容器及載體具有適用性。基板容器138可包含一設備掛鉤134。當基板容器110被附接至EFEM 148時，基板容器110之前開口132係沿著EFEM 148之一內部定位。

在使用中，基板容器138可銜接在裝載埠142上，且裝載埠142之一門與基板容器138之一門(例如，圖3之125)介接，且使基板容器138之門從基板容器138之一殼體脫離。當基板容器138之門從殼體脫離(打開)時，EFEM 148允許容置在EFEM 148內之一機械臂接取儲存在基板容器138內之半導體晶圓140。如由圖4中之箭頭所指示，氣體(例如，氮氣、超潔淨乾燥空氣等)可從EFEM 148之一頂部150流過EFEM 148而至EFEM 148之一底部144，以減少EFEM 148內之污染物。

當基板容器138之前開口132與EFEM 148之裝載埠開口146介接而產生一FOUP-EFEM界面時，流過EFEM 148及跨過裝載埠開口146之一些氣體可流入至容器138之內部136中，因暫時引起諸如基板容器138之微環境內之相對濕度及/或氧含量的內部環境增加而潛在地干擾基板容器138之清洗能力，此可為不希望的。另外，並非所有EFEM具有相同構造。EFEM以及EFEM之內部結構的大小及尺寸可取決於製造商而變化。當基板容器138係與不同EFEM一起利用時，不同製造商之EFEM之間的大小及構造之可變性可產生基板容器138之清洗效能的差異。將瞭解，在基板容器138之清洗程序期間，清洗流體可分佈在包含前開口132之容器138之整個內部，以對抗氣體從EFEM 148透過前開口132進入內部空間136中之紊流。一控制器(在圖6及圖7中詳細描述)可經組態以調整基板容器138之清洗流參數(例如，氣體流速)，以在具有來自不同EFEM之影響的情況下達成最佳化環境回應(例如，%RH、壓力等)。

圖5A至圖5F繪示根據至少一個實施例之一基板容器之一清洗模組(或清洗匣)210。圖5A係清洗模組210之一側視圖。圖5B係清洗模組210之一橫截面視圖。圖5C係清洗模組210之一橫截面透視圖。圖5D係清洗模組210之一透視俯視圖。圖5E係清洗模組210之一透視仰視圖。圖5F係清洗模組210之一仰視圖。將瞭解，清洗模組210可安置在基板容器之一清洗埠中。

圖6A至圖6F繪示根據至少一個實施例之一基板容器之另一清洗模組220。圖6A係清洗模組220之一側視圖。圖6B係清洗模組220之一橫截面視圖。圖6C係清洗模組220之一橫截面透視圖。圖6D係清洗模組220之一透視俯視圖。圖6E係清洗模組220之一透視仰視圖。圖6F係清洗模組220之一仰視圖。將瞭解，清洗模組220可安置在基板容器之一清洗埠中。

將瞭解，清洗模組之一些實施例係在美國專利5,810,062、U.S.6,187,182及U.S.7,328,727中描述，該等案之全文以引用的方式併入本文中。

將瞭解，在圖5B、圖5F、圖6B、圖6F、圖7A及圖8中，沿著基板容器之高度之方向被標記為「Z」方向。沿著基板容器之長度之方向被標記為「X」方向。沿著基板容器之寬度之方向被標記為「Y」方向。進一步將瞭解，各清洗模組可安置在一清洗埠中，且清洗模組(210、220)可安置在圖2之(若干)清洗埠(例如，112A、112B、112C等)中。

在圖5A至圖5F中，清洗模組210可組態為一「被動」入口清洗模組。即，清洗模組210之一流量控制裝置可經由一被動機構打開(諸如藉由或經由流入至基板容器中之清洗流體之壓力被動地打開流量控制裝置)。清洗模組210包含經組態以控制清洗流體之流量之一流量控制裝置(212、214、216、218)。在一實施例中，流量控制裝置可為一止回閥、一傘形閥(umbrella valve)、一隔膜或用於控制清洗流體之流量之任何其他合適裝置。

在如圖5B中所展示之一實施例中，流量控制裝置包含一主體212、一閥部件214及用於閥部件214之一密封件/座、一彈性部件(例如，一彈簧或類似者)216及一桿218。在一實施例中，閥部件214及桿218可被稱為一柱塞。主體212係裝納流量控制裝置之內部零件之外殼。閥部件214係在主體212內部之一可移動障礙物，其可調整地限制通過流量控制裝置之清洗流體之流量。彈性部件216係安置在主體212內部，且經組態以預設地(僅藉由彈性部件216之彈力，而無施加在閥部件214上以壓縮彈性部件216之(若干)向上力)將閥部件214移位至一位置(即，流量控制裝置之一閉合位置或一密封位置或狀態)中，但容許控制以使閥部件214復位。桿218係由彈性部件216包覆且安置在彈性部件216內部，且可與閥部件214一起移動。

在操作中，清洗模組210可組態為一被動入口清洗模組。清洗模組210之端面210A面向基板容器之內部空間。清洗模組210之端面 210B面向基板容器外部且面向裝載埠。閥部件214係安置在端面210B側處。在開始清洗程序之前，不存在清洗流體流(且無來自主動機構之其他力)，且歸因於例如彈性部件216之彈力，流量控制裝置係處於一閉合位置。當清洗程序已開始時，清洗流體係經由清洗模組210流動且流入至基板容器中。清洗流體之流動對閥部件214上施加一向上力。當清洗流體之壓力增加至大於清洗模組210之流量控制裝置的啟流壓力之一位準時，該力推動閥部件214向上移動(與桿218一起)，且壓縮彈性部件216(以克服彈性部件216之彈力)，使得流量控制裝置從一閉合位置(在該位置處，防止清洗流體流過流量控制裝置)改變為一打開位置(在該位置處，清洗流體可流過流量控制裝置)，例如，在從裝載埠至基板容器之內部空間之一方向上。

在圖6A至圖6F中，清洗模組220可組態為一「被動」出口清洗模組。即，清洗模組220之一流量控制裝置可經由一被動機構打開(諸如藉由或經由基板容器內部之清洗流體之壓力被動地打開流量控制裝置)。清洗模組220包含經組態以控制清洗流體之流量之一流量控制裝置(212、214、216、218)。在一實施例中，清洗模組220之流量控制裝置可與清洗模組210之流量控制裝置相同，惟定向除外(例如，無論閥部件214係安置/定向在面向基板容器之內部空間之側處，或在面向裝載埠之側處)。

在操作中，清洗模組220可組態為一出口清洗模組。清洗模組220之端面220A面向基板容器之內部空間。清洗模組220之端面220B面向基板容器外部且面向裝載埠。閥部件214係安置在端面220A側。在開始清洗程序之前，不存在清洗流體流(且無來自主動機構之其他力)，且歸因於例如彈性部件216之彈力，流量控制裝置係處於一閉合位置。當清洗程序已開始時，清洗流體係經由清洗模組210流動且流入至基板容器中，且基板容器之內部壓力增加。基板容器內部之清洗流體之壓力引起施加在閥部件214上之一向下力。當基板容器之內部壓力增加至大於清洗模組220之流量控制裝置的啟流壓力之一位準時，該力推動閥部件214向下移動(與桿218一起)，且壓縮彈性部件216(以克服彈性部件216之彈力)，使得流量控制裝置從一閉合位置(在該位置處，防止清洗流體流過流量控制裝置)改變為一打開位置(在該位置處，清洗流體可流過流量控制裝置)，例如，在從基板容器之內部空間至裝載埠之一方向上。

圖7A至圖7B繪示根據至少一個實施例之一基板容器之仰視圖。如圖7A中所展示，基板容器310包含四個清洗埠。兩個清洗埠200被封堵。即，無清洗模組被安置/容置在清洗埠200中，及/或清洗埠200係用一閉合匣(或一主體、一插塞或類似者)封堵，且不能操作用於引導清洗流體。一個清洗埠經組態以容置一被動入口清洗模組210。另一清洗埠經組態以容置一被動出口清洗模組220。將瞭解，清洗模組200之各者可與清洗模組(210、220)之任一者相同。將瞭解，基板容器310可包含任何合適數目(例如，一個、兩個或類似者)之經封堵清洗埠200。如圖7B中所展示，基板容器320包含四個清洗埠。三個清洗埠經組態以容置被動入口清洗模組210。一個清洗埠經組態以容置一被動出口清洗模組220。

圖8係根據至少一個實施例之沿著虛線8-8之圖7B的基板容器320之一橫截面視圖。圖9A係根據至少一個實施例之圖8的一部分之一放大圖。圖9B係根據至少一個實施例之圖8的另一部分之一放大圖。如圖9A中所展示，放大部分包含被組態為一被動出口清洗模組之一清洗模組 220。如圖9B中所展示，放大部分包含被組態為一被動入口清洗模組之一清洗模組210。

圖10繪示根據至少一個實施例之一基板容器330之一仰視圖。圖11係根據至少一個實施例之圖10之基板容器330之一正視透視圖(未展示基板容器330之一門)。如圖10及圖11中所展示，基板容器330包含四個清洗模組，其等各自具有一流量控制裝置。將瞭解，基板容器330可包含至少兩個清洗模組，或任何其他合適數目之清洗模組。

在圖10及圖11中，所有清洗模組之流量控制裝置被組態及/或定向為彼此相同(例如，使得各清洗模組被組態為一被動入口清洗模組210)。當(若干)清洗埠被連接至清洗流體源時，此組態及/或定向可容許在基板容器之一清洗程序期間藉由或經由清洗流體(例如，其流入至基板容器之內部空間中)之壓力被動地打開(若干)流量控制裝置。當(若干)清洗埠未被連接至清洗流體源時，此組態及/或定向亦可防止在基板容器之一清洗程序期間藉由或經由基板容器內部之清洗流體(例如，其流出基板容器之內部空間)之壓力被動地打開(若干)流量控制裝置，此係因為基板容器之內部壓力可引起對閥部件214之一向下力，以保持流量控制裝置閉合。

在此一實施例中，可使用一主動機構(例如，其具有一驅動器或類似者)來執行打開或控制打開流量控制裝置以容許清洗流體通過流量控制裝置(例如，用於使清洗流體從一基板容器之內部空間排出)。即，流量控制裝置可經由一驅動機構(未展示)驅動(以打開用於使清洗流體從一基板容器之內部空間排出)。將瞭解，驅動流量控制裝置(機械地或類似者)用於使清洗流體排出可能結合驅動(機械地或類似者)或被動地打開其他流量控制裝置用於使清洗流體進入一起發生。在一實施例中，驅動機構包含一驅動器(例如，控制一銷之一螺線管、一機械裝置或類似者)以驅動流量控制裝置。例如，驅動器可經控制以觸碰及向上推動流量控制裝置之閥部件214，且對閥部件214施加一向上力以克服基板容器之內部壓力(外加彈性部件216之彈力)，使得流量控制裝置可打開，且來自基板容器之內部空間之清洗流體可流出基板容器(且基板容器之內部壓力降低)。在一實施例中，驅動機構可在基板容器上或為基板容器之一部分。在另一實施例中，驅動機構可與基板容器分開或獨立於基板容器(例如，驅動機構被安置在裝載埠或類似者上)。

在一實施例中，基板容器330之清洗模組之任一者可包含一微粒過濾器或一通氣口。在一實施例中，基板容器330可包含一洩壓閥。洩壓閥可經組態以當例如基板容器之一內部壓力係處於或高於基板容器之一門密封件之一啟流壓力時(例如，在正常使用期間或類似者)打開。將瞭解，若在門密封件及入口定向止回閥啟流壓力可能高得危險之一情況下，則在清洗期間在未驅動入口定向止回閥之至少一者之情況下對容器進行清洗/加壓。在此情況下，洩壓閥可經組態以在小於系統啟流壓力之一壓力位準下打開，以確保容器不會在壓力下失效。亦將瞭解，洩壓閥之啟流壓力可低於門密封件之啟流壓力。若系統壓力(例如，門密封件及入口定向止回閥啟流壓力)高得危險(例如，處於或高於一臨限值)，則洩壓閥可經組態以例如在經指定用於排出之(若干)清洗模組無意間未被驅動之情況下打開。在一實施例中，基板容器330之清洗模組之流量控制裝置之一或多者可同時地或循序地經驅動(或經取消驅動)以達成一所要清洗。

圖12A係繪示根據至少一個實施例之在一清洗程序期間一基板容器的一內部壓力之一圖500。圖12B係繪示根據至少一個實施例之在一清洗程序期間一基板容器的一內部壓力之另一圖550。將瞭解，圖500繪示七個清洗操作，該等操作示範歸因於容器加壓之門啟流之一問題。點540表示門密封件之一啟流壓力。圖500繪示在一清洗程序(例如，一閉門清洗)期間，容器經加壓直至其達到門密封件之啟流壓力。在此情況下，停止清洗而非繼續，但其可隨著清洗流體從門洩漏出而繼續。該操作經重複七次以示範再現性。圖550繪示一旦到達510(與540相同)，系統便可藉由驅動一清洗埠中之一清洗模組之一流量控制裝置來作出反應，以將壓力釋放至低於門密封件之啟流壓力之一位準。在此情況下，清洗流體可以一受控方式從清洗埠(其容置經驅動流量控制裝置)排出而非在門周圍洩漏。

如圖12A及圖12B中所展示，垂直座標表示一基板容器之內部壓力(例如，以千帕或kPa為單位)(例如，在一清洗程序期間)。在一實施例中，基板容器可為一晶圓或倍縮光罩載體，例如一FOUP、一盒(諸如一極紫外光(EUV)倍縮光罩盒)或類似者。水平座標表示清洗程序之時間(例如，以秒為單位)。

在一清洗程序(例如，一閉門清洗程序或類似者)期間，清洗流體係經由(若干)清洗埠(例如，(若干)入口清洗埠)流入至基板容器之內部空間中，且基板容器之內部壓力520正在增加。

將瞭解，用諸如一乾燥氣體之一清洗流體進行清洗可幫助降低%RH。若一惰性氣體被用作清洗流體，則經由(若干)經驅動清洗模組將惰性氣體從容器中排出而非使惰性氣體從門洩漏出可為經濟的且安全的。使用惰性氣體作為清洗流體可具有降低氧氣之額外優點。亦將瞭解，一基板容器之增加的內部加壓可幫助延長氧回收(oxygen recovery)。增加的內部加壓可延長內部壓力衰減至環境之時間。關於氧回收，將瞭解，用一惰性氣體(作為清洗流體)進行清洗可將容器中之氧含量降低至例如處於或約為百萬分之零(ppm)。氧回收可被稱為氧含量升高至特定規定位準(例如200ppm、10,000ppm或21%或類似者)之一程序。容器中之氧含量愈低，則在半導體生產期間電路可能發生之氧化愈少。因而，通常可需要((若干)出口清洗埠之)一高(例如，處於或約為1kPa至處於或約為5kPa)啟流壓力之排氣止回閥，以容許基板容器加壓至一所要位準。相比之下，當清洗一基板容器時亦期望一低(例如，小於1kPa)啟流壓力之排氣止回閥，以確保清洗流體歸因於基板容器之內部壓力打開排氣止回閥而被動地透過排氣埠(出口清洗埠)離開。再者，基板容器之內部壓力超過(基板容器之)門密封件啟流壓力可產生從門密封件之一洩漏。因此，通常，(例如，圖5B之清洗模組220之)被動「出口」止回閥需要具有比門密封件啟流壓力低之一啟流壓力。將瞭解，門密封件之一橫截面積通常比一清洗埠之橫截面積大得多。即使清洗埠之一被動啟流壓力低於門密封件之被動啟流壓力，大多數清洗流體仍可在門周圍流動。若吾人將藉由將清洗埠啟流壓力降低至零或接近零來「解決」此難題，則容器中之氧氣可迅速升高。

在典型基板容器組態中，基板容器可包含三個入口清洗埠及一個出口清洗埠，或者兩個入口清洗埠及兩個出口清洗埠，或類似者(參見圖7A及圖7B)。運用此等組態，在清洗程序期間，清洗流體透過入口清洗埠流入至基板容器中，且透過該(等)出口清洗埠被動地排出。基板容器內部之內部壓力以一已知啟流壓力(亦稱為閥最小打開壓力，例如小於4kPa)打開(若干)出口清洗模組之止回閥。通常，歸因於門密封件之低(例如，處於或約為或大於5kPa)啟流壓力，(若干)出口清洗模組之止回閥的啟流壓力之值需要對應地低，以確保清洗流體在透過門密封件排出之前透過該(等)出口清洗埠排出。

本文中所揭示之實施例(例如，如圖10及圖11中所描述)可提供一基板容器，該基板容器將所有清洗模組之所有流量控制裝置彼此相同組態及/或定向(使得各清洗模組被組態為一被動入口清洗模組210)。當(若干)清洗埠被連接至清洗流體源時，此組態及/或定向可容許在基板容器之一清洗程序期間藉由或經由清洗流體(例如，其流入至基板容器之內部空間中)之壓力被動地打開(若干)流量控制裝置。當(若干)清洗埠未被連接至清洗流體源時，此組態及/或定向亦可防止在一清洗程序期間藉由或經由基板容器內部之清洗流體(例如，其流出基板容器之內部空間)之壓力被動地打開(若干)流量控制裝置，此係因為基板容器之內部壓力對閥部件214施加一向下力以保持流量控制裝置閉合。在此一實施例中，可使用一主動機構(例如，其具有一驅動器或類似者)來執行打開或控制打開流量控制裝置以容許清洗流體通過流量控制裝置(例如，用於使清洗流體從一基板容器之內部空間排出)。

返回至圖12A，運用圖10及圖11之清洗埠組態，流量控制裝置之任一者可組態成具有大於基板容器之門密封件的一啟流壓力及/或大於一典型流量控制裝置(例如，圖6A至圖6F之220)的一啟流壓力之一啟流壓力。在清洗程序(例如，一閉門清洗程序或類似者)期間，清洗流體係經由連接至清洗流體源之(若干)清洗埠流入至基板容器之內部空間中，且在未驅動(若干)清洗模組之(若干)流量控制裝置之情況下，可增加內部壓力520直至在點540達到門密封件啟流壓力510。在點540，若未採取動作(例如，無清洗模組之流量控制裝置被驅動)，則在清洗程序期間，清洗流體可透過門墊圈洩漏出。在點540，(若干)清洗模組之一或多個流量控制裝置可經由一驅動機構驅動(以打開用於使清洗流體從基板容器之內部空間排出)。即，具有一經驅動流量控制裝置之各清洗模組可用作一「出口」清洗模組，使得清洗流體可經由各「出口」清洗模組之經驅動流量控制裝置從基板容器之內部空間排放，且內部壓力520可在點530達到零(而無清洗流體透過門密封件洩漏)。在點530，經驅動流量控制裝置可被取消驅動(即，未由驅動機構驅動)，且基板容器之內部壓力及/或流量控制裝置之彈性部件之彈力可保持流量控制裝置閉合，以防止清洗流體從基板容器之內部空間排出。當清洗流體繼續流入至基板容器中時，內部壓力520可再次增加。

如圖12B中所展示，運用圖10及圖11之清洗埠組態，在清洗程序(例如，一閉門清洗程序或類似者)期間，可藉由驅動及取消驅動(若干)清洗模組之一或多個流量控制裝置來將內部壓力570維持在門啟流壓力510以下(例如，在一第一臨限值580與一第二臨限值590之間)。例如，當清洗流體係經由連接至清洗流體源之(若干)清洗埠流入至基板容器之內部空間中時，且在未驅動(若干)清洗模組之(若干)流量控制裝置之情況下，內部壓力增加使得達到第一臨限值580(其可等於或小於門啟流壓力510)，(若干)清洗模組之一或多個流量控制裝置可經由一驅動機構驅動(以打開用於使清洗流體從基板容器之內部空間排出)，使得內部壓力570降低，直至達到第二臨限值590。當達到第二臨限值590時，(若干)清洗模組之一或多個流量控制裝置可被取消驅動(以閉合而防止清洗流體從基板容器之內部空間排出)，使得內部壓力570增加(由於清洗流體在清洗程序期間持續流入至基板容器中)。將瞭解，在另一實施例中，門啟流壓力510 係已知的，使得當達到第一臨限值580時(在達到門啟流壓力510之前)，系統可驅動一或多個流量控制裝置。亦將瞭解，在一實施例中，內部壓力570不需要達到臨限值580或590。在此實施例中，可藉由例如驅動或取消驅動(若干)清洗模組之一或多個流量控制裝置來將內部壓力570保持在臨限值580或590之限制之一百分比內。進一步將瞭解，在一實施例中，控制器可經組態以持續驅動(若干)清洗模組之一或多個流量控制裝置，以控制清洗流體之排出流速。

圖13展示根據至少一個實例實施例之用於驅動一基板容器之(若干)清洗模組之一或多個流量控制裝置的一操作流程圖600。

操作流程600可包含由一或多個方塊610、620、630、640、650及660描繪之一或多個操作、動作或功能。儘管被繪示為離散方塊，但取決於所要實施方案，各個方塊可劃分為額外方塊、組合成較少方塊或被消除。作為一非限制性實例，根據本文中所描述之一或多個實例實施例，對應於圖10及圖11中之其清洗埠組態及由一控制器執行的方法600之描述係關於驅動一基板容器之(若干)清洗模組之一或多個流量控制裝置用於一清洗程序。

將瞭解，在一實施例中，控制器可包含一處理器、一記憶體、一輸入/輸出及/或一儲存器。應瞭解，控制器可包含一或多個額外組件。處理器可擷取及執行儲存在記憶體及/或儲存器中之程式設計指令。處理器亦可儲存及擷取駐留在記憶體中之應用資料。處理器可為一單一處理器、多個處理器、協同處理器或具有多個處理核心之一單一處理器。在一些實施例中，處理器可為一單執行緒處理器。在一些實施例中，處理器可為一多執行緒處理器。記憶體大體上經包含以表示一隨機存取記憶體，諸如但不限於靜態隨機存取記憶體(SRAM)、動態隨機存取記憶體(DRAM)、快閃記憶體、其等之合適組合或類似者。在一些實施例中，記憶體可為一揮發性記憶體。在一些實施例中，記憶體可為一非揮發性記憶體。輸入/輸出可包含有線及無線連接兩者。

處理流程600可在方塊610開始。方塊610可涉及製備基板容器，包含將基板容器之所有清洗模組之所有流量控制裝置彼此相同地組態及/或定向(參見圖10及圖11之描述)。運用此組態或定向，所有清洗模組可組態為「被動」入口清洗模組(即，容許藉由或經由流入至基板容器中之清洗流體之壓力被動地打開流量控制裝置)。方塊610之後可接著方塊620。

方塊620可涉及控制器控制開始或起始一清洗程序(例如，一閉門清洗程序或類似者)。方塊620之後可接著方塊630。

方塊630可涉及控制器藉由例如將(若干)清洗埠連接/打開至清洗流體源來控制使一清洗流體經由基板容器之清洗埠之一或多者流入至一基板容器之一內部中。由於所有清洗模組被組態為「被動」入口清洗模組，故可基於例如所需/所要/預定之清洗流體流速或流量來使清洗流體同時地或循序地經由清洗埠之任一或多者流入至基板容器中。方塊630之後可接著方塊640。

方塊640可涉及一或多個感測器即時地或在一段時間期間偵測/感測/量測基板容器之內部上或中之一或多種環境狀況。一或多種環境狀況可包含相對濕度(%RH)、內部壓力(例如，絕對壓力)、氧含量、溫度、空浮分子污染物之一經量測存在、一或多種揮發性有機化合物(VOC)之一經量測存在等之一或多者。一或多個感測器可安置或安裝在基板容器上或基板容器之內部空間中。將瞭解，一或多個感測器可定位於供應清洗之系統內之容器外部。一或多種環境狀況可從一或多個感測器傳達至控制器。在另一實施例中，方塊640可涉及控制器判定一時序。方塊640之後可接著方塊650。

方塊650可涉及控制器基於(若干)經判定環境狀況或經判定時序來控制驅動(例如，經由控制一驅動機構)或取消驅動基板容器之(若干)清洗模組之一或多個流量控制裝置。

例如，在清洗程序期間，清洗流體係流入至基板容器中，且基板容器之內部壓力增加。控制器可經組態以基於基板容器之一經感測內部壓力來驅動一或多個流量控制裝置(例如，用於使清洗流體從基板容器之內部空間排出或排放)或取消驅動一或多個流量控制裝置(例如，以閉合一或多個流量控制裝置而防止清洗流體從基板容器之內部空間排出)(例如，以維持基板容器之一內部壓力低於基板容器之一門密封件之一啟流壓力或類似者)。參見圖12A及圖12B之描述。

在另一實例中，在清洗程序期間，清洗流體係流入至基板容器中，且控制器可經組態以基於時序(例如，基於一時間量或計時至一事件，其可為客戶或應用特定時序)來驅動一或多個流量控制裝置(例如，用於使清洗流體從基板容器之內部空間排出)或取消驅動一或多個流量控制裝置(例如，以閉合一或多個流量控制裝置而防止清洗流體從基板容器之內部空間排出)。

在又一實例中，在清洗程序期間，清洗流體係流入至基板容器中，且控制器可經組態以基於(若干)經感測環境狀況(諸如基板容器之一經感測內部相對濕度、基板容器之一經感測內部氧含量及/或基板容器內部之一或多種揮發性有機化合物(VOC)之一經感測存在)來驅動一或多個流量控制裝置(例如，用於使清洗流體從基板容器之內部空間排出)或取消驅動一或多個流量控制裝置(例如，以閉合一或多個流量控制裝置而防止清洗流體從基板容器之內部空間排出)。類似於圖12A及圖12B之論述，當(若干)經感測環境狀況係例如高於一所要範圍(或高於一最大容許臨限值)時，控制器可經組態以驅動一或多個流量控制裝置(例如，用於使清洗流體從基板容器之內部空間排出)以例如降低該(等)環境狀況之一位準。當(若干)經感測環境狀況係例如低於一所要範圍(或低於一最小容許臨限值)時，控制器可經組態以取消驅動一或多個流量控制裝置(例如，以閉合一或多個流量控制裝置而防止清洗流體從基板容器之內部空間排出)以例如增加該(等)環境狀況之一位準。在一實施例中，(若干)環境狀況之一所要範圍可為從0%至環境狀況。在一實施例中，控制將減少或防止污染物(例如，VOC或類似者)進入基板容器。

在又一實例中，在清洗程序期間，清洗流體係流入至基板容器中，且控制器可經組態以同時地或循序地選擇性驅動、取消驅動及/或連接/打開清洗流體源至清洗模組(例如，四個清洗模組之任一或多者)之流量控制裝置之任何合適組合，以維持基板容器內部之清洗流體流之一所要清洗(例如，一均勻分佈或類似者)。

方塊650之後可接著方塊660。方塊660可涉及當滿足(若干)所要環境狀況時，當規定時間結束時或當規定事件發生/結束時等，控制器控制取消驅動基板容器之(若干)清洗模組之一或多個流量控制裝置。

本文中所揭示之實施例可幫助減少或消除依賴一被動出口止回閥在一清洗程序期間歸因於內部壓力而被動打開之需要，可在例如一閉門清洗程序期間提供基板容器之較高內部加壓而導致改良之氧氣控制，可歸因於容器之內部壓力迫使止回閥柱塞在清洗程序期間閉合而提供改良之密封傳導性，可在清洗程序期間依據時間或匹配諸如基板容器內部之VOC、%RH、壓力或類似者之一環境狀況準則來驅動(例如，機械地或類似者)(若干)清洗模組之流量控制裝置打開或取消驅動(若干)清洗模組之流量控制裝置(使得流量控制裝置閉合，因為無清洗模組歸因於容器之內部壓力而被動地打開)。

本文中所揭示之實施例可使用自動化來驅動(例如，機械地或類似者)清洗模組打開或取消驅動(若干)清洗模組之流量控制裝置，且可經由感測器監測基板容器中之(若干)環境狀況及驅動(例如，機械地或類似者)排氣以控制基板容器中之內部壓力、VOC、%RH、AMH、氧氣或類似者之位準。本文中所揭示之實施例可使用自動化來選擇性地驅動及/或選擇性地取消驅動清洗模組之流量控制裝置之一組合，以輔助高效地排空基板容器以維持(若干)所要環境狀況。

態樣：應瞭解，態樣1至19之任一者可與態樣20至27之任一者組合。

態樣1.一種系統，其包括：一基板容器，其具有至少兩個清洗模組，其中該至少兩個清洗模組之各清洗模組包含一流量控制裝置，各清洗模組之該流量控制裝置被組態為經驅動用於使一清洗流體排出。

態樣2.根據態樣1之系統，其中該基板容器係一前開式晶圓盒(FOUP)。

態樣3.根據態樣1或態樣2之系統，其進一步包括：一控制器，其經組態以驅動該流量控制裝置。

態樣4.根據態樣3之系統，其中該控制器經組態以在一閉門清洗程序期間驅動該流量控制裝置。

態樣5.根據態樣3或態樣4之系統，其進一步包括：至少一個感測器，其中該至少一個感測器經組態以感測至少一個參數，及該控制器經組態以基於該經感測之至少一個參數來驅動該流量控制裝置。

態樣6.根據態樣5之系統，其中該至少一個感測器係經組態以感測該基板容器之一內部壓力之一壓力感測器。

態樣7.根據態樣3至6之任一者之系統，其中該流量控制裝置係經由一驅動機構驅動，該驅動機構係由該控制器控制。

態樣8.根據態樣7之系統，其中該驅動機構包含控制一驅動器以驅動該流量控制裝置之一螺線管。

態樣9.根據態樣1至8之任一者之系統，其中該流量控制裝置係一止回閥，該止回閥經定向使得該止回閥係由來自該基板容器外部之壓力或力打開。

態樣10.根據態樣1至9之任一者之系統，其中該流量控制裝置之一啟流壓力大於該基板容器之一門密封件之一啟流壓力。

態樣11.根據態樣1至10之任一者之系統，其中該至少兩個清洗模組包含四個清洗模組，該系統進一步包含一控制器，該控制器經組態以選擇性地驅動該四個清洗模組之流量控制裝置之一組合，以維持該基板容器內部之清洗流體流之一所要清洗。

態樣12.根據態樣1至11之任一者之系統，其中該系統進一步包含一控制器，在一閉門清洗程序期間，該控制器經組態以基於該基板容器之一經感測內部壓力來驅動該流量控制裝置。

態樣13.根據態樣12之系統，其中在該閉門清洗程序期間，該控制器經組態以將該基板容器之一內部壓力維持在該基板容器之一門密封件之一啟流壓力以下。

態樣14.根據態樣1至13之任一者之系統，其中該系統進一步包含一控制器，在一閉門清洗程序期間，該控制器經組態以基於時序來驅動該流量控制裝置。

態樣15.根據態樣1至14之任一者之系統，其中該系統進一步包含一控制器，在一閉門清洗程序期間，該控制器經組態以基於該基板容器之一經感測內部相對濕度來驅動該流量控制裝置。

態樣16.根據態樣1至15之任一者之系統，其中該系統進一步包含一控制器，在一閉門清洗程序期間，該控制器經組態以基於該基板容器之一經感測內部氧含量來驅動該流量控制裝置。

態樣17.根據態樣1至16之任一者之系統，其中該系統進一步包含一控制器，在一閉門清洗程序期間，該控制器經組態以基於該基板容器內部之一或多種揮發性有機化合物之一經感測存在來驅動該流量控制裝置。

態樣18.根據態樣1至17之任一者之系統，其中該至少兩個清洗模組之各清洗模組包含一微粒過濾器或一通氣口。

態樣19.根據態樣1至18之任一者之系統，其進一步包括：一洩壓閥，其中該洩壓閥經組態以當一系統壓力係處於或高於一臨限值時打開。

態樣20.一種驅動一基板容器之清洗模組之流量控制裝置之方法，其包括：起始該基板容器之一清洗程序；使一清洗流體流入至該基板容器之一內部中，該基板容器具有至少兩個清洗模組，該至少兩個清洗模組之各清洗模組包含一流量控制裝置，各清洗模組之該流量控制裝置被組態成經驅動用於使該清洗流體排出；及驅動該流量控制裝置用於使該清洗流體排出。

態樣21.根據態樣20之方法，其進一步包括：經由至少一個感測器感測至少一個參數；及基於該經感測之至少一個參數來驅動該流量控制裝置。

態樣22.根據態樣20或態樣21之方法，其進一步包括：感測該基板容器之一內部壓力；基於該經感測內部壓力來驅動該流量控制裝置。

態樣23.根據態樣22之方法，其進一步包括：維持該基板容器之該內部壓力低於該基板容器之一門密封件之一啟流壓力。

態樣24.根據態樣20至23之任一者之方法，其中該至少兩個清洗模組包含四個清洗模組，該方法進一步包括：選擇性地驅動該四個清洗模組之流量控制裝置之一組合以維持該基板容器內部之該清洗流體之一所要清洗。

態樣25.根據態樣20至24之任一者之方法，其進一步包括：感測該基板容器之一內部氧含量；基於該經感測內部氧含量來驅動該流量控制裝置。

態樣26.根據態樣20至25之任一者之方法，其進一步包括：感測該基板容器之一內部相對濕度；基於該經感測內部相對濕度來驅動該流量控制裝置。

態樣27.根據態樣20至26之任一者之方法，其進一步包括：基於時序來驅動該流量控制裝置。

本申請案中所揭示之實例在所有態樣中被視為闡釋性的而非限制性的。本發明之範疇係由隨附發明申請專利範圍而非由前述描述指示；且在發明申請專利範圍之等效物之含義及範圍內之所有改變意欲被涵括在其中。

在本說明書中使用之術語意欲描述特定實施例且並不意欲為限制性的。術語「一(a、an)」及「該」亦包含複數形式，除非另有明確指示。在於本說明書中使用時，術語「包括(comprises及/或comprising)」指定所陳述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在，但不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在或添加。

關於前述描述，應理解，在不脫離本發明之範疇之情況下，可詳細作出改變，特別是在所採用之構造材料以及零件之形狀、大小及配置方面。本說明書及所描述之實施例僅為例示性的，本發明之真實範疇及精神係由隨後之發明申請專利範圍指示。